JP6393758B2 - 低減された出力キャパシタンスを有するGaNデバイスおよびこれを作製するためのプロセス - Google Patents
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Description
1.本発明の分野:
本発明は、一般的にはトランジスタに、より特には低減された出力キャパシタンスを有するGaNトランジスタに関する。
従来のトランジスタデバイスは、一般的には、導通損失およびスイッチング損失による、あるレベルのトランジスタ消費電力を被る(experience)。トランジスタが、より高い周波数で操作される場合には、スイッチング損失を低減することはなおより重要となる。加えて、ハードスイッチング回路においては、スイッチサイクル毎の出力キャパシタの充放電が、トランジスタデバイスの消費電力に影響を及ぼす。
以下で記載する実施形態は、2DEGの一部分を除去してデバイスの出力キャパシタンスCossを低減させるトランジスタデバイスの中の分離領域を含む、GaN半導体デバイスの製造方法を提供することにより、上記で検討した問題および他の問題に対処する。
本開示の特徴、目的、および利点は、同様の参照記号が本願を通じて対応して同定する図面と合わせる場合に、以下に記載の詳細な説明からより明らかにされるであろう:
以下の詳細な説明において、特定の実施形態が参照される。この詳細な説明は、本願の教示の好ましい側面を実行するためのさらなる詳細を当業者に教示することを単に意図するものであり、特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。したがって、以下の詳細な説明において開示される特徴の組み合わせは、最も広い意味における教示を実行するために必要でなくてもよく、その代わりに単に教示されて、本願の教示の特に代表的な例を説明する。他の実施形態を用いてもよいこと、および種々の構造的、論理的および電気的変更がなされてもよいことが理解されなければならない。
Claims (6)
- トランジスタデバイスであって、
基板層上に配置された少なくとも1つのバッファー層;
前記少なくとも1つのバッファー層上に配置されたバリア層であって、二次元電子ガス(2DEG)が、前記バリア層および前記バッファー層間の界面に配置されている、バリア層;
前記バリア層上に配置されたゲート電極;
前記ゲート電極および前記バリア層上に配置された誘電体層;
前記少なくとも1つのバッファー層および前記バリア層間の前記界面の一部分において形成された分離領域であって、これにより、前記分離領域が形成された前記界面の前記一部分から前記2DEGが除去されている、分離領域、
を含み、
当該トランジスタデバイスは、前記バリア層の上に配置されたソースおよびドレインコンタクトをさらに含み、前記分離領域の少なくとも一部分は、前記ドレインコンタクトの下に形成されており、
前記分離領域の少なくとも一部分は、前記ドレインコンタクトの一部分を通って伸びている、トランジスタデバイス。 - 前記誘電体層上に配置されたフィールドプレートをさらに含み、前記分離領域の少なくとも一部分が、前記フィールドプレートの下で形成されている、請求項1に記載のトランジスタデバイス。
- トランジスタデバイスであって、
基板層上に配置された少なくとも1つのバッファー層;
二次元電子ガス(2DEG)が、バリア層および前記バッファー層間の界面に配置された、前記少なくとも1つのバッファー層上に配置された前記バリア層;
前記バリア層上に配置されたゲート電極;
前記ゲート電極および前記バリア層上に配置された誘電体層;
前記少なくとも1つのバッファー層および前記バリア層間の前記界面の個別の第1および第2の一部分においてそれぞれ形成された第1の分離領域および第2の分離領域であって、これにより、前記分離領域が形成された前記界面の前記第1および第2の一部分から前記2DEGが除去されている、第1の分離領域および第2の分離領域、
を含み、
当該トランジスタデバイスは、前記バリア層の上に配置されたソースおよびドレインコンタクトをさらに含み、前記第2の分離領域の少なくとも一部分は、前記ドレインコンタクトの下に形成されており、
前記第2の分離領域の少なくとも一部分は、前記ドレインコンタクトの一部分を通って伸びている、トランジスタデバイス。 - 前記誘電体層上に配置されたフィールドプレートをさらに含み、前記第1の分離領域の少なくとも一部分が、前記フィールドプレートの下で形成されている、請求項3に記載のトランジスタデバイス。
- トランジスタデバイスを作製するための方法であって、前記方法は、以下のステップ:
基板層の上で少なくとも1つのバッファー層を形成するステップ;
二次元電子ガス(2DEG)が、バリア層および前記バッファー層間の界面に配置されて、前記少なくとも1つのバッファー層上の前記バリア層を形成するステップ;
前記バリア層上でゲート電極を形成するステップ;および
前記少なくとも1つのバッファー層および前記バリア層間の前記界面の一部分において第1の分離領域を形成して、前記分離領域が形成された前記界面の前記一部分から前記2DEGを除去するステップ、
を含み、
当該方法は、
前記ゲート電極および前記バリア層にわたって誘電体層を堆積するステップ;および
前記第1の分離領域の上の前記誘電体層上でフィールドプレートを形成するステップ、
を含み、
さらに、
前記誘電体層をパターン化してエッチングして、ドレインおよびソースコンタクトのための開口を形成するステップ;
前記開口中にオーミックコンタクト金属を堆積して、前記ドレインおよびソースコンタクトを形成するステップ;ならびに
前記ドレインコンタクトの下の、前記少なくとも1つのバッファー層および前記バリア層間の前記界面の別の一部分に、第2の分離領域を形成するステップ、
を有する、方法。 - 前記第2の分離領域の少なくとも一部分が、前記ドレインコンタクトの一部分を通って伸びている、請求項5に記載の方法。
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EP2267784B1 (en) * | 2001-07-24 | 2020-04-29 | Cree, Inc. | INSULATING GATE AlGaN/GaN HEMT |
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JP2007165446A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子のオーミックコンタクト構造 |
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US8399911B2 (en) * | 2006-06-07 | 2013-03-19 | Imec | Enhancement mode field effect device and the method of production thereof |
US8823057B2 (en) * | 2006-11-06 | 2014-09-02 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
JP2008263140A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2008288289A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
US8076699B2 (en) | 2008-04-02 | 2011-12-13 | The Hong Kong Univ. Of Science And Technology | Integrated HEMT and lateral field-effect rectifier combinations, methods, and systems |
US8785973B2 (en) * | 2010-04-19 | 2014-07-22 | National Semiconductor Corporation | Ultra high voltage GaN ESD protection device |
US8742460B2 (en) * | 2010-12-15 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | Transistors with isolation regions |
JP5845638B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2016-01-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US8653559B2 (en) * | 2011-06-29 | 2014-02-18 | Hrl Laboratories, Llc | AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET |
JP5899803B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2016-04-06 | サンケン電気株式会社 | 窒化物半導体装置 |
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US8803246B2 (en) * | 2012-07-16 | 2014-08-12 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components with integrated current limiters |
US9202906B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-01 | Northrop Grumman Systems Corporation | Superlattice crenelated gate field effect transistor |
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