JP6350384B2 - 研削用砥石 - Google Patents
研削用砥石 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6350384B2 JP6350384B2 JP2015096632A JP2015096632A JP6350384B2 JP 6350384 B2 JP6350384 B2 JP 6350384B2 JP 2015096632 A JP2015096632 A JP 2015096632A JP 2015096632 A JP2015096632 A JP 2015096632A JP 6350384 B2 JP6350384 B2 JP 6350384B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- grinding wheel
- grindstone
- workpiece
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/04—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic
- B24D3/14—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially inorganic ceramic, i.e. vitrified bondings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
- B24D7/066—Grinding blocks; their mountings or supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
Description
また、簡単な成型で、ワーク研削時のワーク中心部への過度な切り込みによるワークの激しい損傷を極めて効果的に抑えることが可能である。
前述したように、研削用砥石の寿命を延ばす方法として、砥石チップの高さ寸法を高くすることが考えられるが、単純に高くすると砥石が破損することや、直方体に成型すると研削対象のワークの中心部が激しく損傷するという問題が見られた。そこで、本発明者は、研削用の砥石チップの形状および円環状台金への配置に着目し、種々実験を行った。
また、直方体の砥石チップの場合、高さ方向から見て内角90°の稜部(すなわち、直方体の砥石チップにおいて、長方形の研削面に隣接する4つの側面同士の間の4つの稜部)がワーク中心に対して垂直に切り込む、かつ、回転方向に対する移動負荷が大きくなるため、ワークの中心部が激しく損傷し易くなるが、さらに実験を重ね、それらの稜部を、長方形の研削面の短辺の1/5以上の範囲でC面取りすることで、上記のワーク中心部の激しい損傷を抑えられることを見出し、本発明を完成させた。
図1に本発明の研削用砥石の一例を示す。研削対象のワークと接する側から見た正面図である。また、図2は側面図である。本発明の研削用砥石1は、円環状台金(以下、単に台金ともいう)2と、複数のビトリファイドボンド砥石チップ3とを備えている。
台金2は砥石チップ3を配置することができ、研削時にモーター等により回転させることができるものであれば良い。なお、回転方向をRで示している。
この砥石チップ3の形状についてより具体的に説明する。まず、台金2に固定される側とは反対の位置に長方形の研削面4を有しており、また該研削面4に隣接する4つの長方形の側面5を有している。これらの4つの側面5の、隣り合う側面同士間の稜部がC面取りされている。
面取り量に関して本発明では、1つの稜部あたり、長方形の研削面4の短辺7の長さ(図3の実線の矢印参照)の1/5以上の範囲でC面取りされていればよく、特に限定されない。図3は、1つの稜部あたり、短辺7の長さの1/5がC面取りされている例であり、研削面4が八角形になっている。一方、図4は、1つの稜部あたり、短辺7の長さの1/2でC面取りされている例であり、六角形になっている。
一方、面取り量が短辺7の長さの1/5未満であると、上記の過度な切り込みを効果的に防ぐことができず、ワークに損傷が生じてしまう。
キャリア12およびホルダー部13を自転させてワーク11を自転させつつ、一対の研削用砥石1を回転させることにより、ワーク11の両面を同時に研削することができる。本発明の研削用砥石1を用いることで、砥石チップ3が破損することもなく、かつ、ワーク11の中心部が激しく損傷することもなく品質高く研削することができる。
(実施例1、2、比較例1、2)
図5に示すような、ワークの両頭研削装置10を用いて、直径300mmのシリコンウェーハの両頭研削を行った。このシリコンウェーハは、CZ法(チョクラルスキー法)で製造されたインゴットから、切り出されたものである。
次に、図4に示す、C面取りの領域を研削面の短辺の1/2にした形状のビトリファイドボンド砥石チップを複数配置した研削用砥石を、図5に示すような両頭研削装置10に備え付け、シリコンウェーハを5枚研削した(実施例2)。
次に、図6に示す、面取りしていないビトリファイドボンド砥石チップを複数配置した研削用砥石を、図5に示すものと同様の両頭研削装置に備え付け、シリコンウェーハを5枚研削した(比較例1)。
最後に、図7に示す、C面取りの領域を研削面の短辺の1/8にした形状のビトリファイドボンド砥石チップを複数配置した研削用砥石を、図5に示すものと同様の両頭研削装置に備え付け、シリコンウェーハを5枚研削した(比較例2)。
研削時において、実施例1、2、比較例1、2のいずれも砥石チップが破損することはなかった。
しかしながら、この比較例3では、いずれも破損してしまい、シリコンウェーハの研削には至らなかった。
研削後の中心部(半径約50mmの範囲)のWarp形状が急激な凸や凹形状をしている場合、表裏面のどちらかで激しい損傷が起きており、それに付随する残留応力のバランスが表裏面で崩れていることがわかる。
また、ΔBowにより、研削による表裏面の損傷やそれに付随する残留応力のバランスを数値として評価できる。表裏面の損傷やそれらに付随する残留応力が表裏面で等しいほど、ΔBowは0に近づく。
Warp形状やBowの測定には、SBW−330(株式会社コベルコ科研製)を使用した。
なお、ΔBowとしては、−5μm以上+5μm以下であることが好ましい。
