JP6430954B2 - 安定な金属化合物、その組成物、およびその使用方法 - Google Patents
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Description
スチレン、ベンジルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ベンジルアクリレートおよびブチルアクリレートである。
ジアルコキシビス(ベータジケトエステル)およびジアルコキシビス(ベータジケトン)アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、4,4,4−トリフルオロ−1−フェニル−1,3−ブタンジオン、およびエチルアセトアセテートとすることができる。表面平滑化剤または界面活性剤は、ポリエチレングリコールドデシルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリエチレングリコールオクタデシルエーテル、ポリエチレングリコール tert−オクチルフェニルエーテル、フッ素ベースの界面活性剤、およびシリコンベースの界面活性剤、Brij30、Brij52、Triton X−100、FC430の商品名を有する界面活性剤などとすることができる。
40gのTi(IV)テトラブトキシドポリマー(Ti(IV)BTP)、10gの無水フタル酸、および50gのベンゼンを攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を60℃で約1時間保持した。室温まで冷却した後、蒸留により溶剤の大部分を除去し、真空下で観応した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、10.4gの1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物および50.4gのシクロヘキサンを攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を60℃で約1時間保持した。室温まで冷却した後、蒸留により溶剤の大部分を除去し、真空下で観応した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、10gの無水フタル酸および50gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)/プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示し、PGMEA/PGME溶剤によるシグナルを除き、合成例1と同様であった。
40gのTi(IV)BTPポリマー、10.4gの1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物および50.4gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示し、PGMEA/PGME溶剤によるシグナルを除き、合成例2と同様であった。
40gのTi(IV)BTPポリマー、19.8gの無水マレイン酸および59.8gのシクロヘキサンを攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を60℃で約2時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。シクロヘキサン中のFT−IRは、Ti−OBu共鳴による〜1100cm−1のピークの減衰、および、Ti−OC(=O)R共鳴による1570cm−1における新規の広域ピークを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、19.8gの無水マレイン酸および59.8gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約3時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。試料をシクロヘキサンに溶解し、シクロヘキサン中においてFT−IRを測定した。スペクトルは、Ti−OBu共鳴による〜1100cm−1のピークの減衰、および、Ti−OC(=O)R共鳴による1600cm−1における新規の広域ピークを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、30gの無水シトラコン酸および70gのPGMEA/PGME 70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約4時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、22.5gの無水シトラコン酸および62.5gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約3時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、10.3gのシス−1,2,3,6−テトラヒドロ無水フタル酸および50.3gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、10gの無水フタル酸および50gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。15gのPGMEA/PGME70:30中の15gの無水シトラコン酸を反応装置にゆっくり添加した。反応をさらに50℃で3時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、10gの無水フタル酸および50gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。13.2gのPGMEA/PGME70:30中の13.2gの無水シトラコン酸を反応装置にゆっくり添加した。反応をさらに50℃で3時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、19.8gの無水マレイン酸および59.8gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。6.1gのPGMEA/PGME70:30中の6.1gのパーフルオロヘプタン酸を反応装置にゆっくり添加した。反応をさらに50℃で2時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、13.2gの無水マレイン酸および53.2gのシクロヘキサンを攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を60℃で約1時間保持した。11.1gのシクロヘキサン中の11.1gのペンタフルオロプロパン酸を反応装置にゆっくり添加した。反応をさらに60℃で1時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。シクロヘキサン中のFT−IRは、Ti−OBu共鳴による〜1100cm−1のピークの減衰、Ti−OC(=O)R共鳴による1570cm−1における新規の広域ピーク、およびTi−OC(=O)Rf共鳴による1650cm−1における新規の広域ピークを示した。
