WO2020121813A1 - 樹脂基板、電子機器、および樹脂基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

樹脂基板（１０）は、樹脂体（１００）と、樹脂体（１００）に形成された層間接続導体（３００）と、層間接続導体（３００）に接合された導体パターン（２００）とを備える。樹脂体（１００）は、層間接続導体（３００）、および、導体パターン（２００）との接合部の近傍に形成された空隙（ＧＰ）と、層間接続導体（３００）と接触する接触部とを有する。

Description

樹脂基板、電子機器、および樹脂基板の製造方法

　本発明は、複数の樹脂層を積層し、当該樹脂層に形成された層間接続導体に、導体パターンを接続した樹脂基板に関する。

　従来、各種の樹脂基板が実用化されている。例えば、特許文献１に記載の回路基板では、樹脂等で形成された絶縁性基材の両面に形成された導体パターンが、絶縁性基材を貫通するビア導体に接合されている。また、特許文献２に記載の回路基板では、ビア導体の側面全体に空隙が設けられている。

特開２０１７－１４３０９９号公報 国際公開第２０１３／１１１７６７号

　特許文献１に示す構成では、回路基板に外部衝撃、曲げ応力、熱等がかかった場合に、ビア導体に応力が加わり、クラックが生じやすい。同様に、ビア導体と導体パターンの境界および境界付近においては、剥離が生じる虞がある。

　特許文献２では、回路基板に外部衝撃、曲げ応力、熱等がかかった場合、ビア導体に対する応力は緩和されるものの、ビア導体と導体パターンの境界に応力が集中し、当該界面において破断が生じる虞がある。特に、形状や構造的にも、例えば、ビア導体と導体パターンとによって形成される角度が鋭角であるため、境界において破断が生じ易い。

　したがって、本発明の目的は、層間接続導体（ビア導体）と導体パターンとの境界での破断を抑制した樹脂基板を提供することである。

　この発明の樹脂基板は、樹脂体と、樹脂体に形成された層間接続導体と、層間接続導体に接合された導体パターンとを備える。樹脂体は、層間接続導体、および、導体パターンとの接合部の近傍に形成された空隙と、層間接続導体と接触する接触部とを有する。

　この構成では、樹脂基板において、最も応力が集中する層間接続導体と導体パターンとの接合部に空隙が形成されているため、層間接続導体と導体パターンとの接合部においての剥離、またはクラックが抑制される。また、層間接続導体が樹脂体に接触している接触部を有することによって、この接合部（層間接続導体の側面）に応力を分散することができ、層間接続導体と導体パターンとの接合部への応力をさらに抑制できる。

　この発明の樹脂基板の製造方法は、次の各工程を有する。導体パターンと第１樹脂層とを積層する工程と、第１樹脂層に第１樹脂層よりも熱膨張係数が小さい第２樹脂層を積層し、樹脂体を形成する工程と、樹脂体に孔を形成する工程と、孔に導電ペーストを充填し、樹脂体を加圧、冷却する工程と、を実行する。

　この製造方法では、上述の所望の樹脂基板が、容易、且つ、精度良く製造される。

　この発明によれば、層間接続導体に対するクラック、および、剥離の発生を抑制した樹脂基板を提供できる。

図１（Ａ）－図１（Ｃ）は、本発明における層間接続導体と導体パターンとの接合部を定義する図である。 図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂基板１０の構成を示す側面断面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）を天面側から視た断面図である。 図３は第１の実施形態に係る樹脂基板１０の製造方法を示すフローチャートである。 図４（Ａ）－図４（Ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂基板１０の製造方法を示す側面断面図である。 図５は本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａの構成を示す側面断面図である。 図６は本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａの製造方法を示すフローチャートである。 図７（Ａ）－図７（Ｅ）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａの製造方法を示す側面断面図である。 図８は本発明の第２の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｂの構成を示す側面断面図である。 図９は本発明の第３の実施形態に係る樹脂基板１０Ｃの構成を示す側面断面図である。 図１０は本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄの構成を示す側面断面図である。 図１１は本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄの製造方法を示すフローチャートである。 図１２（Ａ）－図１２（Ｅ）は、本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄの製造方法を示す側面断面図である。 図１３は本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅの構成を示す側面断面図である。 図１４は本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅの製造方法を示すフローチャートである。 図１５（Ａ）－図１５（Ｅ）は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅの製造方法を示す側面断面図である。 図１６は本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆの構成を示す側面断面図である。 図１７は本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆの製造方法を示すフローチャートである。 図１８（Ａ）－図１８（Ｅ）は、本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆの製造方法を示す側面断面図である。 図１９は本発明の第６の実施形態に係る樹脂基板１０Ｇの構成を示す側面断面図である。 図２０は本発明の第７の実施形態に係る樹脂基板１０Ｈの構成を示す側面断面図である。 図２１は本発明の第８の実施形態に係る樹脂基板１０Ｊの構成を示す側面断面図である。 図２２は本発明の第８の実施形態に係る樹脂基板１０Ｊの製造方法を示すフローチャートである。 図２３（Ａ）－図２３（Ｅ）は、本発明の第８の実施形態に係る樹脂基板１０Ｊの製造方法を示す側面断面図である。 図２４（Ａ）は、本発明の第９の実施形態に係る樹脂基板１０Ａを実装した電子機器１Ｋの平面図であり、図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）のＡ－Ａ線における側面断面図である。 図２５は本発明の第１０の実施形態に係る樹脂基板１０Ｍを実装した電子機器１Ｍの側面断面図である。

　（層間接続導体と導体パターンの接合部の定義）
　本発明の層間接続導体と導体パターンとの接合部の定義について、図を参照して説明する。図１（Ａ）－図１（Ｃ）は、本発明における層間接続導体と導体パターンとの接合部を定義する図である。本発明における、層間接続導体と導体パターンの接合部とは、層間接続導体と導体パターンとが接合されている部分を含む領域である。図１（Ａ）－図１（Ｃ）に示すように、接合部は次の４つの形状を有する。

　図１（Ａ）に示す接合部ＢＰ１は、高さ方向に略平行な層間接続導体ＶＰ１と、高さ方向に略直交する導体パターンＣＰ１とが接合されることによって形成されている。より具体的には、接合部ＢＰ１において層間接続導体ＶＰ１の延びる方向と導体パターンＣＰ１の延びる方向とは略直交する形状である。接合部ＢＰ１をパターン１とする。

　図１（Ｂ）に示す接合部ＢＰ２は、括れ部ＷＡを有する。より具体的には、高さ方向に略直交する導体パターンＣＰ２と、メッキビア等で形成された層間接続導体ＶＰ２とが接合される位置に、局部的に幅が小さな括れ部ＷＡを有する形状である。接合部ＢＰ２をパターン２とする。

　図１（Ｃ）に示すように、層間接続導体ＶＰ３はテーパー形状を有する。導体パターンＣＰ３と層間接続導体ＶＰ３が接合する部分が接合部ＢＰ３であり、接合部ＢＰ３はテーパー形状における幅が広い部分である。導体パターンＣＰ４と層間接続導体ＶＰ３が接合する部分が接合部ＢＰ４であり、テーパー形状における幅が狭い部分である。接合部ＢＰ３をパターン３とし、接合部ＢＰ４をパターン４とする。

　なお、図１（Ｃ）に示す、接合部ＢＰ３，ＢＰ４のテーパー形状は、接合部ＢＰ３，ＢＰ４の断面を平面視して、導体パターンＣＰ３と層間接続導体ＶＰ３との間、および、導体パターンＣＰ４と層間接続導体ＶＰ３との間において、所定の角度を成すように形成されている例を用いて説明する。しかしながら、接合部ＢＰ３，ＢＰ４は、なだらかに湾曲している形状（変曲部を有する形状）であってもよい。

