JP6669330B2 - 電子部品内蔵型印刷回路基板及びその製造方法 - Google Patents

電子部品内蔵型印刷回路基板及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、電子部品内蔵型印刷回路基板及びその製造方法に関する。
一般的に印刷回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなるボードの片面または両面に銅箔で配線した後、ボード上にICまたは電子部品を配置固定し、これらの間の電気的配線を具現して絶縁体でコーティングしたものである。
特に、半導体パッケージにおいては、プロファイルの減少や多様な機能を要求する市場の傾向にしたがって、印刷回路基板の具現にも多様な技術が要求されている。
近年、次世代多機能性及び小型パッケージ技術の一環としてエンベデッドPCBの開発が注目されている。エンベデッドPCB(Embedded Printed Circuit Board、以下「エンベデッド基板」という)は、基板表面上に実装して電子回路を構成する三つの基本要素であるキャパシタ(C)、抵抗(R)、インダクタ(L)などの受動素子を、PCBの内層に挿入してPCB内部自体でその役割を行えるようにした技術であって、基板表面上の受動素子が占める面積を低減でき、PCBの大きさの縮小による製品の効率性増大やコストの低減を期待でき、能動素子と受動素子との間の接続長さの短縮によるインダクタンス成分の減少により電気的性能の向上を図ることができる。また、半田付け接合個所の減少によるPCB基板に対する実装信頼性を向上できるなど優れた特性を示している。
米国特許第8314480号明細書
本発明の一側面によれば、電子回路部品の接続端子を露出させ、ビアの代わりに金属バンプと直接接続するようにすることで、別にビアを形成することなく、埋め込まれた回路パターン、回路パターンに実装されたチップ、絶縁層の上部に形成された上部回路パターンの構造を有する電子部品内蔵型印刷回路基板を提供する。
本発明の他の側面によれば、電子回路部品の接続端子を露出させ、ビアの代わりに金属バンプと直接接続する印刷回路基板の製造方法を提供する。
一実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板は、絶縁層の一面に接続端子が露出するように埋め込まれた電子部品と、上記絶縁層の一面に、上記電子部品の露出された接続端子に形成された金属バンプとを含む。
また、一実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法は、キャリア部材上に埋め込み用回路パターンを形成するステップと、上記回路パターンが形成された素子実装領域に電子部品を実装するステップと、上記電子部品が埋め込まれるように絶縁層を形成するステップと、上記キャリア部材を除去するステップと、上記キャリア部材を除去した積層体の両面に回路層を形成し、電子部品の一側の接続端子を露出させるステップと、上記電子部品の露出された接続端子上に金属バンプ形成するステップと、を含む。
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいて後述する詳細な説明により、より明らかになる。
これに先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適宜定義することができるという原則に基づいて、本発明の技術的思想に符合する意味及び概念として解釈されなければならない。
本発明の第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の断面図である。 第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板上に電子素子が備えられたパッケージ構造を示す断面図である。 第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の一面にビルドアップ層が備えられたパッケージ構造を示す断面図である。 本発明の第2実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の断面図である。 本発明の第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法における一工程を示す図である。 図5aに示す工程の次の工程を示す図である。 図5bに示す工程の次の工程を示す図である。 図5cに示す工程の次の工程を示す図である。 図5dに示す工程の次の工程を示す図である。 図5eに示す工程の次の工程を示す図である。 図5fに示す工程の次の工程を示す図である。 図5gに示す工程の次の工程を示す図である。 本発明の第2実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法における一工程を示す図である。 図6aに示す工程の次の工程を示す図である。 図6bに示す工程の次の工程を示す図である。 図6cに示す工程の次の工程を示す図である。
