CN113809160A - 一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 - Google Patents
一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113809160A CN113809160A CN202110984119.7A CN202110984119A CN113809160A CN 113809160 A CN113809160 A CN 113809160A CN 202110984119 A CN202110984119 A CN 202110984119A CN 113809160 A CN113809160 A CN 113809160A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field plate
- layer
- gan
- source
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 61
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 14
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 13
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 13
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 10
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
Abstract
本发明公开了一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法，该器件包括：衬底、依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，以及位于势垒层远离衬底一侧的源电极、栅电极、漏电极、钝化层和源场板，钝化层包括凹槽；源电极和漏电极相对设置于势垒层的第一表面的两侧，栅电极位于源、漏电极之间；钝化层覆盖于栅电极远离势垒层的表面，且与源电极、漏电极和第一表面相触；沿垂直于衬底所在平面的方向，凹槽的正投影位于栅、漏电极之间；至少部分源场板位于凹槽内，源场板与源电极电连接。本发明通过引入凹槽源场板结构，能够在产生同等寄生电容的条件下，提高GaN基射频器件的击穿电压，抑制电流崩塌效应。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法。
背景技术
为了满足更高频率和功率电子器件的需求，以GaN为代表的第三代半导体材料在微波毫米波器件制造中得到广泛应用。
GaN是一种新型宽禁带化合物半导体材料，具有许多硅基半导体材料所不具备的优良特性，如宽禁带宽度、高击穿电场、较高的热导率、耐腐蚀、抗辐射等。随着P型掺杂技术的突破以及成核层技术的引入，GaN材料得到快速发展。GaN材料可以形成AlGaN/GaN异质结构，这种异质结构不仅在室温下能获得很高的电子迁移率、极高的峰值电子速度和饱和电子速度，而且可以获得比第二代化合物半导体异质结更高的二维电子气浓度。但是，随着器件尺寸的不断缩小，电流崩塌已经成为限制AlGaN/GaN器件微波射频器件的主要因素。
相关技术中，通常采用栅场板与源场板技术来提高击穿电压和抑制电流崩塌效应。然而，栅场板虽然可降低栅极漏测边缘的强电场，却会使栅漏反馈电容增大，降低了器件频率；同时，由于源场板是在比栅极高度还厚的介质层上延伸到栅漏之间来减小栅漏侧的强电场，此种设计方式会增大源漏电容，但负面影响小于栅场板。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
第一方面，一种无金场板GaN基射频器件，其特征在于，包括：衬底；
位于所述衬底一侧的成核层；
位于所述成核层远离所述衬底一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；
位于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；
位于所述势垒层远离所述衬底一侧的源电极、栅电极、漏电极、钝化层和源场板，所述钝化层包括凹槽；其中，所述势垒层包括远离所述缓冲层一侧的第一表面，所述源电极和所述漏电极相对设置于所述第一表面的两侧，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；
所述钝化层覆盖于所述栅电极远离所述势垒层的表面、且与所述源电极、漏电极和第一表面相触；沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述凹槽的正投影位于所述栅电极与所述漏电极之间；
所述GaN基射频器件还包括源场板，至少部分所述源场板位于所述凹槽内，所述源场板与所述源电极电连接。
在本发明的一个实施例中，所述钝化层包括至少一个凹槽，所述源场板包括一个第一子部、以及与所述第一子部垂直的至少一个第二子部，所述第二子部的数量与所述凹槽的数量相等；
其中，所述第一子部位于所述钝化层远离所述衬底一侧的表面，所述多个第二子部分别位于所述多个凹槽内。
在本发明的一个实施例中，沿所述源电极指向漏电极的方向，所述凹槽的宽度为20～200nm。
在本发明的一个实施例中，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述凹槽包括靠近所述衬底一侧的第二表面；
所述第一表面与所述第二表面之间的距离为20～200nm。
在本发明的一个实施例中，沿所述源电极指向所述漏电极的方向，所述栅电极包括靠近所述凹槽一侧的第三表面，所述源场板包括靠近所述漏电极一侧的第四表面，所述第三表面与所述第四表面之间的距离为100nm～1μm。
在本发明的一个实施例中，所述源场板包括Ti/Cu/TiN或Ti/AlCu/TiN。
在本发明的一个实施例中，所述源场板中，Ti的厚度为20～100nm、Cu的厚度为200～400nm、TiN的厚度为20～100nm；
或者，Ti的厚度为20～100nm、AlCu的厚度为200～400nm、TiN的厚度为20～100nm。