　これらのパターンを適用しながら、以下の実施形態を用いて、本発明の樹脂基板の詳細を説明する。なお、以下の実施形態における各図において、縦横の寸法関係は適宜強調して記載しており、実寸での縦横の寸法関係と一致しているとは限らない。また、図を見やすくするため、一部の符号を省略して記載する。

　（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。第１の実施形態は、例えば層間接続導体をメッキで形成する場合に対応する。

　図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂基板１０の構成を示す側面断面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）を天面側から視た平面図である。図３は、第１の実施形態に係る樹脂基板１０の製造方法を示すフローチャートである。図４（Ａ）－図４（Ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂基板１０の製造方法を示す側面断面図である。第１の実施形態は、図１（Ａ）に示すパターン１の形状となる場合である。

　＜樹脂基板の構造＞
　図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、樹脂基板１０は、樹脂体１００、導体パターン２００、層間接続導体３００を備える。樹脂基板１０は、平面視において矩形であり、直方体形状である。図２（Ｂ）は、空隙ＧＰが形成されている部分で、導体パターン２００に平行な面において平面視した断面図である。

　樹脂体１００は、一方主面１０１と他方主面１０２を有する。なお、樹脂体１００は、構成する樹脂層が１層であっても、複数層で形成されていてもよい。

　樹脂体１００の一方主面１０１と他方主面１０２には導体パターン２００がそれぞれ形成されている。

　層間接続導体３００は、樹脂体１００において高さ方向に沿って延びるように形成されている。層間接続導体３００は、一方主面１０１の導体パターン２００と他方主面１０２の導体パターン２００とを接合するように形成されている。

　導体パターン２００と層間接続導体３００とは、同じ材料で形成されており、層間接続導体３００はメッキ法によって形成されている。このことによって、導体パターン２００と層間接続導体３００の接続強度を高めることができる。

　導体パターン２００と層間接続導体３００とが接合する部分には接合部ＢＰ１が形成されている。本発明では、このような場合でも接合に分類し、導体パターン２００と層間接続導体３００とを接合する部分を接合部ＢＰ１とする。また、接合部ＢＰ１の近傍、すなわち樹脂体１００の一方主面１０１の近傍には、空隙ＧＰが形成されている。

　このような構成では、導体パターン２００と層間接続導体３００との境界、すなわち、接合部ＢＰ１を導体パターン２００に平行な面で平面視した際の導体パターン２００の断面積と層間接続導体３００の断面積とを比較すると、急激に導体パターン２００の面積が変化する（小さくなる）。よって、導体パターン２００と層間接続導体３００との接合部ＢＰ１の断面を平面視した際の導体パターン２００と層間接続導体３００との間において、所定の角度を有する角部（変曲部を有する形状も含む）が形成されるため、構造的に脆い部分となる。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、樹脂基板１０に対して外部衝撃、曲げ応力、熱等（以下、外力）がかかった場合、外力は導体パターン２００と層間接続導体３００との接合部ＢＰ１に加わる。したがって、当該接合部ＢＰ１を基点に導体パターン２００と層間接続導体３００との剥離またはクラックが発生しやすい。

　しかしながら、層間接続導体３００と導体パターン２００との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１に集中する応力を抑制できる。すなわち、層間接続導体３００と導体パターン２００との剥離またはクラックを抑制できる。さらに、層間接続導体３００の延びる方向の中央部分が樹脂体１００に接触している。これにより、層間接続導体３００の位置ずれを抑制でき、接合部ＢＰ１への応力をさらに抑制できる。

　なお、各構成の材料は、例えば次の通りである。樹脂体１００は、例えば、ポリイミド系の樹脂やＬＣＰである。また、樹脂体１００は、フッ素樹脂であってもよい。より具体的には、フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、エチレンテトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）である。このことによって、耐薬品性、耐熱性、電気特性が向上する。

　導体パターン２００と層間接続導体３００は、例えばＣｕを含む材料で形成されている。

　＜樹脂基板の製造方法＞
　以下に、樹脂基板１０の製造方法を示す。図３は、樹脂基板１０の製造方法を示すフローチャートである。図４（Ａ）－図４（Ｅ）は、樹脂基板１０の製造方法における主要工程での形状を示す断面図である。

　図３、図４（Ａ）に示すように、キャスト法を用いて導体パターン２００に樹脂体１００を形成する（Ｓ１０１）。

　図３、図４（Ｂ）に示すように、ドリル等を用いて、樹脂体１００に孔ＴＨを形成する（Ｓ１０２）。なお、孔ＴＨは、樹脂体１００を貫通するように形成されている。

　図３、図４（Ｃ）に示すように、導体パターン２００を下地として、孔ＴＨにメッキ成長させ、層間接続導体３００を形成する（Ｓ１０３）。

　図３、図４（Ｄ）に示すように、導体パターン２００が形成されていない側の樹脂体１００をドリル等で研削し、空隙ＧＰを形成する（Ｓ１０４）。

　図３、図４（Ｅ）に示すように、空隙ＧＰをマスキング処理する。次に、層間接続導体３００にメッキ形成することによって導体パターン２００を形成する。その後、マスキングに利用した材料を除去する（Ｓ１０５）。

　このような製造方法を用いることによって、上述の樹脂基板１０のような構成を確実且つ高精度に実現できる。

　（第２の実施形態）
　本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。第２の実施形態は、例えば層間接続導体を導電ペーストで形成する場合に対応する。

　図５は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａの構成を示す側面断面図である。図６は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａの製造方法を示すフローチャートである。図７（Ａ）－図７（Ｅ）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａの製造方法を示す側面断面図である。第２の実施形態は、図１（Ｃ）に示すパターン４の形状となる場合である。

　図５に示すように、第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａは、第１の実施形態に係る樹脂基板１０に対して、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０によって樹脂体１００Ａが形成されている点、層間接続導体３００Ａがテーパー形状を有している点において異なる。樹脂基板１０Ａにおける他の基本構成は、樹脂基板１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　＜樹脂基板の構造＞
　図５に示すように、樹脂基板１０Ａは、樹脂体１００Ａ、導体パターン２００，２１０、層間接続導体３００Ａを備える。

　樹脂体１００Ａは、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０を備える。樹脂体１００Ａは、一方主面１０１と他方主面１０２を有する。一方主面１０１は、第１樹脂層１１０における第２樹脂層１２０に当接する面と反対側の面であり、他方主面１０２は、第２樹脂層１２０における第１樹脂層１１０に当接する面と反対側の面である。

　一方主面１０１には、導体パターン２００が形成されており、他方主面１０２には、導体パターン２１０が形成されている。層間接続導体３００Ａは、樹脂体１００Ａにおいて高さ方向に沿って延びるように形成されている。層間接続導体３００Ａは、導体パターン２００，２１０に接合するように形成されている。

　層間接続導体３００Ａは、テーパー形状を有する。より具体的には、層間接続導体３００Ａは、他方主面１０２から一方主面１０１へ向けて先細りした形状である。

　導体パターン２００と層間接続導体３００Ａとが接合する部分には接合部ＢＰ４が形成されている。また、接合部ＢＰ４の近傍、すなわち樹脂体１００Ａの一方主面１０１である第１樹脂層１１０には、空隙ＧＰが形成されている。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、外部応力は導体パターン２００と層間接続導体３００Ａとの接合部ＢＰ４に集中する。したがって、当該接合部ＢＰ４を基点に導体パターン２００と層間接続導体３００Ａとの剥離またはクラックが発生しやすい。