40gのTi(IV)BTPポリマー、22.5gの無水シトラコン酸および50gのPGMEA/PGME70:30を攪拌し混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を50℃で約2時間保持した。15gのPGMEA/PGME70:30中の2.5gのノナフルオロブタン−1−スルホン酸を反応装置にゆっくり添加した。反応をさらに50℃で2時間保持した。室温まで冷却した後、50%の固体含量の生成物を茶色瓶に貯蔵した。プロトンNMRは生成物中に水和物が存在しないことを示した。
42.6gのチタン(IV)イソプロキシドおよび33.6gの無水シトラコン酸を混合し、そして窒素下フラスコを加熱した。反応を55℃で約1時間保持した。真空下でジエステル副生成物の蒸発ののち、粘性ポリマー生成物を得た。
9.7gのイソプロピルヘキサフルオロイソプロパノールメタクリレート(MA−BTHB−OH)、5.9gの2−エチルヘキシルメタクリレート、3.5gの2−ヒドロキシエチルメタクリレートおよび8.5gのグリシジルメタクリレートを120gのTHF溶媒中で混合した。1.0gのAIBN存在下75℃で20時間、重合反応を行った。室温まで冷却した後、反応混合物をDI水で沈殿された。白色ポリマー固体を洗浄し、45℃、真空下で乾燥させ収量27.2g(99%)で得られた。GPC測定によるポリマーのMwは19100である。
9.7gのMA−BTHB−OH、5.8gのベンジルメタクリレート、5.1gの2−ヒドロキシエチルメタクリレートおよび6.4gのグリシジルメタクリレートを120gのテトラヒドロフラン(THF)溶媒中で混合した。1.0gのAIBN存在下75℃で20時間、重合反応を行った。室温まで冷却した後、反応混合物をDI水で沈殿された。白色ポリマー固体を洗浄し、45℃、真空下で乾燥させ収量26.5g(99%)で得られた。GPC測定によるポリマーのMwは19000である。
15.0gのMA−BTHB−OH、6.0gのスチレン、10.0gの2−ヒドロキシプロピルメタクリレートおよび19.0gのグリシジルメタクリレートを200gのプロピレン グリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶剤中で混合した。0.97gのAIBN存在下75℃で24時間、重合反応を行った。室温まで冷却した後、反応混合物をDI水で沈殿された。白色ポリマー固体を洗浄し、45℃、真空下で乾燥させ収量50.0g(>99%)で得られた。GPC測定によるポリマーのMwは18500である。
18.5gのMA−BTHB−OHおよび12.3gのグリシジルメタクリレートを120gのTHF溶媒中で混合した。1.0gのAIBN存在下75℃で20時間、重合反応を行った。室温まで冷却した後、反応混合物をDI水で沈殿された。白色ポリマー固体を洗浄し、45℃、真空下で乾燥させ収量30.2g(99%)で得られた。
18.5gのMA−BTHB−OH、3.5gの2−ヒドロキシエチルメタクリレートおよび8.5gのグリシジルメタクリレートを120gのTHF溶媒中で混合した。1.0gのAIBN存在下75℃で20時間、重合反応を行った。室温まで冷却した後、反応混合物をDI水で沈殿された。白色ポリマー固体を洗浄し、45℃、真空下で乾燥させ収量29.8g(99%)で得られた。
10gのブタンテトラカルボン酸二無水物、7gのスチレングリコール、0.5gのベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、および35gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を濃縮器、熱制御器、および機械攪拌器を有するフラスコに装入した。窒素下で攪拌しながら、混合物を110℃に加熱した。1〜2時間後に透明な溶液を得た。3時間、温度を110℃で保持した。冷却しつつ、60gのPGMEAおよび36gのプロピレンオキシドを上記溶液に添加した。反応を50℃で48時間持続した。反応溶液を室温まで冷却し、高速ミキサー中の大量の水にゆっくり注いだ。ポリマーを単離し、水で全体を洗浄した。最終的に、ポリマーを真空オーブンで乾燥させた。GPC測定によるMwが20000である16gのポリマーが得られた。
20.0gのハフニウムイソプロポキシド、80.0gの酢酸および10.0gのDI水を、窒素下で10分間攪拌し混合した。混合物を120℃とし、約2時間維持した。その後、10.0gのDI水を添加した。18時間の加熱後、反応物を冷却した。反応混合物を濃縮し、白色乾燥体を得た(酢酸酸化ハフニウム、9.93g)。
必要とされるフィルム厚に応じて、合成例1〜15からの金属化合物の1〜10%(w/w)溶液を準備した。いくつかの製剤は、0.1〜1%のγ−バレロラクトンを含む。混合後、シリコンウエハ上に溶液をスピンコートし、約60秒〜約120秒、200〜250℃でベーク処理した。以下の例の反射防止コーティングの屈折率(n)および減衰係数(k)の値は、J.A.Woollam VASE32 ellipsometerで測定した。製剤例1〜15および対応する可溶性のマルチ−リガンド−置換された金属化合物を表1に示した。製剤は、一般に、総組成物中5.0%の固体を含む。
金属酸化物フィルム中の金属%w/wを、元素分析およびTGA質量欠損測定(焼成)により測定した。2つの方法の結果は整合した。製剤中の組成により、測定金属%は、200〜250℃、約60秒のフィルムベーク上経緯において、約10〜約70%の範囲である。