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付の図面及び以下の詳細な説明、実施例からより明らかになるであろう。本明細書で各図面の構成要素に参照番号を付するにあたり、同一の構成要素には、たとえ他の図面上に図示されていても、できるだけ同一の符号を有すことにする。また、本発明の説明において、係わる公知技術に関する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。本明細書において、「第1」、「第2」等の用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別するために用いるものであって、構成要素が上記用語により制限されることはない。添付図面において、一部の構成要素は、誇張されたり、省略されたり、または概略的に示されたりすることがあり、各構成要素の大きさが実際の大きさを完全に反映するものではない。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
<電子部品内蔵型印刷回路基板>
先ず、本発明の一実施例に係る部品内蔵型印刷回路基板について、図面を参照して具体的に説明する。この際、参照される図面に記載されていない図面符号は、同一の構成を示す他の図面での図面符号であり得る。
図1は、本発明の第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の断面図である。図1に示すように、回路層120、接着層125、電子部品130、第1及び第2絶縁層140、150、ソルダレジスト層180、表面処理層190及び金属バンプ195を含む。
回路層120は、一面が上記第1絶縁層140に露出するように埋め込まれて形成され、接続パターンを介して電子部品130の接続端子と接続する。
ここで、回路層120は、分離工程により除去されたキャリア部材にドライフィルムを塗布し、回路形成用開口部をパターニングする工程により形成される。
接着層125は、上記回路層120と同一面上に、エポキシの非伝導性接着物質を用いて、電子部品130がキャリア部材上に堅固に付着するように形成されることが好ましい。ここで、接着層125は、電子部品の接続端子部位を侵犯しないように塗布量を調節してその領域を最小化する。
電子部品130は、印刷回路基板に電気的に接続して特定機能を果たす部品であって、半導体素子のような能動素子またはキャパシタのような受動素子であり得る。ここで、電子部品130の活性面は、第1絶縁層140の一面と一致し、これにより、ビアホールを加工する必要がなく、接続端子131に接続パターン111をメッキして直接接続される。ここで、活性面が第1絶縁層140の一面に一致するとは、数学的に完全に同一平面上に位置するという意味ではなく、製造工程で発生する加工誤差などによる微小な公差を含む意味である。
一方、電子部品130の活性面は、一般的に接続端子131が備えられた最外郭面を意味する。より詳細には、接続端子131が第1絶縁層140に埋め込まれた場合、電子部品130の活性面は第1絶縁層140の露出面となる。ここで、電子部品130の活性面は、第1絶縁層140の一面と一致するので、従来の方法とは異なって別のビアが不要であり、接続信頼性が向上され、レーザー工程を省略できるので、コストを低減することができる。
第1絶縁層140及び第2絶縁層150には、第1、第2絶縁層140、150を貫通するようにビアが形成され、第2絶縁層150には、第1絶縁層140内に埋め込まれた電子部品の接続端子に接続するマイクロビアが形成される。
第1絶縁層140は、プリプレグ(prepreg)を用いて形成することが好ましく、上記電子部品130が実装される基板上に、上記電子部品130の実装領域に対応して第1絶縁層をパンチングした後、電子部品130を実装することになる。ここで、第1絶縁層140は、コアレス形態の基板製造方法により、部品が実装される領域に予め絶縁材をパンチングして1次レイアップ(lay up)を行って形成される。
そして、第2絶縁層150は、第1絶縁層140の一面に形成されるものであって、第1絶縁層140に形成された電子部品130を埋め込んで固定する役割を果たす。このため、第2絶縁層150としては、流動性のある絶縁材を使用し、特に半硬化された絶縁材を使用することが好ましい。例示的に、第1、第2絶縁層140、150としては、プリプレグ層で形成されることが好ましく、熱硬化性または熱可塑性高分子物質、セラミック、有機無機複合素材、またはガラス繊維が含浸されたものであってもよく、高分子樹脂を含む場合、FR−4、BT(Bismaleimide Triazine)、ABF(Ajinomoto Build up Film)などのエポキシ系絶縁樹脂を含むことができ、これとは異なって、ポリイミド系樹脂を含むこともできるが、特にこれに限定されることはない。
ソルダレジスト層180は、耐熱性被覆材料によりソルダリング(soldering)する際に外部回路層にソルダが塗布されないように保護する役割をする。また、外部回路との電気的接続のために、ソルダレジスト層180に開口部を加工してパッド及び電子部品の接続端子を露出させることが好ましい。