実施例1、2では、中心部の急激なWarp形状の変化は見られないが、比較例1、2では中心部で急激な凸化が見られ、表裏面のどちらかで激しい損傷が起き、残留応力のバランスが表裏面で崩れていることがわかる。
エラーバーは偏差を示している。実施例1は、ΔBow=0.17μm、実施例2は、ΔBow=0.57μmであり、どちらも良好であった。一方、比較例1は、ΔBow=5.39μm、比較例2は、ΔBow=5.10μmで、残留応力のバランスが表裏面で崩れていることがわかる。
3…ビトリファイドボンド砥石チップ、 4…研削面、 5…側面、
6…稜部、 7…研削面の短辺、 8…研削面の長辺、
9…砥石チップの高さ、 10…両頭研削装置、 11…ワーク、
12…キャリア、 13…ホルダー部、 R…回転方向。
Claims (3)
- 円環状台金の外周にビトリファイドボンド砥石チップが複数配置されており、前記円環状台金を回転させながら前記砥石チップでワークを研削する研削用砥石であって、
前記ビトリファイドボンド砥石チップは、
前記円環状台金の反対側に位置して前記ワークを研削する長方形の研削面と該研削面に隣接する4つの側面を有する直方体において、前記側面同士間の4つの稜部がC面取りされているものであり、
前記研削面の長辺が前記円環状台金の外周に沿うようにして配置されており、
前記4つの稜部は、前記研削面の短辺の長さの1/5以上の範囲がC面取りされているものであることを特徴とする研削用砥石。 - 前記研削面の長辺の長さは、前記C面取りされている稜部の長さの1/2以上であることを特徴とする請求項1に記載の研削用砥石。
- 前記研削用砥石は、両頭研削用のものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の研削用砥石。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015096632A JP6350384B2 (ja) | 2015-05-11 | 2015-05-11 | 研削用砥石 |
SG11201709068RA SG11201709068RA (en) | 2015-05-11 | 2016-03-11 | Grinding wheel |
PCT/JP2016/001362 WO2016181594A1 (ja) | 2015-05-11 | 2016-03-11 | 研削用砥石 |
DE112016001798.7T DE112016001798T5 (de) | 2015-05-11 | 2016-03-11 | Schleifscheibe |
US15/570,643 US10456891B2 (en) | 2015-05-11 | 2016-03-11 | Grinding wheel |
KR1020177032500A KR102285111B1 (ko) | 2015-05-11 | 2016-03-11 | 연삭용 지석 |
CN201680024410.7A CN107530867B (zh) | 2015-05-11 | 2016-03-11 | 研磨用磨石 |
TW105107874A TWI684494B (zh) | 2015-05-11 | 2016-03-15 | 研磨用磨石 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015096632A JP6350384B2 (ja) | 2015-05-11 | 2015-05-11 | 研削用砥石 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016209963A JP2016209963A (ja) | 2016-12-15 |
JP6350384B2 true JP6350384B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=57248906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015096632A Active JP6350384B2 (ja) | 2015-05-11 | 2015-05-11 | 研削用砥石 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10456891B2 (ja) |
JP (1) | JP6350384B2 (ja) |
KR (1) | KR102285111B1 (ja) |
CN (1) | CN107530867B (ja) |
DE (1) | DE112016001798T5 (ja) |
SG (1) | SG11201709068RA (ja) |
TW (1) | TWI684494B (ja) |
WO (1) | WO2016181594A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7115850B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-08-09 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法および加工装置 |
CN110561272A (zh) * | 2019-10-23 | 2019-12-13 | 无锡市兰天金刚石有限责任公司 | 一种修整砂轮用超硬工具及其制备方法 |
JP7429203B2 (ja) * | 2021-03-16 | 2024-02-07 | 株式会社日立インダストリアルプロダクツ | 回転機のメンテナンス装置及びメンテナンス方法 |
EP4329982A1 (en) * | 2021-04-27 | 2024-03-06 | GlobalWafers Co., Ltd. | Double side grinding apparatus having convex polygon-shaped abrasive members |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT339169B (de) * | 1975-09-25 | 1977-10-10 | Voest Ag | Verfahren zum reinigen austenitischer werkstoffoberflachen, insbesondere von ferritischen kontaminationen |
