JP6726710B2 - 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 94
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 14
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 14
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- HAPOVYFOVVWLRS-UHFFFAOYSA-N ethosuximide Chemical compound CCC1(C)CC(=O)NC1=O HAPOVYFOVVWLRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
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- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
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- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
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- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Description
前記多層半導体層は、前記基板上に位置し、
前記ソース及びドレインは、前記多層半導体層上に位置し、前記ゲートは、ソースとドレインとの間に位置し、
前記誘電体層は、前記ゲート上に位置し、ゲートとソースとの間の多層半導体層上に位置し、ゲートとドレインとの間の多層半導体層上に位置し、
前記凹溝は、前記ゲートとドレインとの間の誘電体層に位置し、前記凹溝の側面は、所定の傾きを有し、
前記斜めフィールドプレート構造は、前記凹溝の内壁に位置する。
基板上に多層半導体層を形成することと、
前記多層半導体層上にソース、ドレイン、ソースとドレインとの間に位置するゲートを形成することと、
前記ゲート上に、ゲートとソースとの間及びゲートとドレインとの間の多層半導体層に、誘電体層を形成することと、
前記ゲートとドレインとの間の誘電体層に、側面が所定傾きを有する凹溝を形成することと、
前記凹溝の内壁に斜めフィールドプレート構造を形成することと、
を備える。
前記基板上に核形成層を形成することと、
前記核形成層上にバッファ層を形成することと、
前記バッファ層上にチャネル層を形成することと、
前記チャネル層上に障壁層を形成することと、
を備え、
前記チャネル層及び前記障壁層は、ヘテロ接合構造を形成し、ヘテロ界面において二次元電子ガスが形成され、前記ソース及び前記ドレインは、それぞれ二次元電子ガスと接触する。
図2は、本発明の第1実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図2に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板11と、多層半導体層12と、ソース13と、ドレイン14と、ゲート15と、誘電体層16と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造17とを備える。多層半導体層12は、基板11上に設けられる。多層半導体層12上には、ソース13、ドレイン14、及びソース13とドレイン14の間に位置するゲート15が設けられる。誘電体層16は、ゲート15上に設けられ、及びゲート15とソース13との間及びゲート15とドレイン14との間の多層半導体層12に設けられる。凹溝は、前記ゲート15とドレイン14との間の誘電体層16に設けられる。前記凹溝の側面は、所定の傾きを有する。斜めフィールドプレート構造17は、前記凹溝の内壁に位置する。
図10は、本発明の第2実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図10に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板21と、多層半導体層22と、ソース23と、ドレイン24と、ゲート25と、誘電体層26と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造27とを備える。多層半導体層22は、基板21上に設けられる。多層半導体層22上には、ソース23、ドレイン24、及びソース23とドレイン24の間に位置するゲート25が設けられる。誘電体層26は、ゲート25上に設けられ、及びゲート25とソース23との間及びゲート25とドレイン24との間の多層半導体層22に設けられる。凹溝は、前記ゲート25とドレイン24との間の誘電体層26に設けられる。前記凹溝の側面は、所定の傾きを有する。斜めフィールドプレート構造27は、前記凹溝の内壁に位置する。
図11は、本発明の第3実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図11に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板31と、多層半導体層32と、ソース33と、ドレイン34と、ゲート35と、誘電体層36と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造37とを備える。多層半導体層32は、基板31上に設けられる。多層半導体層32上には、ソース33、ドレイン34、及びソース33とドレイン34の間に位置するゲート35が設けられる。誘電体層36は、ゲート35上に設けられ、及びゲート35とソース33との間及びゲート35とドレイン34との間の多層半導体層32に設けられる。凹溝は、前記ゲート35とドレイン34との間の誘電体層36に設けられる。前記凹溝の側面は、所定の傾きを有する。斜めフィールドプレート構造37は、前記凹溝の内壁に位置する。
図12は、本発明の第4実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図12に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板41と、多層半導体層42と、ソース43と、ドレイン44と、ゲート45と、誘電体層46と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造47とを備える。多層半導体層42は、基板41上に設けられる。多層半導体層42上には、ソース43、ドレイン44、及びソース43とドレイン44の間に位置するゲート45が設けられる。誘電体層46は、ゲート45上に設けられ、及びゲート45とソース43との間及びゲート45とドレイン44との間の多層半導体層42に設けられる。凹溝は、前記ゲート45とドレイン44との間の誘電体層46に設けられ。前記凹溝の側面は、所定の傾きを有する。斜めフィールドプレート構造47は、前記凹溝の内壁に位置する。