在本发明的一个实施例中，所述钝化层包括SiN。
第二方面，本发明还提供了一种无金场板GaN基射频器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一AlGaN/GaN异质结材料，所述AlGaN/GaN异质结材料包括衬底、以及在所述衬底上依次预先生长的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；
利用电感耦合等离子体ICP设备刻蚀所述势垒层、所述沟道层和部分所述缓冲层，形成台阶区；
在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧表面涂覆光刻胶，并在光刻出源电极图形区和漏电极图形区后，利用电子束蒸发工艺，在所述源电极图形区和漏电极图形区分别蒸发欧姆接触金属并进行退火，形成源电极和漏电极；
在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧表面涂覆光刻胶，并光刻出栅电极图形区，采用磁控溅射物理气相沉积工艺沉积栅电极金属层，去除光刻胶后形成栅电极；
利用等离子增强化学气相沉积工艺，在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧表面上淀积SiN薄膜，形成钝化层；其中，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述钝化层的正投影分别与所述源电极的正投影及所述漏电极的正投影至少交叠；
利用ICP设备刻蚀所述钝化层形成凹槽；沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述凹槽的正投影位于所述栅电极与所述漏电极之间；
在所述钝化层远离势垒层的一侧表面上涂覆光刻胶，并光刻出源场板互联图形，利用电子束蒸发工艺蒸发形成源电极互联金属层，去除光刻胶后得到GaN基射频器件。
在本发明的一个实施例中，在所述钝化层远离势垒层的一侧表面上涂覆光刻胶，并光刻出源场板互联图形的步骤之前，还包括：
去除所述源电极和所述漏电极上方的钝化层。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本发明提供一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法，该GaN基射频器件包括：衬底；位于衬底一侧的成核层；位于成核层远离衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层远离衬底一侧的沟道层；位于沟道层远离衬底一侧的势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的源电极、栅电极、漏电极、钝化层和源场板，钝化层包括凹槽，至少部分源场板位于凹槽内，源场板与源电极电连接。本发明通过引入凹槽源场板结构，能够在产生同等寄生电容的条件下，提高GaN基射频器件的击穿电压，抑制电流崩塌效应；与相关技术中的栅场板结构相比，本发明提供的GaN基射频器件可以有效避免栅槽刻蚀对势垒层表面的损伤，同时减少栅场板产生的负反馈电容。
以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的一种结构示意图；
图2是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的另一种结构示意图；
图3是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制作方法的一种流程示意图；
图4是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制备方法的一种过程示意图；
图5是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制备方法的另一种过程示意图；
图6是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制备方法的另一种过程示意图；
图7是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制备方法的另一种过程示意图；
图8是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制备方法的另一种过程示意图；
图9是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的制备方法的另一种过程示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
图1是本发明实施例提供的无金场板GaN基射频器件的一种结构示意图。请参见图1，本发明实施例提供的一种无金场板GaN基射频器件，包括：衬底1；
位于衬底1一侧的成核层2；
位于成核层2远离衬底1一侧的缓冲层3；
位于缓冲层远离衬底1一侧的沟道层11；
位于缓冲层3远离衬底1一侧的势垒层4；
位于势垒层4远离衬底1一侧的源电极5、栅电极7、漏电极6、钝化层8和源场板9，钝化层8包括凹槽10；其中，势垒层4包括远离缓冲层3一侧的第一表面S1，源电极5和漏电极6相对设置于第一表面S1的两侧，栅电极7位于源电极5和漏电极6之间；
钝化层8覆盖于栅电极7远离势垒层4的表面、且与源电极5、漏电极6和第一表面S1相触；沿垂直于衬底1所在平面的方向，凹槽10的正投影位于栅电极7与漏电极6之间；
GaN基射频器件还包括源场板9，至少部分源场板9位于凹槽10内，源场板9与源电极5电连接。
具体而言，GaN基射频器件包括衬底1、以及依次生长于衬底1一侧的成核层2、缓冲层3、沟道层11和势垒层4，其中，势垒层4包括远离缓冲层3一侧的第一表面S1，第一表面S1上设置有源电极5、栅电极7和漏电极6，如图1所示，源电极5和栅电极7可相对设置于第一表面S1的两侧，栅电极7则位于源电极5和漏电极6之间。
进一步地，在上述GaN射频器件中，栅电极7远离势垒层4的一侧包括淀积SiN而形成的钝化层8，钝化层8完全覆盖在栅电极7之上，且与源电极5靠近漏电极6一侧的表面、漏电极6靠近源电极5一侧的表面、以及至少部分第一表面S1直接接触。需要说明的是，第一表面S1与钝化层8相接触的部分即为栅、源电极5之间的第一表面S1以及栅、漏电极之间的第一表面S1。