表面処理層190は、露出された外部回路層170の酸化を防止するだけでなく、実装される電子部品130のソルダリング性を向上させ、高い伝導性を付与する役割をする。ここで、表面処理層190は、例えば金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、または無電解ニッケル/金メッキ(ENIG: Electroless Nickel Immersion Gold)膜により形成されることができる。
金属バンプ195は、上記表面処理層190上に伝導性ソルダで形成されたバンプが一体に形成された状態で、各バンプが上部の電子素子の接続パッド111とボンディングされる。すなわち、上部電子素子のような相対部品のボンディング領域と各バンプの伝導性ソルダとを相互接着させ、所定の温度で加圧するサーマルコンプレッション方式のボンディング方法を用いて相対部品をバンプの伝導性ソルダに接着させることにより、半導体チップ間の積層が行われるか、半導体チップが基板に導電可能に接続される。
一方、図2は、上記第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板上に電子素子が備えられたパッケージ構造を示す断面図であり、図3は、上記第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の一面にビルドアップ層が備えられたパッケージ構造を示す断面図である。
図2に示すように、印刷回路基板の半導体パッケージは、電子部品内蔵型印刷回路基板、第1電子素子491、第2素子495を含む。
上記電子部品内蔵型印刷回路基板は、上記第1実施例での説明通りである。
第1電子素子491は、電子部品内蔵型印刷回路基板の上部に形成され、上記印刷回路基板の金属バンプ490を介して接続される。
第2素子495は、 第1電子素子491上に設けられ、上記第2素子495のボンディング領域に形成された接続パッド496は、上記印刷回路基板に露出された接続パッド480とワイヤボンディングされる。
ここで、上記第1実施例と同様の構成についての詳細な説明は省略する。
図3に示すように、本実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板は、図2の多層基板が印刷回路基板上に形成された結果物に、ビルドアップ層545をさらに含むことができ、ビルドアップ層545は、絶縁層540の一面に積層される。ここで、ビルドアップ層545は、別の絶縁素材を積層し、YAGレーザーまたはCOレーザーを用いてビアホールを形成した後、SAP(Semi−Additive Process)またはMSAP(Modified Semi−Additive Process)などを行ってビアを含む回路層を形成することにより形成されることができる。一方、図3には、ビルドアップ層545として、絶縁層の一面にさらに1層が形成された構造が示されているが、必ずしも2層構造である必要はなく、ビルドアップ層545は、2層以上の構造に形成されても本発明の権利範囲に含まれるものであることは明らかである。
また、図4は、本発明の第2実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板を示す断面図である。図4に示すように、電子部品630の活性面の接続端子が最外郭面に露出され、第1絶縁層640の一面と一致するようにし、電子部品の他面と接続する別のビアがない構造である。また、このような構造に、図2及び図3に示すように、多層基板が積層されるか、ビルドアップ層の構造を形成することができる。
<電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法>
図5aから図5hは、本発明の第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法における工程図である。
図5aから図5hに示すように、本発明の第1実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法は、キャリア部材上に埋め込み用回路パターンを形成するステップと、上記回路パターンが形成された素子実装領域に電子部品を実装するステップと、上記電子部品が埋め込まれるように絶縁層を形成するステップと、上記キャリア部材を除去するステップと、上記キャリア部材が除去された積層体の両面に回路層を形成し、電子部品の一側の接続端子を露出させるステップと、上記電子部品の露出された接続端子上に金属バンプ形成するステップと、を含む。
先ず、図5aに示すように、シード層111を形成したキャリア部材110に第1ドライフィルム112を塗布して回路形成用開口部をパターニングする工程を行う。ここで、第1ドライフィルム112は、後述する回路層120を形成するステップでのメッキレジストの役割を行うものであって、ラミネーション(lamination)を用いてシード層111に塗布する。この際、第1ドライフィルム112に回路形成用開口部をパターニングする工程を詳細に説明すると、先ず、第1ドライフィルム112にアートワークフィルムを密着させた後、紫外線を照射して第1ドライフィルム112を選択的に硬化させる露光工程を行う。その後、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどを用いて硬化していない第1ドライフィルム112を溶解して除去する現像工程を行うことにより、回路形成用開口部をパターニングすることができる。