PGMEA/PGME70:30溶剤を例1〜12の製剤からなる材料で被膜されたシリコンウエハ上に、表1および表2で示された温度で分注した。60秒後、窒素吹き出しを使用し、溶剤を除去した。有意なフィルム欠損は観察されなかった。多くの場合、20℃〜40℃の低いバーキング温度でさえ、PGMEA/PGME70:30中の浸水試験を通過した(フィルム厚の欠損がない)。同様の現像液2.38w/wTMAHで行った。表1および表2のフィルムは、現像液に良好な耐性を示した(フィルム厚の欠損がない)。必要な場合、ベーキング温度を低くすることで、現像液中の部分液なフィルム欠損が生じえる。
製剤例6、7、8、10、11の溶液を、0.5h、1h、5h、8h、10h、14h、16h、20hおよび24h(h=時間)空気に露出した(瓶を開けた)。瓶を閉めた後、試料を、定期的、例えば1週間、1か月、など溶液を被膜し、そしてコーティング性能/浸水試験性能を調べることで長期安定性試験を行った。製剤をシリコンウエハ上にスピンコートし、上記のように、200〜250℃/60秒でベーク処理した。例のフィルムは、8時間〜24時間の空気への露出後でさえおよび少なくとも1週間、良好なコーティング性能を示した(小片/空隙がない)。対照材料((Ti(IV)BTP、Aldrich)は1時間空気露出後1週間、安定ではなく、この後のコーティング上において小片が見られた。
液中粒子カウンタ(LPC)およびコーティング欠損老化貯蔵寿命測定を、製剤例10で、表23に示すように、25℃/当初、25℃で2週間、25℃で3週間、その後、−20℃で1週間、25℃で3週間、その後、40℃で1週間にて、行った。
製剤例8を表4に記載の剥離処方を使用して試験した。フィルムの当初の厚さは35mmであった。フィルムを洗浄した後に記録された剥離時間は、視覚的に、または浸水前後のフィルム厚を粗億艇することで決定した。全てのフィルムは剥離試験の後、問題なく除去された。
Ti金属性反射防止コーティング製剤の特性をAZ(登録商標)2110Pフォトレジスト (AZ Electronic Materials USA Corp., Somerville, NJの製品)を使用して評価した。シリコンウエハを製剤例8で被膜し、225℃、60秒間ベーク処理し、43nm厚のフィルムを形成した。その後、190nmを対象とするAZ(登録商標) EXP AX2110P フォトレジストフィルムを頂部に被膜し、100℃で60秒間ベーク処理した。その後、ウエハを193nmのNikon 306D露光ツールで、0.85の開口数(NA)、0.85の外部シグマおよび0.55の内部シグマのY−Dipole Illuminationで画像形成した。露光されたウエハは、その後、110℃で60秒間ベーク処理し、AZ(登録商標)300MIF現像液(TMAH)を使用して30秒間現像した。走査型電子顕微鏡下で観察されたトップダウンおよび断面パターンは、処理ウインドウ中において、有意な欠損を示さなかった。ライン/スペース80nm、1:1、撮影速度26mJ/cm2において良好なパターンプロフィールが観察された。
Ti金属性反射防止コーティング製剤の特性をAZ(登録商標)2110Pフォトレジスト (AZ Electronic Materials USA Corp., Somerville, NJの製品)を使用して評価した。シリコンウエハを製剤およびコーティング例18で被膜し、225℃、60秒間ベーク処理し、41nm厚のフィルムを形成した。その後、190nmを対象とするAZ(登録商標) EXP AX2110P フォトレジストフィルムを頂部に被膜し、100℃で60秒間ベーク処理した。その後、ウエハを193nmのNikon 306D露光ツールで、0.85の開口数(NA)、0.85の外部シグマおよび0.55の内部シグマのY−Dipole Illuminationで画像形成した。露光されたウエハは、その後、110℃で60秒間ベーク処理し、AZ(登録商標)300MIF現像液(TMAH)を使用して30秒間現像した。走査型電子顕微鏡下で観察されたトップダウンパターンは、有意な欠損を示さなかった。L/S80nm、1:1、撮影速度26mJ/cm2において、走査型電子顕微鏡下の断面パターンにおいて良好なパターンプロフィールが観察された。
液浸リソグラフィの3層構造用のTi金属性反射防止コーティング製剤の特性を評価した。シリコンウエハは、層の厚さ150nmで250℃で60秒間ベーク処理し、AZ(登録商標)ArFU98−150 (AZ Electronic Materials,70,Meister Ave. Somerville NJから利用可能)炭素下層で被膜した。炭素下層上に、シリコンウエハを製剤およびコーティング例9で被膜し、250℃、60秒間ベーク処理し、25nm厚のフィルムを形成した。その後、120nmを対象とする液浸フォトレジストフィルムを頂部に被膜し、120℃で60秒間ベーク処理した。その後、ウエハを193nmの液浸露光ツールで、開口数(NA)1.2、0.979のダイポール(双極子)40Y/0.824 X偏光により画像形成した。露光されたウエハは、その後、110℃で60秒間ベーク処理し、AZ(登録商標)300MIF現像液(TMAH)を使用して30秒間現像した。走査型電子顕微鏡下で観察されたトップダウンパターンは、有意な欠損を示さなかった。L/S45nm、1:1、撮影速度33mJ/cm2において、走査型電子顕微鏡下の断面パターンにおいて良好なパターンプロフィールが観察された。
Albany大学のSEMATECHのエキシマーマイクロ露光ツール(eMET)またはLawrence Berkeley National Laboratory(LBNL)のマイクロ露光ツール(MET)を使用してEUV露光を行った。EUVフォトレジストを、下層の上の頂部に被膜した。それをベーク処理し、開口数(NA)0.3、4極子または環状イルミネーションで露光した。METツールはウエハ上に、5×縮図、200×600μmフィールドを与える。現像後、リソ特性を、CDSEMトップダウン測定おうよびSEM装置による横断図の両方で評価した。シリコンウエハを製剤およびコーティング例12で被膜し、225℃、60秒間ベーク処理し、25nm厚のフィルムを形成した。そして、EUVフォトレジストを被膜し190nmのフィルムを形成した。その後、フォトレジストをEUV線で露光した。露光されたウエハは、その後、ベーク処理し現像した。走査型電子顕微鏡下で観察されたトップダウンパターンは、有意な欠損を示さなかった。L/S30nm、1:1、撮影速度12.6mJ/cm2において、走査型電子顕微鏡下の断面パターンにおいて良好なパターンプロフィールが観察された。
Claims (12)
