JP6107810B2 - 表面実装型圧電発振器 - Google Patents

Description

本発明は、上面が開口し、内部に収納部を有するベースと、前記開口を封止する蓋とでパッケージが構成され、このベースの収納部に圧電振動素子と集積回路素子とが収納された表面実装型圧電発振器（以下、単に圧電発振器と称する）に関するものであって、特に圧電発振器のパッケージ構造を改善することに関するものである。

水晶振動板等の圧電振動素子を用いた圧電発振器は、安定して精度の高い発振周波数を得ることができる。そのため、かかる圧電発振器は、電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用されている。このような圧電発振器においては、上面が開口した絶縁性のベースの収納部に前記集積回路素子を配置するとともに、集積回路素子の上方に圧電振動素子を支持固定し、蓋によりベース内部の気密封止を行ったものである。

このような構成は、発振用増幅器としてＣＭＯＳ等のインバータ増幅器を内蔵したワンチップの集積回路素子のカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成となり、低コスト化に寄与する。

このような圧電発振器では、ワイヤボンディングに比較して小型化低背化が実現できることから、特許文献１にも示すように、セラミックのベースの収納部の内部端子パッドに集積回路素子のパッドを、金等の金属バンプを用いて超音波熱圧着によるフリップチップボンディングされることが近年多くなっている。

なお、図７に、上記したベース内に収納される圧電発振器の回路の一例を示す。１００は集積回路素子、２００は圧電振動素子である。集積回路素子１００は、例えば、インバータ増幅器ＡＭＰ１，ＡＭＰ２と、帰還抵抗Ｒｆと、制限抵抗Ｒｄと、コンデンサＣ１，Ｃ２とを含む。Ｐ１〜Ｐ３は集積回路素子１００側の信号入出力部である。Ｐ４，Ｐ５は圧電振動素子２００側の信号入出力部である。集積回路素子１００の出力部Ｐ３から交流や高周波の信号ｉ１が出力される。圧電振動素子２００の入出力部Ｐ５，Ｐ４と集積回路素子１００の入出力部Ｐ１，Ｐ２との間に交流の信号ｉ２が流れる。このような回路接続で集積回路素子、圧電振動素子は、ベース内に収納される。信号ｉ１，ｉ２の入出力部Ｐ１〜Ｐ５は、ベース内において、集積回路素子のパッド、ベースの内部端子パッド、圧電振動素子のパッド、配線パターンにより接続される。

特開２００１−２９１７４２号公報

このような圧電発振器では、小型化すると、集積回路素子の出力パッド（図７の信号出力部Ｐ３に対応するパッド）と接続されるベースの出力用内部端子パッドから出力用配線パターン等（集積回路素子の出力部）を流れる交流や高周波の信号が発生する不要な輻射（以下、輻射ノイズという）により、圧電発振器の動作に悪影響を及ぼされやすい。

特に、圧電発振器では、集積回路素子の信号出力部を流れる信号の周波数と、圧電振動素子の信号入出力部を接続する入力用内部端子パッドおよびこれらを接続する配線パターン等（圧電振動素子の接続部）を流れる信号の周波数とが同じであっても、両信号間で、位相ずれや、信号波形の相違による電位差が生じている。このため、これらの相違点から前記集積回路素子の出力信号と前記圧電振動素子の接続部を流れる信号との相互作用により、動作上の不具合を起こすことがあった。一般的に、圧電振動素子用の接続部では正弦波であるのに対して、前記集積回路素子の出力部では矩形波となっているので、出力信号には主振動以外にも輻射ノイズとなる高周波成分が含まれている。この高周波ノイズ成分は、圧電発振器としての周波数が高くなるほど電磁波として輻射されやすい。この輻射は、発信源となる圧電振動素子の振動周波数に悪影響を与えるおそれがある。

