JP6323815B2 - 有機光電子素子およびこれを含む表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、有機光電子素子およびこれを含む表示装置に関する。
有機光電子素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）とは、正孔または電子を用いた電極と有機物との間での電荷交流を必要とする素子を意味する。
有機光電子素子は、動作原理に応じて次のように大きく２種類に分けることができる。第一は、外部の光源から素子に流入した光子により有機物層でエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが電子と正孔に分離され、この電子と正孔がそれぞれ異なる電極に伝達されて電流源（電圧源）として用いられる形態の電子素子である。
第二は、二つ以上の電極に電圧または電流を加えて電極と界面をなす有機物半導体に正孔または電子を注入し、注入された電子と正孔により動作する形態の電子素子である。
代表的な有機光電子素子である有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ、ＯＬＥＤ）は、最近、平板ディスプレイ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）の需要が増加することに伴って注目されている。一般に有機発光とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに変換させる現象をいう。
このような有機発光素子は、有機発光材料に電流を加えて電気エネルギーを光に変換させる素子であって、通常、陽極（ａｎｏｄｅ）と陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）との間に機能性有機物層が挿入された構造からなる。ここで有機物層は、有機光電素子の効率と安全性を高めるために、それぞれ異なる物質で形成された多層の構造を有する場合が多く、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを有することができる。
このような有機発光素子の構造で二つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔（ｈｏｌｅ）、陰極からは電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が会って再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）によりエネルギーが高い励起子を形成するようになる。この時に形成された励起子が再び基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に移動しながら特定の波長を有する光が発生するようになる。
また、発光材料は、発光色に応じて、青色、緑色、赤色発光材料と、さらに改善された天然色を具現するために必要な黄色および樺色発光材料に分類され得る。
一方、発光材料として一つの物質だけ用いる場合、分子間相互作用により最大発光波長が長波長に移動し、色純度が低下したり、発光減衰効果により素子の効率が減少する問題が発生するため、色純度の増加とエネルギー遷移を通じた発光効率と安定性を増加させるために発光材料としてホスト／ドーパント系を用いることができる
有機発光素子が前述した優れた特徴を十分に発揮するためには、素子内有機物層を構成する物質、例えば正孔注入物質、正孔輸送物質、発光物質、電子輸送物質、電子注入物質、発光材料中のホストおよび／またはドーパントなどが安定的且つ効率的な材料により裏付けられるのが先行されなければならないが、まだ安定的且つ効率的な有機発光素子用有機物層材料の開発が十分ではない状態であり、したがって新たな材料の開発が継続的に要求されている。このような材料開発の必要性は前述した他の有機光電子素子でも同様である。
本発明の目的は、発光、または正孔注入および輸送の役割を果たすことができ、適切なドーパントと共に発光ホストとしての役割を果たすことができる有機光電子素子用化合物を提供する。
また、本発明の他の目的は、前記有機光電子素子用化合物を正孔層に適切に組み合わせて特性に優れた有機光電子素子を提供することにある。
本発明の一実施形態では、陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に形成された少なくとも一層以上の有機薄膜層を含み、前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層またはこれらの組み合わせを含み、前記有機薄膜層は、発光層および複数の正孔輸送層を含み、前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、下記の化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物を含み、前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちのいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むものである有機光電子素子を提供する。
前記化学式１〜４で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｎ（−ｄ＊）、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＯ（Ｃ＝Ｏ）であり、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ、ＬａおよびＬｂは、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎ、ｎａおよびｎｂは、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であり、
化学式１の隣接した二つの＊は、化学式２または３の隣接した二つの＊と結合して融合環を形成し、
化学式１のａ＊；化学式１のｄ＊；または化学式２または３のｂ＊；は、化学式４のｃ＊とシグマ結合で連結され、ｃ＊と結合されていない残りのａ＊；ｄ＊またはｂ＊は、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせである。
前記化学式Ｂ−１で、
Ｒ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合環を形成し、
Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合環を形成し、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ１〜Ｌ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１〜ｎ４は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
本発明の他の一実施形態では、陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に形成された少なくとも一層以上の有機薄膜層を含み、前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層またはこれらの組み合わせを含み、前記有機薄膜層は、発光層および複数の正孔輸送層を含み、前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、下記の化学式１１で表される化合物を含み、前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちのいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むものである有機光電子素子を提供する。
前記化学式１１で、Ｘ１は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＲ'Ｒ”であり、Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式Ｂ−１で、Ｒ１〜Ｒ４、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｌ１〜Ｌ４およびｎ１〜ｎ４は、前述した定義と同意義である。
本発明のさらに他の一実施形態では、前述した本発明の一実施形態に係る有機光電子素子を含む表示装置を提供する。
本発明によれば、発光、または正孔注入および輸送の役割を果たすことができ、適切なドーパントと共に発光ホストとしての役割を果たすことができる有機光電子素子用化合物を提供する。
また、前記有機光電子素子用化合物を正孔層に適切に組み合わせて特性に優れた有機光電子素子を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。 実施例１５のＣ−５に対する１Ｈ−ＮＭＲ結果である。 実施例３１で製造されたＡ−２３に対する１Ｈ−ＮＭＲ結果である 実施例１５および３１に対するＰＬ波長の測定結果である。
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、これは例示として提示されるものであり、本発明は、これによって制限されず、後述する特許請求の範囲の範疇のみにより定義される。
本明細書で「ヘテロ」とは、別途の定義がない限り、一つの環基内にＮ、Ｏ、ＳおよびＰからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。
本明細書で「これらの組み合わせ」とは、別途の定義がない限り、二つ以上の置換基が連結基で結合されていたり、二つ以上の置換基が縮合して結合されているものを意味する。
本明細書で「アルキル（ａｌｋｙｌ）基」とは、別途の定義がない限り、飽和脂肪族炭化水素グループを意味する。
アルキル基は、１〜２０個の炭素原子を有することができる。アルキル基は、１〜１０個の炭素原子を有する中間サイズのアルキル基であり得る。また、アルキル基は、１〜６個の炭素原子を有する低級アルキル基であり得る。
例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は、アルキル鎖に１〜４個の炭素原子、つまり、アルキル鎖は、メチル、エチル、プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｔ−ブチルからなる群より選択されるものを示す。
典型的なアルキル基には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどから個別的且つ独立的に選択された一つまたはそれ以上の置換基であるものを意味する。
前記アルキル基は、分枝状、直鎖状または環状であり得る。
「アルケニル（ａｌｋｅｎｙｌ）基」とは、少なくとも二つの炭素原子が少なくとも一つの炭素−炭素二重結合からなる置換基を意味し、「アルキニル（ａｌｋｙｎｙｌ）基」とは、少なくとも二つの炭素原子が少なくとも一つの炭素−炭素三重結合からなる置換基を意味する。
「アリール（ａｒｙｌ）基」とは、共有π電磁界を有している少なくとも一つの環を有しているカルボサイクリックアリール（例えば、フェニル）を含むアリールグループを意味する。この用語は、モノサイクリックまたは融合環であるポリサイクリック（つまり、炭素原子の隣接した対を共有する環）グループを含む。
用語「ヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）」とは、共有π電磁界を有している少なくとも一つの環を有しているヘテロサイクリックアリール（例えば、ピリジン）を含むアリールグループを意味する。この用語は、モノサイクリックまたは融合環であるポリサイクリック（つまり、炭素原子の隣接した対を共有する環）グループを含む。
より具体的に、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基および／または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のナフタセニル基、置換もしくは非置換のピレニル基、置換もしくは非置換のビフェニリル基、置換もしくは非置換のｐ−テルフェニル基、置換もしくは非置換のｍ−テルフェニル基、置換もしくは非置換のクリセニル基、置換もしくは非置換のトリフェニレニル基、置換もしくは非置換のペリレニル基、置換もしくは非置換のフルオレン基、置換もしくは非置換のインデニル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のピロリル基、置換もしくは非置換のピラゾリル基、置換もしくは非置換のイミダゾリル基、置換もしくは非置換のトリアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサゾリル基、置換もしくは非置換のチアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサジアゾリル基、置換もしくは非置換のチアジアゾリル基、置換もしくは非置換のピリジル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のピラジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは非置換のインドリル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、置換もしくは非置換のキナゾリニル基、置換もしくは非置換のキノキサリニル基、置換もしくは非置換のナフチリジニル基、置換もしくは非置換のベンズオキサジニル基、置換もしくは非置換のベンズチアジニル基、置換もしくは非置換のアクリジニル基、置換もしくは非置換のフェナジニル基、置換もしくは非置換のフェノチアジニル基、置換もしくは非置換のフェノキサジニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のカルバゾリル基、またはこれらの組み合わせであり得るが、これに制限されない。
本明細書で「置換」とは、別途の定義がない限り、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルキルシリル基、炭素数３〜３０のシクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数２〜３０のヘテロアリール基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などの炭素数１〜１０のトリフルオロアルキル基、炭素数１２〜３０のカルバゾール基、炭素数６〜３０のアリールアミン基、炭素数６〜３０の置換もしくは非置換のアミノアリール基またはシアノ基で置換されたものを意味する。
本発明の一実施形態では、陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に形成された少なくとも一層以上の有機薄膜層を含み、前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層またはこれらの組み合わせを含み、前記有機薄膜層は、発光層および複数の正孔輸送層を含み、前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、下記の化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物を含み、前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちのいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むものである有機光電子素子を提供する。
前記化学式１〜４で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｎ（−ｄ＊）、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＯ（Ｃ＝Ｏ）であり、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ、ＬａおよびＬｂは、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎ、ｎａおよびｎｂは、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であり、
化学式１の隣接した二つの＊は、化学式２または３の隣接した二つの＊と結合して融合環を形成し、化学式１のａ＊；化学式１のｄ＊；または化学式２または３のｂ＊；は、化学式４のｃ＊とシグマ結合で連結され、ｃ＊と結合されていない残りのａ＊；ｄ＊またはｂ＊は、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせである。
前記化学式Ｂ−１で、
Ｒ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＲ２は、互いに融合環を形成することができ、
Ｒ３およびＲ４は、互いに融合環を形成することができ、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ１〜Ｌ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１〜ｎ４は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記のように本発明の一実施形態に係る有機光電子素子は、複数の正孔輸送層を含むことができる。このような場合、単一の正孔輸送層より電子ホッピング（ｈｏｐｐｉｎｇ）が円滑になって正孔輸送効率が増加する。また、前記のように本発明の一実施形態に係る有機光電子素子は、優れた電気化学的および熱的安定性を有するようになって寿命特性が改善され、低い駆動電圧でも高い発光効率を有することができる。
より具体的に、前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物を含むことができる。
前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、前記化学式１で表されるカルバゾール誘導体に融合環が結合されたコアに置換もしくは非置換のアミン基が結合された構造を有する。
また、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、コア部分とコア部分に置換された置換基に多様なさらに他の置換基を導入することによって、多様なエネルギーバンドギャップを有する化合物を合成することができるため、正孔輸送層で要求される条件を多様に充足させる化合物になることができる。
前記化合物の置換基により適切なエネルギー準位を有する化合物を有機光電子素子に用いることによって、正孔伝達能力が強化されて効率および駆動電圧の面で優れた効果を有し、電気化学的および熱的安定性に優れて有機光電子素子の駆動時に寿命特性を向上させることができる。
また、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物のＬ、ＬａおよびＬｂおよび前記化学式Ｂ−１のＬ１〜Ｌ４のπ共役長（π−ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）を調節して三重項エネルギーバンドギャップを大きくすることにより、燐光ホストとして有機光電子素子の正孔層に非常に有用に適用することができる。
より具体的に、前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちのいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むことができる。
前記Ｂ−１で表される化合物は、アミン系化合物であって、アミンのうちの少なくとも一つの置換基がカルバゾール基で置換されたものであり得る。
また、前記Ｂ−１で、Ｒ１およびＲ２は互いに融合環を形成することができ、Ｒ３およびＲ４は、互いに融合環を形成することができる。例えば、Ｒ１およびＲ２は、互いに融合して中心カルバゾールのフェニル環に融合されたアリール形態であり、Ｒ３およびＲ４も、互いに融合して中心カルバゾールのフェニル環に融合されたアリール形態であり得る。したがって、このように融合された場合、中心カルバゾールのフェニル基はナフチル基などのような形態になることができる。このような場合、熱安定性が増加し、電子伝達および注入特性が増加する長所がある。
本発明の一実施形態において、前記Ｂ−１のうちのＡｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基であり、Ａｒ２およびＡｒ３は、独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のフルオレン基、置換もしくは非置換のビスフルオレン基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、置換もしくは非置換のアントラセン基、置換もしくは非置換のテルフェニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラン基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基のうちのいずれか一つであり得る。
より具体的に、本発明の一実施形態である有機光電子素子のように、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物およびＢ−１で表される化合物を組み合わせて複数の正孔輸送層を形成する場合、正孔輸送層のエネルギー準位を電子ホッピングが最適化して優れた電気化学的および熱的安定性を有するようになる。そこで、前記有機光電子素子は、寿命特性が改善され、低い駆動電圧でも高い発光効率を有することができる。
より具体的に、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式５と前記化学式４の組み合わせで表され得る。
前記化学式５で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｎ（−ｄ＊）、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＯ（Ｃ＝Ｏ）であり、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
化学式５のａ＊；化学式５のｄ＊；または化学式５のｂ＊；は、化学式４のｃ＊とシグマ結合で連結され、ｃ＊と結合されていない残りの化学式５のａ＊；ｄ＊またはｂ＊は、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせである。
前記置換基の適切な組み合わせにより熱的安定性または酸化に対する抵抗性に優れた構造の化合物を製造することができる。
前記のようにＲ１およびＲ２の置換基のうちのいずれか一つが水素でない前述した置換基のうちのいずれか一つである場合、置換基がない化合物の基本的な特性を維持しながら有機光電素子用材料として性能を最適化するための電気光学的特性、薄膜特性を微細に調節できる長所がある。
また、前記化学式５のような構造の場合、化合物の合成の側面から有利になり、主鎖にメタで連結されているため、三重項エネルギーが高いという長所がある。
より具体的に、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式６で表され得る。
前記化学式６で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＯ（Ｃ＝Ｏ）であり、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記置換基の適切な組み合わせにより非対称バイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）特性の構造を製造することができ、前記非対称バイポーラ特性の構造は正孔および／または電子伝達能力を向上させて素子の発光効率と性能向上を期待することができる。
また、置換基の調節により化合物の構造をバルクに製造することができ、これによって結晶化度を低くすることができる。化合物の結晶化度が低くなると素子の寿命が長くなることができる。
より具体的に、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式７で表され得る。
前記化学式７で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＯ（Ｃ＝Ｏ）であり、
Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記置換基の適切な組み合わせにより非対称バイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）特性の構造を製造することができ、前記非対称バイポーラ特性の構造は正孔および／または電子伝達能力を向上させて素子の発光効率と性能向上を期待することができる。
また、置換基の調節により化合物の構造をバルクに製造することができ、これによって結晶化度を低くすることができる。化合物の結晶化度が低くなると素子の寿命が長くなることができる。
より具体的に、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式８で表され得る。
前記化学式８で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式８のような構造の場合、既存の一般的な正孔特性を有する有機発光素子材料よりイオン化ポテンシャルエネルギーが大きく、燐光発光ホスト材料または青色蛍光ホスト材料のイオン化ポテンシャルエネルギーよりは小さく、比較的に高い三重項エネルギーを有している。そこで、前記化学式８のような化合物が燐光素子および青色素子で正孔輸送層と発光層との間に補助正孔輸送層として用いられる場合、素子の高効率および長寿命特性を達成することができる。
より具体的に、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式９で表され得る。
前記化学式９で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式９のような構造の場合、既存の一般的な正孔特性を有する有機発光素子材料よりイオン化ポテンシャルエネルギーが大きく、燐光発光ホスト材料または青色蛍光ホスト材料のイオン化ポテンシャルエネルギーよりは小さく、比較的に高い三重項エネルギーを有している。そこで、前記化学式９のような化合物が燐光素子および青色素子で正孔輸送層と発光層との間に補助正孔輸送層として用いられる場合、素子の高効率および長寿命特性を達成することができる。
より具体的に、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式１０で表され得る。
前記化学式１０で、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式１０のような構造の場合、既存の一般的な正孔特性を有する有機発光素子材料よりイオン化ポテンシャルエネルギーが大きく、燐光発光ホスト材料または青色蛍光ホスト材料のイオン化ポテンシャルエネルギーよりは小さく、比較的に高い三重項エネルギーを有している。そこで、前記化学式１０のような化合物が燐光素子および青色素子で正孔輸送層と発光層との間に補助正孔輸送層として用いられる場合、素子の高効率および長寿命特性を達成することができる。
より具体的な例を挙げると、前記Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のエチル基、置換もしくは非置換のプロピル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントレニル基、または置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基であり得る。ただし、これに制限されない。
前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラン、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、または置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基であり得る。ただし、これに制限されない。
本発明の他の一実施形態では、陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に形成された少なくとも一層以上の有機薄膜層を含み、前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層またはこれらの組み合わせを含み、前記有機薄膜層は、発光層および複数の正孔輸送層を含み、前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、下記の化学式１１で表される化合物を含み、前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちのいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むものである有機光電子素子を提供する。
前記化学式１１で、
Ｘ１は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＲ'Ｒ”であり、
Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合して融合環を形成することができ、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である：
前記化学式Ｂ−１で、
Ｒ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合環を形成することができ、
Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合環を形成することができ、
Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ１〜Ｌ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、ｎ１〜ｎ４は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式Ｂ−１で表される化合物については、前述した本発明の一実施形態と同一であるため、説明を省略する。
前記複数の正孔輸送層のうち前記発光層に隣接した正孔輸送層が前記化学式１１で表される化合物を含む場合、既存の一般的な正孔特性を有する有機発光素子材料よりイオン化ポテンシャルエネルギーが大きく、燐光発光ホスト材料または青色蛍光ホスト材料のイオン化ポテンシャルエネルギーよりは小さく、比較的に高い三重項エネルギーを有している。そこで、前記化合物が燐光素子および青色素子で正孔輸送層と発光層との間に補助正孔輸送層として用いられる場合、素子の高効率および長寿命特性を達成することができる。
より具体的に、前記化学式１１で表される化合物は、下記の化学式１２で表され得る。
前記化学式１２で、
Ｘ１およびＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＲ'Ｒ”であり、
Ｒ'、Ｒ”およびＲ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＲ２は、互いに融合して融合環を形成することができ、
Ｒ３およびＲ４は、互いに融合して融合環を形成することができ、
Ａｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式１２で表される化合物の場合、既存の一般的な正孔特性を有する有機発光素子材料よりイオン化ポテンシャルエネルギーが大きく、燐光発光ホスト材料または青色蛍光ホスト材料のイオン化ポテンシャルエネルギーよりは小さく、比較的に高い三重項エネルギーを有している。そこで、前記化合物が燐光素子および青色素子で正孔輸送層と発光層との間に補助正孔輸送層として用いられる場合、素子の高効率および長寿命特性を達成することができる。
より具体的に、前記化学式１１で表される化合物は、下記の化学式１３で表され得る。
前記化学式１３で、
Ｘ１〜Ｘ３は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＲ'Ｒ”であり、
Ｒ'、Ｒ”およびＲ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ１およびＲ２は、互いに融合して融合環を形成することができ、
Ｒ３およびＲ４は、互いに融合して融合環を形成することができ、
Ｒ５およびＲ６は、互いに融合して融合環を形成することができ、
Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
前記化学式１３で表される化合物の場合、既存の一般的な正孔特性を有する有機発光素子材料よりイオン化ポテンシャルエネルギーが大きく、燐光発光ホスト材料または青色蛍光ホスト材料のイオン化ポテンシャルエネルギーよりは小さく、比較的に高い三重項エネルギーを有している。そこで、前記化合物が燐光素子および青色素子で正孔輸送層と発光層との間に補助正孔輸送層として用いられる場合、素子の高効率および長寿命特性を達成することができる。
前記化学式１〜３のＲ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基であり、前記化学式１１のＲ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基であり得る。
前記シリル基は、有機光電子素子の製造時に蒸着温度を低くすることができ、溶媒に対する溶解度を増加させて素子の製造工程を溶液工程に転換させることができる。また、均一な薄膜を形成して薄膜表面特性を改善させる効果がある。
より具体的に、前記化学式１〜３のＲ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換されたＣ３〜Ｃ４０シリル基であり、前記化学式１１のＲ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換されたＣ３〜Ｃ４０シリル基であり、前記置換されたシリル基の水素のうちの少なくともいずれか一つがＣ１〜Ｃ１０アルキル基またはＣ６〜Ｃ１５アリール基で置換されたものであり得る。
前記置換されたシリル基の具体的な例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル、トリ−イソプロピルシリル、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル基、トリトリールシリル、トリナフチルシリル、トリビフェニルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、ジエチルフェニルシリル、ジフェニルエチルシリル、ジトリールメチルシリル、ジナフチルメチルシリル、ジメチルトリールシリル、ジメチルナフチルシリル、ジメチルビフェニルシリルなどがある。
より具体的な例を挙げると、前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式Ａ−１〜Ａ−１３３、Ｂ−１〜Ｂ−２８、Ｃ−１〜Ｃ−９３、Ｄ−１〜Ｄ−２０、Ｅ−１〜Ｅ−１２８またはＫ−１〜Ｋ−４０２のうちのいずれか一つで表され得るが、これに制限されない。
より具体的な例を挙げると、前記化学式１１で表される化合物は、下記の化学式Ｆ−１〜Ｆ−１８２、Ｇ−１〜Ｇ−１８２、Ｈ−１〜Ｈ−２０３またはＩ−１〜Ｉ−５６のうちのいずれか一つで表され得るが、これに制限されない。
より具体的な例を挙げると、前記化学式Ｂ−１で表される化合物は、下記の化学式Ｊ−１〜Ｊ−１４４のうちのいずれか一つで表され得るが、これに制限されない。
このような化合物を含む有機光電子素子用化合物は、ガラス転移温度が１１０℃以上、熱分解温度が４００℃以上で、熱的安定性に優れている。これによって、高効率の有機光電子素子の実現が可能である。
このような化合物を含む有機光電子素子用化合物は、発光、または正孔注入および／または輸送の役割を果たすことができ、適切なドーパントと共に発光ホストとしての役割も果たすことができる。つまり、前記有機光電子素子用化合物は、燐光または蛍光のホスト材料、青色の発光ドーパント材料、または正孔輸送材料として用いることができる。
本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物は、有機薄膜層に用いられて有機光電子素子の寿命特性、効率特性、電気化学的安定性および熱的安定性を向上させ、駆動電圧を低くすることができる。
本発明の一実施形態に係る前記有機光電子素子とは、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、有機トランジスター、有機感光体ドラム、有機メモリ素子などを意味する。特に、有機太陽電池の場合には、本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物が電極や電極バッファー層に含まれて量子効率を増加させ、有機トランジスタの場合には、ゲート、ソース−ドレイン電極などで電極物質として用いることができる。
以下、有機発光素子について具体的に説明する。
本発明の一実施形態において、有機薄膜層としては発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、正孔遮断層およびこれらの組み合わせからなる群より選択される層を含むことができる。
図１〜図５は、一般的な有機発光素子の断面図である。
図１〜図５を参照すれば、有機発光素子１００、２００、３００、４００および５００は、陽極１２０、陰極１１０、およびこの陽極と陰極との間に位置する少なくとも一層の有機薄膜層１０５を含む構造を有する。
前記陽極１２０は、陽極物質を含み、この陽極物質としては、通常、有機薄膜層へ正孔注入が円滑に行われるように仕事関数が大きい物質が好ましい。前記陽極物質の具体的な例としては、ニッケル、白金、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金が挙げられ、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物が挙げられ、ＺｎＯとＡｌまたはＳｎＯ２とＳｂのような金属と酸化物の組み合わせが挙げられ、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ｐｏｌｙｅｈｔｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：ＰＥＤＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような伝導性高分子などが挙げられるが、これに限定されない。好ましくは、前記陽極としてＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を含む透明電極を用いることができる。
前記陰極１１０は、陰極物質を含み、この陰極物質としては、通常、有機薄膜層へ電子注入が容易に行われるように仕事関数が小さい物質が好ましい。陰極物質の具体的な例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、錫、鉛、セシウム、バリウムなどのような金属またはこれらの合金が挙げられ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＯ２／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／ＡｌおよびＢａＦ２／Ｃａのような多層構造物質などが挙げられるが、これに限定されない。好ましくは、前記陰極としてアルミニウムなどのような金属電極を用いることができる。
まず、図１を参照すれば、図１は、有機薄膜層１０５として発光層１３０だけが存在する有機発光素子１００を示したものであり、前記有機薄膜層１０５は発光層１３０だけで存在することができる。
図２を参照すれば、図２は、有機薄膜層１０５として電子輸送層を含む発光層２３０と正孔輸送層１４０が存在する２層型有機発光素子２００を示したものであり、図２に示されているように、有機薄膜層１０５は、発光層２３０および正孔輸送層１４０を含む２層型であってもよい。この場合、発光層２３０は、電子輸送層の機能を果たし、正孔輸送層１４０は、ＩＴＯのような透明電極との接合性および正孔輸送性を向上させる機能を果たす。
図３を参照すれば、図３は、有機薄膜層１０５として電子輸送層１５０、発光層１３０および正孔輸送層１４０が存在する３層型有機発光素子３００であって、前記有機薄膜層１０５で発光層１３０は独立した形態からなっており、電子輸送性や正孔輸送性に優れた膜（電子輸送層１５０および正孔輸送層１４０）を別途の層で積んだ形態を示している。
図４を参照すれば、図４は、有機薄膜層１０５として電子注入層１６０、発光層１３０、正孔輸送層１４０および正孔注入層１７０が存在する４層型有機発光素子４００であって、前記正孔注入層１７０は、陽極として用いられるＩＴＯとの接合性を向上させることができる。
図５を参照すれば、図５は、有機薄膜層１０５として電子注入層１６０、電子輸送層１５０、発光層１３０、正孔輸送層１４０および正孔注入層１７０のようなそれぞれ異なる機能を果たす５層が存在する５層型有機発光素子５００を示しており、前記有機発光素子５００は、電子注入層１６０を別途に形成して低電圧化に効果的である。
ただし、前記例示として説明した有機発光素子の構造において、本発明の一実施形態に係る有機光電子素子（例えば、有機発光素子）は、複数の正孔輸送層を含むことができ、複数の正孔輸送層は図２〜図５に示した正孔輸送層と隣接して形成され得る。
前述した有機発光素子は、基板に陽極を形成した後、真空蒸着法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマメッキおよびイオンメッキのような乾式成膜法；またはスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、浸漬法（ｄｉｐｐｉｎｇ）、流動コーティング法（ｆｌｏｗ ｃｏａｔｉｎｇ）のような湿式成膜法などで有機薄膜層を形成した後、その上に陰極を形成して製造することができる。
本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記有機発光素子を含む表示装置を提供する。
以下、本発明の具体的な実施例を提示する。ただし、下記に記載された実施例は、本発明を具体的に例示したり説明するためのものに過ぎず、これによって本発明が制限されてはならない。
（有機光電子素子用化合物の製造）
中間体の合成
中間体Ｍ−１の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１を白色の固体で２７ｇ（収率８９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３２２．００ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２２．０９ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝３２４．０４ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２を白色の固体で２９ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３７．９８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３８．０４ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝３４０．１１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３の合成
丸底フラスコに４−クロロフェニルボロン酸１４．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾフラン２３．３ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３を白色の固体で２３．９ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２７８．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２７８．１２ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝２８０．１３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４の合成
丸底フラスコに４−クロロフェニルボロン酸１４．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモジベンゾチオフェン２４．８ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−４を白色の固体で２５．６ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２９４．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２９４．１６ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝２９６．１３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−５の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−１ １０ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル６．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−５を白色の固体で９．９２ｇ（収率７８％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４１１．１６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４１１．２１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−６の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ １０．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と２−アミノ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン７．８ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−６を白色の固体で１１ｇ（収率７６％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４６７．１７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４６７．２３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−７の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−４ ９．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル６．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−７を白色の固体で１０．６ｇ（収率８０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４２７．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４２７．１９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−８の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−４ ９．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と１−アミノナフタレン５．３ｇ（３７．０８ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド５．３５ｇ（５５．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、酢酸エチルと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−８を白色の固体で１０ｇ（収率８１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４０１．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４０１．１５ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−９の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、メチル２−ブロモベンゾエート２０．３ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−９を２６．５ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３０２．０９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３０２．１８ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１０の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−９ ２６ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍメチルマグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−１０を２５．７ｇ（収率９９％）を収得した。
中間体Ｍ−１１の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１０ ２５．７ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１１を１８．１ｇ（収率７５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２８４．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２８４．１８ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１２の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１１ １８ｇ（６３．３ｍｍｏｌ）を入れて無水テトラヒドロフラン（１９０ｍｌ）を加えて溶解させて−２０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに２．５Ｍのｎ−ブチルリチウムノルマルヘキサン溶液３１ｍｌ（７６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。反応液を−２０℃に冷却し、ここにトリイソプロピルボレート１４．３ｇ（７６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、ここに少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍ塩酸水溶液１１４ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。残留物をアセトンに溶かした後、ｎ−ヘキサンを加えて再結晶した。生成された固体を減圧濾過して目的化合物である中間体Ｍ−１２を１５．６ｇ（収率７５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３２８．１３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２８．２１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１３の合成
丸底フラスコにＭ−１２ ３０．９ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１３を３７ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４３８．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４３８．１７ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝４４０．２１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１４の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、メチル２−ブロモベンゾエート２０．３ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１４を２７．６ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３１８．０７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３１８．１３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１５の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１４ ２７．４ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍメチルマグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−１５を２７．１ｇ（収率９９％）を収得した。
中間体Ｍ−１６の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１５ ２７．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１６を１９．４ｇ（収率７６％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３００．１０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３００．２１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１７の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１６ １９ｇ（６３．３ｍｍｏｌ）を入れて無水テトラヒドロフラン（１９０ｍｌ）を加えて溶解させて−２０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに２．５Ｍのｎ−ブチルリチウムノルマルヘキサン溶液３１ｍｌ（７６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。反応液を−２０℃に冷却し、ここにトリイソプロピルボレート１４．３ｇ（７６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、ここに少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍ塩酸水溶液１１４ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。残留物をアセトンに溶かした後、ｎ−ヘキサンを加えて再結晶した。生成された固体を減圧濾過して目的化合物である中間体Ｍ−１７を１６．３ｇ（収率７５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３４４．１０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３４４．１９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１８の合成
丸底フラスコにＭ−１７ ３２．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１８を３９．５ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４５４．０４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４５４．１２ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝４５６．１１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−１９の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、メチル２−ブロモ−５−クロロベンゾエート２３．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−１９を３０ｇ（収率９４％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３６．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３６．１８ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２０の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１９ ２９ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍメチルマグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−２０を２８．７ｇ（収率９９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３６．０９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３６．１５ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２１の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２０ ２８．７ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２１を２０．１ｇ（収率７４％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３１８．０８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３１８．１５ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２２の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、メチル２−ブロモ−４−クロロベンゾエート２３．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２２を３０．２ｇ（収率９５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３６．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３６．１４ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２３の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２２ ２９ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍメチルマグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−２３を２８．７ｇ（収率９９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３６．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３６．１４ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２４の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２３ ２８．７ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２４を２０．６ｇ（収率７６％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３１８．０８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３１８．１９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２５の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、メチル２−ブロモ−５−クロロベンゾエート２３．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２５を３１．６ｇ（収率９５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３５２．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３５２．０８ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２６の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２５ ３０．３ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍメチルマグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−２６を３０ｇ（収率９９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３５２．０７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３５２．０９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２７の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２６ ３０ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２７を２１．４ｇ（収率７５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３４．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３４．１３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２８の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、メチル２−ブロモ−４−クロロベンゾエート２３．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−２８を３１ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３５２．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３５２．０７ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−２９の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２８ ３０．３ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍメチルマグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−２９を３０ｇ（収率９９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３５２．０７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３５２．２１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３０の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−２９ ３０ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３０を２１．１ｇ（収率７４％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３４．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３４．１６ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３１の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ ３１．９ｇ（６４．７ｍｍｏｌ）とアセトアミド１．７４ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１７．３ｇ（１１７．６ｍｍｏｌ）を入れてキシレン１３０ｍｌを加えて溶解させた。ここにヨウ化銅（Ｉ）１．１２ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン１．０４ｇ（１１．８ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４８時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−３１を１４ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５７５．１４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５７５．３１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３２の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３１ １３ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）と水酸化カリウム４．２ｇ（７５．６ｍｍｏｌ）を入れてテトラヒドロフラン８０ｍｌとエタノール８０ｍＬを加えて溶解させた。窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了反応液を減圧濃縮した後、ジクロロメタンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−３２を１２．１ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５３３．１３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５３３．２６ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３３の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−１９ ２９ｇ（８６ｍｍｏｌ）を入れて無水ジエチルエーテル（４３０ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに３．０Ｍフェニルマグネシウムブロマイドジエチルエーテル溶液７２ｍｌ（２１５ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で１２時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍアンモニウムクロリド水溶液１０８ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物を追加精製せずに次の反応に用い、目的化合物である中間体Ｍ−３３を３９．２ｇ（収率９９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４６０．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４６０．２６ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３４の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−３３ ３９．２ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を入れて無水ジクロロメタン（２５５ｍｌ）を加えて溶解させて０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに三フッ化ホウ素ジエチルエーテル１２．１ｇ（８５．１ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で４時間攪拌した。反応液を０℃に冷却して少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、１．０Ｍ重炭酸ナトリウム水溶液８５ｍｌを加えてジクロロメタンで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３４を２６．４ｇ（収率７０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４４２．１１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４４２．３２ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３５の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモニトロ−ベンゼン１９．０５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３５を２５．４ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２８９．０７ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２８９．１６ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３６の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾチオフェンボロン酸２１．５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−ニトロベンゼン１９．０５ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３６を２７．４ｇ（収率９５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３０５．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３０５．２９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３７の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３５ ２５ｇ（８６．４ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン４５．３ｇ（１７３ｍｍｏｌ）を入れてジクロロベンゼン（２６０ｍｌ）を加えて溶解させた後、窒素雰囲気下で２４時間にかけて１７０℃に攪拌した。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３７を１６．７ｇ（収率７５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２５７．０８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２５７．２１ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３８の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３６ ２６．４ｇ（８６．４ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン４５．３ｇ（１７３ｍｍｏｌ）を入れてジクロロベンゼン（２６０ｍｌ）を加えて溶解させた後、窒素雰囲気下で２４時間にかけて１７０℃に攪拌した。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−３７を１７．５ｇ（収率７４％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２７３．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２７３．１９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−３９の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３７ １６ｇ（６２．２ｍｍｏｌ）とブロモベンゼン１４．６ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド９．０ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１９０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ １．０７ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．１３ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−３９を１７．６ｇ（収率８５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３３３．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３３３．１６ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４０の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３８ １７ｇ（６２．２ｍｍｏｌ）とブロモベンゼン１４．６ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド９．０ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１９０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ １．０７ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．１３ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−４０を１８ｇ（収率８３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３４９．０９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３４９．１３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４１の合成
加熱減圧乾燥した丸底フラスコにＭ−３９ ２１．１ｇ（６３．３ｍｍｏｌ）を入れて無水テトラヒドロフラン（１９０ｍｌ）を加えて溶解させて−２０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で攪拌した。ここに２．５Ｍのｎ−ブチルリチウムノルマルヘキサン溶液３１ｍｌ（７６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。反応液を−２０℃に冷却し、ここにトリイソプロピルボレート１４．３ｇ（７６ｍｍｏｌ）を徐々に加えた後、常温、窒素雰囲気下で６時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、ここに少量の蒸留水を加えて反応を終了させた後、２．０Ｍ塩酸水溶液１１４ｍｌを加えてジエチルエーテルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。残留物をアセトンに溶かした後、ｎ−ヘキサンを加えて再結晶した。生成された固体を減圧濾過して目的化合物である中間体Ｍ−４１を１７．０ｇ（収率７１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３７７．１２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３７７．１５ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４２の合成
丸底フラスコにＭ−４１ ３５．６ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン２６．７ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−４２を４１．４ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４８７．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４８７．１３ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝４８９．１９ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４３の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−４０ １８ｇ（５１．５ｍｍｏｌ）を入れてジクロロメタン１６０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４５ｍＬに溶かしたＮ−ブロモスクシンイミド９．１７ｇ（５１．５ｍｍｏｌ）を０℃で徐々に滴下した。反応液を室温に昇温した後、窒素雰囲気下で８時間攪拌させる。反応終了後、炭酸カリウム水溶液を加えてジクロロメタンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−４３を１５．９ｇ（収率７２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４２７．００ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４２７．１２ｇ／ｍｏｌ、Ｍ＋２＝４２９．２３）。
中間体Ｍ−４４の合成
丸底フラスコに４−ジベンゾフランボロン酸２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−４−クロロニトロベンゼン２２．３ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン（３１３ｍｌ）を加えて溶解させた後、炭酸カリウム１９．５ｇ（１４１．５ｍｍｏｌ）を溶かした水溶液１１７ｍｌを添加させて攪拌した。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．０９ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌した。反応終了後、酢酸エチルで抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／酢酸エチル（９：１体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−４４を２７．８ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３２３．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３２３．１８ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４５の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−４４ ２８ｇ（８６．４ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン４５．３ｇ（１７３ｍｍｏｌ）を入れてジクロロベンゼン（２６０ｍｌ）を加えて溶解させた後、窒素雰囲気下で２４時間にかけて１７０℃に攪拌した。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、抽出液をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（７：３体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物である中間体Ｍ−４５を１８．１ｇ（収率７２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：２９１．０５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝２９１．１３ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４６の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−４５ １８ｇ（６１．７ｍｍｏｌ）とヨードベンゼン１９ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１２．９ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）を入れてジクロロベンゼン１９０ｍｌを加えて溶解させた。ここに銅パウダー０．３９ｇ（６．１７ｍｍｏｌ）と１８−クラウン−６−エーテル１．６３ｇ（６．１７ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−４６を１９．３ｇ（収率８５％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：３６７．０８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝３６７．１６ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４７の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３７ １６ｇ（６２．２ｍｍｏｌ）と４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル３３．５ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド９．０ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１９０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ １．０７ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．１３ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−４７を２１．６ｇ（収率７１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：４８７．０６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝４８７．２４ｇ／ｍｏｌ）。
中間体Ｍ−４８の合成
丸底フラスコに中間体Ｍ−３８ １７ｇ（６２．２ｍｍｏｌ）と４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル３３．５ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド９．０ｇ（９３．３ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１９０ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ １．０７ｇ（１．８７ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．１３ｇ（５．６０ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で２４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＭ−４８を２２ｇ（収率７０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５０３．０３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５０３．３３ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１：化合物Ｆ−９４で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１ １０ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＦ−９４を１６ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５６３．２２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５６３．２８ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２：化合物Ｇ−９４で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ １０．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＧ−９４を１６．８ｇ（収率９４％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５７９．２０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５７９．３２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３：化合物Ｆ−９９で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１ １０ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＦ−９９を１７．２ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６０３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６０３．３１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例４：化合物Ｇ−９９で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ １０．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＧ−９９を１７．６ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６１９．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６１９．３４ｇ／ｍｏｌ）。
実施例５：化合物Ｉ−１で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１ １５ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル３．９ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド６．７ｇ（６９．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．５３ｇ（０．９２８ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．３８ｇ（１．８６ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＩ−１を白色の固体で１３．７ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６５３．２４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６５３．３１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例６：化合物Ｉ−３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ １５．７ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）と２−アミノ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン４．８６ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド６．７ｇ（６９．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．５３ｇ（０．９２８ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．３８ｇ（１．８６ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＩ−３を白色の固体で１５．５ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２５．２２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２５．３６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例７：化合物Ｇ−１４０で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−７ １３．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と１−ブロモナフタレン６．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＧ−１４０を１５．９ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５５３．１９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５５３．２９ｇ／ｍｏｌ）。
実施例８：化合物Ｉ−１３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−７ １３．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とＭ−１ １０ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＩ−１３を１８．６ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６６９．２１ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６６９．３６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例９：化合物Ｉ−２９で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−４ １３．７ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル３．９ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド６．７ｇ（６９．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．５３ｇ（０．９２８ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．３８ｇ（１．８６ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１８時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＩ−２９を白色の固体で１４ｇ（収率８８％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６８５．１９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６８５．２６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１０：化合物Ｉ−３０で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３ ８．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とＭ−８ １２．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＩ−３０を１７．９ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６４３．２０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６４３．２９ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１１：化合物Ｉ−４３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２ １０．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とＭ−３２ １６．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＩ−４３を２２．５ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７９１．１８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７９１．２３ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１２：化合物Ｃ−１で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２１ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−１を１７．０ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６０３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６０３．３０ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１３：化合物Ｃ−２で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２１ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−２を１８．１ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６４３．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６４３．３８ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１４：化合物Ｃ−３４で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２１ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−３２ １６．５ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−３４を２２．７ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：８１５．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝８１５．４１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１５：化合物Ｃ−５で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２７ １０．３ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−５を１７．２ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６１９．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６１９．３３ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１６：化合物Ｃ−６で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２７ １０．３ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−６を１８．１ｇ（収率８９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６５９．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６５９．３１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１７：化合物Ｃ−３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３４ １３．７ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−３を１９．８ｇ（収率８８％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２７．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２７．４１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１８：化合物Ｃ−７７で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３４ １３．７ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−フェニルアミン７．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−７７を１８．３ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６５１．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６５１．４４ｇ／ｍｏｌ）。
実施例１９：化合物Ｃ−２０で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２７ １０．３ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−５ １２．７ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−２０を１９．３ｇ（収率８８％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７０９．２４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７０９．３１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２０：化合物Ｅ−４で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２４ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−４を１６．６ｇ（収率８９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６０３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６０３．２９ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２１：化合物Ｅ−３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２４ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−フェニルアミン７．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−３を１４．７ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５２７．２２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５２７．３２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２２：化合物Ｅ−９で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２４ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−９を１７．７ｇ（収率８９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６４３．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６４３．３４ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２３：化合物Ｅ−９７で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２４ ９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と中間体Ｍ−７ １３．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−９７を１９．７ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７０９．２４ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７０９．３３ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２４：化合物Ｅ−２０で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３０ １０．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−２０を１６．７ｇ（収率８７％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６１９．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６１９．２９ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２５：化合物Ｅ−１９で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３０ １０．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−フェニルアミン７．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−１９を１５．３ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５４３．２０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５４３．３６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２６：化合物Ｅ−２５で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３０ １０．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−２５を１７．７ｇ（収率８７％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６５９．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６５９．３１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２７：化合物Ｅ−２３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−３０ １０．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニル−アミン８．８ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＥ−２３を１６．２ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：５９８．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝５９８．３３ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２８：化合物Ａ−９７で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１３ １３．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−フェニルアミン７．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−９７を１７．３ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６０３．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６０３．２９ｇ／ｍｏｌ）。
実施例２９：化合物Ａ−２１で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１３ １３．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−２１を１９．１ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６７９．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６７９．３２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３０：化合物Ａ−２５で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１３ １３．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−２５を２０．２ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７１９．３２ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７１９．４２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３１：化合物Ａ−２３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１８ １４．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−２３を１９．８ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６９５．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６９５．３７ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３２：化合物Ａ−２７で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１８ １４．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−２７を２０．９ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７３５．３０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７３５．３２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３３：化合物Ａ−１１７で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−１８ １４．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）と（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニル−アミン８．８ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＡ−１１７を１８．６ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６５９．２６ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６５９．３６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３４：化合物Ｃ−９０で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２７ １５．５ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル３．９ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド６．７ｇ（６９．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．５３ｇ（０．９２８ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．３８ｇ（１．８６ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１８時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−９０を白色の固体で１５．３ｇ（収率８６％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７６５．２５ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７６５．３９ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３５：化合物Ｃ−９２で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−２４ １４．８ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）と４−アミノビフェニル３．９ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド６．７ｇ（６９．６ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．５３ｇ（０．９２８ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．３８ｇ（１．８６ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１８時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＣ−９２を白色の固体で１５．２ｇ（収率８９％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７３３．３０ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７３３．４２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３６：化合物Ｂ−１３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−４２ １５．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＢ−１３を２０．７ｇ（収率９２％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２８．２８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２８．２１ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３６：化合物Ｄ−１で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−４６ １１．４ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＤ−１を１８．８ｇ（収率８８％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６９２．２８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６９２．１６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３７：化合物Ｄ−１３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−４３ １３．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＤ−１３を１９．２ｇ（収率９３％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：６６８．２３ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝６６８．２６ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３８：化合物Ｋ−７９で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−４７ １５．１ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビス（４−ビフェニル）アミン９．９ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で４時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＫ−７９を１９．２ｇ（収率９１％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７２８．２８ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７２８．３２ｇ／ｍｏｌ）。
実施例３９：化合物Ｋ−２８３で表される化合物の製造
丸底フラスコに中間体Ｍ−４８ １５．６ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）とビフェニル−４−イル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−アミン１１．２ｇ（３０．９ｍｍｏｌ）、ソジウムｔ−ブトキシド４．５ｇ（４６．３５ｍｍｏｌ）を入れてトルエン１５５ｍｌを加えて溶解させた。ここにＰｄ（ｄｂａ）２ ０．１７８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）とトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１２５ｇ（０．６２ｍｍｏｌ）を順次に入れた後、窒素雰囲気下で１２時間還流攪拌させる。反応終了後、トルエンと蒸留水で抽出後、有機層をマグネシウムスルフェートで乾燥および濾過し、濾過液を減圧濃縮した。生成物をｎ−ヘキサン／ジクロロメタン（８：２体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的化合物であるＫ−２８３を２１．８ｇ（収率９０％）を収得した。
ＬＣ−Ｍａｓｓ（理論値：７８４．２９ｇ／ｍｏｌ、測定値：Ｍ＋＝７３４．３６ｇ／ｍｏｌ）。
（有機発光素子の製造）
緑色有機発光素子の製造
実施例４０
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水で超音波洗浄した。蒸留水洗浄が終わるとイソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄し乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機で基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いてＩＴＯ基板上部にＨＴ−１を真空蒸着して７００Åの厚さの正孔注入および輸送層を形成した。次に、実施例４で製造された化合物を用いて真空蒸着で１００Åの厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層上部に（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ビフェニル［ＣＢＰ］をホストとして用い、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］を５重量％にドーピングして真空蒸着で３００Åの厚さの発光層を形成した。
その後、前記発光層上部にビフェノキシ−ビス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ｂａｌｑ］を真空蒸着して５０Åの厚さの正孔阻止層を形成した。前記正孔阻止層上部にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ａｌｑ３］を真空蒸着して２５０Åの厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子は５層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／Ｂａｌｑ（５０Å）／ＥＭＬ［ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝９５：５］（３００Å）／補助ＨＴＬ（１００Å）／ＨＴ−１（７００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製作した。
実施例４１
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例１１を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例４２
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例５を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例４３
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例３を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例４４
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例２９を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例４５
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例３２を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例４６
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例２０を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例４７
前記実施例４０で、実施例４の代わりに実施例１２を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
比較例１
前記実施例４０で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例４の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
比較例２
前記実施例４０で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例４の代わりにトリス（４，４’，４''−（９−カルバゾリル））−トリフェニルアミン［ＴＣＴＡ］を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
比較例３
前記実施例４０で、実施例４の代わりにＨＴ−１を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
赤色有機発光素子の製造
実施例４８
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水で超音波洗浄した。蒸留水洗浄が終わるとイソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄し乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機で基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いてＩＴＯ基板上部に４，４’−ｂｉｓ［Ｎ−［４−｛Ｎ，Ｎ−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ｝−ｐｈｅｎｙｌ］−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ［ＤＮＴＰＤ］を真空蒸着して６００Åの厚さの正孔注入層を形成した。次に、ＨＴ−１を真空蒸着で２００Åの厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層上部に実施例３２で製造された化合物を用いて真空蒸着で１００Åの厚さの補助正孔輸送層を形成した。前記補助正孔輸送層上部に（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ビフェニル［ＣＢＰ］をホストとして用い、ドーパントとしてビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃ］を７重量％にドーピングして真空蒸着で３００Åの厚さの発光層を形成した。
その後、前記発光層上部にビフェノキシ−ビス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ｂａｌｑ］を真空蒸着して５０Åの厚さの正孔阻止層を形成した。前記正孔阻止層上部にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム［Ａｌｑ３］を真空蒸着して２５０Åの厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子は、６層の有機薄膜層を有する構造からなっており、具体的にＡｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／Ｂａｌｑ（５０Å）／ＥＭＬ［ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃ＝９３：７］（３００Å）／補助ＨＴＬ（１００Å）／ＨＴ−１（７００Å）／ＤＮＴＰＤ（６００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で製作した。
実施例４９
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例２８を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５０
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例２０を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５１
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例１５を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５２
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例１３を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５３
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例３を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５４
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例６を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５５
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例３８を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
実施例５６
前記実施例４８で、実施例３２の代わりに実施例３９を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
比較例４
前記実施例４８で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例３２の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
比較例５
前記実施例４８で、ＨＴ−１の代わりにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン［ＮＰＢ］を用い、実施例３２の代わりにトリス（４，４’，４''−（９−カルバゾリル））−トリフェニルアミン［ＴＣＴＡ］を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
比較例６
前記実施例４８で、実施例３２の代わりにＨＴ−１を用いた点を除いては同様な方法で有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子の製作に用いられたＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＨＴ−１、ＴＣＴＡ、ＣＢＰ、Ｂａｌｑ、Ａｌｑ３、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｑ）２ａｃａｃの構造は以下のとおりである。
（製造された化合物の分析および特性測定）
１Ｈ−ＮＭＲ結果の分析
前記中間体Ｍ−１〜Ｍ−４６化合物および実施例１〜３７の構造分析のためにＬＣ−ＭＳを用いて分子量を測定し、またＣＤ２Ｃｌ２溶媒に溶かした後、３００ＭＨｚのＮＭＲ装備を用いて１Ｈ−ＮＭＲを測定した。
前記分析の一例として、実施例１５であるＣ−５に対する１Ｈ−ＮＭＲ結果は図６に示し、実施例３１で製造されたＡ−２３に対する１Ｈ−ＮＭＲ結果は図７に示した。
蛍光特性の分析
前記実施例の蛍光特性を測定するために実施例の化合物をＴＨＦに溶かした後、ＨＩＴＡＣＨＩ Ｆ−４５００を用いてＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）波長を測定した。前記実施例１５および３１に対するＰＬ波長測定の結果を図８に示した。
電気化学的特性
前記実施例４、１５、１７、２０、および３１の化合物の電気化学的特性をサイクリックボルタンメトリー（ｃｙｃｌｉｃ−ｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙ）装備を用いて測定し、その値を下記表１に示した。
前記表１を参照すれば、前記実施例４、１５、１７、２０、および３１の化合物は、正孔伝達層および電子遮断層として用いられ得ることが分かる。
（有機発光素子の性能測定）
