KR20180006907A - 연삭용 지석 - Google Patents

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KR20180006907A KR1020177032500A KR20177032500A KR20180006907A KR 20180006907 A KR20180006907 A KR 20180006907A KR 1020177032500 A KR1020177032500 A KR 1020177032500A KR 20177032500 A KR20177032500 A KR 20177032500A KR 20180006907 A KR20180006907 A KR 20180006907A
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요시히로 우사미
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신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 원환상 대금의 외주에 비트리파이드 본드 지석칩이 복수 배치되어 있고, 상기 원환상 대금을 회전시키면서 상기 지석칩으로 워크를 연삭하는 연삭용 지석으로서, 상기 비트리파이드 본드 지석칩은, 상기 원환상 대금의 반대측에 위치하여 상기 워크를 연삭하는 장방형의 연삭면과 이 연삭면에 인접하는 4개의 측면을 갖는 직방체에 있어서, 상기 측면끼리간의 4개의 능부가 C면취되어 있는 것이며, 상기 연삭면의 장변이 상기 원환상 대금의 외주를 따르도록 하여 배치되어 있고, 상기 4개의 능부는, 상기 연삭면의 단변의 길이의 1/5 이상의 범위가 C면취되어 있는 것을 특징으로 하는 연삭용 지석을 제공한다. 이에 따라, 연삭시에 파손되지 않고, 간단한 성형으로 워크중심부에의 과도한 컷팅에 의한 워크의 심한 손상을 억제하는 것이 가능한 연삭용 지석이 제공된다.

Description

연삭용 지석
본 발명은, 연삭장치에 장착하여 사용되는 연삭용 지석에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 워크의 정밀가공에 있어서, 동시에 양면을 연삭하는 양두연삭이라 불리는 연삭방법이 있다. 일반적으로, 양두연삭에서는, 연삭용 지석으로서 컵형 휠인 것이 이용되고 있으며, 외주에 지석칩을 복수 갖고 있다.
이 연삭용 지석을 이용한 연삭가공에서는, 워크를 연삭하면 지석칩이 마모되어, 연삭용 지석의 교환이 필요해진다. 이 때문에, 비용증대를 억제하는 관점에서, 연삭용 지석의 수명을 늘리고자 하는 요망이 있다.
일본특허공개 H11-156728 일본특허공개 H9-248769 일본특허공개 2009-279742
연삭용 지석의 수명을 늘리는 방법으로서, 지석칩의 치수를 높이는 것이 고려된다. 그러나, 특허문헌 1에 있는 일반적인 각기둥의 지석칩의 높이치수를 단순히 높이는 것만으로는, 워크를 연삭할 때의 굽힘응력을 견디지 못하고 지석칩이 파손된다.
이에, 지석칩의 높이치수가 높은 상태에서의 파손을 방지하기 위하여, 연삭용 지석의 회전방향에 대하여 대략 평행하게 장변을 가진 지석형상으로 하는 것이 고려된다.
또한, 회전방향에 대하여 대략 평행하게 장변을 가진 지석의 형상으로는 직방체로 성형하는 것이 고려된다. 그러나, 직방체의 지석칩은, 높이방향에서 봤을 때 내각 90°의 능부(즉, 직방체의 지석칩에 있어서, 장방형의 연삭면에 인접하는 4개의 측면끼리간의 4개의 능부)가 워크중심에 대하여 수직으로 컷팅하고, 또한, 회전방향에 대한 이동부하가 커지므로, 워크중심부가 심하게 손상되기 쉬워, 워크중심부근의 형상컨트롤이 곤란하다.
이에, 목적은 상이하나, 특허문헌 2나 특허문헌 3에 있는 바와 같이, 지석칩의 형상을 정육각형으로 하는 것이나, 지석칩의 단을 반원기둥상으로 함으로써, 손상을 억제할 수 있게 되는 것으로 생각되나, 회전방향에 대하여 대략 평행하게 장변을 갖지 못하거나 성형이 복잡해지는 문제가 있다.