そこで、本発明は、小型化しても、輻射ノイズの悪影響を受けにくい構造として、電気的特性に優れた、かつ、動作上の信頼性が高い圧電発振器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の圧電発振器においては、収納部を有し、前記収納部の内底面に複数の内部端子パッドが形成された多層基板からなる絶縁性のベースと、矩形状で一主面に前記ベースの内部端子パッドの一部とバンプを介してボンディングされるパッドを有する集積回路素子と、前記ベースの内部端子パッドの他の一部に電気機械的に接合され、前記集積回路素子と電気的に接続される圧電振動素子とを具備する。

前記集積回路素子のパッドは、前記集積回路素子の第１辺寄りに形成された２つの対向する第１パッドと、前記集積回路素子の第１辺に対向する第２辺寄りに形成された２つの対向する第２パッドと、前記第１パッドと前記第２パッドとの間に各々形成された２つの対向する第３パッドとを少なくとも有する。

前記２つの第２パッドのうちの一方が前記集積回路素子の交流信号出力用となる。前記ベースの内部端子パッドは、前記圧電振動素子と電気的に接続されるとともに前記集積回路素子の前記２つの第１パッドと接合される２つの対向する第１内部端子パッドと、前記２つの第２パッドと接合される２つの対向する第２内部端子パッドと、前記２つの第３パッドと接合される２つの対向する第３内部端子パッドとを、少なくとも、有する。

前記第１内部端子パッドの周囲の一部に沿って前記第３内部端子パッドと当該第３内部端子パッドを延出する配線パターンとが輻射ノイズ遮断用の導電路として形成され、前記２つの第１内部端子パッドと前記２つの第２内部端子パッドとが前記導電路を間にして互いに隔てられた位置に形成されており、
前記第３内部端子パッドを延出する配線パターンは、前記第１〜第３内部端子パッドと共に、前記収納部の内底面に形成されている。

なお、前記集積回路素子は、第１〜第３パッドよりもパッド数が多い集積回路素子であってもよい。また、これに対応して、前記内部端子パッドは、第１〜第３内部端子パッドよりもパッド数が多い場合を含む。これら集積回路素子の第１〜第３パッドは一方向に並設してもよいが、その配置形態は、前記並設方向にだけ限定されるものではない。また、前記内部端子パッドの配置形態は、集積回路素子の各パッドの配置形態に対応していれば特に限定されない。

上記構成により、前記第１内部端子パッドの周囲の一部に沿って前記第３内部端子パッドと当該第３内部端子パッドを延出する配線パターンとを輻射ノイズ遮断用の導電路として形成することで、前記圧電振動素子と電気的に接続された第１内部端子パッドと前記交流出力が一方に含まれる第２内部端子パッドとを、前記導電路を間にして、隔てて形成することができる。

このため、前記第２内部端子パッドの一方を流れる交流や高周波信号が輻射ノイズを発生しても、その輻射ノイズは、前記導電路で遮断され、より悪影響の受けやすい前記圧電振動素子と接続された第１内部端子パッドへ届くことがなくなる。

つまり前記第２内部端子パッドの交流出力から発生する輻射ノイズの影響が、前記第１内部電極パッドに電気的に接続する圧電振動素子に及ぶのを抑制することができる。

特に、圧電発振器では、前記第２内部端子パッドの一方の交流出力を流れる信号の周波数と、圧電振動素子を接続する前記第１内部端子パッドに流れる信号の周波数とが同じであっても、前記両信号間に位相のずれや、電位差が生じているので、これらの相違点から前記第２内部端子パッドの交流出力側と前記第１内部端子パッドとの相互作用による不具合を起こす原因となることがあった。

これに対して、本発明によれば、前記圧電振動素子と電気的に接続された第１内部端子パッドと前記交流出力が一方に含まれる第２内部端子パッドとが前記導電路で遮断されているので、前記相互作用による不具合を抑えることが可能となる。

好ましくは、上述の構成に加え、前記第１内部端子パッドと前記第２内部端子パッドとは、その間に位置する前記第３内部端子パッドより前記２つの第１内部端子パッドと、前記２つの第２内部端子パッドと、前記２つの第３内部端子パッドとが並設された方向に幅広に形成してもよい。