- 以下の構造の可溶性マルチ−リガンド−置換された金属化合物を含み:
- 金属が、チタン、ジルコニウム、タンタル、鉛、アンチモン、タリウム、インジウム、イッテルビウム、ガリウム、ハフニウム、アルミニウム、マグネシウム、モリブデン、ゲルマニウム、スズ、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、金、銀、カドミウム、タングステンまたは白金である、請求項1に記載の組成物。
- R1、R3またはR3’が部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル基である、請求項1または2に記載の組成物。
- 金属が1種より多い金属である、請求項1〜3のいずれか一つに記載の組成物。
- 組成物が、有機ベースもしくはケイ素ベースの架橋可能なポリマーをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一つに記載の組成物。
- 少なくとも一つの熱酸発生剤、熱ベースの発生剤、または熱活性過酸化物をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一つに記載の組成物。
- 架橋添加剤をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一つに記載の組成物。
- a.請求項1〜7のいずれか一つに記載の組成物を基板上に適用し、フィルムを形成し;そして、
b.フィルムをベーク処理する、
ことを含む電子装置の製造方法。 - 剥離剤組成物を使用して前記組成物を除去することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 剥離剤が、酸、塩基、過酸化物、およびそれらの混合物から成る群から選択される、請求項9に記載の方法。
- R2が、−COR3基である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の組成物。
- アルキレン−COOR3’もしくは−アルケニレン−COOR3’で表せられる構造により官能化された基が、−CH=CH−COOR3’または−CH=C(CH3)−COOR3’である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の組成物。
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US4094853A (en) * | 1975-05-15 | 1978-06-13 | Kenrich Petrochemicals, Inc. | Alkoxy titanate salts useful as coupling agents |
CA1103266A (en) * | 1975-05-15 | 1981-06-16 | Salvatore J. Monte | Alkoxy titanate salts useful as coupling agents |
US4251665A (en) | 1978-05-22 | 1981-02-17 | King Industries, Inc. | Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts |
US4200729A (en) | 1978-05-22 | 1980-04-29 | King Industries, Inc | Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts |
JPS58110414A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Tokuyama Soda Co Ltd | 無機酸化物及びその製造方法 |
US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
GB8414705D0 (en) * | 1984-06-08 | 1984-07-11 | Wiggins Teape Group Ltd | Coating substrates |
US4861846A (en) * | 1985-03-22 | 1989-08-29 | Union Carbidae Corporation | Process for simultaneously dimerizing ethylene and copolymerizing ethylene with the dimerized product |
JPS6356529A (ja) | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Nissan Chem Ind Ltd | 新規チタノシロキサン重合体の製造法 |
JPH01113475A (ja) * | 1987-07-06 | 1989-05-02 | Nippon Soda Co Ltd | 塗装面の処理剤 |
JPH02105874A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電塗料用銅粉の製造方法 |
US5178989A (en) | 1989-07-21 | 1993-01-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Pattern forming and transferring processes |
US5026155A (en) * | 1989-09-06 | 1991-06-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for sizing particles using condensation nucleus counting |
JPH03138922A (ja) | 1989-10-24 | 1991-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
DE69125634T2 (de) | 1990-01-30 | 1998-01-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Chemisch verstärktes Photolack-Material |
US5187019A (en) | 1991-09-06 | 1993-02-16 | King Industries, Inc. | Latent catalysts |