US4947591A (en) * | 1990-01-09 | 1990-08-14 | Avonite, Inc. | Dry paint stripping method |
CA2090139C (en) * | 1992-03-05 | 2006-01-24 | Roger Grondin | Glass material for treating hard surfaces, comprising particles of broken glass, and a process for making said particles |
US5243790A (en) * | 1992-06-25 | 1993-09-14 | Abrasifs Vega, Inc. | Abrasive member |
US5308404A (en) * | 1993-01-21 | 1994-05-03 | Church & Dwight Co., Inc. | Less aggressive blast media formed from compacted particles |
US5607480A (en) * | 1993-11-10 | 1997-03-04 | Implant Innovations, Inc. | Surgically implantable prosthetic devices |
US5637030A (en) * | 1994-02-17 | 1997-06-10 | Minerals Research & Recovery, Inc. | Abrasive formulation for waterjet cutting and method employing same |
JP3683353B2 (ja) | 1996-01-10 | 2005-08-17 | 豊田バンモップス株式会社 | セグメント型砥石 |
US5964644A (en) * | 1996-03-01 | 1999-10-12 | Extrude Hone Corporation | Abrasive jet stream polishing |
DE19640945A1 (de) * | 1996-10-04 | 1998-04-16 | Polygram Manufacturing & Distr | Verfahren und Vorrichtung zum mechanischen Entfernen einer Fremdstoffbeschichtung von einem Basismaterial |
US5865620A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-02 | Kreativ, Inc. | Abrasive dental composition and method for use |
JPH11156728A (ja) | 1997-12-02 | 1999-06-15 | Tokyo Diamond Kogu Seisakusho:Kk | ダイヤモンド砥石 |
US20030180537A1 (en) * | 1998-01-30 | 2003-09-25 | Black Diamond Granules, Inc. | Spheroidal particles and apparatus and process for producing same |
US20010023351A1 (en) * | 1999-12-01 | 2001-09-20 | Eilers George J. | Skin abrasion system and method |
JP4374740B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2009-12-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 研削砥石およびその製造方法 |
JP4352588B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2009-10-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 研削砥石 |
US6672943B2 (en) * | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
JP2003062740A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 鏡面ウェーハの製造方法 |
JP2006224201A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削ホイール |
US20060219825A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-05 | United Materials International | High pressure fluid/particle jet mixtures utilizing metallic particles |
JP4969118B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-07-04 | 三菱重工業株式会社 | 成形体の前処理方法、接着物品及びその製造方法、並びに塗装物品及びその製造方法 |
JP4794602B2 (ja) | 2008-05-26 | 2011-10-19 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 砥石チップおよびこの砥石チップを使用した研削砥石 |
KR101220608B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2013-01-10 | 주식회사 포스코 | 스케일 제거장치 |
CN103370174B (zh) * | 2010-12-31 | 2017-03-29 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 具有特定形状的研磨颗粒和此类颗粒的形成方法 |
CN202123406U (zh) * | 2011-06-16 | 2012-01-25 | 广州晶体科技有限公司 | 一种磨轮 |