　この構成では、層間接続導体３００Ａと導体パターン２００との接合部ＢＰ４の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ４に集中する応力を抑制できる。すなわち、層間接続導体３００Ａと導体パターン２００との剥離またはクラックを抑制できる。さらに、層間接続導体３００Ａと第２樹脂層１２０とは、接触している。これにより、接合部ＢＰ４への応力をさらに抑制できる。

　なお、空隙ＧＰと層間接続導体３００Ａとの関係については、次の条件を満たせばよい。第２樹脂層１２０は、層間接続導体３００Ａと接触する接触部を備える。ここで、層間接続導体３００Ａの周方向において、第２樹脂層１２０と層間接続導体３００Ａが接触している面積（第２面積）を１とした場合の、第１樹脂層１１０と層間接続導体３００Ａが接触している面積（第１面積）の割合を接触率とする。

　このとき、接触率は、１より小さくなるように形成されている。すなわち、第１面積は、第２面積よりも小さい。言い換えれば、第１樹脂層１１０は、第２樹脂層１２０よりも層間接続導体３００Ａに接している面積が小さい。

　この場合、第２樹脂層１２０における接触部の面積は、第１樹脂層１１０における接触部の面積よりも大きくなる。これにより、層間接続導体３００Ａの接合部ＢＰ４にかかる外部応力、または曲げ応力は、第２樹脂層１２０の接触部に分散できる。このことから、導体パターン２００と層間接続導体３００Ａとの接合部ＢＰ４の剥離やクラックの発生を抑制し、層間接続導体３００Ａに対するクラックの発生も抑制できる。

　なお、各構成の材料は、例えば次のとおりである。第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは熱膨張係数が異なる。第１樹脂層１１０は、例えばポリイミド系の樹脂である。第２樹脂層１２０は、例えば液晶ポリマ（ＬＣＰ）である。なお、第１樹脂層１１０の熱膨張係数（第１の熱膨張係数）が、第２樹脂層１２０の熱膨張係数（第２の熱膨張係数）よりも大きければ、他の組み合わせであってもよい。

　層間接続導体３００Ａは、例えばＣｕ、Ｓｎ、Ａｇ等を含む材料で形成されている。層間接続導体３００Ａの熱膨張係数は、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０の熱膨張係数よりも小さい。

　導体パターン２００と層間接続導体３００Ａとを接合する際に形成される接合部ＢＰ４には、金属間化合物が形成される。金属間化合物は、導体パターン２００に含まれる材料と、層間接続導体３００Ａに含まれる材料とが一定の比率で結合している。層間接続導体３００ＡにＳｎ、Ａｇ等が含まれている場合、接合部ＢＰ４にＳｎ、Ａｇ等が拡散する。より具体的には、層間接続導体３００Ａに含まれるＳｎ、Ａｇ等は、Ｃｕよりも融点が低いため、加熱プレス等を行う際に低い温度でＣｕ－Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ、Ｃｕ－Ｓｎ－Ａｇ等の金属間化合物（合金層）が形成される。よって、層間接続導体３００Ａと導体パターン２００とは容易に接合できる。

　一方で、接合部ＢＰ４には金属間化合物が形成されているため、接合部ＢＰ４の強度は低くなる。言い換えれば、接合部ＢＰ４には金属間化合物（合金層）に脆い材料であるＳｎ、Ａｇ等が含まれているため、外部応力等を受けることによって接合部ＢＰ４を基点に破断しやすい。

　しかしながら、層間接続導体３００Ａと導体パターン２００との接合部ＢＰ４の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、剥離またはクラックを抑制できる。

　＜樹脂基板の製造方法＞
　以下に、樹脂基板１０Ａの製造方法を示す。図６は、樹脂基板１０Ａの製造方法を示すフローチャートである。図７（Ａ）－図７（Ｅ）は、樹脂基板１０Ａの製造方法における主要工程での形状を示す断面図である。

　図６、図７（Ａ）に示すように、キャスト法を用いて導体パターン２００に第１樹脂層１１０を形成し、第１樹脂層１１０に第２樹脂層１２０を積層する（Ｓ２０１）。樹脂体１００Ａは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０によって形成される。

　図６、図７（Ｂ）に示すように、ドリル等を用いて、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０に孔ＴＨを形成する（Ｓ２０２）。なお、孔ＴＨは、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０を貫通するように形成されている。

　図６、図７（Ｃ）に示すように孔ＴＨに導電ペースト３００ＡＰを充填する（Ｓ２０３）。

　図６、図７（Ｄ）に示すように、導体パターン２１０を形成する（Ｓ２０４）。

　図６、図７（Ｅ）に示すように、ステップＳ２０４で形成した構造体を加熱、圧着する（Ｓ２０５）。この加熱、圧着時の温度は、約３００℃である。なお、この加熱プレスを行うことによって、導電ペースト３００ＡＰは硬化して、層間接続導体３００Ａとなり、導体パターン２００，２１０と層間接続導体３００Ａとの界面（接合部ＢＰ４）は合金化される。これにより、導体パターン２００，２１０と層間接続導体３００Ａとは接合する。

　また、第１樹脂層１１０の熱膨張係数は、第２樹脂層１２０の熱膨張係数よりも大きい。そのため、樹脂体１００Ａが加熱された後に冷却されることによって、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との熱膨張係数の差から、第１樹脂層１１０と層間接続導体３００Ａとの間には空隙ＧＰが形成される。

　このような製造方法を用いることによって、上述の樹脂基板１０Ａのような構成を確実且つ高精度に実現できる。

　（第２の実施形態の変形例）
　本発明の第２の実施形態の変形例に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図８は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｂの構成を示す側面断面図である。第４の実施形態の変形例は、図１（Ｃ）に示すパターン３の形状となる場合である。

　図８に示すように、第２の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｂは、第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａに対して、空隙ＧＰが形成されている位置が異なる。樹脂基板１０Ｂにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　図８は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｂの構成を示す側面断面図である。

　接合部ＢＰ３の近傍には、空隙ＧＰが形成されている。導電ペーストを用いる場合、金属間化合物が形成されることから、接合部ＢＰ３は、接合部ＢＰ４と同様に剥離やクラックが発生する可能性がある。したがって、空隙ＧＰを形成することで、接合部ＢＰ３での導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｂとの剥離やクラックを抑制できる。ただし、接合部ＢＰ３については、図５に示す接合部ＢＰ４よりも接合する面積が大きいため、剥離やクラックが発生し難い。よって、仕様等に応じて接合部ＢＰ３に対する空隙ＧＰを省略することも可能である。

　（第３の実施形態）
　本発明の第３の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。第３の実施形態は、例えば層間接続導体を導電ペーストで形成する場合に対応する。

　図９は、本発明の第３の実施形態に係る樹脂基板１０Ｃの構成を示す側面断面図である。第３の実施形態は、図１（Ｂ）に示すパターン２となる場合である。

　図９に示すように、第３の実施形態に係る樹脂基板１０Ｃは、第１の実施形態に係る樹脂基板１０に対して、括れ部ＷＡを有する層間接続導体３００Ｃを備える点において異なる。樹脂基板１０Ｃにおける他の基本構成は、樹脂基板１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　層間接続導体に導電ペーストを用いる場合、導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｃとの接合部ＢＰ２には、層間接続導体３００Ｃの他部分よりも径の小さな括れ部ＷＡを有する構造であってもよい。この構造である場合、括れ部ＷＡは他の部分よりも強度が低い。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、外力が強度の低い括れ部ＷＡに加わると、当該括れ部ＷＡを基点に導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｃとの剥離またはクラックが発生しやすい。