본 발명은 상기 서술한 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 연삭시에 파손되지 않고, 간단한 성형으로 워크중심부에의 과도한 컷팅에 의한 워크의 심한 손상을 억제하는 것이 가능한 연삭용 지석을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 원환상 대금의 외주에 비트리파이드 본드 지석칩이 복수 배치되어 있고, 상기 원환상 대금을 회전시키면서 상기 지석칩으로 워크를 연삭하는 연삭용 지석으로서, 상기 비트리파이드 본드 지석칩은, 상기 원환상 대금의 반대측에 위치하여 상기 워크를 연삭하는 장방형의 연삭면과 이 연삭면에 인접하는 4개의 측면을 갖는 직방체에 있어서, 상기 측면끼리간의 4개의 능부가 C면취되어 있는 것이며, 상기 연삭면의 장변이 상기 원환상 대금의 외주를 따르도록 하여 배치되어 있고, 상기 4개의 능부는, 상기 연삭면의 단변의 길이의 1/5 이상의 범위가 C면취되어 있는 것을 특징으로 하는 연삭용 지석을 제공한다.
상기와 같은 연삭용 지석이면, 비록 비트리파이드 본드 지석칩(이하, 간단히 지석칩이라고도 함)의 높이(C면취되어 있는 능부의 길이)를 높게 했다고 하더라도, 연삭시에 파손되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 지석칩의 높이를 높게 하여 연삭용 지석의 수명을 늘릴 수 있다.
또한, 간단한 성형으로, 워크연삭시의 워크중심부에의 과도한 컷팅에 의한 워크의 심한 손상을 매우 효과적으로 억제하는 것이 가능하다.
이때, 상기 연삭면의 장변의 길이는, 상기 C면취되어 있는 능부의 길이의 1/2 이상인 것으로 할 수 있다.
이러한 것이면, 비록 지석칩의 높이의 치수를 높게 하더라도, 워크연삭시의 굽힘응력에 의한 지석칩의 파손을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 연삭용 지석은, 양두연삭용인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 연삭용 지석은 양두연삭에 호적하다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 비록 지석칩의 높이의 치수를 높게 하더라도, 연삭시에 파손되는 것을 방지할 수 있으므로, 지석칩의 높이를 높게 하여 연삭용 지석의 수명을 늘릴 수 있다. 또한, 간단한 성형으로 워크중심부에의 과도한 컷팅에 의한 워크의 심한 손상을 매우 효과적으로 억제하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 연삭용 지석의 일례를 나타낸 정면도이다.
도 2는 본 발명의 연삭용 지석의 일례를 나타낸 측면도이다.
도 3은 면취된 능부의 일례를 나타낸 설명도이다(실시예 1).
도 4는 면취된 능부의 다른 일례를 나타낸 설명도이다(실시예 2).
도 5는 양두연삭장치의 일례를 나타낸 설명도이다.
도 6은 비교예 1에서 이용한 지석칩에 있어서의 능부를 나타낸 설명도이다.
도 7은 비교예 2에서 이용한 지석칩에 있어서의 능부를 나타낸 설명도이다.
도 8은 실시예 1의 Warp형상의 측정결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 실시예 2의 Warp형상의 측정결과를 나타낸 그래프이다.
도 10은 비교예 1의 Warp형상의 측정결과를 나타낸 그래프이다.
도 11은 비교예 2의 Warp형상의 측정결과를 나타낸 그래프이다.
도 12는 실시예 1, 2, 비교예 1, 2의 연삭 전후에서의 Bow의 평균변화량을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명에 대하여 실시의 형태를 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
상기 서술한 바와 같이, 연삭용 지석의 수명을 늘리는 방법으로서, 지석칩의 높이치수를 높게 하는 것이 고려되나, 단순히 높게 하면 지석이 파손되는 것이나, 직방체로 성형하면 연삭대상인 워크의 중심부가 심하게 손상된다는 문제가 보였다. 이에, 본 발명자는, 연삭용 지석칩의 형상 및 원환상 대금에의 배치에 주목하고, 다양하게 실험을 행하였다.
그 결과, 상기 서술한 바와 같이, 직방체의 지석칩에 있어서, 그 장방형의 연삭면의 장변이, 원환상 대금의 외주를 따르도록 하여(즉, 연삭용 지석의 회전방향에 대하여 대략 평행하게 되도록) 배치함으로써, 연삭시의 지석칩의 파손을 방지할 수 있다.