上記構成により、上述した作用効果に加えて、前記ベースの内部端子パッドと集積回路素子のパッドとを、例えば、バンプを介してフリップチップボンディングする際に、バンプのパッドに対する位置ずれ、あるいは集積回路素子のパッドとベースの内部端子との位置ずれを幅広の第１内部端子パッドと第２内部端子パッドとで吸収することができ、その結果、バンプが内部端子パッドからはみ出して接合されることもなくなる。

また、第１内部端子パッドと第２内部端子パッドは、導電路の一部を形成する第３内部端子パッドよりも幅広に形成されているので、平面積が多少異なったり、パッドの位置が多少異なる別種類の集積回路素子であっても、同じベースに搭載することができる。

これにより、製品の多様化やコスト削減等が行いやすい。さらに前記並設方向に幅が細い第３内部端子パッドによる上述の輻射ノイズの遮断効果を維持しながら、前記第１内部端子パッドと第２内部端子パッドとの距離を近接させて圧電発振器の小型化に対応することができる。

つまり本発明は、圧電発振器の小型化に対応させながら、集積回路素子のフリップチップボンディング等で接合する際の搭載性と、接合の信頼性と、汎用性とを高めることができる。

以上のように、本発明は、小型化に対応させながら、輻射ノイズの悪影響を受けにくい電気的特性の優れたより信頼性の高い圧電発振器を提供することを目的とする。

本発明の第１の実施例を示す断面図である。 本発明の第１の実施例において、図１の集積回路素子と圧電振動素子を搭載する前のベースの平面図である。 本発明の第１の実施例において、図１のベースの底面図である。 本発明に適用される集積回路素子の底面図である。 本発明の第２の実施例を示す断面図である。 本発明の第２の実施例において、図５の集積回路素子を搭載する前のベースの底面図である。 圧電発振器の回路図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例にかかる圧電発振器を説明する。図１〜図３は、本発明の第１の実施例を示し、図４は本発明に適用される集積回路素子の底面図である。図５と図６は本発明の第２の実施例を示している。各実施例において共通ないし対応する部分には同じ符号を付している。実施例では圧電発振器として水晶発振器に適用している。

水晶発振器６は、凹部を有する絶縁性のセラミック多層基板からなるベース１と、ベース１中に収納される集積回路素子２と、ベース１中の上部に収納される圧電振動素子３と、ベース１の開口部に接合される蓋４と、を備える。ベース１と、蓋４とにより、水晶発振器６のパッケージが構成される。

ベース１と蓋４は、封止材５を用いて加熱溶融接合される。圧電振動素子３は、例えば、ＡＴカットされた水晶振動板により構成される。ベース１の内部は、封止材５の接合により気密封止される。以下、実施例ごとに説明する。

図１〜図４を参照して第１の実施例を説明する。水晶発振器６において、ベース１は上部のみが開口している。ベース１の内底面に集積回路素子２が収納される。ベース７の上部に圧電振動素子３が収納される。水晶発振器６は、集積回路素子２と圧電振動素子３とが積層された積層型配置のものである。

ベース１は、セラミック多層基板からなり、全体として直方体になっている。ベース１は、最下層の底部１１と、中間層の堤部１２と、最上層の堤部１３と、から構成される。底部１１は、アルミナ等の絶縁性のセラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板で構成される。

堤部１２は、底部１１上に積層されセラミック材料により平面視枠形状に形成される。堤部１３は、セラミック材料により平面視枠形状に形成される。この構成により、ベース１は、断面でみて凹形の収納部１０を有する箱状体に形成されている。収納部１０の周囲には堤部１２，１３が形成されている。

堤部１３の上面は平坦に形成されている。堤部１２，１３は、ベース１の側壁部を構成する。堤部１３の上面は、ベース１の上端面となる。収納部１０は、平面視矩形状であり、下部側の第１の収納部１０ａと上部側の第２の収納部１０ｂとからなる。第１の収納部１０ａには集積回路素子２が収納される。第２の収納部１０ｂには圧電振動素子３が収納される。