　この構成では、層間接続導体３００Ｃの括れ部ＷＡを囲むように空隙ＧＰが形成されていることによって、強度が低い括れ部ＷＡへの応力を抑制できる。すなわち、接合部ＢＰ２での層間接続導体３００Ｃの剥離またはクラックを抑制できる。

　（第４の実施形態）
　本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。第４の実施形態は、例えば層間接続導体を金属体（金属棒）で形成する場合に対応する。

　図１０は、本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄの構成を示す側面断面図である。図１１は、本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄの製造方法を示すフローチャートである。図１２（Ａ）－図１２（Ｅ）は、本発明の第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄの製造方法を示す側面断面図である。第４の実施形態は、図１（Ａ）に示すパターン１の形状となる場合である。

　図１０に示すように、第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄは、第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａに対して、層間接続導体３００Ｄが接合層１３０を介して導体パターン２１０に接合されている点、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０の厚みの関係を定義した点において異なる。樹脂基板１０Ｄにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　＜樹脂基板の構造＞
　図１０に示すように、樹脂基板１０Ｄは、樹脂体１００Ｄ、端子電極２０５、導体パターン２１０、層間接続導体３００Ｄを備える。層間接続導体３００Ｄは、棒状（柱状）の金属ピンからなり、例えばＣｕを材料とする。

　樹脂体１００Ｄは、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０を備える。樹脂体１００Ｄは、一方主面１０１と他方主面１０２を有する。

　層間接続導体３００Ｄと導体パターン２１０は、接合層１３０を介して接合されている。接合層１３０は、導電性接合層であり、例えば半田等の接合材である。接合部ＢＰ１は、導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｄと接合層１３０から形成されている。接合層１３０は、Ｓｎを含む材料で形成されているため、強度が低い層が形成されやすい。

　接合部ＢＰ１の近傍、すなわち樹脂体１００Ｄの一方主面１０１である第１樹脂層１１０には、空隙ＧＰが形成されている。より具体的には、空隙ＧＰは、樹脂体１００Ｄのうち、層間接続導体３００Ｄと導体パターン２００とが接合する接合部ＢＰ１の近傍に形成されている。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、外力は導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｄとの接合部ＢＰ１に集中する。接合層１３０は、流動性を制御するために樹脂を混ぜて形成されている。このことから、接合層１３０の金属密度は低下する。したがって、接合部ＢＰ１に応力が集中した場合、当該接合部ＢＰ１を基点に導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｄとの剥離またはクラックが発生しやすい。

　この構成では、層間接続導体３００Ｄと導体パターン２１０との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１に集中する応力を抑制できる。すなわち、層間接続導体３００Ｄと導体パターン２１０との剥離を抑制できる。

　さらに、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との厚みが次に示す関係を満たせば、より良い。第１樹脂層１１０の厚みＨ１と第２樹脂層１２０の厚みＨ２に対して、Ｈ１＜Ｈ２となるように、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０を形成する。

　このように形成することによって、第２樹脂層１２０が層間接続導体３００Ｄに接する第２面積を大きくすることができる。すなわち、樹脂基板１０Ｄにかかる外部応力は、第２樹脂層１２０と層間接続導体３００Ｄとの接触面にさらに分散されやすくなる。このことから、接合部ＢＰ１の剥離やクラックの発生、および、層間接続導体３００Ｄに対するクラックの発生を抑制できる。

　＜樹脂基板の製造方法＞
　以下に、樹脂基板１０Ｄの製造方法を示す。図１１は、樹脂基板１０Ｄの製造方法を示すフローチャートである。図１２（Ａ）－図１２（Ｅ）は、樹脂基板１０Ｄの製造方法における主要工程での形状を示す断面図である。

　図１１、図１２（Ａ）に示すように、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０を用意する。次に、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とを積層し、樹脂体１００Ｄを形成する（Ｓ３０１）。

　図１１、図１２（Ｂ）に示すように、ドリル等を用いて、樹脂体１００Ｄの一方主面１０１から他方主面１０２へ向けて延びる孔ＴＨを形成する（Ｓ３０２）。このとき、孔ＴＨは、他方主面１０２まで到達しないように形成されている。言い換えれば、第２樹脂層１２０を貫通しないように形成されている。

　図１１、図１２（Ｃ）に示すように、樹脂体１００Ｄに部品２５０を組み合わせる（Ｓ３０３）。部品２５０は、補助樹脂層１１５、接合層１３０、離型シート１４０、導体パターン２１０、層間接続導体３００Ｄで形成される。離型シート１４０は、レジストやカバーレイ、樹脂基材等であってもよい。

　部品２５０の具体的な構成、および、概略的な製造方法は、次のとおりである。離型シート１４０に導体パターン２１０を貼り合わせる。補助樹脂層１１５は、離型シート１４０と導体パターン２１０が当接する面の反対側の導体パターン２１０に当接するように形成される。すなわち、離型シート１４０、導体パターン２１０、補助樹脂層１１５の順に積層されている。補助樹脂層１１５の所定の位置において、補助樹脂層１１５の一部を除去する。この補助樹脂層１１５が除去された部分に、接合層１３０を介して、棒状の金属体（金属ピン）を接合する。この金属体によって、層間接続導体３００Ｄが形成される。

　なお、第１樹脂層１１０と補助樹脂層１１５は、同素材で形成されている。接合層１３０は、導電性接着剤であり、例えば半田である。導体パターン２１０は、例えばＣｕ箔である。金属体（金属ピン）の主成分は、例えばＣｕである。離型シート１４０は、ポリエチレンテレフタレート、またはポリエチレンナフタレート等によって形成されている。第１樹脂層１１０と補助樹脂層１１５は、同素材で形成されていることによって、第１樹脂層１１０と補助樹脂層１１５を接合する構成において、異種材料で接着した場合と比較して、接着強度を高めることができる。

　図１１、図１２（Ｄ）に示すように、樹脂体１００Ｄに部品２５０を嵌め込み、加熱、圧着（加熱プレス）する（Ｓ３０４）。このとき、層間接続導体３００Ｄが孔ＴＨに嵌合するように挿入する。加熱、圧着（加熱プレス）時の温度は、例えば、約３００℃である。この際、第１樹脂層１１０の熱膨張係数は、第２樹脂層１２０の熱膨張係数よりも大きいため、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との熱膨張係数の差から、第１樹脂層１１０と層間接続導体３００Ｄとの間には空隙ＧＰが形成される。

　また、図１１、図１２（Ｄ）に示すように、離型シート１４０を除去する（Ｓ３０５）。また、層間接続導体３００Ｄを露出させるように、部品２５０に嵌め込まれている面と反対側の面から第２樹脂層１２０をルータ等で研削し、層間接続導体３００Ｄ（金属体）を露出させる（Ｓ３０６）。このことによって、第２樹脂層１２０の表面と層間接続導体３００Ｄを平滑化できる。なお、離型シート１４０が、レジスト、カバーレイ、接着材、樹脂基材等である場合には、除去する必要がなく、別途保護膜を形成する工程を省略することができ、簡素化できる。

　図１１、図１２（Ｅ）に示すように、層間接続導体３００Ｄの露出面を含むようにメッキ加工することによって、端子電極２０５を形成する（Ｓ３０７）。なお、層間接続導体３００Ｄの表面に導電性接着材または導電ペーストを用いて、金属箔（Ｃｕ箔等）からなる端子電極２０５を貼り付けてもよい。