FR2693455B1 (fr) * | 1992-07-09 | 1994-09-30 | Inst Francais Du Petrole | Procédé de fabrication d'oléfines alpha légères par oligomérisation de l'éthylène. |
JPH0632756A (ja) | 1992-07-14 | 1994-02-08 | Ube Ind Ltd | ビス(ヒドロキシフェニル)メタン類の製造方法 |
JPH0931385A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-04 | Sakata Corp | 印刷インキ組成物 |
US5843624A (en) | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
US5772978A (en) | 1996-04-24 | 1998-06-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing tungsten oxide |
US6808859B1 (en) | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
US5879859A (en) | 1997-07-16 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Strippable photoimageable compositions |
JP2000010293A (ja) | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Jsr Corp | 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜 |
US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
US6790587B1 (en) | 1999-05-04 | 2004-09-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
US6348299B1 (en) | 1999-07-12 | 2002-02-19 | International Business Machines Corporation | RIE etch resistant nonchemically amplified resist composition and use thereof |
EP1302813A4 (en) | 2000-06-21 | 2005-02-23 | Asahi Glass Co Ltd | RESIST COMPOSITION |
US6242156B1 (en) | 2000-06-28 | 2001-06-05 | Gary Ganghui Teng | Lithographic plate having a conformal radiation-sensitive layer on a rough substrate |
US6447980B1 (en) | 2000-07-19 | 2002-09-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist composition for deep UV and process thereof |
US20020155389A1 (en) | 2000-10-24 | 2002-10-24 | Bharath Rangarajan | Inverse resist coating process |
CN1221861C (zh) | 2001-02-09 | 2005-10-05 | 旭硝子株式会社 | 光致抗蚀剂组合物 |
US6723488B2 (en) | 2001-11-07 | 2004-04-20 | Clariant Finance (Bvi) Ltd | Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive |
US7455955B2 (en) | 2002-02-27 | 2008-11-25 | Brewer Science Inc. | Planarization method for multi-layer lithography processing |
US6740469B2 (en) | 2002-06-25 | 2004-05-25 | Brewer Science Inc. | Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications |
US6872506B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-03-29 | Brewer Science Inc. | Wet-developable anti-reflective compositions |
JP2004179254A (ja) | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20040171743A1 (en) | 2003-01-21 | 2004-09-02 | Terry Brewer, Ph.D. | Hybrid organic-inorganic polymer coatings with high refractive indices |
EP1462473B1 (en) | 2003-03-14 | 2011-07-06 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Surface crosslinking method of water-absorbing resin powder |
EP1470893B1 (en) | 2003-04-25 | 2006-06-21 | JSR Corporation | Polishing pad and chemical mechanical polishing method |
JP4131864B2 (ja) | 2003-11-25 | 2008-08-13 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法 |