第１の実施例では、ベース１は、底部１１と、堤部１２，１３との３層構造であるが、ベース１の収納部１０の構造に応じて単層や２層の構成でもよく、４層以上でもよい。

ベース１の堤部１３の上面は、蓋４との接合領域１３ａとなる。この接合領域１３ａは、金属膜からなる。接合領域１３ａは、具体的には、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層との３層の金属膜により構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成される。このメタライズ層上にニッケル層と、金層とが、この順でメッキにより形成される。

ベース１の外周壁の四隅には、上下方向に伸長する複数のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。これらキャスタレーションは、ベースの外周壁に対して円弧状の切り欠きが上下方向に形成されたものである。

接合領域１３ａは、ベースの堤部１２，１３を上下に貫通接続する導電ビアＶ２や、キャスタレーションＣ２上部に形成された図示しない配線パターンのうちのいずれか少なくとも一方により、ベースの外底面に形成された外部端子パッドＧＴ２に電気的に導出されている。

外部端子パッドＧＴ２がアース接続されることにより、金属製の蓋４は、接合領域１３ａ、および導電ビアやキャスタレーション上部の配線パターン等を介して接地される。この接地により水晶発振器６の電磁気シールド効果が得られる。

ベース１内においては、堤部１２により、集積回路素子２を収納する平面視略矩形状の第１の収納部１０ａが形成される。堤部１２の図中左右両側の内側面は、堤部１３よりも内方に突出し、図中、堤部１２の左側の突出部分は、圧電振動素子３の一端部を保持する保持台１０ｃとなり、図中右側の突出部分は第１の収納部１０ａを介して保持台１０ｃと対向位置する枕部１０ｄとなる。

第１の収納部１０ａの上方には、堤部１３により構成された第２の収納部１０ｂが形成されている。なお、第１の収納部１０ａの内底面１０ａ１には、それぞれ図中上下２つ一対で、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６と、が図中左右方向に並設されている。第１の収納部１０ａは、前記並設方向と平行な２つの特定辺１０１ａ，１０２ａを有する平面視略矩形状に形成されている。

ベース１の最下層である底部１１の上面つまり第１の収納部１０ａの内底面１０ａ１には、集積回路素子２の各パッドと接続される複数の矩形状の内部端子パッドＮＴ（ＮＴ１〜ＮＴ６の総称）と、これらを延出する配線パターンＨ（後述するＨ１〜Ｈ６の総称）とが並んで形成されている。

具体的には図２に示すように、内部端子パッドＮＴにおいて、２つ一対の第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２は、一方が交流入力用、他方が交流出力用として、圧電振動素子３の図示略の信号入力パッドと信号出力パッドとに電気的に接続されかつ集積回路素子２の２つ一対の第１パッド２１，２２と接続される。

集積回路素子２の第１パッド２１，２２のうち、一方は、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２の一方を介して圧電振動素子３の信号入力パッドに接続され、他方は第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２の他方を介して圧電振動素子３の信号出力パッドに接続される。２つ一対の第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４は、一方が集積回路素子２の交流信号出力用、他方が集積回路素子２の接地用として、集積回路素子２の２つ一対の第２パッド２３，２４と接続される。

この場合、実施例では、集積回路素子２の第２パッド２３は、集積回路素子２から交流信号が出力されるパッドとなり、出力された交流信号は第２内部端子パッドＮＴ３に出力される。２つ一対の第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６は、共に直流電位または接地電位が印加されるパッドであり、集積回路素子２の２つ一対の第３パッド２５，２６と接続される。前記直流電位または接地電位は、集積回路素子２から印加される。配線パターンＨは、６つの第１〜第６配線パターンＨ１〜Ｈ６からなる。第１配線パターンＨ１，Ｈ２は、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２をそれぞれ延出する。第２配線パターンＨ３，Ｈ４は、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４をそれぞれ延出する。第３配線パターンＨ５，Ｈ６は、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６をそれぞれ延出する。