　このような製造方法を用いることによって、上述の樹脂基板１０Ｄのような構成を確実且つ高精度に実現できる。また、ステップＳ３０４に示すように、積層体に部品２５０を嵌め込み、加熱、圧着する工程を実行することによって、空隙ＧＰを形成することができる。このことによって、樹脂基板１０Ｄを形成する工程を簡素化できる。なお部品２５０を形成する工程は、ステップＳ３０１，Ｓ３０２よりも前段階で実行されていてもよい。

　（第４の実施形態の変形例）
　本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図１３は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅの構成を示す側面断面図である。図１４は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅの製造方法を示すフローチャートである。図１５（Ａ）－図１５（Ｅ）は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅの製造方法を示す側面断面図である。第４の実施形態の変形例は、図１（Ａ）に示すパターン１の形状となる場合である。

　図１３に示すように、第４の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｅは、第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｄに対して、樹脂体１００Ｄが第２樹脂層１２０のみで形成されている点において異なる。樹脂基板１０Ｅにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ｄと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　＜樹脂基板の構造＞
　図１３に示すように、樹脂基板１０Ｅは、樹脂体１００Ｅ、接合層１３０、端子電極２０５、導体パターン２１０、層間接続導体３００Ｅを備える。層間接続導体３００Ｅと導体パターン２１０は、接合層１３０を介して接合されている。樹脂体１００Ｅは、複数の第２樹脂層１２０を備える。層間接続導体３００Ｅは、層間接続導体３００Ｄと同じである。

　導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｅとが接合する部分には接合部ＢＰ１が形成されている。また、接合部ＢＰ１の近傍、すなわち樹脂体１００Ｅの一方主面１０１の近傍には、空隙ＧＰが形成されている。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、外力は導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｅとの接合部ＢＰ１に集中する。したがって、当該接合部ＢＰ１を基点に導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｅとの剥離またはクラックが発生しやすい。

　この構成であっても、層間接続導体３００Ｅと導体パターン２１０との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１に集中する応力を抑制できる。すなわち、接合部ＢＰ１での層間接続導体３００Ｅと導体パターン２１０との剥離やクラックの発生、および、層間接続導体３００Ｅに対する、接合部ＢＰ１でのクラックの発生を抑制できる。

　＜樹脂基板の製造方法＞
　以下に、樹脂基板１０Ｅの製造方法を示す。図１４は、樹脂基板１０Ｅの製造方法を示すフローチャートである。図１５（Ａ）－図１５（Ｅ）は、樹脂基板１０Ｅの製造方法における主要工程での形状を示す断面図である。

　図１４、図１５（Ａ）に示すように、複数の第２樹脂層１２０を用意し、第２樹脂層１２０の所定位置に孔ＴＨを形成する（Ｓ３１１）。この際、後述の部品２５０が嵌め込まれる側の第２樹脂層１２０の孔ＴＨを他の孔ＴＨよりも大きく形成することによって、空隙ＧＰを形成できる。すなわち、部品２５０が嵌め込まれる側の第２樹脂層１２０の孔ＴＨの大きさによって、空隙ＧＰの大きさを調整することができる。

　図１４、図１５（Ｂ）に示すように、第２樹脂層１２０をビルドアップ工法で積層し、樹脂体１００Ｅを形成する（Ｓ３１２）。なお、ビルドアップ工法を用いることによって、第２樹脂層１２０を積層する際の各層のずれ（孔ＴＨのずれ）を抑制できる。

　図１４、図１５（Ｃ）に示すように、樹脂体１００Ｅに部品２５０を組み合わせる（Ｓ３１３）。

　図１４、図１５（Ｄ）に示すように、樹脂体１００Ｅに部品２５０を嵌め込み、加熱、圧着（加熱プレス）する（Ｓ３１４）。このとき、層間接続導体３００（金属体）が孔ＴＨに嵌合するように挿入する。

　層間接続導体３００Ｅ（金属体）を露出させるように、部品２５０が形成されている面と反対側の面から樹脂体１００Ｅをルータ等で研削する（Ｓ３１５）。

　図１４、図１５（Ｅ）に示すように、離型シート１４０を除去する（Ｓ３１６）。樹脂体１００Ｅにおける層間接続導体３００Ｅを露出させた面に、メッキ等によって端子電極２０５を形成する（Ｓ３１７）。なお、離型シート１４０が、レジスト、カバーレイ、接着剤、樹脂基材等である場合には、除去する必要がなく、別途保護膜を形成する工程を省略することができ、簡素化できる。

　このような製造方法を用いることによって、上述の樹脂基板１０Ｅのような構成を確実且つ高精度に実現できる。また、ステップＳ３１１に示す、部品２５０が当接する第２樹脂層１２０の孔ＴＨを他の孔ＴＨよりも大きく形成する工程によって、空隙ＧＰを確実に形成できる。また、部品２５０を形成する工程は、ステップＳ３１１，Ｓ３１２よりも前段階で実行されていてもよい。

　なお、補助樹脂層１１５は、第１樹脂層１１０と同じであることが好ましい。

　上述の構成における、補助樹脂層１１５と層間接続導体３００Ｅとが当接する部分において、ステップＳ３１１で形成する孔ＴＨは、補助樹脂層１１５の流動があった場合でも空隙ＧＰが形成可能な大きさで形成することが好ましい。孔ＴＨの補助樹脂層１１５に当接しない部分では、孔ＴＨは、層間接続導体３００Ｅが挿入可能な大きさであればよい。また、第２樹脂層１２０においても、流動が起こる。すなわち、第２樹脂層１２０における孔ＴＨは、第２樹脂層１２０の流動量に合わせて形成するとよい。

　また、上述の構成において、補助樹脂層１１５の厚みは、第２樹脂層１２０の厚みよりも薄いことが好ましい。この場合、補助樹脂層１１５が層間接続導体３００Ｅと接していたとしても、空隙ＧＰが形成されていることによる導体パターン２１０と層間接続導体３００Ｅとの接合部ＢＰ１での応力の緩和を妨げにくい。

　なお、上述の構成は、ビルドアップ工法を用いて樹脂基板１０Ｅを形成する例について示したが、第２樹脂層１２０を一括積層することによっても同様の樹脂基板１０Ｅを実現できる。

　また、上述の構成では、第２樹脂層１２０を用いて樹脂体１００Ｅを形成する例について示したが、第１樹脂層１１０を用いて、樹脂体１００Ｅを形成しても良い。ただし、第１樹脂層１１０を用いる場合には、空隙ＧＰが形成できるように十分な大きさの孔ＴＨを形成するとよい。

　（第５の実施形態）
　本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。第５の実施形態は、例えば層間接続導体をメッキで形成する場合に対応する。

　図１６は、本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆの構成を示す側面断面図である。図１７は、本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆの製造方法を示すフローチャートである。図１８（Ａ）－図１８（Ｅ）は、本発明の第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆの製造方法を示す側面断面図である。第５の実施形態は、図１（Ａ）に示すパターン１の場合に対応する。

