JP6681431B2 - 撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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Description
各々が2つの光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から一方の光電変換部の出力に対応する第1の信号と他方の光電変換部の出力に対応する第2の信号を別々に読み出す画素駆動部と、
前記画素駆動部により前記各単位画素から別々に読み出された前記第1の信号と前記第2の信号とを用いた相関演算を行うことで位相差を算出する演算処理部と、
前記演算処理部による演算結果を焦点検出信号として出力する焦点検出信号出力部と、
撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部と、を備える。
はじめに、発明の実施形態に対応する撮像装置における瞳分割方式による焦点検出の原理を説明する。
Qb=Cb(Vb―Vo) ・・・(2)
次に、フォトダイオード101Aおよび101Bの信号を読み出した後の入力端子T1、T2の電圧がそれぞれVa+ΔVa、Vb+ΔVbに変化し、出力端子T3の電圧がVo+ΔVoに変化したとする。このとき、容量C3、C4に蓄積されている電荷Qa'、Qb'は式(3)、(4)となる。
Qb'=Cb{(Vb+ΔVb)―(Vo+ΔVo)} ・・・(4)
ここで、電荷保存則からQa+Qb=Qa'+Qb'の関係が成り立つため、式(1)〜(4)から式(5)が得られる。
また、容量C3、C4の容量値が等しい(Ca=Cb)場合、出力端子T3の電圧変化ΔVoは式(6)となる。
これは、フォトダイオード101Aとフォトダイオード101Bの加算平均信号である。この信号に2倍のゲインを乗算すればA+B像信号として取り扱うことができる。そのため、保持回路202に保持される信号をA+B像信号として表記する。当該信号に2倍のゲインを乗算するのは、例えば、信号処理部1001や制御部1004等で行えばよい。
上述の実施形態1では画素領域の全域でA像信号、B像信号、A+B像信号を出力するように制御していたが、A像信号、B像信号に関しては、焦点検出動作を行う領域のみ出力させるように制御してもよい。そこで本実施形態2では、A+B像信号を画素領域の全域から出力する一方で、A像信号、B像信号に関しては、信号を出力する対象の単位画素の画素領域における位置に応じて一部の画素領域に属する単位画素についてのみ出力する制御方法を述べる。このとき、A像信号、B像信号を読み出さない領域では、図5(a)に示したA像用の読出回路301およびB像用の読出回路303への電源供給を停止することで消費電力を低減させることができる。
上述の実施形態1、2で述べた構成では、1列当り3つの読出回路を備えた読出部を設ける必要があるため、撮像素子1000の回路規模が増大するおそれがある。そこで、実施形態3では、保持部、読出部を複数列で共有することで、回路規模の増大を抑えた構成を説明する。
上述の実施形態1から3では列毎に保持部200、読出部300を備え、行順次に画素信号を読み出してA/D変換していく構成について説明した。これに対し本実施形態では、画素毎に保持部200、読出部300を備えた構成を説明する。本構成では、全画素同時に画素信号を読み出してA/D変換することができるため、より高速な読み出しが可能となる。
Claims (52)
- 各々が2つの光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から一方の光電変換部の出力に対応する第1の信号と他方の光電変換部の出力に対応する第2の信号を別々に読み出す画素駆動部と、
前記画素駆動部により前記各単位画素から別々に読み出された前記第1の信号と前記第2の信号とを用いた相関演算を行うことで位相差を算出する演算処理部と、
前記演算処理部による演算結果を焦点検出信号として出力する焦点検出信号出力部と、
撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部と、
を備えることを特徴とする撮像素子。 - 前記単位画素の各々は、マイクロレンズを有することを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記演算処理部は、前記第1の信号および前記第2の信号を輝度信号に変換してから前記相関演算を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項4に記載の撮像素子。
- 前記単位画素毎に設けられたAD変換回路を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記演算処理部は、前記AD変換回路でデジタルに変換された前記第1の信号の位相差を算出することを特徴とする請求項6に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成され、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されるとともに、前記AD変換回路が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項6または7に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項8に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路でデジタルに変換された前記第1の信号および前記第2の信号を記憶するメモリを備えることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成され、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されるとともに、前記メモリが第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項10に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路が前記第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項11に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項11または12に記載の撮像素子。
- 前記第1の信号は、前記単位画素内の第1の光電変換部からの出力に基づく信号と、前記単位画素内の第2の光電変換部からの出力に基づく信号を含むことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路によりデジタルに変換される前に前記第1の信号および第2の信号を保持する保持部を備えることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成され、前記保持部が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項15に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項16に記載の撮像素子。
- 各々が2つの光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から一方の光電変換部の出力に対応する第1の信号と他方の光電変換部の出力に対応する第2の信号を別々に読み出す画素駆動部と、
前記画素駆動部により前記各単位画素から別々に読み出された前記第1の信号と前記第2の信号とを用いた相関演算を行うことで像ずれ量を算出する演算処理部と、
前記演算処理部による演算結果を焦点検出信号として出力する焦点検出信号出力部と、
撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部と、
を備えることを特徴とする撮像素子。 - 前記単位画素の各々は、マイクロレンズを有することを特徴とする請求項18に記載の撮像素子。