ここで、上記キャリア部材110の一面に形成されたシード層111は、通常、無電解銅メッキ工程を用いて形成することができるが、必ずしもこれに限定されることはなく、スパッタリング(sputtering)工程またはCVD(Chemical vapor deposition)工程などを用いて形成することができる。
そして、図5bに示すように、上記キャリア部材110上に形成された上記回路形成用開口部に、埋め込み用回路層120を形成する。上記埋め込み用回路層120は、電解メッキ工程によりシード層111を引入線として用いて形成される。本ステップにおいて、第1ドライフィルム112がメッキレジストの役割を行うので、第1ドライフィルム112の回路形成用開口部にのみ選択的に埋め込み用回路層120が形成され、埋め込み用回路層120は、最終的に外部回路層120を構成するものであるので、銅を用いて形成することが好ましい。ここで、上記回路層が形成されると、上記ドライフィルムを除去することになる。ドライフィルムの除去方法は、NaOHまたはKOHなどの剥離液を用いて除去することが好ましい。
その後、図5cに示すように、上記回路層120が形成されたキャリア部材110の同一面上に接着層125を形成し、電子部品130を実装する。ここで、接着層125は、上記回路層120と同一面上の電子部品130が実装された領域に非伝導性接着物質により形成され、上記電子部品130がキャリア部材110上に堅固に付着できるように形成される。ここで、接着層125は、電子部品の接続端子部位を侵犯しないように塗布量を調節して、その領域を最小化する。
一方、電子部品130は、印刷回路基板に電気的に接続されて特定機能を行う部品であって、半導体素子のような能動素子またはキャパシタのような受動素子であり得る。
次に、図5dに示すように、第1絶縁層140は、プリプレグを用いて形成されることが好ましく、上記電子部品130が実装される基板上に、上記電子部品130の実装領域に対応して第1絶縁層をパンチングして形成した後、電子部品130を実装することになる。ここで、第1絶縁層140は、コアレス形態の基板製造方法により、部品が実装される領域に予め絶縁材をパンチングして1次レイアップを行って形成される。
そして、第2絶縁層150は、第1絶縁層140の一面に形成され、第1絶縁層140に形成された電子部品130の実装領域のキャビティに充填されて電子部品130を埋め込んで固定する役割をする。このため、第2絶縁層150としては、流動性のある絶縁材を使用し、特に半硬化された絶縁材を使用することが好ましい。例示的に、第1、第2絶縁層140、150は、プリプレグ層で形成されることが好ましく、熱硬化性または熱可塑性高分子物質、セラミック、有機無機複合素材、またはガラス繊維が含浸されたものにより形成されてもよく、高分子樹脂を含む場合、FR−4、BT(Bismaleimide Triazine)、ABF(Ajinomoto Build up Film)などのエポキシ系絶縁樹脂を含むことができ、これとは異なってポリイミド系樹脂を含むこともでき、特にこれに限定されることはない。
また、上記第2絶縁層上には、シード層151が形成され、シード層151は、通常無電解銅メッキ工程を用いて形成することができるが、必ずこれに限定されることはなく、スパッタリング(sputtering)工程またはCVD(Chemical vapor deposition)工程などを用いて形成することもできる
そして、図5eに示すように、第1絶縁層及び第2絶縁層を高温、高圧により圧着してラミネーション工程を行った後、第1、第2絶縁層140、150をドリル加工してビアホール155b及び電子部品130の接続端子が露出するようにマイクロビアホール155aを形成する。ここで、YAGレーザーまたはCOレーザーを用いてホール形成工程を行うことが好ましい(以下、本発明では、155a及び155bをビアホール155という)。
その後、図5fに示すように、第2ドライフィルムを塗布し、上記形成されたビアホール155b及び開口部が露出されるようにパターニングした後、金属物質で充填して外層回路層170を形成する。ここで、SAP(Semi−Additive Process)またはMSAP(Modified Semi−Additive Process)などを行ってビアを含む外層回路層を形成することができる。しかし、上述した工程に特に限定されず、当業界で公知されたサブトラクティブ、SAP、MASPなどを含む通常の回路形成工程を適用することができる。ここで、第2ドライフィルム160は、上記第1ドライフィルム112と同様にメッキレジストの役割をするものであって、詳細な説明は、上述した図5bを参照することにし、ここでは省略する。
次に、図5gに示すように、上記外層回路層170が形成されると、上記第2ドライフィルム160及びシード層111、151を除去した後、ソルダレジスト層180を形成する。ここで、上記第2ドライフィルム160の除去方法は、上記第1ドライフィルム112の除去方法と同様の方法を適用できる。
そして、上記シード層111、151にはそれ以上の電解メッキ工程を行う必要がないため、本ステップでは、露出されたシード層111、151を除去する。ここで、露出されたシード層111、151はアンダーカット(under cut)が発生しないように、ソフトエッチング(soft etching)などを用いて除去することが好ましい。