　図１６に示すように、第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆは、第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａに対して、樹脂体１００Ｆを複数積層している構造を有する点、層間接続導体３００Ｆが導体パターン２１０に接合層１３０を介して接合されている点において異なる。樹脂基板１０Ｆにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　＜樹脂基板の構造＞
　図１６に示すように、樹脂基板１０Ｆは、複数の樹脂体１００Ｆ、複数の導体パターン２００，２１０、複数の層間接続導体３００を備える。樹脂体１００Ｆの一方主面１０１は、第１樹脂層１１０における第２樹脂層１２０に当接する面と反対側の面であり、他方主面１０２は、第２樹脂層１２０における第１樹脂層１１０に当接する面と反対側の面である。なお、図１６には、２層の樹脂体１００Ｆを形成する構成を示すが、樹脂体１００Ｆは３層以上積層されていてもよい。

　この際、複数の樹脂体１００Ｆによって、樹脂基板１０Ｆでは、高さ方向に、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０の順になるように積層されている。言い換えれば、隣り合う樹脂体１００Ｆの一方主面１０１と他方主面１０２とが導体パターン２００を介して当接するように形成されている。

　隣り合う樹脂体１００Ｆの導体パターン２００と層間接続導体３００とが接合する部分には接合部ＢＰ１が形成されている。接合部ＢＰ１は、例えば、半田等を用いた接合層１３０によって形成される。なお、接合部ＢＰ１は、導電ペースト、またはメッキで形成されていてもよい。接合部ＢＰ１の近傍、すなわち樹脂体１００の一方主面１０１である第１樹脂層１１０には、空隙ＧＰが形成されている。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、外力は導体パターン２００，２１０と層間接続導体３００との接合部ＢＰ１に集中する。したがって、当該接合部ＢＰ１を基点に導体パターン２００と層間接続導体３００との剥離またはクラックが発生しやすい。

　この構成でも、層間接続導体３００と導体パターン２００，２１０との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１に集中する応力を抑制できる。すなわち、層間接続導体３００と導体パターン２００，２１０との剥離を抑制できる。

　＜樹脂基板の製造方法＞
　以下に、樹脂基板１０Ｆの製造方法を示す。図１７は、樹脂基板１０Ｆの製造方法を示すフローチャートである。図１８（Ａ）－図１８（Ｅ）は、樹脂基板１０Ｆの製造方法における主要工程での形状を示す断面図である。

　図１７、図１８（Ａ）に示すように、キャスト法を用いて導体パターン２００に第２樹脂層１２０を形成する（Ｓ４０１）。

　図１７、図１８（Ｂ）に示すように、第２樹脂層１２０に第１樹脂層１１０を積層する（Ｓ４０２）。すなわち、高さ方向において、導体パターン２００、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０をこの順に積層する。図１７、図１８（Ｃ）に示すように、レーザを用いて、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０に孔ＴＨを形成する（Ｓ４０３）。なお、孔ＴＨは、樹脂体１００Ｆを貫通するように形成されている。

　図１７、図１８（Ｄ）に示すように、孔ＴＨにメッキを形成する（Ｓ４０４）。このメッキによって、層間接続導体３００Ｆが形成される。

　図１７、図１８（Ｅ）に示すように、Ｓ４０４で形成された構造体を複数積層する。この際、隣り合う樹脂体１００Ｆ同士において、導体パターン２００と層間接続導体３００との間には、半田ペーストを塗布する。積層された複数の樹脂体１００Ｆの表面（導体パターン２００が形成されていない側の面）に導体パターン２１０を形成し、全体を加熱、圧着する（Ｓ４０５）。この加熱、圧着時の温度は、約３００℃である。

　なお、この加熱プレスを行うことによって、導体パターン２００と層間接続導体３００との間の半田ペーストは硬化し、接合層１３０が形成される。樹脂体１００Ｆが加熱された後に冷却されることによって、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との熱膨張係数の差から、第１樹脂層１１０と層間接続導体３００との間には空隙ＧＰが形成される。

　このような製造方法を用いることによって、上述の樹脂基板１０Ｆのような構成を確実且つ高精度に実現できる。

　（第６の実施形態）
　本発明の第６の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図１９は、本発明の第６の実施形態に係る樹脂基板１０Ｇの構成を示す側面断面図である。第６の実施形態は、図１（Ａ）に示すパターン１の形状となる場合である。

　図１９に示すように、第６の実施形態に係る樹脂基板１０Ｇは、第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆに対して、接合層１５０を有する点、樹脂体１００Ｇを複数積層する際の積層順、平面視において層間接続導体３００Ｇと重ならない位置に層間接続導体３００Ｇ２が形成されている点において異なる。樹脂基板１０Ｇにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ｆと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。なお、図１９には、３層の樹脂体１００Ｇを形成する構成を示すが、樹脂体１００Ｇは４層以上積層されていてもよい。

　＜樹脂基板の構造＞
　図１９に示すように、樹脂基板１０Ｇは、複数の樹脂体１００Ｇ、複数の導体パターン２００、複数の層間接続導体３００Ｇを備える。また、層間接続導体３００Ｇと平面視において重ならない位置に層間接続導体３００Ｇ２が形成されている。

　この際、複数の樹脂体１００Ｇによって、樹脂基板１０Ｇでは、高さ方向に、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０の順になるように積層されている。言い換えれば、樹脂体１００Ｇの他方主面１０２同士が当接するように形成されている。樹脂基板１０Ｇの高さ方向に、樹脂体１００Ｇの他方主面１０２が当接している樹脂体１００Ｇにおいて、下方側の樹脂体１００Ｇが本発明の「第１の樹脂体」であり、上方側の樹脂体１００Ｇが本発明の「第２の樹脂体」である。

　より具体的には、複数の樹脂体１００Ｇの第２樹脂層１２０同士が当接している。この当接面において、層間接続導体３００Ｇ同士が接合層１３０を介して接合されている。接合層１３０には、例えば、半田、導電ペーストが用いられる。

　この構成でも、層間接続導体３００Ｇ，３００Ｇ２と導体パターン２００との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１への応力を抑制できる。すなわち、層間接続導体３００Ｇ，３００Ｇ２と導体パターン２００との剥離やクラックの発生を抑制できる。

　また、この構成では、第２樹脂層１２０同士の当接面において、層間接続導体３００Ｇが接合層１５０を介して接合されている。第２樹脂層１２０は熱膨張係数が小さい。したがって、熱による変形が生じ難く、接合層１５０への応力が生じ難い。また、接合される層間接続導体３００Ｇ同士に端面積の差は略無く、略全面で接合している。これにより、接合層１５０における破断が抑制される。なお、接合層１５０には、例えば、半田、導電ペーストが用いられる。

　また、空隙ＧＰは、樹脂基板１０Ｇの応力を受けやすい表層側に形成されていることによって、接合部ＢＰ１におけるクラックの発生を抑制できる。なお、樹脂基板１０Ｇの内層に形成されている接合層１５０は、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０が外部からの応力を緩和するため、クラックが生じ難い。したがって、接合層１５０に対しては、空隙ＧＰを省略することも可能である。ただし、接合層１５０の近傍にも空隙ＧＰが形成された構成であってもよい。

　さらに、平面視において、層間接続導体３００Ｇと層間接続導体３００Ｇ２が重ならない位置に形成されていることにより、様々なパターンの回路に適用できる。

　（第７の実施形態）
　本発明の第７の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図２０は、本発明の第７の実施形態に係る樹脂基板１０Ｈの構成を示す側面断面図である。第７の実施形態は、例えば層間接続導体を金属体（金属棒）で形成する場合に対応し、図１（Ａ）に示すパターン１の形状となる場合である。