US20130331015A1 (en) * | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Goei Co., Ltd. | Cup type grinding wheel |
CN105899331A (zh) * | 2012-12-31 | 2016-08-24 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 研磨喷砂介质及其形成和使用方法 |
-
2015
- 2015-05-11 JP JP2015096632A patent/JP6350384B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-11 CN CN201680024410.7A patent/CN107530867B/zh active Active
- 2016-03-11 US US15/570,643 patent/US10456891B2/en active Active
- 2016-03-11 DE DE112016001798.7T patent/DE112016001798T5/de active Pending
- 2016-03-11 SG SG11201709068RA patent/SG11201709068RA/en unknown
- 2016-03-11 KR KR1020177032500A patent/KR102285111B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-11 WO PCT/JP2016/001362 patent/WO2016181594A1/ja active Application Filing
- 2016-03-15 TW TW105107874A patent/TWI684494B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201709068RA (en) | 2017-12-28 |
US10456891B2 (en) | 2019-10-29 |
DE112016001798T5 (de) | 2018-01-11 |
CN107530867B (zh) | 2019-08-13 |
KR20180006907A (ko) | 2018-01-19 |
KR102285111B1 (ko) | 2021-08-04 |
TW201639663A (zh) | 2016-11-16 |
CN107530867A (zh) | 2018-01-02 |
WO2016181594A1 (ja) | 2016-11-17 |
JP2016209963A (ja) | 2016-12-15 |
US20180290265A1 (en) | 2018-10-11 |
TWI684494B (zh) | 2020-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6350384B2 (ja) | 研削用砥石 | |
JP4742845B2 (ja) | 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法 | |
JP5594295B2 (ja) | 円柱状部材の研磨装置および円柱状部材の研磨方法 | |
CN104812527B (zh) | 使用研磨带对具有定向平面等切缺部的由晶体材料构成的晶片的周缘进行研磨来制造圆形晶片的方法 | |
TWI445125B (zh) | A method of manufacturing a two-head grinding apparatus and a wafer | |
JP2013012690A (ja) | 半導体ウエハの加工方法及び加工装置、並びに、半導体ウエハ | |
JP6528527B2 (ja) | ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 | |
JP5318914B2 (ja) | 研削方法 | |
JP5979081B2 (ja) | 単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP6476892B2 (ja) | マルチポイントダイヤモンドツール | |
US20210086323A1 (en) | Polishing device | |
JP2009224496A (ja) | ウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置 | |
JP5076583B2 (ja) | 面取り装置、面取り方法および焼結磁石 | |
KR102150157B1 (ko) | 웨이퍼 랩핑 장치용 캐리어 | |
JP5726061B2 (ja) | ウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP6161463B2 (ja) | 異物除去工具及び異物除去方法 | |
US20190152021A1 (en) | Method of manufacturing ground product and cup grinding stone | |
JP2010036303A (ja) | 半導体ウェーハ裏面研削用砥石及び半導体ウェーハ裏面研削方法 | |
JP2015153999A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2015174164A (ja) | ツルーイング用砥石 | |
JP5115004B2 (ja) | 面取り装置、面取り方法および焼結磁石 | |
JP2013163235A (ja) | 光学素子加工用工具及び光学素子製造方法 | |
JP6016472B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014216424A (ja) | ウェハーの製造方法、ノッチ加工装置 | |
CN104149002A (zh) | 一种挡圈加工用双面磨具组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6350384 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |