JP6856444B2 - 配線基板、配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。また、各形態において同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する場合がある。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図1等の鉛直方向(図中上下方向)から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図1等の鉛直方向から視た形状のことを言う。
第1実施形態を説明する。
図1(a)に示すように、配線基板1は、第1の配線層10、第2の配線層20、絶縁層30、接続ビア40、ソルダーレジスト層51,52、表面処理層61,62を有している。
次に、上述の配線基板1の製造方法を説明する。
なお、説明の便宜上、最終的に配線基板1の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。また、各図の説明に必要な部材について符号を付し、説明しない部材については符号を省略する場合がある。
本実施形態において、接続ビア40は、例えばめっき金属(電解めっき膜153)よりなり、シード層を含まない。例えば、絶縁層の両面に銅箔が貼り付けられた銅張りコアを用いて配線基板を製造する場合、絶縁層に形成した貫通孔に接続ビアを形成するため、絶縁層の貫通孔の内面にシード層を形成する工程を必要とする。これに対し、本実施形態の製造工程では、シード層を形成する工程が不要であるため、製造に要する時間が短い。
次に、上記の配線基板1の作用を説明する。
配線基板1は、絶縁層30の上面30a側に、その絶縁層30に埋設された第1の配線層10を有している。従って、配線層を絶縁層の上面に形成するものに比べ、第1の配線層10が絶縁層30から剥離し難い。
(1−1)配線基板1は、絶縁層30の上面30a側に、その絶縁層30に埋設された第1の配線層10を有している。従って、配線層を絶縁層の上面に形成するものに比べ、第1の配線層10が絶縁層30から剥離し難いため、配線基板1の信頼性を向上できる。
次に、第2実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する場合がある。
絶縁層30の延在部31は、平面視において第1の配線層210の貫通孔211Xと同じ位置に、延在部31を上下方向に貫通する貫通孔31Xを有している。第1の配線層210(パッド部211)の貫通孔211Xと絶縁層30(延在部31)の貫通孔31Xには、接続ビア40が配設されている。接続ビア40は、絶縁層30(延在部31)の貫通孔31Xに配設されたビア部41と、第1の配線層210のパッド部211の貫通孔211Xに配設されたビア部42とを含む。なお、両ビア部41,42は一体的に形成されている。
次に、上述の配線基板201の製造方法を説明する。
図12(a)に示すように、支持体301の上面301aと下面301bとに支持基板としてのキャリア付金属箔302を積層する。支持体301としては、例えば半硬化状態の樹脂層を用いることができる。半硬化状態の樹脂層としては、熱硬化性を有したエポキシ樹脂や熱硬化性ポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、半硬化状態の樹脂層の材料としては、上記以外の樹脂を用いてもよい。また、シリカの粒子等の無機フィラーを含有する半硬化状態の樹脂層、等を用いることができる。無機フィラーとして、アルミナの粒子や炭化珪素の粒子等を用いてもよい。また、複数種類の粒子を用いてもよい。また、支持体301の材料として、上記以外の樹脂を用いてもよい。
図16(a)に示すように、構造体311において、金属箔304の上面304aに、開口部321Xを有するエッチングマスク321を形成する。エッチングマスク321の開口部321Xは、図11(a)に示す第1の配線層210の貫通孔211Xに対応する位置に形成される。エッチングマスク321としては、上述のエッチングマスクと同様に、例えばレジスト層を用いることができる。
本実施形態において、接続ビア40は、例えばめっき金属(電解めっき膜153)よりなり、シード層を含まない。例えば、絶縁層の両面に銅箔が貼り付けられた銅張りコアを用いて配線基板を製造する場合、絶縁層に形成した貫通孔に接続ビアを形成するため、絶縁層の貫通孔の内面にシード層を形成する工程を必要とする。これに対し、本実施形態の製造工程では、シード層を形成する工程が不要であるため、製造に要する時間が短い。
(2−1)上述の第1実施形態と同様の効果をそうする。
(2−2)金属箔302を給電層とする電解めっき法により第1の配線層210を形成した。従って、金属板をエッチングして配線層を形成する場合と比べ、第1の配線層210に含まれる配線部212を微細化することができる。このため、配線密度の高い配線基板201を得ることができる。
・上記各実施形態では、第1の配線層10,210の上面10a,210aに表面処理層61を形成したが、表面処理層61を省略してもよい。この場合、第1の配線層10,210の上面10a,210aが外部接続端子P1として機能し、この外部接続端子に半導体チップ等の電子部品や別の配線基板を搭載することができる。
図22(a)に示すように、第2の金属板110の下面110bの所望位置にレジスト層361を形成する。このレジスト層361は、バンプを形成する位置に対応する。