また、図２に示すように、第１内部端子パッドＮＴ１の２辺の周囲（一部周囲）に沿って第３内部端子パッドＮＴ５と、第３配線パターンＨ５とを形成するとともに、第１内部端子パッドＮＴ２の２辺の周囲（一部周囲）に沿って第３内部端子パッドＮＴ６と、第３配線パターンＨ６とを形成する。

第３内部端子パッドＮＴ５および第３配線パターンＨ５と、第３内部端子パッドＮＴ６および第３配線パターンＨ６は、共に、集積回路素子２の第２パッド２３からの輻射ノイズが第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２側に届かないように遮断する輻射ノイズ遮断用導電路を形成する。第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４は、前記輻射ノイズ遮断用導電路を間にして相互に隔てられる。

これにより、集積回路素子２の第２パッド２３から発生した輻射ノイズは第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２側に届くのが抑制される。輻射ノイズ遮断用導電路が輻射ノイズを遮断する作用を有するために、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６には、直流電位または接地電位が印加される。この電位は、集積回路素子２から印加される。

さらに、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４とは、その間に位置する第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６よりも、第１の収納部１０ａの特定辺１０１ａ，１０２ａと平行な方向に幅広に形成している。

また、第１の収納部１０ａの中心点Ｏを通る特定辺１０１ａ，１０２ａと平行な仮想線Ｌ１に対して、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが略対称に対向配置されている。第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６は、第１の収納部１０ａの中心点Ｏを通る特定辺１０１ａ，１０２ａと直交する仮想線Ｌ２に沿って、略対向配置されている。

なお、本実施例では、矩形状に形成された第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２のうち、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４に最も近接する１辺であるＮＴ１１，ＮＴ２１と、外部環境に面した堤部１２に最も近接する１辺であるＮＴ１２，ＮＴ２２との２辺の周囲に沿って、略Ｌ字形状に、かつ仮想線Ｌ１に対して略対称に、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６と第３配線パターンＨ５，Ｈ６とを形成している。

すなわち、第３内部端子パッドＮＴ５と第３配線パターンＨ５は、略Ｌ字形状になって第１内部端子パッドＮＴ１を囲む第１輻射ノイズ遮断用導電路を形成し、また、第３内部端子パッドＮＴ６と第３配線パターンＨ６は、略Ｌ字形状になって第１内部端子パッドＮＴ２を囲む第２輻射ノイズ遮断用導電路を形成している。

このように第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６と第３配線パターンＨ５，Ｈ６とを略Ｌ字形状として前記輻射ノイズ遮断用導電路を形成することにより、これら各導電路の形成にともなって第１の収納部１０ａの面積を不要に拡大することなく、かつ第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２は各導電路で確実に囲われ、また、各導電路を間にして、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と隔てることができる。

ベース１の底部１１の下面には、外部部品や外部機器と接続される複数の外部端子用パッドＧＴが形成されている。具体的には図３に示すように、外部端子用パッドＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４が形成される。

外部端子用パッドＧＴ１〜ＧＴ４は、ベース１の底部１１を上下に貫通接続する導電ビアＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４や、キャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に形成された外部用配線パターン（図示せず）のいずれか少なくとも一方を介し、かつ、第２配線パターンＨ３，Ｈ４と第３配線パターンＨ５，Ｈ６とを経由して、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とのいずれかに電気的に導出されている。

なお、本発明では、第２内部端子パッドＮＴ３と第２配線パターンＨ３とが、集積回路素子２の交流出力となる第２パッド２３と接続され、導電ビアＶ１やキャスタレーションＣ１上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された外部端子用パッドＧＴ１に電気的に導出される。