- 前記演算処理部は、前記第1の信号および前記第2の信号を輝度信号に変換してから前記相関演算を行うことを特徴とする請求項18または19に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項18乃至20のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項21に記載の撮像素子。
- 前記単位画素毎に設けられたAD変換回路を備えることを特徴とする請求項18乃至20のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記演算処理部は、前記AD変換回路でデジタルに変換された前記第1の信号を用いて像ずれ量を算出することを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成され、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されるとともに、前記AD変換回路が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項23または24に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項25に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路でデジタルに変換された前記第1の信号および前記第2の信号を記憶するメモリを備えることを特徴とする請求項23乃至25のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成され、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されるとともに、前記メモリが第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項27に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路が前記第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項28に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項28または29に記載の撮像素子。
- 前記第1の信号は、前記単位画素内の第1の光電変換部からの出力に基づく信号と、前記単位画素内の第2の光電変換部からの出力に基づく信号を含むことを特徴とする請求項18乃至30のいずれか1項に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路によりデジタルに変換される前に前記第1の信号および前記第2の信号を保持する保持部を備えることを特徴とする請求項24乃至26のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成され、前記保持部が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項32に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項33に記載の撮像素子。
- 各々が2つの光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から一方の光電変換部の出力に対応する第1の信号と他方の光電変換部の出力に対応する第2の信号を別々に読み出す画素駆動部と、
前記画素駆動部により前記各単位画素から別々に読み出された前記第1の信号と前記第2の信号とを用いた相関演算を行う演算処理部と、
前記演算処理部による演算結果を焦点検出信号として出力する焦点検出信号出力部と、
撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部と、
を備えることを特徴とする撮像素子。 - 前記単位画素の各々は、マイクロレンズを有することを特徴とする請求項35に記載の撮像素子。
- 前記演算処理部は、前記第1の信号および前記第2の信号を輝度信号に変換してから前記相関演算を行うことを特徴とする請求項35または36に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項35乃至37のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項38に記載の撮像素子。
- 前記単位画素毎に設けられたAD変換回路を備えることを特徴とする請求項35乃至37のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記演算処理部は、前記AD変換回路でデジタルに変換された前記第1の信号の位相差を算出することを特徴とする請求項40に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成され、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されるとともに、前記AD変換回路が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項40または41に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項42に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路でデジタルに変換された前記第1の信号および前記第2の信号を記憶するメモリを備えることを特徴とする請求項40乃至42のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成され、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成されるとともに、前記メモリが第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項44に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路が前記第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項45に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項45または46に記載の撮像素子。
- 前記第1の信号は、前記単位画素内の第1の光電変換部からの出力に基づく信号と、前記単位画素内の第2の光電変換部からの出力に基づく信号を含むことを特徴とする請求項35乃至47のいずれか1項に記載の撮像素子。
- さらに、前記AD変換回路によりデジタルに変換される前に前記第1の信号および第2の信号を保持する保持部を備えることを特徴とする請求項40乃至42のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記演算処理部が第2の半導体チップに形成され、前記保持部が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項49に記載の撮像素子。
- 前記第1乃至第3の半導体チップが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項50に記載の撮像素子。
- 請求項1乃至51のいずれか1項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子から出力される前記焦点検出信号を用いて撮影レンズの駆動量を決定するとともに、前記撮像素子から出力される前記撮像画像信号を用いて撮影画像を生成する処理手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
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