図23(a)に示すように、配線基板401は、第1の配線層410と第2の配線層420とを有している。第1の配線層410は、パッド部411を有している。第2の配線層420は、パッド部421を有している。ソルダーレジスト層51は、絶縁層30の上面と第1の配線層410の一部を被覆し、パッド部411の上面を露出する開口部51Xを有している。ソルダーレジスト層52は、絶縁層30の下面と第2の配線層420の一部を被覆し、パッド部421の下面を露出する開口部52Xを有している。
図25(a)に示すように、絶縁層30が接する面を粗化面としてもよい。つまり、第1の配線層10において、下面10b及び側面10cを粗化面とする。第2の配線層20において、突起部22の側面22b及び上面22aを粗化面とする。粗化面により配線層10,20と絶縁層30との間の密着性が向上する。粗化面を形成する粗化処理として、例えば、黒化処理、エッチング処理、レーザ処理、ブラスト処理等を用いることができる。なお、第1の配線層10と第2の配線層20の何れか一方を粗化面としてもよい。
10 第1の配線層
20 第2の配線層
21 配線部
22 突起部
30 絶縁層
40 接続ビア
Claims (6)
- 絶縁層と、
上面が前記絶縁層から露出した状態で前記絶縁層に埋め込まれた第1の配線層と、
前記絶縁層の下面より下側に位置する端子部と、前記絶縁層に埋め込まれた埋込部と、を有する第2の配線層と、
前記第1の配線層と前記第2の配線層の前記埋込部とを接続する接続ビアと、
を含み、
前記絶縁層は、前記第2の配線層の前記埋込部と前記第1の配線層の下面との間の延在部を有し、
前記絶縁層の前記延在部は、厚さ方向に前記延在部を貫通する貫通孔を有し、
前記第1の配線層は、前記延在部の前記貫通孔と同位置に、厚さ方向に前記第1の配線層を貫通する貫通孔を有し、
前記接続ビアは、前記第1の配線層の前記貫通孔内と前記延在部の前記貫通孔内とに一体的に配設され、
前記第1の配線層及び前記第2の配線層は、前記絶縁層と接する面が他の面よりも粗度が大きい粗化面とされており、
前記接続ビアは、前記第1の配線層の前記貫通孔内に配設された貫通部と、前記延在部の前記貫通孔内に配設された接続部とを有し、
前記第1の配線層の前記貫通孔の内径より前記延在部の前記貫通孔の内径の方が大きいこと、を特徴とする配線基板。 - 前記第1の配線層の上面の高さは、前記絶縁層の上面の高さと等しいことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記第1の配線層の上面の高さは、前記絶縁層の上面の高さよりも低いことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記接続ビアの上面は、前記第1の配線層の上面よりも前記絶縁層側に位置していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の配線基板。
- 第1の面と前記第1の面と反対側の第2の面とを有する第1の金属板を前記第1の面の側からエッチングして第1の配線層を形成する工程と、
第1の面と前記第1の面と反対側の第2の面とを有する第2の金属板を前記第1の面の側からエッチングして突起部を形成する工程と、
半硬化状態の樹脂層の上面に前記第1の配線層を向けて前記第1の金属板を配置し、前記樹脂層の下面に前記突起部を向けて前記第2の金属板を配置し、前記第1の金属板と前記第2の金属板とを前記樹脂層に押圧し、前記樹脂層を硬化して前記第1の配線層と前記突起部とが埋設された絶縁層を形成する工程と、
前記第1の金属板と前記絶縁層を貫通して前記突起部の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、
電解めっき法により前記貫通孔にめっき金属を形成して前記第1の金属板と前記第2の金属板とを接続する接続ビアを形成する工程と、
前記第1の金属板を前記第2の面の側からエッチングして前記絶縁層に埋設された前記第1の配線層を残す工程と、
前記第2の金属板を前記第2の面の側からパターニングして前記絶縁層の下面より下に位置する配線部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。 - キャリア板と、前記キャリア板の上面に剥離層を介して積層された金属箔とを含む支持板に対して、前記金属箔の表面に電解めっき法により第1の配線層を形成する工程と、
第2の金属板をエッチングして突起部を形成する工程と、
半硬化状態の樹脂層の上面に前記第1の配線層を向けて前記支持板を配置し、前記樹脂層の下面に前記突起部を向けて前記第2の金属板を配置し、前記支持板と前記第2の金属板とを前記樹脂層に押圧し、前記樹脂層を硬化して前記第1の配線層と前記突起部とが埋設された絶縁層を形成する工程と、
前記キャリア板を前記金属箔から剥離する工程と、
前記金属箔と前記第1の配線層と前記絶縁層を貫通して前記突起部の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、
電解めっき法により前記貫通孔にめっき金属を形成して前記第1の配線層と前記第2の金属板とを接続する接続ビアを形成する工程と、
前記金属箔を除去する工程と、
前記第2の金属板をパターニングして前記絶縁層の下面より下に位置する配線部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
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