또한, 직방체의 지석칩의 경우, 높이방향에서 봤을 때 내각 90°의 능부(즉, 직방체의 지석칩에 있어서, 장방형의 연삭면에 인접하는 4개의 측면끼리간의 4개의 능부)가 워크중심에 대하여 수직으로 컷팅하고, 또한, 회전방향에 대한 이동부하가 커지기 때문에, 워크의 중심부가 심하게 손상되기 쉬워지는데, 더욱 실험을 거듭하여, 이들 능부를, 장방형의 연삭면의 단변의 1/5 이상의 범위에서 C면취함으로써, 상기의 워크중심부의 심한 손상이 억제되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
이하, 본 발명에 대하여, 실시태양의 일례로서, 도면을 참조하면서 상세히 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
도 1에 본 발명의 연삭용 지석의 일례를 나타낸다. 연삭대상인 워크와 접하는 측에서 본 정면도이다. 또한, 도 2는 측면도이다. 본 발명의 연삭용 지석(1)은, 원환상 대금(이하, 간단히 대금이라고도 함)(2)과, 복수의 비트리파이드 본드 지석칩(3)을 구비하고 있다.
대금(2)은 지석칩(3)을 배치할 수 있고, 연삭시에 모터 등에 의해 회전시킬 수 있는 것이면 된다. 한편, 회전방향을 R로 나타내고 있다.
또한, 각각의 지석칩(3)의 형상은 직방체의 일부가 면취가공된 것으로 되어 있다. 도 1, 2에서는 간략화하여 면취되어 있는 상태를 생략하고 그리고 있다.
이 지석칩(3)의 형상에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 우선, 대금(2)에 고정되는 측과는 반대의 위치에 장방형의 연삭면(4)을 갖고 있고, 또한 이 연삭면(4)에 인접하는 4개의 장방형의 측면(5)을 갖고 있다. 이들 4개의 측면(5)의, 인접하는 측면끼리간의 능부가 C면취되어 있다.
한편, 여기서 말하는 지석칩(3)의 직방체, 장방형의 연삭면(4)이란, 각각 면취가공전의 상태의 지석칩(3)이나 연삭면(4)의 형상을 의미한다. 더 나아가, 여기서 말하는 장방형의 연삭면(4)의 장변 및 단변은, 마찬가지로 면취가공전의 장방형의 상태에서의 장변 및 단변을 의미한다.
여기서, C면취된 능부의 일례를 도 3, 4에 나타낸다. 도 3, 4는 연삭면(4)측에서 본 지석칩(3)이다. 모두 4개의 능부(6)가 C면취되어 있는 것이다.
면취량에 관하여 본 발명에서는, 1개의 능부당, 장방형의 연삭면(4)의 단변(7)의 길이(도 3의 실선의 화살표 참조)의 1/5 이상의 범위에서 C면취되어 있으면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 도 3은, 1개의 능부당, 단변(7)의 길이의 1/5이 C면취되어 있는 예이며, 연삭면(4)이 팔각형으로 되어 있다. 한편, 도 4는, 1개의 능부당, 단변(7)의 길이의 1/2에서 C면취되어 있는 예이며, 육각형으로 되어 있다.
상기와 같이 C면취되어 있으므로, 워크연삭시에 있어서 워크의 중심부를 과도하게 컷팅하는 일도 없고, 워크중심부가 심하게 손상되는 것을 방지할 수 있다. 게다가 면취만 하면 되므로, 성형도 간단하다.
한편, 면취량이 단변(7)의 길이의 1/5 미만이면, 상기의 과도한 컷팅을 효과적으로 방지할 수 없어, 워크에 손상이 생긴다.
또한, 본 발명에서는 이 직방체의 지석칩(3)의 배치에도 고안이 이루어져 있다. 복수의 지석칩(3)은 대금(2)의 외주를 따라 배치되어 있다. 배치수는 특별히 한정되지 않고, 적당히 결정할 수 있다. 이때, 연삭면(4)의 장변(8)이 대금(2)의 외주를 따르도록 하여 배치되어 있다. 즉, 상기 장변(8)이 연삭용 지석(1)의 회전방향에 대하여 대략 평행하게 되도록 배치되어 있으므로, 워크를 연삭할 때의 굽힘응력에 견딜 수 있고, 지석칩(3)이 파손되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
종래품에서는, 연삭용 지석의 수명을 늘리기 위하여 지석칩의 높이를 높이자 상기 굽힘응력 때문에 파손되었다. 그러나, 본 발명에서는 배치의 방법이 고안되어 있고 상기 굽힘응력에 대한 내성이 있으므로, 파손을 방지하면서, 지석칩(3)의 높이를 높일 수 있고, 연삭용 지석(1)의 수명을 늘리는 것도 가능해진다. 한편, 지석칩(3)의 높이(9)란, 도 2에 나타낸 바와 같이 C면취되어 있는 능부의 길이를 말한다.