KR101158298B1 (ko) | 2003-12-26 | 2012-06-26 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 하드 마스크용 도포형 질화막 형성 조성물 |
JP4620967B2 (ja) | 2004-04-26 | 2011-01-26 | 太陽ホールディングス株式会社 | 永久穴埋め用熱硬化性樹脂組成物 |
ITPG20040013A1 (it) | 2004-04-30 | 2004-07-30 | Fuma Tech Gmbh | Soluzioni organiche di precursori di fosfati e pirofosfati di metalli tetravalenti e loro impiego per la modificazione di elettrodi e per la preparazione di membrane composite per celle a combustibile operanti a temperature >900 centigradi e/o a bass |
JP4461901B2 (ja) | 2004-05-11 | 2010-05-12 | Tdk株式会社 | ホログラム記録材料及びホログラム記録媒体 |
JP4811757B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-11-09 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | メソポーラス金属酸化物複合光導波路センサー、その製造方法及びそれを用いたガスセンサー |
JP2006312600A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Adeka Corp | 金属化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び薄膜 |
US7563549B2 (en) | 2005-05-20 | 2009-07-21 | Xerox Corporation | Imaging member |
US7799396B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-09-21 | Kuraray Co., Ltd. | Gas barrier layered product, method of manufacturing the same and packaging medium using the same |
KR100666477B1 (ko) | 2005-06-16 | 2007-01-11 | 한국과학기술연구원 | 산화티타늄 나노로드 및 그의 제조방법 |
US7326442B2 (en) | 2005-07-14 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Antireflective composition and process of making a lithographic structure |
JP4437226B2 (ja) | 2005-08-30 | 2010-03-24 | 国立大学法人 新潟大学 | 光触媒膜の製造方法 |
WO2007032185A1 (ja) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 熱硬化性樹脂組成物 |
JP4553835B2 (ja) | 2005-12-14 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板 |
WO2008026401A1 (fr) | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Jsr Corporation | Composition de résine isolante photosensible et produit durci à base de cette résine |
US8168372B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-05-01 | Brewer Science Inc. | Method of creating photolithographic structures with developer-trimmed hard mask |
JP4204611B2 (ja) | 2006-09-25 | 2009-01-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
US7416834B2 (en) | 2006-09-27 | 2008-08-26 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
FR2916199B1 (fr) * | 2007-05-14 | 2012-10-19 | Inst Francais Du Petrole | Procede d'oligomerisation des olefines utilisant une composition catalytique comprenant un complexe organometallique contenant un ligand phenoxy fonctionnalise par un hetero-atome |
US8318830B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-11-27 | Basf Se | Photolatent catalysts based on organometallic compounds |
US8039201B2 (en) | 2007-11-21 | 2011-10-18 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition and process thereof |
JP5101541B2 (ja) | 2008-05-15 | 2012-12-19 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5503916B2 (ja) | 2008-08-04 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2010021030A1 (ja) | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 富士通株式会社 | レジスト増感膜形成用材料、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び磁気ヘッド |
JP5336306B2 (ja) | 2008-10-20 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料 |
US8455593B2 (en) | 2008-10-23 | 2013-06-04 | Mie University | Polyorganosiloxane composition and cured production thereof |
BR112012005909A2 (pt) * | 2009-09-15 | 2020-08-25 | Basf Se | compostos do catalisador de quelato de ti, formulação de catalisador de quelato de ti, uso do composto de catalisador de quelato de ti, ou da formulação de catalisador de quelato de ti, composição polimerizável, processo para a polimerização de compostos, uso da composição polimerizável, substrato revestido, e, composição polimerizada ou reticulada |
KR101749601B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2017-06-21 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 설폰아미드기를 가지는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
JP5721992B2 (ja) | 2009-10-14 | 2015-05-20 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、レジスト液、インクジェット用インク、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、液晶ディスプレイ、有機elディスプレイ、画像表示デバイス、及び色素化合物 |
JP2011083820A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Toshikatsu Kizaki | ベルトプレス式脱水機の丸線形スクレーパ装置 |
AU2011216200B2 (en) | 2010-02-15 | 2016-09-08 | Cornell University | Electrospinning apparatus and nanofibers produced therefrom |
EP2400304A1 (en) | 2010-06-22 | 2011-12-28 | Centro de Investigación Cooperativa En Biomateriales ( CIC biomaGUNE) | Method for the characterization of intermolecular interactions |
JP5266294B2 (ja) | 2010-11-01 | 2013-08-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
EP2666826A4 (en) | 2011-01-18 | 2014-07-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | RESIN COMPOSITION AND FITTED PCB, COMPOSITE FILM AND PREPREG WITH THIS |
US9281207B2 (en) | 2011-02-28 | 2016-03-08 | Inpria Corporation | Solution processible hardmasks for high resolution lithography |
JP2012237823A (ja) | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、それを含むプロセスカートリッジおよび画像形成装置 |
US8568958B2 (en) | 2011-06-21 | 2013-10-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Underlayer composition and process thereof |
JP5889568B2 (ja) | 2011-08-11 | 2016-03-22 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法 |
US9201305B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-12-01 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use |
US9296922B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-03-29 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use |
CN104567030B (zh) * | 2014-12-24 | 2016-09-21 | 锦州东大太阳能工程技术有限公司 | 太阳能聚光传输装置及其太阳能锅炉光热发电系统 |
-
2012
- 2012-12-07 US US13/707,993 patent/US9315636B2/en active Active
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