上記第1絶縁層及び第2絶縁層140、150の露出面に開口部を有するソルダレジスト層180を形成する。より好ましく、ソルダレジスト層180の開口部は、マスクをパターニングし、露光及び現像する工程を含む。
最後に、図5hに示すように、ソルダレジスト層180の開口部に露出された外部回路層170に、表面処理層190及び金属バンプ195を形成する。
ここで、上記表面処理層190は、露出した回路層の酸化を防止するだけでなく、実装される電子部品130のソルダリング性を向上させて、高い伝導性を付与する役割をする。このような表面処理層190は、例えば金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、または無電解ニッケル/金メッキ(ENIG: Electroless Nickel Immersion Gold)膜で形成されることができる。
また、金属バンプ195は、上記表面処理層190上に伝導性ソルダで形成され、各バンプは上部チップまたは基板のボンディング領域などにボンディングされる。すなわち、上部チップまたは、基板のような外装部品のボンディング領域と各バンプの伝導性ソルダとを相互接着させ、所定の温度で加圧するサーマルコンプレッション方式のボンディング方法を用いて外装部品をバンプの伝導性ソルダに接着させることにより、電子部品の接続端子が露出された状態で外装部品と直接接続するので、信号伝達の距離が近くなって部品間の信号伝逹が有利となり、伝送損失を最小化することができる。
図6aから図6dは、本発明の第2実施例に係る電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法を示す工程図である。
以下に、製造方法順に詳細に説明する。ここで、上述した第1実施例を参照して、重複する説明は省略する。
図6aに示すように、薄い銅箔を有するキャリアにパターンメッキで回路を形成する場合には、第1実施例とは異なって、IVH(Interstitial via−hole)を形成し、以後の積層工程は第1実施例と同様に行われる。
このような、キャリアを適用する電子部品内蔵型印刷回路基板は、キャリアの分離を基準にしてeven/odd layer(2L、3L、4L、5L及びそれ以上の多層基板)の形成が可能である。
以上では、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであって、本発明がこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその変形や改良が可能であることは明らかである。
本発明の単純な変形及び変更はすべて本発明の領域に属するものとなり、本発明の具体的な保護範囲は添付された特許請求範囲により明確になるであろう。
110、310…キャリア部材
111、311…シード層
120、320、420、520、620…回路層
130、330、430、530、630…電子部品
131、331、431、531、631…接続端子
140、340,440,540…第1絶縁層
150…第2絶縁層
160、345…第2ドライフィルム
170、360、460…外部回路層
180、370、470、570…ソルダレジスト層
190、380…表面処理層
195、390、490、590、695…金属バンプ
491、591…第1素子
495、595…第2素子

Claims (18)

  1. 絶縁層の一面に接続端子が露出するように埋め込まれた電子部品と、
    前記絶縁層の一面に、前記電子部品の露出した接続端子に形成された金属バンプと、
    前記絶縁層の両側に形成されたソルダレジスト層と、
    前記電子部品と前記ソルダレジスト層との間に介在された接着層と、
    を含む電子部品内蔵型印刷回路基板。
  2. 前記絶縁層の一面に埋め込まれて形成された回路層をさらに含む請求項1に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板。
  3. 前記回路層は、前記電子部品の接続端子が露出した前記絶縁層の同一面上に埋め込まれて形成される請求項2に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板。
  4. 前記ソルダレジスト層には、前記電子部品の接続端子が露出するように開口部が形成された請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板。
  5. 前記電子部品の露出された前記接続端子上に、表面処理層が形成された請求項に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板。
  6. 前記絶縁層は、熱硬化性または熱可塑性高分子物質、セラミック、有機無機複合素材、ガラス繊維含浸(prepreg)、FR−4、BT(Bismaleimide Triazine)、ABF(Ajinomoto Build up Film)エポキシ系絶縁樹脂のうちのいずれか1種により形成された請求項1から請求項のいずれか1項に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板。