これにより外部端子用パッドＧＴ１は、最終的に交流出力外部端子となる。

ベース１の堤部１２の上面つまり第２の収納部１０ｂの内底面には、前記したように、圧電振動素子３を搭載する保持台１０ｃが形成されている。この保持台１０ｃの上面には圧電振動素子３の励振電極と接続される第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８が形成されている。

より具体的には、圧電振動素子３の一方の励振電極３１と接続される第４内部端子パッドＮＴ７は、第１配線パターンＨ１と堤部１２とを貫通接続する導電ビアＶ５により電気的に導出されている。圧電振動素子３の他方の励振電極３２と接続される第２内部端子パッドＮＴ８は、第１配線パターンＨ２と堤部１２を貫通接続する導電ビアＶ６により電気的に導出されている。

ベース１は、前記したように、周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成され、各内部端子パッド、外部端子用パッド、および配線パターンは、接合領域１３ａの形成技術と同様にして、タングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成される。

第１の収納部１０ａに搭載される集積回路素子２は、Ｃ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子であり、圧電振動素子３とともに発振回路を構成する。

図４に示すように、集積回路素子２は、矩形状で形成されたパッド２１〜２６を備える。これらパッド２１〜２６において、対向する２つの第１パッド２１，２２は、集積回路素子の第１辺２Ａ寄りに形成される。対向する２つの第２パッド２３，２４は、第１辺２Ａに対向する第２辺２Ｂ寄りに形成される。対向する２つの第３パッド２５，２６は、第１パッドと第２パッドとの間に各々形成される。

第１パッド２１，２２は、圧電振動素子３の励振電極と電気的に接続される。２つの第２パッド２３，２４のうちの一方の第２パッド２３は集積回路素子２の交流出力用のパッドとなる。集積回路素子２は、例えば金等の金属バンプＣを介して、集積回路素子２の複数のパッド２１〜２６とベース１に形成された内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６とを例えば超音波熱圧着によるフリップチップボンディング（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により電気機械的に接合されている。

集積回路素子２の上方には所定の間隔を持って圧電振動素子３が搭載される。圧電振動素子３は例えば矩形状のＡＴカット水晶振動板である。圧電振動素子３の表裏面に対向して一対の矩形状励振電極３１，３２とこれらの引出電極とが形成されている。

これらの電極は、例えば、クロムまたはニッケルの下地電極層と、銀または金の中間電極層と、クロムまたはニッケルの上部電極層とから構成された積層薄膜、または、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜で構成される。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。

圧電振動素子３とベース１との接合は、導電性接合材、例えばペースト状で、かつ、銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤Ｓを用いて、行われる。

図１に示すように、導電性樹脂接着剤Ｓは、第１内部端子パッドＮＴ７、および第２内部端子パッドＮＴ８の上面に塗布されるとともに、圧電振動素子３の一端部と保持台１０ｃとの間に介在して硬化される。これにより、圧電振動素子３の一端部と保持台１０ｃとの相互を電気的機械的に接合している。以上により、圧電振動素子３は、ベース１の第１の収納部１０ａの内底面１０ａ１から隙間を設けながら、片持ち保持される。

ベース１を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材が形成されてなる。その金属ろう材は封止材５として、蓋４とベース１の接合領域（金属膜）１３ａとを接合する。蓋４の平面視外形は、セラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。

収納部１０に集積回路素子２と圧電振動素子３とが格納されたベース１の接合領域１３ａに対して、蓋４にて被覆し、蓋４の封止材５とベースの接合領域１３ａを溶融硬化させ、気密封止を行うことで水晶発振器６の完成となる。

図５および図６を参照して第２の実施例を説明する。水晶発振器８は、上部と下部が共に開口した凹部を有するベース７を有する。このベース７は、下部凹部の内底面に集積回路素子２を収納し、上部凹部の内底面に圧電振動素子３を収納したＨ型配置のものである。図５および図６において、第１の実施例と同様の部分については説明の一部を省略している。

ベース７は、セラミック多層基板からなり、その全体は直方体である。ベース７は、図５に示すように、中間層の中板部７１と、上層の堤部７２と、下層の堤部７３とから構成される。

