JP2017153105A - 撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】撮像素子であって、複数の光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、前記画素領域の各単位画素から信号を読み出す信号読出部と、前記信号読出部により読み出された前記単位画素内の複数の光電変換部の一部の光電変換部に基づいた第1の信号を用いて所定の演算処理を行うことで焦点検出信号を生成する焦点検出信号処理部と、前記信号読出部により読み出された前記単位画素内の全ての光電変換部に基づいた第2の信号から撮像画像信号を生成する撮像画像信号処理部と、前記焦点検出信号を出力する焦点検出信号出力部と、前記撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部とを備える。
【選択図】 図1
Description
複数の光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から信号を読み出す信号読出部と、
前記信号読出部により読み出された前記単位画素内の複数の光電変換部の一部の光電変換部に基づいた第1の信号を用いて所定の演算処理を行うことで焦点検出信号を生成する焦点検出信号処理部と、
前記信号読出部により読み出された前記単位画素内の全ての光電変換部に基づいた第2の信号から撮像画像信号を生成する撮像画像信号処理部と、
前記焦点検出信号を出力する焦点検出信号出力部と、
前記撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部と、
を備えることを特徴とする。
はじめに、発明の実施形態に対応する撮像装置における瞳分割方式による焦点検出の原理を説明する。
Qb=Cb(Vb―Vo) ・・・(2)
次に、フォトダイオード101Aおよび101Bの信号を読み出した後の入力端子T1、T2の電圧がそれぞれVa+ΔVa、Vb+ΔVbに変化し、出力端子T3の電圧がVo+ΔVoに変化したとする。このとき、容量C3、C4に蓄積されている電荷Qa'、Qb'は式(3)、(4)となる。
Qb'=Cb{(Vb+ΔVb)―(Vo+ΔVo)} ・・・(4)
ここで、電荷保存則からQa+Qb=Qa'+Qb'の関係が成り立つため、式(1)〜(4)から式(5)が得られる。
また、容量C3、C4の容量値が等しい(Ca=Cb)場合、出力端子T3の電圧変化ΔVoは式(6)となる。
これは、フォトダイオード101Aとフォトダイオード101Bの加算平均信号である。この信号に2倍のゲインを乗算すればA+B像信号として取り扱うことができる。そのため、保持回路202に保持される信号をA+B像信号として表記する。当該信号に2倍のゲインを乗算するのは、例えば、信号処理部1001や制御部1004等で行えばよい。
上述の実施形態1では画素領域の全域でA像信号、B像信号、A+B像信号を出力するように制御していたが、A像信号、B像信号に関しては、焦点検出動作を行う領域のみ出力させるように制御してもよい。そこで本実施形態2では、A+B像信号を画素領域の全域から出力する一方で、A像信号、B像信号に関しては、信号を出力する対象の単位画素の画素領域における位置に応じて一部の画素領域に属する単位画素についてのみ出力する制御方法を述べる。このとき、A像信号、B像信号を読み出さない領域では、図5(a)に示したA像用の読出回路301およびB像用の読出回路303への電源供給を停止することで消費電力を低減させることができる。
上述の実施形態1、2で述べた構成では、1列当り3つの読出回路を備えた読出部を設ける必要があるため、撮像素子1000の回路規模が増大するおそれがある。そこで、実施形態3では、保持部、読出部を複数列で共有することで、回路規模の増大を抑えた構成を説明する。
上述の実施形態1から3では列毎に保持部200、読出部300を備え、行順次に画素信号を読み出してA/D変換していく構成について説明した。これに対し本実施形態では、画素毎に保持部200、読出部300を備えた構成を説明する。本構成では、全画素同時に画素信号を読み出してA/D変換することができるため、より高速な読み出しが可能となる。
Claims (6)
- 複数の光電変換部を有する単位画素が複数配置された画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から信号を読み出す信号読出部と、
前記信号読出部により読み出された前記単位画素内の複数の光電変換部の一部の光電変換部に基づいた第1の信号を用いて所定の演算処理を行うことで焦点検出信号を生成する焦点検出信号処理部と、
前記信号読出部により読み出された前記単位画素内の全ての光電変換部に基づいた第2の信号から撮像画像信号を生成する撮像画像信号処理部と、
前記焦点検出信号を出力する焦点検出信号出力部と、
前記撮像画像信号を出力する撮像画像信号出力部と、
を備えることを特徴とする撮像素子。 - 前記焦点検出信号処理部は、前記第1の信号を輝度信号に変換してから前記所定の演算処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記所定の演算処理は、相関演算処理を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像素子。
- 前記画素領域が第1の半導体チップに形成されるとともに、前記撮像画像信号処理部及び前記焦点検出信号処理部が第2の半導体チップに形成され、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが互いに積層されて構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の撮像素子。 - さらに、前記第1の信号を保持する第1の保持部と、前記第2の信号を保持する第2の保持部とを備え、前記第1の保持部及び前記第2の保持部が第3の半導体チップに形成されることを特徴とする請求項4に記載の撮像素子。
- 前記第2の保持部は、少なくとも2つの容量を有し、前記少なくとも2つの容量のうち、一方の容量に前記第1の信号が入力され、他方の容量に前記複数の光電変換部の他の光電変換部に基づく第3の信号が入力されることで、前記第2の信号を生成することを特徴とする請求項5に記載の撮像素子。
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