  7. 前記絶縁層の他面に積層されたビルドアップ層をさらに含む請求項1から請求項のいずれか1項に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板。
  8. 印刷回路基板及び第1素子を含み、
    前記印刷回路基板は、
    絶縁層の一面に接続端子が露出するように埋め込まれた電子部品と、
    前記絶縁層の一面に前記電子部品の露出した接続端子に形成された金属バンプと、
    前記絶縁層の両側に形成されたソルダレジスト層と、
    前記電子部品と前記ソルダレジスト層との間に介在された接着層と、を含み、
    前記第1素子は、
    前記印刷回路基板の前記金属バンプに接続して実装される、半導体パッケージ。
  9. 前記第1素子上に形成される第2素子をさらに含み、前記第2素子は、前記印刷回路基板の回路層とワイヤボンディングにより接続する請求項に記載の半導体パッケージ。
  10. (A)キャリア部材上に埋め込み用回路パターンを形成するステップと、
    (B)前記回路パターンが形成された素子実装領域に電子部品を実装するステップと、
    (C)前記電子部品が埋め込まれるように絶縁層を形成するステップと、
    (D)前記キャリア部材を除去するステップと、
    (E)前記キャリア部材を除去した積層体の両面に回路層を形成し、電子部品の一側の接続端子を露出させるステップと、
    (F)前記電子部品の露出した接続端子上に金属バンプ形成するステップと、
    を含む電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  11. 前記ステップ(A)は、
    (A−1)前記キャリア部材上に第1ドライフィルムを所定パターンにエッチングした後に、ラミネーションするステップと、
    (A−2)前記エッチングされた所定パターンに金属物質を塗布するステップと、
    (A−3)第1ドライフィルムを除去した後、電子部品の実装される領域に接着層を形成するステップと、を含む請求項10に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  12. 前記ステップ(C)は、
    前記電子部品の側面を囲むように前記キャリア部材上に第1絶縁層を形成するステップと、
    前記第1絶縁層上に第2絶縁層を形成するステップと、を含む請求項10又は請求項11に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  13. 前記絶縁層は、熱硬化性または熱可塑性高分子物質、セラミック、有機無機複合素材、ガラス繊維含浸(prepreg)、FR−4、BT(Bismaleimide Triazine)、ABF(Ajinomoto Build up Film)エポキシ系絶縁樹脂のうちのいずれか1種により形成される請求項10又は請求項11に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  14. 前記ステップ(E)は、
    (E−1)前記キャリア部材を除去した後、前記絶縁層に電子部品の接続端子が露出するようにマイクロビアホールを含むビアホールを加工するステップと、
    (E−2)前記絶縁層の一面及び他面に第2ドライフィルムを形成し、前記ビアホールが露出するようにパターニングした後にラミネーションするステップと、
    (E−3)前記露出したビアホールに金属物質を充填するステップと、を含む請求項10から請求項13のいずれか1項に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  15. 前記露出した電子部品の接続端子上に、表面処理層を形成するステップをさらに含む請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  16. 前記絶縁層の他面にビルドアップ層を積層するステップをさらに含む請求項10又は請求項11に記載の電子部品内蔵型印刷回路基板の製造方法。
  17. 印刷回路基板を形成するステップと、
    前記印刷回路基板に第1素子を実装するステップと、を含み、
    前記印刷回路基板を形成するステップは、
    キャリア部材上に埋め込み用回路パターンを形成するステップと、
    前記回路パターンが形成された素子実装領域に電子部品を実装するステップと、
    前記電子部品が埋め込まれるように絶縁層を形成するステップと、
    前記キャリア部材を除去するステップと、
    前記キャリア部材を除去した積層体の両面に回路層を形成し、電子部品の一側の接続端子を露出させるステップと、
    前記電子部品の露出した接続端子上に金属バンプを形成するステップと、を含み、
    前記第1素子が、前記印刷回路基板の前記金属バンプに接続される、半導体パッケージの製造方法。
  18. 前記第1素子上に第2素子を形成するステップをさらに含み、前記第2素子は、前記印刷回路基板の回路層とワイヤボンディングにより接続する請求項17に記載の半導体パッケージの製造方法。
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