可选地，本实施例中钝化层8包括凹槽10，沿垂直于衬底1所在平面的方向，凹槽10向靠近势垒层4的一侧凹陷，源场板9与源电极5电连接，至少部分源场板9位于该凹槽10内。应当理解，本发明在钝化层8上引入凹槽10结构，并且将部分源场板9设置于该凹槽10内，能够在产生同等寄生电容的条件下，提高GaN基射频器件的击穿电压，抑制电流崩塌效应。与相关技术中的栅场板结构相比，本发明提供的GaN基射频器件可以有效避免栅槽刻蚀对势垒层4表面的损伤，同时减少栅场板产生的负反馈电容。
可选地，请继续参见图1，钝化层8包括至少一个凹槽10，源场板9包括一个第一子部91、以及与第一子部91垂直的至少一个第二子部92，第二子部92的数量与凹槽10的数量相等；
其中，第一子部91位于钝化层8远离衬底1一侧的表面，多个第二子部92分别位于多个凹槽10内。
本实施例中，源场板9由相互垂直的第一子部91和第二子部92组成，其中，第一子部91位于钝化层8远离衬底1一侧的表面，第二子部92位于钝化层8的凹槽10内。例如，当源场板9包括一个第一子部91和一个第二子部92时，在图1所示视角下，源场板9的剖面呈“L”型。
可以理解的是，本发明实施例引入的凹槽场板结构与势垒层之间距离较小，因而会在栅电极靠近漏电极一侧的边缘位置处产生另外一个峰值相对较大的电场，从而可降低栅电极侧靠近漏电极一侧边缘的电场峰值，有效提高了器件的击穿电压。
在上述GaN基射频器件中，钝化层8还可以包括多个凹槽10。如图2所示，以钝化层8包括3个凹槽10、源场板9包括1个第一子部91和3个第二子部92的情况为例，此时，第一子部91仍位于钝化层8远离衬底1一侧的表面，而3个第二子部92则呈梳齿状，对应设置于3个凹槽10内。应当理解，随着凹槽10数量的增加，每一个凹槽10下方都会带来电场耦合作用，改善电场分布，降低了栅脚下方的电场尖峰，从而提高器件的击穿电压。
当然，凹槽10的数量应根据实际需求灵活设置，在本申请的一些其他实施例中，钝化层8还可包括2个凹槽10、4个凹槽10、6个凹槽10等。另外，虽然图1-2所示的凹槽10均为矩形，但实际上凹槽10的形状还可以为倒梯形，本申请对于凹槽10的数量和形状均不做限定。
如图1所示，沿垂直于衬底1所在平面的方向，凹槽10包括靠近衬底1一侧的第二表面S2，第一表面S1与第二表面S2之间的距离为20～200nm。
具体而言，凹槽10的下底面为第二表面S2，在垂直于衬底1所在平面的方向上，第一表面S1与第二表面S2之间的距离可以为20～200nm。需要说明的是，如果凹槽10下方的钝化层厚度过小，那么会减弱电流崩塌的抑制效果，反之，若凹槽10下方的钝化层厚度过大，则对栅电极靠近漏电极一侧边缘处电场的调制作用减弱；因此，本实施例将第一表面S1与第二表面S2之间的距离设置为20～200nm，以保证器件的频率特性和击穿特性。
可选地，请参见图2，沿源电极5指向漏电极6的方向，栅电极7包括靠近凹槽10一侧的第三表面(图中未示出)，源场板9包括靠近漏电极6一侧的第四表面(图中未示出)，第三表面与第四表面之间的距离H为100nm～1μm。
具体地，在图2所示视角下，栅电极7的右侧表面为第三表面，源场板9中第二子部92的右侧表面为第四表面，在沿源电极5指向漏电极6的方向上，第三表面与第四表面之间的长度即为源场板9的长度。应当理解，当源场板9的长度过小时，不仅产生的电场为尖峰，且工艺实现难度大；若源场板9的长度过大，则凹槽10远离栅电极7，特别是有多个凹槽10时，距离栅电极7较远的凹槽就无法对栅电极靠近漏电极一侧的电场峰值进行有效调制，而且还会引入寄生电容。因此，本实施例将源场板9的长度H设置为100nm～1μm，以在降低工艺难度的情况下，达到进一步提高器件击穿特性的目的。
本实施例中，源场板9可以包括Ti/Cu/TiN或Ti/AlCu/TiN。具体地，当源场板9包括Ti/Cu/TiN时，Ti的厚度为20～100nm、Cu的厚度为200～400nm、TiN的厚度为20～100nm。
可选地，当源场板9包括Ti/AlCu/TiN时，Ti的厚度为20～100nm、AlCu的厚度为200～400nm、TiN的厚度为20～100nm。
图3是本发明实施例提供的GaN基射频器件的制作方法的一种流程示意图，图4-9是本发明实施例提供的GaN基射频器件的制备方法的一种过程示意图。请结合图1及图3-9，本发明还提供一种GaN基射频器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供一AlGaN/GaN异质结材料，AlGaN/GaN异质结材料包括衬底1、以及在衬底1上依次预先生长的成核层2、缓冲层3、沟道层11和势垒层4；
步骤S2、利用电感耦合等离子体ICP设备刻蚀势垒层4、沟道层11和部分缓冲层3，形成台阶区；；
步骤S3、在势垒层4远离缓冲层3的一侧表面涂覆光刻胶，并在光刻出源电极图形区和漏电极图形区后，利用电子束蒸发工艺，在源电极图形区和漏电极图形区分别蒸发欧姆接触金属并进行退火，形成源电极5和漏电极6；
步骤S4、在势垒层4远离缓冲层3的一侧表面涂覆光刻胶，并光刻出栅电极图形区，采用磁控溅射物理气相沉积工艺沉积栅电极金属层，去除光刻胶后形成栅电极7；
步骤S5、利用等离子增强化学气相沉积工艺，在势垒层4远离缓冲层3的一侧表面上淀积SiN薄膜，形成钝化层8；其中，沿垂直于衬底1所在平面的方向，钝化层8的正投影分别与源电极5的正投影及漏电极6的正投影交叠；
步骤S6、利用ICP设备刻蚀钝化层8形成凹槽10；沿垂直于衬底1所在平面的方向，凹槽10的正投影位于栅电极7与漏电极6之间；
步骤S7、在钝化层8远离势垒层4的一侧表面上涂覆光刻胶，并光刻出源场板互联图形，利用电子束蒸发工艺蒸发形成源电极互联金属层，去除光刻胶后得到GaN基射频器件。
具体而言，在上述步骤S2中，利用电感耦合等离子体ICP设备刻蚀缓冲层3和势垒层4，形成台阶区的步骤，包括：
S201、在势垒层4上光刻电隔离区域。首先，将AlGaN/GaN异质结材料放在200℃的热板上烘烤5min，然后以3500rpm的转速对其甩光刻胶，完成甩胶后再次在90℃的热板上烘1min；将AlGaN/GaN异质结材料放入光刻机中对电隔离区域内的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光后的AlGaN/GaN异质结材料放入显影液中，以移除电隔离区域内的光刻胶，再用超纯水冲洗并利用氮气吹干。