　図２０に示すように、第７の実施形態に係る樹脂基板１０Ｈは、第５の実施形態に係る樹脂基板１０Ｆに対して、樹脂体１００Ｈを複数積層する際の積層順、複数の樹脂体１００Ｈを貫通するように層間接続導体３００Ｈが形成されている点において異なる。樹脂基板１０Ｈにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ｆと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。なお、図２０には、２層の樹脂体１００Ｈを形成する構成を示すが、樹脂体１００Ｈは３層以上積層されていてもよい。

　＜樹脂基板の構造＞
　図２０に示すように、樹脂基板１０Ｈは、複数の樹脂体１００Ｈ、複数の導体パターン２００、層間接続導体３００Ｈを備える。

　この際、複数の樹脂体１００Ｈによって、樹脂基板１０Ｈでは、高さ方向に、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０、第２樹脂層１２０、第１樹脂層１１０の順になるように積層されている。言い換えれば、樹脂体１００Ｈの他方主面１０２同士が当接するように形成されている。樹脂基板１０Ｈの高さ方向において、下方側の樹脂体１００Ｈが本発明の「第１の樹脂体」であり、上方側の樹脂体１００Ｇが本発明の「第２の樹脂体」である。

　より具体的には、複数の樹脂体１００Ｈの第２樹脂層１２０同士が当接している。層間接続導体３００Ｈは、この複数の樹脂体１００Ｈを貫通するように形成されている。層間接続導体３００Ｈと導体パターン２００は、接合層１３０を介して接合されている。接合層１３０は、導電性接合層であり、例えば半田等の接合材である。

　この構成でも、層間接続導体３００Ｈと導体パターン２００との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１への応力を抑制できる。すなわち、層間接続導体３００Ｈと導体パターン２００との剥離やクラックの発生を抑制できる。

　（第８の実施形態）
　第８の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図２１は、本発明の第８の実施形態に係る樹脂基板１０Ｊの構成を示す側面断面図である。図２２は、本発明の第８の実施形態に係る樹脂基板１０Ｊの製造方法を示すフローチャートである。図２３（Ａ）－図２３（Ｅ）は、本発明の第８の実施形態に係る樹脂基板１０Ｊの製造方法を示す側面断面図である。第８の実施形態は、例えば層間接続導体を金属体（金属棒）で形成する場合に対応し、図１（Ａ）に示すパターン１の形状となる場合である。

　図２１に示すように、第８の実施形態の変形例に係る樹脂基板１０Ｊは、第４の実施形態に係る樹脂基板１０Ｅに対して、樹脂層２２０、接着層１５５、電極２１５を備えている点、半田１３５を介して層間接続導体３００Ｊと電極２１５を接続している点、接着層１５５によって空隙ＧＰが形成されている点において異なる。樹脂基板１０Ｊにおける他の基本構成は、樹脂基板１０Ｅと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　＜樹脂基板の構造＞
　図２１に示すように、樹脂基板１０Ｊは、樹脂体１００Ｊ、接着層１５５、樹脂層２２０、電極２１５、層間接続導体３００Ｊを備える。層間接続導体３００Ｊと電極２１５は、半田１３５を介して接合されている。樹脂体１００Ｊは、複数の第２樹脂層１２０を備える。層間接続導体３００Ｊは、層間接続導体３００Ｅと同じである。なお、接着層１５５の厚みは、誇張して表示しており、さらに薄い構造であってもよい。

　電極２１５と層間接続導体３００Ｊとが接合する部分には接合部ＢＰ１が形成されている。また、接合部ＢＰ１の近傍、すなわち樹脂体１００Ｊの一方主面１０１の近傍には、空隙ＧＰが形成されている。この空隙ＧＰは、接着層１５５に形成されている。なお、接着層１５５は、例えば、ポリイミド系の樹脂やＬＣＰ、フッ素樹脂であってもよい。

　空隙ＧＰが形成されていない状態では、外力は電極２１５と層間接続導体３００Ｊとの接合部ＢＰ１に集中する。したがって、当該接合部ＢＰ１を基点に電極２１５と層間接続導体３００Ｊとの剥離またはクラックが発生しやすい。

　この構成であっても、層間接続導体３００Ｊと電極２１５との接合部ＢＰ１の近傍に空隙ＧＰが形成されていることによって、接合部ＢＰ１に集中する応力を抑制できる。すなわち、接合部ＢＰ１での層間接続導体３００Ｊと電極２１５との剥離やクラックの発生、および、層間接続導体３００Ｊに対するクラックの発生を抑制できる。

　＜樹脂基板の製造方法＞
　以下に、樹脂基板１０Ｊの製造方法を示す。図２２は、樹脂基板１０Ｊの製造方法を示すフローチャートである。図２３（Ａ）－図２３（Ｅ）は、樹脂基板１０Ｊの製造方法における主要工程での形状を示す断面図である。

　図２２、図２３（Ａ）に示すように、複数の第２樹脂層１２０を用意する。次に、第２樹脂層１２０を積層し、樹脂体１００Ｊを形成する（Ｓ５０１）。

　図２２、図２３（Ｂ）に示すように、ドリル等を用いて、樹脂体１００Ｊの一方主面１０１から他方主面１０２へ向けて延びる孔ＴＨを形成する（Ｓ５０２）。このとき、孔ＴＨは、他方主面１０２まで到達しないように形成されている。言い換えれば、第２樹脂層１２０を貫通しないように形成されている。

　図２２、図２３（Ｃ）に示すように、金属体（金属ピン）を孔ＴＨに挿入する（Ｓ５０３）。この金属体によって、層間接続導体３００Ｊが形成される。次に、一方主面１０１に接着層１５５を形成する。このとき、接着層１５５は、平面視において、孔ＴＨよりも大きな、空隙用の孔ＴＨ２を有する。このことによって、後述する空隙ＧＰが形成される（Ｓ５０４）。

　図２２、図２３（Ｄ）に示すように、樹脂層２２０と電極２１５を組み合わせた部品２５５を、接着層１５５に接着する。より具体的には、電極２１５と、一方主面１０１に露出する層間接続導体３００Ｊが半田１３５を介して当接するように、部品２５５を接着層１５５に接着する（Ｓ５０５）。次に、ステップＳ５０５で形成された構造体を加熱、圧着（加熱プレス）する（Ｓ５０６）。これにより、接合部ＢＰ１が形成され、接合部ＢＰ１の周りに空隙ＧＰが形成される。

　層間接続導体３００Ｊ（金属体）を露出させるように、樹脂層２２０が形成されている面と反対側の面から樹脂体１００Ｊをルータ等で研削する（Ｓ５０７）。

　図２２、図２３（Ｅ）に示すように、樹脂体１００Ｊにおける層間接続導体３００Ｊを露出させた面に、メッキ等によって端子電極２０５を形成する（Ｓ５０８）。

　このような製造方法を用いることによって、上述の樹脂基板１０Ｊのような構成を確実且つ高精度に実現できる。また、ステップＳ５０４に示す、接着層１５５に孔ＴＨよりも大きい孔ＴＨ２を形成する工程によって、空隙ＧＰを確実に、且つ容易に形成できる。

　上述の構成における、接着層１５５と層間接続導体３００Ｊとが当接する部分において、ステップＳ５０４で形成する孔ＴＨ２は、半田１３５、接着層１５５の流動があった場合でも空隙ＧＰが形成可能な大きさで形成することが好ましい。すなわち、接着層１５５における孔ＴＨ２は、半田１３５、接着層１５５の流動量に合わせて形成するとよい。

　なお、上述の構成は、一括積層する工法を用いて樹脂基板１０Ｊを形成する例について示したが、第２樹脂層１２０を、ビルドアップ工法を用いることによっても同様の樹脂基板１０Ｊを実現できる。