또한, 상기와 같은 파손을 방지함에 있어서, 연삭면(4)의 장변(8)의 길이(도 3의 점선의 화살표 참조)가, 지석칩(3)의 높이(9)의 1/2 이상이면 보다 효과적이다. 지석칩(3)의 높이에 대하여 연삭면(4)의 장변(8)의 길이가 길수록 상기 굽힘응력에 대한 내성이 높아져 바람직하다.
이어서, 본 발명의 연삭용 지석(1)을 구비한 연삭장치에 대하여 설명한다. 여기서는 양두연삭장치에 대하여 설명하나, 본 발명의 연삭용 지석(1)은 양두연삭장치용인 것으로 한정되지 않는다. 연삭용 지석(1) 자체를 회전시키면서 지석칩(3)으로 워크를 연삭할 수 있는 것이면 되고, 어떠한 연삭장치에도 이용할 수 있다.
도 5에 양두연삭장치(10)의 일례를 나타낸다. 양두연삭장치(10)는, 주로, 한쌍의 연삭용 지석(1), 워크(11)의 직경방향을 따라 외주측으로부터 유지하는 자전가능한 캐리어(12)와, 이 캐리어(12)를 부착한 홀더부(13)를 구비하는 것이다.
캐리어(12) 및 홀더부(13)를 자전시켜 워크(11)를 자전시키면서, 한쌍의 연삭용 지석(1)을 회전시킴으로써, 워크(11)의 양면을 동시에 연삭할 수 있다. 본 발명의 연삭용 지석(1)을 이용함으로써, 지석칩(3)이 파손되는 일도 없고, 또한, 워크(11)의 중심부가 심하게 손상되는 일도 없이 고품질로 연삭할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1, 2, 비교예 1, 2)
도 5에 나타낸 바와 같은, 워크의 양두연삭장치(10)를 이용하여, 직경 300mm의 실리콘웨이퍼의 양두연삭을 행하였다. 이 실리콘웨이퍼는, CZ법(쵸크랄스키법)으로 제조된 잉곳으로부터, 잘라낸 것이다.
우선, 도 3에 나타낸, C면취의 영역을 연삭면의 단변의 1/5로 한 형상의 비트리파이드 본드 지석칩을 복수 배치한 연삭용 지석을, 도 5에 나타낸 바와 같은 양두연삭장치(10)에 비치하고, 실리콘웨이퍼를 5매 연삭하였다(실시예 1).
이어서, 도 4에 나타낸, C면취의 영역을 연삭면의 단변의 1/2로 한 형상의 비트리파이드 본드 지석칩을 복수 배치한 연삭용 지석을, 도 5에 나타낸 바와 같은 양두연삭장치(10)에 비치하고, 실리콘웨이퍼를 5매 연삭하였다(실시예 2).
이어서, 도 6에 나타낸, 면취되지 않은 비트리파이드 본드 지석칩을 복수 배치한 연삭용 지석을, 도 5에 나타낸 것과 동일한 양두연삭장치에 비치하고, 실리콘웨이퍼를 5매 연삭하였다(비교예 1).
마지막으로, 도 7에 나타낸, C면취의 영역을 연삭면의 단변의 1/8로 한 형상의 비트리파이드 본드 지석칩을 복수 배치한 연삭용 지석을, 도 5에 나타낸 것과 동일한 양두연삭장치에 비치하고, 실리콘웨이퍼를 5매 연삭하였다(비교예 2).
상기 설명한 실시예 1, 2, 비교예 1, 2의 지석칩의 형상은, 모두 높이는 10mm, 회전방향에 대략 평행한 장변의 길이는 5mm, 단변의 길이는 3mm이다.
연삭시에 있어서, 실시예 1, 2, 비교예 1, 2 모두 지석칩이 파손되는 일은 없었다.
한편, 실시예 1, 2, 비교예 1, 2와는 별도로, 높이 10mm, 한변이 3mm인 각기둥형의 지석칩(즉, 연삭면의 각 변이 동일한 길이이며, 변의 길이에 차가 없는 것)에 대해서도 평가를 행하였다(비교예 3).
그러나, 이 비교예 3에서는, 모두 파손되어, 실리콘웨이퍼의 연삭에는 이르지 않았다.
연삭한 실리콘웨이퍼의 평가로는, 연삭 후의 실리콘웨이퍼의 Warp형상이나 연삭 전후의 Bow(휨의 크기, 방향)의 변화량(ΔBow)을 지표로 할 수 있다.
연삭 후의 중심부(반경 약 50mm의 범위)의 Warp형상이 급격한 볼록이나 오목형상을 하고 있는 경우, 표리면의 어느 쪽에서 심한 손상이 일어나고 있고, 이에 부수하는 잔류응력의 밸런스가 표리면에서 무너지고 있는 것을 알 수 있다.
또한, ΔBow에 의해, 연삭에 의한 표리면의 손상이나 이에 부수하는 잔류응력의 밸런스를 수치로서 평가할 수 있다. 표리면의 손상이나 이에 부수하는 잔류응력이 표리면에서 동일할수록, ΔBow는 0에 가깝다.
Warp형상이나 Bow의 측정에는, SBW-330(주식회사 코벨코과연제)를 사용하였다.
한편, ΔBow로는, -5μm 이상 +5μm 이하인 것이 바람직하다.
도 8-11에, 실시예 1, 2, 비교예 1, 2의 지석칩의 형상에서 각각 실리콘웨이퍼를 연삭한 후의 Warp형상을 나타낸다.
실시예 1, 2에서는, 중심부의 급격한 Warp형상의 변화는 보이지 않으나, 비교예 1, 2에서는 중심부에서 급격한 볼록화가 보이고, 표리면의 어느 쪽에서 심한 손상이 일어나고, 잔류응력의 밸런스가 표리면에서 무너지고 있는 것을 알 수 있다.
도 12에, 실시예 1, 2, 비교예 1, 2의 지석칩형상에서 각각 실리콘웨이퍼를 5매 연삭한 경우의, 연삭 전후에서의 Bow의 평균변화량을 나타낸다.
에러바는 편차를 나타내고 있다. 실시예 1은, ΔBow=0.17μm, 실시예 2는, ΔBow=0.57μm이며, 모두 양호하였다. 한편, 비교예 1은, ΔBow=5.39μm, 비교예 2는, ΔBow=5.10μm이고, 잔류응력의 밸런스가 표리면에서 무너지고 있는 것을 알 수 있다.
이상의 결과로부터, 지석칩형상에 관하여, 본 발명을 실시한 실시예 1, 2와 같이 C면취의 영역을 장방형의 연삭면의 단변의 1/5 이상으로 함으로써, 웨이퍼면 중심부에서의 심한 손상이 억제되는 것을 알 수 있다. 한편 본 발명을 실시하지 않은 비교예 1, 2에서는 웨이퍼면의 중심부에서 심한 손상이 생겨 Warp형상이나 Bow에 악영향이 생긴다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는, 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (3)

  1. 원환상 대금의 외주에 비트리파이드 본드 지석칩이 복수 배치되어 있고, 상기 원환상 대금을 회전시키면서 상기 지석칩으로 워크를 연삭하는 연삭용 지석으로서,
    상기 비트리파이드 본드 지석칩은,
    상기 원환상 대금의 반대측에 위치하여 상기 워크를 연삭하는 장방형의 연삭면과 이 연삭면에 인접하는 4개의 측면을 갖는 직방체에 있어서, 상기 측면끼리간의 4개의 능부가 C면취되어 있는 것이며,
    상기 연삭면의 장변이 상기 원환상 대금의 외주를 따르도록 하여 배치되어 있고,
    상기 4개의 능부는, 상기 연삭면의 단변의 길이의 1/5 이상의 범위가 C면취되어 있는 것을 특징으로 하는,
    연삭용 지석.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연삭면의 장변의 길이는, 상기 C면취되어 있는 능부의 길이의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는,
    연삭용 지석.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 연삭용 지석은, 양두연삭용인 것을 특징으로 하는,
    연삭용 지석.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7115850B2 (ja) * 2017-12-28 2022-08-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および加工装置
CN110561272A (zh) * 2019-10-23 2019-12-13 无锡市兰天金刚石有限责任公司 一种修整砂轮用超硬工具及其制备方法
JP7429203B2 (ja) * 2021-03-16 2024-02-07 株式会社日立インダストリアルプロダクツ 回転機のメンテナンス装置及びメンテナンス方法
TW202245033A (zh) * 2021-04-27 2022-11-16 環球晶圓股份有限公司 具有凸多邊形磨料構件的雙面研磨裝置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289541A (en) * 1975-09-25 1981-09-15 Vereinigte Oesterreichische Eisen-Und Sthl-Werke Alpine Montan Akteingesellschaft Process of cleaning an austenitic steel surface
US4947591A (en) * 1990-01-09 1990-08-14 Avonite, Inc. Dry paint stripping method
JPH09248769A (ja) 1996-01-10 1997-09-22 Toyota Banmotsupusu Kk セグメント型砥石
JPH11156728A (ja) 1997-12-02 1999-06-15 Tokyo Diamond Kogu Seisakusho:Kk ダイヤモンド砥石
JP2002001671A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Mitsubishi Materials Corp 研削砥石およびその製造方法
JP2002001672A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Mitsubishi Materials Corp 研削砥石およびその製造方法
JP2003062740A (ja) * 2001-08-22 2003-03-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 鏡面ウェーハの製造方法
JP2006224201A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Disco Abrasive Syst Ltd 研削ホイール
JP2009279742A (ja) 2008-05-26 2009-12-03 Noritake Super Abrasive Co Ltd 砥石チップおよびこの砥石チップを使用した研削砥石