S202、在势垒层4上刻蚀电隔离区域。对于完成光刻的AlGaN/GaN异质结材料，采用ICP工艺干法刻蚀势垒层4，实现有源区的台面隔离。示例性地，刻蚀采用的气体为Cl2/BCl3、压力为5mTorr、上电极功率为100w、下电极功率为10w、刻蚀时间为40s。
S203、去除刻蚀后的掩膜。将完成有源区隔离的AlGaN/GaN异质结材料依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以去除电隔离区域外的光刻胶，然后用去离子水清洗并用氮气吹干，形成台阶区20。
可选地，上述步骤S3中，在势垒层4远离缓冲层3的一侧表面涂覆光刻胶，并在光刻出源电极图形区和漏电极图形区后，利用电子束蒸发工艺，在源电极图形区和漏电极图形区分别蒸发欧姆接触金属，形成源电极5和漏电极6的步骤，包括：
S301、在势垒层4上光刻源电极图形区和漏电极图形区。首先，将完成刻蚀的AlGaN/GaN异质结材料放在200℃的热板上烘烤5min；然后，在AlGaN/GaN异质结材料上甩剥离胶，甩胶厚度可为0.35μm，并将样片在200℃的热板上烘5min；接着，在AlGaN/GaN异质结材料上甩光刻胶，此时的甩胶厚度可为0.77μm，并将AlGaN/GaN异质结材料在90℃的热板上烘1min；之后将AlGaN/GaN异质结材料放入光刻机中，对源电极图形区和漏电极图形区的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光的AlGaN/GaN异质结材料放入显影液中，移除源电极图形区和漏电极图形区的光刻胶及剥离胶，并进行超纯水冲洗和氮气吹干；
S302、打底膜。完成光刻后，将AlGaN/GaN异质结材料采用等离子去胶机去除漏电极图形区及源电极图形区未显影干净的光刻胶薄层，该过程的处理时间为5min，能够有效提高剥离的成品率；
S303、蒸发源电极金属和漏电极金属。将完成等离子去胶的AlGaN/GaN异质结材料放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2×10-6Torr之后，再在涂有光刻胶的势垒层表面蒸发欧姆金属，该欧姆金属是由下向上依次由Ti、Al金属组成的金属堆栈结构。
S304、剥离金属及退火。首先，将完成源漏金属蒸发的AlGaN/GaN异质结材料在丙酮中浸泡40分钟以上，并进行超声波处理；然后，将其放入温度为60℃的剥离液中水浴加热5min；进一步地，将AlGaN/GaN异质结材料依次放入丙酮溶液和乙醇溶液中超声波清洗3min；接着，用超纯水冲洗样片并氮气吹干；最后，将AlGaN/GaN异质结材料放入快速退火炉中，向退火炉中通入10min氮气，在氮气气氛中将退火炉温度设为550℃、进行30s的高温退火，以使源电极图形区和漏电极图形区上的欧姆金属与势垒层之间形成欧姆接触，形成源电极5和漏电极6。
可选地，在上述步骤S4中，在势垒层4远离缓冲层3的一侧表面涂覆光刻胶，并光刻出栅电极图形区，采用磁控溅射物理气相沉积工艺沉积栅电极金属层，去除光刻胶后形成栅电极7的步骤，包括：
S401、在钝化层8上光刻栅电极7图形区。首先，将AlGaN/GaN异质结材料放在200℃的热板上烘烤5min；然后，在AlGaN/GaN异质结材料上甩剥离胶，其甩胶厚度可为0.35μm，并将AlGaN/GaN异质结材料在温度为200℃的热板上烘5min；接着，在AlGaN/GaN异质结材料上甩光刻胶，甩胶厚度可为0.77μm，并将AlGaN/GaN异质结材料在90℃热板上烘1min；之后，将AlGaN/GaN异质结材料放入光刻机中对栅电极图形区的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光的AlGaN/GaN异质结材料放入显影液中移除栅电极图形区的光刻胶及剥离胶，并进行超纯水冲洗和氮气吹干。
S402、打底膜。将完成栅电极光刻的AlGaN/GaN异质结材料采用等离子去胶机去除栅电极图形区未显影干净的光刻胶薄层，处理时间约为5min。
S403、蒸发栅电极金属。将完成槽栅开孔的AlGaN/GaN异质结材料放入磁控溅射PVD中，待反应腔室真空度达到2×10-6Torr之后，在涂有光刻胶的势垒层4表面溅射栅金属TiN；
S404、剥离金属。将完成栅电极沉积的AlGaN/GaN异质结材料在丙酮中浸泡40分钟以上后进行超声处理；然后，将AlGaN/GaN异质结材料放入温度为60℃的剥离液中水浴加热5min；接着，将AlGaN/GaN异质结材料依次放入丙酮溶液和乙醇溶液中超声清洗3min；最后，用超纯水冲洗样片并用氮气吹干，使栅极金属与势垒层4之间保持肖特基接触。
可选地，在上述步骤S5中，利用等离子增强化学气相沉积工艺，在势垒层4远离缓冲层3的一侧表面上淀积SiN薄膜的步骤，包括：
S501、对完成源漏欧姆接触的AlGaN/GaN异质结材料进行表面清洗。首先，将AlGaN/GaN异质结材料放入丙酮溶液中超声清洗3mim，超声强度可以为3.0；然后，将AlGaN/GaN异质结材料放入温度为60℃的剥离液中水浴加热5min；接着，将AlGaN/GaN异质结材料依次放入丙酮溶液和乙醇溶液中超声清洗3min，超声强度为3.0；最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干。
S502、在势垒层4上，利用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺生长厚度为9nm的SiN钝化层8。本实施例中，钝化层8生长的工艺条件为：采用NH3和SiH4作为Si源和N源，优化的流量比为SiH4：NH3＝2：1，沉积温度为250℃，反应腔室压力为600mTorr，RF功率为22W。反应时间为2min。
可选地，在上述步骤S6中，利用ICP设备刻蚀钝化层8形成凹槽10；沿垂直于衬底1所在平面的方向，凹槽10的正投影位于栅电极7与漏电极6之间的步骤，包括：
步骤S601、在SiN钝化层8上光刻源场板凹槽10。首先，将AlGaN/GaN异质结材料放在200℃的热板上烘烤5min；然后，进行光刻胶的涂胶和甩胶，甩胶转速可以为3500转/mim，并将AlGaN/GaN异质结材料放在90℃的热板上烘烤1min；接着，将AlGaN/GaN异质结材料放入光刻机中对凹槽10内的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光后的AlGaN/GaN异质结材料放入显影液中以移除凹槽10内的光刻胶，并进行超纯水冲洗和氮气吹干。