図13は、本発明の第5実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図13に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板51と、多層半導体層52と、ソース53と、ドレイン54と、ゲート55と、誘電体層56と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造57とを備える。多層半導体層52は、基板51上に設けられる。多層半導体層52上には、ソース53、ドレイン54、及びソース53とドレイン54の間に位置するゲート55が設けられる。誘電体層56は、ゲート55上に設けられ、及びゲート55とソース53との間及びゲート55とドレイン54との間の多層半導体層52に設けられる。凹溝は、前記ゲート55とドレイン54との間の誘電体層56に設けられ。前記凹溝の側面は、所定の傾きを有する。斜めフィールドプレート構造57は、前記凹溝の内壁に位置する。
図14は、本発明の第6実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図14に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板61と、多層半導体層62と、ソース63と、ドレイン64と、ゲート65と、誘電体層66と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造67とを備える。多層半導体層62は、基板61上に設けられる。多層半導体層62上には、ソース63、ドレイン64、及びソース63とドレイン64の間に位置するゲート65が設けられる。誘電体層66は、ゲート65上に設けられ、及びゲート65とソース63との間及びゲート65とドレイン64との間の多層半導体層62に設けられる。凹溝は、前記ゲート65とドレイン64との間の誘電体層66に設けられる。前記凹溝の側面は、所定の傾きを有する。斜めフィールドプレート構造67は、前記凹溝の内壁に位置する。
図15は、本発明の第7実施例による斜めフィールドプレートパワーデバイスの構成図を示す。図15に示すように、当該斜めフィールドプレートパワーデバイスは、基板71と、多層半導体層72と、ソース73と、ドレイン74と、ゲート75と、誘電体層76と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造77とを備える。多層半導体層72は、基板71上に設けられる。多層半導体層72上には、ソース73、ドレイン74、及びソース73とドレイン74の間に位置するゲート75が設けられる。誘電体層76は、ゲート75上に設けられ、及びゲート75とソース73との間及びゲート75とドレイン74との間の多層半導体層72に設けられる。凹溝は、ゲート75とドレイン74との間の誘電体層76に設けられる。前記凹溝の側面は、所定傾きを有する。斜めフィールドプレート構造77は、前記凹溝の内壁に位置する。
Claims (14)
- 基板と、多層半導体層と、ソースと、ドレインと、ゲートと、誘電体層と、凹溝と、斜めフィールドプレート構造とを備え、
前記多層半導体層は、前記基板上に位置し、
前記ソース及びドレインは、前記多層半導体層上に位置し、前記ゲートは、ソースとドレインとの間に位置し、
前記誘電体層は、前記ゲート上に位置し、ゲートとソースとの間の多層半導体層上に位置し、ゲートとドレインとの間の多層半導体層上に位置し、
前記凹溝は、前記ゲートとドレインとの間の誘電体層に位置し、前記凹溝の側面は、所定の傾斜度を有し、かつ、前記凹溝の最低点が前記ゲートとドレインとの間に位置し、
前記斜めフィールドプレート構造は前記凹溝の内壁に位置し、前記斜めフィールドプレート構造の前記凹溝の最低点から前記ドレインへ伸びる部分の前記半導体層への投影は、前記ゲートへ伸びる部分の前記半導体層への投影より長く、
前記斜めフィールドプレート構造は、前記凹溝内に位置する部分の表面及び裏面の両方とも前記凹溝の内壁上の対応部分と同じ傾斜度を有し、且つ前記凹溝内に位置する斜めフィールドプレート構造の厚さは、凹溝の深さ以下である
ことを特徴とする斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記斜めフィールドプレート構造は、前記凹溝以外における誘電体層に位置する一部のフィールドプレートをさらに有し、かつ、フィールドプレートの全体の前記半導体層への投影が前記ソースの前記半導体層への投影と重ならない
ことを特徴とする請求項1に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記斜めフィールドプレートにおける半導体層から離れる部分は、前記ゲートよりドレインへ延伸する方向において、前記半導体層への投影が前記ゲートの前記半導体層への投影と重ならない
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記多層半導体層は、基板上に位置する核形成層と、核形成層上に位置するバッファ層と、バッファ層上に位置するチャネル層と、チャネル層上に位置する障壁層とを備え、その中、
前記チャネル層及び前記障壁層は、ヘテロ接合構造を形成し、ヘテロ界面において二次元電子ガスが形成され、
前記ソース及び前記ドレインは、それぞれ二次元電子ガスと接触する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記斜めフィールドプレート構造は、前記ソースに接続し、又は前記ゲートに接続し、又はある定電位に接続し、又はフローティング状態にある
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記斜めフィールドプレート構造の形状は、直線形、曲線形、鋸歯状又は階段状のいずれかの1種類又は複数種類の組み合わせである
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記多層半導体層は、前記チャネル層と障壁層との間に位置する挿入層をさらに備える
ことを特徴とする請求項4に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記多層半導体層は、前記バッファ層とチャネル層との間に位置するバック障壁層をさらに備える
ことを特徴とする請求項4に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記デバイスは、前記多層半導体層とゲートとの間に位置するゲート誘電体をさらに備える
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 前記ゲートは、前記障壁層の表面に位置し、又は少なくとも一部が前記障壁層の凹部に位置する
ことを特徴とする請求項4に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイス。 - 請求項1に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法であって、
基板上に多層半導体層を形成することと、
前記多層半導体層上にソース、ドレイン、ソースとドレインとの間に位置するゲートを形成することと、
前記ゲート上、ゲートとソースとの間及びゲートとドレインとの間の多層半導体層に、誘電体層を形成することと、
前記ゲートとドレインとの間の誘電体層に、側面が所定の傾斜度を有する凹溝を形成することと、
前記凹溝の内壁に斜めフィールドプレート構造を形成し、前記斜めフィールドプレート構造の前記凹溝の最低点から前記ドレインへ伸びる部分の前記半導体層への投影が、前記ゲートへ伸びる部分の前記半導体層への投影より長く、且つ、前記斜めフィールドプレート構造の前記凹溝内に位置する部分の表面及び裏面の両方とも前記凹溝の内壁上の対応部分と同じ傾斜度を有し、且つ前記凹溝内に位置する斜めフィールドプレート構造の厚さが凹溝の深さ以下になるようにすることと、を含む
ことを特徴とする斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法。 - 基板上に多層半導体層を形成することは、
前記基板上に核形成層を形成することと、
前記核形成層上にバッファ層を形成することと、
前記バッファ層上にチャネル層を形成することと、
前記チャネル層上に障壁層を形成することと、
を含み、
前記チャネル層及び前記障壁層は、ヘテロ接合構造を形成し、ヘテロ界面において二次元電子ガスが形成され、前記ソース及び前記ドレインは、それぞれ二次元電子ガスと接触する
ことを特徴とする請求項11に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法。 - 前記誘電体層上に凹溝を形成する方法は、ドライエッチング又はウェットエッチングを含む
ことを特徴とする請求項11又は12に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法。 - 前記凹溝の内壁に斜めフィールドプレート構造を形成する方法は、金属電子ビーム蒸着プロセス、金属スパッタリングプロセス又は金属化学気相蒸着プロセスを含む
ことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか一項に記載の斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410440179.2 | 2014-09-01 | ||
CN201410440179.2A CN104332498B (zh) | 2014-09-01 | 2014-09-01 | 一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017529122A Division JP6434625B2 (ja) | 2014-09-01 | 2015-04-23 | 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018201032A JP2018201032A (ja) | 2018-12-20 |
JP6726710B2 true JP6726710B2 (ja) | 2020-07-22 |
Family
ID=52407190
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017529122A Active JP6434625B2 (ja) | 2014-09-01 | 2015-04-23 | 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 |
JP2018145678A Active JP6726710B2 (ja) | 2014-09-01 | 2018-08-02 | 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017529122A Active JP6434625B2 (ja) | 2014-09-01 | 2015-04-23 | 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10068974B2 (ja) |
JP (2) | JP6434625B2 (ja) |
CN (1) | CN104332498B (ja) |
WO (1) | WO2016033977A1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104332498B (zh) * | 2014-09-01 | 2018-01-05 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法 |
US10217819B2 (en) * | 2015-05-20 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact |
JP6408503B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2018-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017220508A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
US10700188B2 (en) * | 2017-11-02 | 2020-06-30 | Rohm Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor device with first and second conductive layers |
DE102017130223B4 (de) | 2017-12-15 | 2020-06-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit elektrisch parallel geschalteten planaren Feldeffekttransistorzellen und zugehöriger DC-DC-Wandler |
US10483356B2 (en) * | 2018-02-27 | 2019-11-19 | Siliconix Incorporated | Power semiconductor device with optimized field-plate design |
CN108389791B (zh) * | 2018-02-28 | 2021-01-12 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件 |
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CN111384166A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 半导体器件和半导体器件制造方法 |
CN112054052B (zh) * | 2019-06-06 | 2022-09-02 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体器件 |
CN110676316B (zh) * | 2019-09-20 | 2023-04-11 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 增强型场效应晶体管 |
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CN111180339B (zh) * | 2019-12-20 | 2021-08-24 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Ldmos器件的制作方法、ldmos器件 |
CN111128962B (zh) * | 2019-12-20 | 2021-08-24 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Ldmos器件及其制作方法 |
CN113140635B (zh) * | 2020-01-20 | 2022-09-16 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
US11695068B2 (en) * | 2020-03-09 | 2023-07-04 | Insyt, Inc. | Greyscale lithography for double-slanted gate connected field plate |
US20220037518A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gallium Nitride-Based Device with Step-Wise Field Plate and Method Making the Same |
CN112201685B (zh) * | 2020-09-08 | 2022-02-11 | 浙江大学 | 一种超级结器件及电介质组合终端 |
KR20220138756A (ko) * | 2021-04-06 | 2022-10-13 | 삼성전자주식회사 | 파워 소자 및 그 제조방법 |
CN113206145B (zh) * | 2021-04-22 | 2022-08-05 | 电子科技大学 | 改善热载流子注入的功率半导体器件 |
CN113314405B (zh) * | 2021-05-26 | 2022-07-26 | 四川上特科技有限公司 | 半导体功率器件斜坡场板的制作方法 |
CN113519064B (zh) * | 2021-06-02 | 2023-03-17 | 英诺赛科(苏州)科技有限公司 | 氮基半导体器件及其制造方法 |
CN113725285A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-30 | 华为技术有限公司 | 一种场效应管、其制备方法及电子电路 |
CN113809160A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-12-17 | 西安电子科技大学 | 一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 |
CN113659000B (zh) * | 2021-09-14 | 2024-04-30 | 苏州英嘉通半导体有限公司 | 倾斜场板的制造方法、hemt器件及其制造方法 |
CN113659001A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-11-16 | 苏州英嘉通半导体有限公司 | 倾斜场板的制造方法、hemt器件及其制造方法 |
CN115863406A (zh) * | 2023-03-02 | 2023-03-28 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 横向扩散金属氧化物半导体器件 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9269789B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor |
CN103367403B (zh) * | 2013-08-01 | 2019-10-08 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
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JP2015195288A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN104332498B (zh) * | 2014-09-01 | 2018-01-05 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种斜场板功率器件及斜场板功率器件的制备方法 |
JP2016058691A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN104377241B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-03 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 功率半导体器件及其制造方法 |
US9559199B2 (en) * | 2014-12-18 | 2017-01-31 | Silanna Asia Pte Ltd | LDMOS with adaptively biased gate-shield |
US9755027B2 (en) * | 2015-09-15 | 2017-09-05 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Electronical device |
WO2017124220A1 (en) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Power mosfet with metal filled deep source contact |
JP6408503B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2018-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-09-01 CN CN201410440179.2A patent/CN104332498B/zh active Active
-
2015
- 2015-04-23 WO PCT/CN2015/077305 patent/WO2016033977A1/zh active Application Filing
- 2015-04-23 JP JP2017529122A patent/JP6434625B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-25 US US15/442,644 patent/US10068974B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-01 US US16/052,442 patent/US10439029B2/en active Active
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