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2090139C (en) * 1992-03-05 2006-01-24 Roger Grondin Glass material for treating hard surfaces, comprising particles of broken glass, and a process for making said particles
US5243790A (en) * 1992-06-25 1993-09-14 Abrasifs Vega, Inc. Abrasive member
US5308404A (en) * 1993-01-21 1994-05-03 Church & Dwight Co., Inc. Less aggressive blast media formed from compacted particles
US5607480A (en) * 1993-11-10 1997-03-04 Implant Innovations, Inc. Surgically implantable prosthetic devices
US5637030A (en) * 1994-02-17 1997-06-10 Minerals Research & Recovery, Inc. Abrasive formulation for waterjet cutting and method employing same
US5964644A (en) * 1996-03-01 1999-10-12 Extrude Hone Corporation Abrasive jet stream polishing
DE19640945A1 (de) * 1996-10-04 1998-04-16 Polygram Manufacturing & Distr Verfahren und Vorrichtung zum mechanischen Entfernen einer Fremdstoffbeschichtung von einem Basismaterial
US5865620A (en) * 1997-06-12 1999-02-02 Kreativ, Inc. Abrasive dental composition and method for use
US20030180537A1 (en) * 1998-01-30 2003-09-25 Black Diamond Granules, Inc. Spheroidal particles and apparatus and process for producing same
WO2001039675A1 (en) * 1999-12-01 2001-06-07 Aesthetic Technologies, Inc. Skin abrasion system and method
US6672943B2 (en) * 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US20060219825A1 (en) * 2005-04-05 2006-10-05 United Materials International High pressure fluid/particle jet mixtures utilizing metallic particles
JP4969118B2 (ja) * 2006-03-15 2012-07-04 三菱重工業株式会社 成形体の前処理方法、接着物品及びその製造方法、並びに塗装物品及びその製造方法
KR101220608B1 (ko) * 2010-06-09 2013-01-10 주식회사 포스코 스케일 제거장치
WO2012092590A2 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive particles having particular shapes and methods of forming such particles
CN202123406U (zh) * 2011-06-16 2012-01-25 广州晶体科技有限公司 一种磨轮
US20130331015A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Goei Co., Ltd. Cup type grinding wheel
US20140186585A1 (en) * 2012-12-31 2014-07-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive blasting media and methods of forming and using same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289541A (en) * 1975-09-25 1981-09-15 Vereinigte Oesterreichische Eisen-Und Sthl-Werke Alpine Montan Akteingesellschaft Process of cleaning an austenitic steel surface
US4947591A (en) * 1990-01-09 1990-08-14 Avonite, Inc. Dry paint stripping method
JPH09248769A (ja) 1996-01-10 1997-09-22 Toyota Banmotsupusu Kk セグメント型砥石
JPH11156728A (ja) 1997-12-02 1999-06-15 Tokyo Diamond Kogu Seisakusho:Kk ダイヤモンド砥石
JP2002001671A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Mitsubishi Materials Corp 研削砥石およびその製造方法
JP2002001672A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Mitsubishi Materials Corp 研削砥石およびその製造方法
JP2003062740A (ja) * 2001-08-22 2003-03-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 鏡面ウェーハの製造方法
JP2006224201A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Disco Abrasive Syst Ltd 研削ホイール
JP2009279742A (ja) 2008-05-26 2009-12-03 Noritake Super Abrasive Co Ltd 砥石チップおよびこの砥石チップを使用した研削砥石

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