　また、上述の構成では、第２樹脂層１２０を用いて樹脂体１００Ｊを形成する例について示したが、第１樹脂層１１０を用いて、樹脂体１００Ｊを形成してもよい。

　（第９の実施形態）
　第９の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図２４（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａを有する伝送線路部材３０を実装した電子機器１Ｋの平面図であり、図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）のＡ－Ａ線における側面断面図である。

　図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）に示すように、第８の実施形態の伝送線路部材３０は、第２の実施形態に係る樹脂基板１０Ａ（図５参照）を有する。また、伝送線路部材３０は、湾曲するように、回路基板２０に実装されている。

　図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）に示すように、電子機器１Ｋは、回路基板２０、伝送線路部材３０、実装部品４０を備える。高さ方向において、回路基板２０の一方主面には、段差Ｓ１が形成されている。

　伝送線路部材３０は、可撓性を有する。

　伝送線路部材３０は、回路基板２０の一方主面に実装されている。より具体的には、伝送線路部材３０は、回路基板２０の一方主面にある段差Ｓ１を跨ぐように形成されている。また、回路基板２０の一方主面には、複数の実装部品４０が実装されている。

　図２４（Ｂ）に示すように、伝送線路部材３０は、回路基板２０の段差Ｓ１を跨ぐように湾曲して実装されているため、伝送線路部材３０には曲げ応力がかかる。しかしながら、樹脂基板１０Ａの構造を備えているため、応力による層間接続導体３００Ａ、層間接続導体３００Ａと導体パターン２００の接合部ＢＰ４における剥離やクラックは抑制される。

　（第１０の実施形態）
　第１０の実施形態に係る樹脂基板について、図を参照して説明する。図２５は、本発明の第１０の実施形態に係る樹脂基板１０Ｍを実装した電子機器１Ｍの側面断面図である。

　図２５に示すように、第１０の実施形態に係る電子機器１Ｍは、第９の実施形態に係る電子機器１Ｋに対して、ホットバー６００を用いて、樹脂基板１０Ｍと他の回路基板２０とを接続している点で異なる。電子機器１Ｍにおける他の基本構成は、電子機器１Ｋと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　樹脂基板１０Ｍと回路基板２０および樹脂基板１０Ｍ同士は、接合層５００を介して実装されている。より具体的には樹脂基板１０Ｍと回路基板２０とは、ホットバー６００を用いて実装されている。すなわち、樹脂基板１０Ｍと回路基板２０および樹脂基板１０Ｍ同士は、瞬間加熱方式によって接合されている。この際、樹脂基板１０Ｍには、熱と圧力がかかる。

　樹脂基板１０Ｍの構成では、層間接続導体３００と端子電極２０５との接合部に空隙ＧＰが形成されていることによって、層間接続導体３００と接合部に、熱と圧力によってかかる応力を抑制できる。

　なお、上述の実施形態では、樹脂体のどちらか一方の主面に空隙を形成する態様を示したが、樹脂体の両方の主面（両主面）に空隙を形成することもできる。これにより、両側の接合部の剥離、またはクラックを抑制できる。

　なお、上述の各実施形態の構成に限られるものではなく、これらの実施形態の組み合わせを変更したものであっても良い。

ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４…接合部
ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４…導体パターン
ＧＰ…空隙
Ｈ１、Ｈ２…厚み
Ｓ１…段差
ＴＨ、ＴＨ２…孔
ＶＰ１、ＶＰ２、ＶＰ３…層間接続導体
ＷＡ…括れ部
１Ｋ、１Ｍ…電子機器
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｊ、１０Ｍ…樹脂基板
２０…回路基板
３０…伝送線路部材
４０…実装部品
１００、１００Ａ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｊ…樹脂体
１０１…一方主面
１０２…他方主面
１１０…第１樹脂層
１１５…補助樹脂層
１２０…第２樹脂層
１３０、１５０…接合層
１３５…半田
１４０…離型シート
１５５…接着層
２００、２１０…導体パターン
２０５…端子電極
２１５…電極
２５０、２５５…部品
３００、３００Ａ、３００Ｃ、３００Ｄ、３００Ｅ、３００Ｆ、３００Ｇ、３００Ｇ２、３００Ｈ、３００Ｊ…層間接続導体
３００ＡＰ…導電ペースト
５００…接合層
６００…ホットバー

Claims (13)

1. 　樹脂体と、
   　前記樹脂体に形成された層間接続導体と、
   　前記層間接続導体に接合された、導体パターンと、
   　を備え、
   　前記樹脂体は、
   　前記層間接続導体、および、前記導体パターンとの接合部の近傍に形成された、空隙と、
   　前記層間接続導体と接触する、接触部と、
   　を有する、樹脂基板。
2. 　前記樹脂体は、第１の熱膨張係数を有する第１樹脂層と、第２の熱膨張係数を有する第２樹脂層とを備え、
   　前記第１の熱膨張係数は、前記第２の熱膨張係数よりも大きく、
   　前記空隙は、前記第１樹脂層に形成されており、
   　前記接触部は、前記第２樹脂層に形成されている、
   　請求項１に記載の樹脂基板。
3. 　前記層間接続導体と、前記導体パターンとは同じ材料で形成されている、
   　請求項１に記載の樹脂基板。
4. 　前記層間接続導体と、前記導体パターンとは異なる材料で形成されている、
   　請求項１に記載の樹脂基板。
5. 　複数の前記樹脂体を備え、
   　複数の前記樹脂体は、互いの前記第２樹脂層同士が当接し、互いの前記層間接続導体が重なるように積層されており、
   　複数の前記樹脂体のそれぞれの前記層間接続導体が当接するように接合されている箇所は、第２の樹脂体によって接合されている、請求項２に記載の樹脂基板。
6. 　前記樹脂体は、複数の前記空隙を有する、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の樹脂基板。
7. 　前記樹脂体の両主面の近傍にも、前記層間接続導体、および、前記導体パターンとの接合層の近傍に形成された、前記空隙を有する、
   　請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の樹脂基板。
8. 　前記第１樹脂層の厚みは、前記第２樹脂層の厚みよりも薄い、
   　請求項２に記載の樹脂基板。
9. 　前記第１樹脂層は、フッ素樹脂である、請求項２に記載の樹脂基板。
10. 　請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の樹脂基板と、
    　前記樹脂基板が実装される回路基板と、を備える、電子機器。
11. 　前記回路基板における前記樹脂基板が実装されている面は、段差を備え、
    　前記樹脂基板は、前記段差を跨いで湾曲して実装されている、請求項１０に記載の電子機器。
12. 　導体パターンと、第１樹脂層と、を積層する工程と、
    　前記第１樹脂層に、前記第１樹脂層よりも熱膨張係数が小さい第２樹脂層を積層し、樹脂体を形成する工程と、
    　前記樹脂体に孔を形成する工程と、
    　前記孔に導電ペーストを充填し、
    　前記樹脂体を加圧、冷却する工程と、
    　を有する、樹脂基板の製造方法。
13. 　前記第１樹脂層と、前記第２樹脂層が積層された、第１の樹脂体を形成する工程と、
    　前記第１樹脂層と、前記第２樹脂層が積層された、第２の樹脂体を形成する工程と、
    　前記第１の樹脂体の前記第２樹脂層と、前記第２の樹脂体の前記第２樹脂層とを当接させて積層する工程と、
    　前記第１の樹脂体の層間接続導体と、前記第２の樹脂体の層間接続導体とを接合材によって接合する工程とをさらに有する、
    　請求項１２に記載の樹脂基板の製造方法。

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