中板部７１は、アルミナ等の絶縁性のセラミック材料により平面視矩形状に形成された一枚板のものである。

堤部７２は、中板部７１の上に積層したセラミック材料により平面視枠形状に形成されている。

堤部７３は、中板部７１の下に積層したセラミック材料により平面視枠形状に形成されている。

このようにベース７は、上下に２つの第１、第２の収納部７０ａ，７０ｂを有する断面でみて略Ｈ形状の箱状体に形成されている。収納部７０ａの周囲には堤部７２が形成されている。堤部７２の上面は平坦に形成されている。収納部７０ｂの周囲には堤部７３が形成されている。堤部７３の下面は平坦に形成されている。第１の収納部７０ａには圧電振動素子３が収納される。第２の収納部７０ｂには集積回路素子２が収納される。なお、ベース７は、中板部７１と、堤部７２，７３との３層構造であるが、ベースの収納部の構造に応じて４層以上でもよい。

ベース１の堤部７２の上面は、蓋４との接合領域７２ａである。この接合領域７２ａには、金属膜が形成されている。この金属膜は、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層とから構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、メタライズ層上にニッケル層、金層の順でメッキにより形成される。

ベース７の外周壁の四隅には、上下方向に伸長する複数のキャスタレーションＣ１〜Ｃ４が形成されている。キャスタレーションＣ１〜Ｃ４は、ベースの外周壁に対して円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成である。

接合領域７２ａは、ベースの堤部７２と中板部７１とを上下に貫通接続する図示しない導電ビアや、キャスタレーションＣ２上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された外部端子パッドＧＴ２の一部に電気的に導出されている。

外部端子パッドＧＴ２をアース接続することにより、金属製の蓋４が、接合領域７２ａ、導電ビアやキャスタレーション上部の配線パターン等を介して接地される。この接地により、水晶発振器８の電磁気的なシールド効果を得ることができる。

ベース７の内部の下方面には、堤部７３により、集積回路素子２を収納する平面視略矩形状の第２の収納部７０ｂが形成される。ベース７の内部の上方面には、堤部７２により、圧電振動素子３を収納する平面視略矩形状の第１の収納部７０ａが形成されている。第２の収納部７０ｂは、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが並設された方向と平行な２つの特定辺７１ｂ，７２ｂを有する略矩形状に形成されている。

ベース７の中板部７１の下面つまり前記第２の収納部７０ｂの内底面には、集積回路素子２と接続される複数の矩形状の内部端子パッドＮＴとこれらを延出する配線パターンＨとが並んで形成されている。

具体的には図６に示すように、ベース７の中板部７１の下面の内部端子パッドＮＴとして、圧電振動素子３と電気的に接続されかつ集積回路素子２の第１パッド２１，２２と接続される２つの対向する第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、集積回路素子２の第２パッド２３，２４と接続される２つの対向する第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、集積回路素子２の第３パッド２５，２６と接続される２つの対向する第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが形成されている。

ベース７の中板部７１の下面の配線パターンＨとして、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２をそれぞれ延出する第１配線パターンＨ１，Ｈ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４をそれぞれ延出する第２配線パターンＨ３，Ｈ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６をそれぞれ延出する第３配線パターンＨ５，Ｈ６とが形成されている。

また、図６に示すように、第１内部端子パッドＮＴ１の２辺の周囲（一部周囲）に沿って第３内部端子パッドＮＴ５と当該第３内部端子パッドＮＴ５を延出する第３配線パターンＨ５とが形成される。第１内部端子パッドＮＴ２の２辺の周囲（一部周囲）に沿って第３内部端子パッドＮＴ６と当該第３内部端子パッドＮＴ６を延出する第３配線パターンＨ６とが形成される。第３配線パターンＨ５および第３内部端子パッドＮＴ５と、第３内部端子パッドＮＴ６および第３配線パターンＨ６は、共に、集積回路素子２の第２パッド２３からの輻射ノイズが第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２側に届かないように遮断する輻射ノイズ遮断用導電路を形成する。