步骤S602、利用感应耦合等离子体ICP刻蚀工艺刻蚀凹槽10。本实施例中，刻蚀的条件可以为：反应气体为CF4和O2，CF4流量25sccm，O2流量5sccm，反应腔室压力为5mTorr，上电极和下电极的射频功率分别为100W和10W，刻蚀的深度为100nm。
可选地，在实现金属互联的步骤之前，还需要在SiN钝化层上光刻互联开孔，以移除源电极和漏电极上方的钝化层。
进一步地，在上述步骤S7中，在钝化层8远离势垒层4的一侧表面上涂覆光刻胶，并光刻出源场板互联图形，利用电子束蒸发工艺蒸发形成源电极互联金属层，去除光刻胶后得到GaN基射频器件的步骤，包括：
S701、在钝化层8上光刻源场板互联区域。首先，将完成凹槽10刻蚀的AlGaN/GaN异质结材料放在200℃的热板上烘烤5min；然后，在AlGaN/GaN异质结材料上甩剥离胶，甩胶厚度可为0.35μm，并将AlGaN/GaN异质结材料在温度为200℃的热板上烘5min；接着，在AlGaN/GaN异质结材料上甩光刻胶，其甩胶厚度为0.77μm，并将AlGaN/GaN异质结材料在90热板上烘1min；之后，将AlGaN/GaN异质结材料放入光刻机中对源场板互联区域的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光的AlGaN/GaN异质结材料放入显影液中移除栅电极图形区的光刻胶和剥离胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。
S702、打底膜。将完成源场板互联光刻的AlGaN/GaN异质结材料采用等离子去胶机去除互联电极图形区未显影干净的光刻胶薄层，其处理的时间为5min。
S703、蒸发互联金属层。将AlGaN/GaN异质结材料放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2×10-6Torr之后，再在涂有光刻胶的钝化层8表面蒸发互联金属，该互联金属是由下向上依次由Ti(20nm)、AlCu(300nm)和TiN(40nm)三层金属组成的金属堆栈结构。
S704、剥离金属。将完成互联电极7蒸发的AlGaN/GaN异质结材料在丙酮中浸泡40分钟以上之后进行超声处理；然后，将AlGaN/GaN异质结材料放入温度为60℃的剥离液中水浴加热5min；接着，将AlGaN/GaN异质结材料依次放入丙酮溶液和乙醇溶液中超声清洗3min；最后，用超纯水冲洗样片并用氮气吹干，获得制备完成的GaN基射频器件。
可选地，利用电感耦合等离子体ICP设备刻蚀缓冲层3和势垒层4，形成台阶区的步骤之前，还包括：
将AlGaN/GaN异质结材料置入丙酮中，超声波清洗2min后，放置在60℃水浴加热的正胶剥离液中煮10min；
将AlGaN/GaN异质结材料置入丙酮中超声波清洗3min，并置入乙醇中超声波清洗3min；
利用去离子水清洗掉AlGaN/GaN异质结材料表面残留的丙酮和乙醇，并用HF清洗30s；
利用去离子水将AlGaN/GaN异质结材料清洗干净后，用超纯氮气将其吹干。
具体地，在制备GaN基射频器件的过程中，可以先对AlGaN/GaN异质结材料进行清洗。示例性地，首先将AlGaN/GaN异质结材料放置在丙酮中超声波清洗2分钟，然后在60℃水浴加热的正胶剥离液中煮10分钟，随后将AlGaN/GaN异质结材料依次放入丙酮和乙醇中各超声波清洗3分钟，并在去离子水清洗掉残留的丙酮、乙醇后，用HF(HF：H2O＝1：5)清洗圆片30s，最后用去离子水清洗干净并用超纯氮气吹干。应当理解，上述清洗过程能够有效去除异质结材料储存中引入的有机、无机玷污以及表面氧化物，进而提高GaN基射频器件的特性。
通过上述各实施例可知，本发明的有益效果在于：
本发明提供一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法，该GaN基射频器件包括：衬底；位于衬底一侧的成核层；位于成核层远离衬底一侧的缓冲层；位于缓冲层远离衬底一侧的沟道层；位于沟道层远离衬底一侧的势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的源电极、栅电极、漏电极、钝化层和源场板，钝化层包括凹槽，至少部分源场板位于凹槽内，源场板与源电极电连接。本发明通过引入凹槽源场板结构，能够在产生同等寄生电容的条件下，提高GaN基射频器件的击穿电压，抑制电流崩塌效应；与相关技术中的栅场板结构相比，本发明提供的GaN基射频器件可以有效避免栅槽刻蚀对势垒层表面的损伤，同时减少栅场板产生的负反馈电容。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
尽管在此结合各实施例对本申请进行了描述，然而，在实施所要求保护的本申请过程中，本领域技术人员通过查看所述附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现所述公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种无金场板GaN基射频器件，其特征在于，包括：衬底；
位于所述衬底一侧的成核层；
位于所述成核层远离所述衬底一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；
位于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；
位于所述势垒层远离所述衬底一侧的源电极、栅电极、漏电极、钝化层和源场板，所述钝化层包括凹槽；其中，所述势垒层包括远离所述缓冲层一侧的第一表面，所述源电极和所述漏电极相对设置于所述第一表面的两侧，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；
所述钝化层覆盖于所述栅电极远离所述势垒层的表面、且与所述源电极、漏电极和第一表面相触；沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述凹槽的正投影位于所述栅电极与所述漏电极之间；
所述GaN基射频器件还包括源场板，至少部分所述源场板位于所述凹槽内，所述源场板与所述源电极电连接。
2.根据权利要求2所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，所述钝化层包括至少一个凹槽，所述源场板包括一个第一子部、以及与所述第一子部垂直的至少一个第二子部，所述第二子部的数量与所述凹槽的数量相等；
其中，所述第一子部位于所述钝化层远离所述衬底一侧的表面，所述多个第二子部分别位于所述多个凹槽内。
3.根据权利要求1所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，沿所述源电极指向漏电极的方向，所述凹槽的宽度为20～200nm。
4.根据权利要求3所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述凹槽包括靠近所述衬底一侧的第二表面；
所述第一表面与所述第二表面之间的距离为20～200nm。
5.根据权利要求2所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，沿所述源电极指向所述漏电极的方向，所述栅电极包括靠近所述凹槽一侧的第三表面，所述源场板包括靠近所述漏电极一侧的第四表面，所述第三表面与所述第四表面之间的距离为100nm～1μm。
6.根据权利要求1所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，所述源场板包括Ti/Cu/TiN或Ti/AlCu/TiN。
7.根据权利要求6所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，所述源场板中，Ti的厚度为20～100nm、Cu的厚度为200～400nm、TiN的厚度为20～100nm；
或者，Ti的厚度为20～100nm、AlCu的厚度为200～400nm、TiN的厚度为20～100nm。
8.根据权利要求1所述的无金场板GaN基射频器件，其特征在于，所述钝化层包括SiN。
9.一种无金场板GaN基射频器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一AlGaN/GaN异质结材料，所述AlGaN/GaN异质结材料包括衬底、以及在所述衬底上依次预先生长的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；
利用电感耦合等离子体ICP设备刻蚀所述势垒层、所述沟道层和部分所述缓冲层，形成台阶区；
在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧表面涂覆光刻胶，并在光刻出源电极图形区和漏电极图形区后，利用电子束蒸发工艺，在所述源电极图形区和漏电极图形区分别蒸发欧姆接触金属并进行退火，形成源电极和漏电极；
在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧表面涂覆光刻胶，并光刻出栅电极图形区，采用磁控溅射物理气相沉积工艺沉积栅电极金属层，去除光刻胶后形成栅电极；
利用等离子增强化学气相沉积工艺，在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧表面上淀积SiN薄膜，形成钝化层；其中，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述钝化层的正投影分别与所述源电极的正投影及所述漏电极的正投影至少交叠；
利用ICP设备刻蚀所述钝化层形成凹槽；沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述凹槽的正投影位于所述栅电极与所述漏电极之间；
在所述钝化层远离势垒层的一侧表面上涂覆光刻胶，并光刻出源场板互联图形，利用电子束蒸发工艺蒸发形成源电极互联金属层，去除光刻胶后得到GaN基射频器件。
10.根据权利要求9所述的无金场板GaN基射频器件的制作方法，其特征在于，在所述钝化层远离势垒层的一侧表面上涂覆光刻胶，并光刻出源场板互联图形的步骤之前，还包括：
去除所述源电极和所述漏电极上方的钝化层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110984119.7A CN113809160A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110984119.7A CN113809160A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113809160A true CN113809160A (zh) | 2021-12-17 |
Family
ID=78894176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110984119.7A Pending CN113809160A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113809160A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115498034A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-20 | 北京无线电测量研究所 | 一种GaN HEMT器件及其制备方法 |
| CN117727775A (zh) * | 2024-02-08 | 2024-03-19 | 深圳天狼芯半导体有限公司 | 一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT及制备方法 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104393030A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 西安电子科技大学 | 绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管 |
| CN104409482A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-11 | 西安电子科技大学 | GaN基T形源场板功率器件及其制作方法 |
| CN104409480A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-11 | 西安电子科技大学 | 绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法 |
| US20150340482A1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-11-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | High electron mobility semiconductor device and method therefor |
| US20150357422A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20160336313A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Semiconductor Components Industries, Llc | Integrated circuit including a diode and transistors in a cascode configuration |
| US20170170284A1 (en) * | 2014-09-01 | 2017-06-15 | Gpower Semiconductor, Inc. | Field plate power device and method of manufacturing the same |
| CN107230719A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 北京大学 | 高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN107452625A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 意法半导体股份有限公司 | 高功率和高频率异质结场效应晶体管 |
| US20180026105A1 (en) * | 2013-08-01 | 2018-01-25 | Dynax Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| TW201806165A (zh) * | 2016-05-31 | 2018-02-16 | 創世舫電子有限公司 | 包含漸變空乏層的三族氮化物裝置 |
| US20180158942A1 (en) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Vishay-Siliconix | High-electron-mobility transistor with buried interconnect |
| US20190067465A1 (en) * | 2017-08-23 | 2019-02-28 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Noff iii-nitride high electron mobility transistor |
| CN112599589A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件及制备方法 |
-
2021
- 2021-08-25 CN CN202110984119.7A patent/CN113809160A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150340482A1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-11-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | High electron mobility semiconductor device and method therefor |
| US20180026105A1 (en) * | 2013-08-01 | 2018-01-25 | Dynax Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US20150357422A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20170170284A1 (en) * | 2014-09-01 | 2017-06-15 | Gpower Semiconductor, Inc. | Field plate power device and method of manufacturing the same |
| CN104409480A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-11 | 西安电子科技大学 | 绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法 |
| CN104409482A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-11 | 西安电子科技大学 | GaN基T形源场板功率器件及其制作方法 |
| CN104393030A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 西安电子科技大学 | 绝缘栅型直角复合源场板功率晶体管 |
| US20160336313A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Semiconductor Components Industries, Llc | Integrated circuit including a diode and transistors in a cascode configuration |
| CN107230719A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 北京大学 | 高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN107452625A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 意法半导体股份有限公司 | 高功率和高频率异质结场效应晶体管 |
| TW201806165A (zh) * | 2016-05-31 | 2018-02-16 | 創世舫電子有限公司 | 包含漸變空乏層的三族氮化物裝置 |
| US20180158942A1 (en) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Vishay-Siliconix | High-electron-mobility transistor with buried interconnect |
| US20190067465A1 (en) * | 2017-08-23 | 2019-02-28 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Noff iii-nitride high electron mobility transistor |
| CN112599589A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件及制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115498034A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-20 | 北京无线电测量研究所 | 一种GaN HEMT器件及其制备方法 |
| CN115498034B (zh) * | 2022-09-13 | 2024-03-19 | 北京无线电测量研究所 | 一种GaN HEMT器件及其制备方法 |
| CN117727775A (zh) * | 2024-02-08 | 2024-03-19 | 深圳天狼芯半导体有限公司 | 一种具有梳状源极场板提高耐压的GaN HEMT及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9082822B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| CN113809160A (zh) | 一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法 | |
| TW200411766A (en) | Method for fabricating an ultra shallow junction of a field effect transistor | |
| TWI631725B (zh) | 用於太陽能電池的射極層之沉積方法 | |
| US20210217879A1 (en) | Gan rectifier suitable for operating under 35ghz alternating-current frequency, and preparation method therefor | |
| CN113284948B (zh) | 一种GaN器件及其制备方法 | |
| CN108122749A (zh) | 一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺 | |
| CN107919390A (zh) | 基于wo3栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 | |
| WO2015096239A1 (zh) | 一种薄膜电晶体场效应管及其制造方法 | |
| CN113809154B (zh) | 一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法 | |
| CN109742031A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| US6638833B1 (en) | Process for the fabrication of integrated devices with reduction of damage from plasma | |
| CN104979195B (zh) | SiC基HEMT器件的制备方法 | |
| CN104835728A (zh) | 在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件 | |
| CN211929494U (zh) | 一种具有П型栅的GaN基射频器件 | |
| CN104701242B (zh) | 接触孔的刻蚀方法 | |
| JP3362093B2 (ja) | エッチングダメージの除去方法 | |
| CN113809170B (zh) | 低接触电阻高Al组分氮化物器件及其制备方法 | |
| CN114496934B (zh) | GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法 | |
| CN113540229B (zh) | 半导体器件及其制作方法 | |
| CN113809171B (zh) | 一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法 | |
| WO2016150287A1 (zh) | 用于制造半导体器件的方法及设备 | |
| CN113809169A (zh) | 基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件及其制作方法 | |
| CN109216283B (zh) | 一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路及其制备方法 | |
| CN114725019A (zh) | 一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211217 |