前記実施例４０〜５６と比較例１〜６で製造されたそれぞれの有機発光素子に対して電圧に応じた電流密度の変化、輝度の変化および発光効率を測定した。具体的な測定方法は、次のとおりであり、その結果は下記表２および表３に示した
（１）電圧変化に応じた電流密度の変化測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００）を用いて単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で割って結果を得た。
（２）電圧変化に応じた輝度の変化測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ Ｃｓ−１０００Ａ）を用いてその時の輝度を測定して結果を得た。
（３）発光効率の測定
前記（１）および（２）で測定された輝度と電流密度および電圧を用いて同一の輝度（ｃｄ／ｍ２）での電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
（４）寿命測定
製造された有機発光素子に対してＰｏｌａｒＯｎｙｘ寿命測定システムを用いて実施例４０〜４７と比較例１〜３の緑色有機発光素子の場合には、初期輝度３，０００ｎｉｔに発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して初期輝度に比べて１／２に輝度が減少した時点を半減寿命とし、実施例４８〜５６と比較例４〜６の赤色有機発光素子の場合には、初期輝度１，０００ｎｉｔに発光させ、時間経過に応じた輝度の減少を測定して初期輝度に比べて８０％に輝度が減少した時点をＴ８０寿命と測定した。
（駆動電圧および発光効率１，０００ｎｉｔで測定）
前記表２の結果によれば、緑色燐光有機発光素子で補助正孔輸送層を使用しない比較例１または比較例３に比べて、本発明の化合物を補助正孔輸送層として使用した前記実施例４０〜４７は、有機発光素子の発光効率と寿命を向上させることが分かる。特に、比較例３に比べて本発明の実施例は、発光効率が最小１８％から最大３０％以上大幅に上昇することが分かり、従来に知らされているＴＣＴＡを補助正孔輸送層として使用した比較例２に比べて本発明の実施例は、発光素子寿命が最小２０％から最大５０％以上上昇して実際の素子の商業化の側面から、素子の寿命は製品化の最も大きい問題の一つであることを考慮すると、前記実施例の結果は素子を製品化して商業化するに十分であると判断される。
（駆動電圧および発光効率８００ｎｉｔで測定）
前記表３の結果によれば、赤色燐光有機発光素子で補助正孔輸送層を使用しない比較例４または比較例６に比べて、本発明の化合物を補助正孔輸送層として使用した前記実施例４８〜５６は、有機発光素子の発光効率と寿命を向上させることが分かる。特に、比較例４に比べて本発明の実施例は、発光効率が最小１０％から最大２５％以上大幅に上昇することが分かり、従来に知らされているＴＣＴＡを補助正孔輸送層として使用した比較例５に比べて本発明の実施例は、発光効率が最小５％から最大２０％以上上昇し、発光素子寿命が最小２３％から最大３８％以上上昇し、駆動電圧を下げて赤色燐光素子の全般的な主要特性を大幅に向上させることが分かる。実際の素子の商業化の側面から、素子の寿命は製品化の最も大きい問題の一つであることを考慮すると、前記実施例の結果は素子を製品化して商業化するに十分であると判断される。
本発明は、前記実施例に限定されず、互いに異なる多様な形態に製造することができ、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は本発明の技術的な思想や必須の特徴を変更することなく、他の具体的な形態に実施可能であることを理解できる。したがって、上述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的でないと理解しなければならない。
１００…有機発光素子
１１０…陰極
１２０…陽極
１０５…有機薄膜層
１３０…発光層
１４０…正孔輸送層
１５０…電子輸送層
１６０…電子注入層
１７０…正孔注入層
２３０…発光層＋電子輸送層

Claims (20)

  1. 陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に形成された少なくとも一層以上の有機薄膜層を含み、
    前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層またはこれらの組み合わせを含み、
    前記有機薄膜層は、発光層および複数の正孔輸送層を含み、
    前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、下記の化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物を含み、
    前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むものである有機光電子素子：
    前記化学式１〜４で、
    Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ（−ｄ＊）であり、
    Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌ、ＬａおよびＬｂは、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎ、ｎａおよびｎｂは、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数であり、
    化学式１の隣接した二つの＊は、化学式２または３の隣接した二つの＊と結合して融合環を形成し、
    化学式１のａ＊；化学式１のｄ＊；または化学式２または３のｂ＊；は、化学式４のｃ＊とシグマ結合で連結され、
    ｃ＊と結合されていない残りのａ＊；ｄ＊またはｂ＊は、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせである：
    前記化学式Ｂ−１で、
    Ｒ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基またはこれらの組み合わせであり、
    Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合環を形成し、
    Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して存在するか、または互いに融合環を形成し、
    Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、ただし、Ａｒ ２ 及びＡｒ ３ は、それぞれ置換もしくは非置換のフルオレニル基ではなく、
    Ａｒ １ 〜Ａｒ ３ の定義において、置換とはＣ１〜Ｃ２０アルキル基またはＣ６〜Ｃ３０アリール基で置換されたものであり、
    Ｌ１〜Ｌ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎ１〜ｎ４は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  2. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式５と前記化学式４の組み合わせで表されるものである、請求項１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式５で、
    Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮ（−ｄ＊）であり、
    Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    化学式５のａ＊；化学式５のｄ＊；または化学式５のｂ＊；は、化学式４のｃ＊とシグマ結合で連結され、
    ｃ＊と結合されていない残りの化学式５のａ＊；ｄ＊またはｂ＊は、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０アシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０アリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０スルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０アリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０ヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせである。
  3. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式６で表されるものである、請求項１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式６で、
    Ｘは、ＯまたはＳであり、
    Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  4. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式７で表されるものである、請求項１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式７で、
    Ｘは、ＯまたはＳであり、
    Ｙは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  5. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式８で表されるものである、請求項１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式８で、
    Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  6. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式９で表されるものである、請求項１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式９で、
    Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  7. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物は、下記の化学式１０で表されるものである、請求項１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式１０で、
    Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＣＲ'Ｒ”またはＮＲ'であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌは、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎは、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  8. 前記Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のエチル基、置換もしくは非置換のプロピル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントレニル基、または置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基である、請求項１に記載の有機光電子素子。
  9. 前記化学式４のＡｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラン、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、または置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基である、請求項１に記載の有機光電子素子。
  10. 前記化学式Ｂ−１のＡｒ１は、置換もしくは非置換のフェニル基または置換もしくは非置換のビフェニル基であり、前記化学式Ｂ−１のＡｒ２およびＡｒ３は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のビスフルオレン基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、置換もしくは非置換のアントラセン基、置換もしくは非置換のテルフェニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラン基または置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基のうちのいずれか一つである、請求項１に記載の有機光電子素子。
  11. 陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に形成された少なくとも一層以上の有機薄膜層を含み、
    前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層またはこれらの組み合わせを含み、
    前記有機薄膜層は、発光層および複数の正孔輸送層を含み、
    前記複数の正孔輸送層のうち、前記発光層に隣接した正孔輸送層は、下記の化学式１１で表される化合物を含み、前記発光層に隣接していない正孔輸送層のうちいずれか一つは、下記の化学式Ｂ−１で表される化合物を含むものである有機光電子素子：
    前記化学式１１で、
    Ｘ１は、Ｏ、Ｓ、またはＣＲ'Ｒ”であり、
    Ｒ'、Ｒ”、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
    ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である：
    前記化学式Ｂ−１で、
    Ｒ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基またはこれらの組み合わせであり、Ｒ１およびＲ２は、互いに融合環を形成することができ、Ｒ３およびＲ４は、互いに融合環を形成することができ、
    Ａｒ１〜Ａｒ３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌ１〜Ｌ４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ１０アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリーレン基またはこれらの組み合わせであり、
    ｎ１〜ｎ４は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  12. 前記化学式１１で表される化合物は、下記の化学式１２で表されるものである、請求項１１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式１２で、
    Ｘ１およびＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＲ'Ｒ”であり、
    Ｒ'、Ｒ”およびＲ１〜Ｒ４は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ａｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
    ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  13. 前記化学式１１で表される化合物は、下記の化学式１３で表されるものである、請求項１１に記載の有機光電子素子：
    前記化学式１３で、
    Ｘ１〜Ｘ３は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、ＰＯ（Ｐ＝Ｏ）またはＣＲ'Ｒ”であり、
    Ｒ'、Ｒ”およびＲ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基またはこれらの組み合わせであり、
    Ｌ１〜Ｌ３は、互いに独立して、単結合、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６アルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
    ｎ１〜ｎ３は、互いに独立して、０〜３のうちのいずれか一つの整数である。
  14. 前記化学式１のＲ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基であり、
    前記化学式１１のＲ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０シリル基である、請求項１１に記載の有機光電子素子。
  15. 前記化学式１のＲ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換されたＣ３〜Ｃ４０シリル基であり、
    前記化学式１１のＲ１およびＲ２のうちの少なくともいずれか一つは、置換されたＣ３〜Ｃ４０シリル基であり、
    前記置換されたシリル基の水素のうちの少なくともいずれか一つがＣ１〜Ｃ１０アルキル基またはＣ６〜Ｃ１５アリール基で置換されたものである、請求項１４に記載の有機光電子素子。
  16. 前記有機光電子素子は、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、有機トランジスター、有機感光体または有機メモリ素子である、請求項１に記載の有機光電子素子。
  17. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物で表される化合物のＨＯＭＯ準位が５．４ｅＶ以上５．８ｅＶ以下である、請求項１に記載の有機光電子素子。
  18. 前記化学式１；化学式２または３；および化学式４の組み合わせで表される化合物の三重項励起エネルギー（Ｔ１）が２．５ｅＶ以上２．９ｅＶ以下である、請求項１に記載の有機光電子素子。
  19. 前記化学式Ｂ−１で表される化合物のＨＯＭＯ準位が５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下である、請求項１に記載の有機光電子素子。
  20. 請求項１１に記載の有機光電子素子を含む表示装置。
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