第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４は、前記輻射ノイズ遮断用導電路を間にして相互に隔てられる。これにより、集積回路素子２の第２パッド２３から発生した輻射ノイズは第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２側に届くのが抑制される。

輻射ノイズ遮断用導電路が輻射ノイズを遮断する作用を有するために、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６には、直流電位または接地電位が印加される。この電位は、集積回路素子２から印加される。

第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４とは、その間に位置する第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６より、第２の収納部７０ｂの特定辺７１ｂ，７２ｂと平行な方向に幅広に形成している。第２の収納部７０ｂの中心点Ｏを通る特定辺７１ｂ，７２ｂと平行な仮想線Ｌ１に対して、２つの第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、２つの第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、２つの第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが略対称に対向配置されているとともに、２つの第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６が第２の収納部７０ｂ中心点Ｏを通る特定辺７１ｂ，７２ｂと直交する仮想線Ｌ２に沿って略対向配置されている。

矩形状に形成された第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２のうち、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４に最も近接する１辺であるＮＴ１１，ＮＴ２１と、外部環境に面した堤部７３に最も近接する１辺であるＮＴ１２，ＮＴ２２との２辺の周囲に沿って略Ｌ字形状に、かつ仮想線Ｌ１に対して略対称に第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６と当該第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６を延出する第３配線パターンＨ５，Ｈ６とが形成されている。

すなわち、第３内部端子パッドＮＴ５と第３配線パターンＨ５は、略Ｌ字形状になって第１内部端子パッドＮＴ１を囲む第１輻射ノイズ遮断用導電路を形成し、また、第３内部端子パッドＮＴ６と第３配線パターンＨ６は、略Ｌ字形状になって第１内部端子パッドＮＴ２を囲む第２輻射ノイズ遮断用導電路を形成している。これら導電路により、第２の収納部７０ｂの面積を不要に拡大することなく、かつ第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２を各導電路により確実に囲うことができる。また、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２を各導電路を間にして第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と隔てることができる。

ベース７の堤部７３の下面は、前記したように平坦であり、外部部品や外部機器と接続される複数の外部端子用パッドＧＴが形成されている。具体的には図６に示すように、外部端子用パッドＧＴ１〜ＧＴ４は、上部に貫通接続する導電ビア（図示せず）や、前記ベースのキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に形成された外部用配線パターン（図示せず）のいずれか少なくとも一方を介し、かつ第２配線パターンＨ３，Ｈ４と第３配線パターンＨ５，Ｈ６を経由して、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６のいずれかに電気的に導出されている。

第２内部端子パッドＮＴ３と第２配線パターンＨ３とは、集積回路素子２の交流出力となる第２パッド２３と接続され、最終的に外部端子用パッドＧＴ１と接続されている。これにより、外部端子用パッドＧＴ１は、交流出力外部端子として構成される。

ベース７の中板部７１の上面つまり第１の収納部７０ａの内底面７０ａ１には、圧電振動素子３の励振電極と接続される第４内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８（一部のみ図示）が形成されている。これらは中板部７１を貫通接続する図示しない導電ビアにより前記第１配線パターンＨ１，Ｈ２は、電気的に外部に導出されている。

以上のような構成のベース７は周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成され、前記各内部端子パッド、外部端子用パッド、および配線パターンは前述の接合領域７２ａ形成と同様にタングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。

集積回路素子２は、図５に示すように、例えば金等の金属バンプＣを介して、集積回路素子２の複数のパッド２１〜２６とベース７に形成された内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６とを例えば超音波熱圧着によるフリップチップボンディング法により電気機械的に接合されている。

圧電振動素子３とベース７との接合は、導電性接合材、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤Ｓを用いている。図５に示すように、導電性樹脂接着剤Ｓは、第１内部端子パッドＮＴ７、および第２内部端子パッドＮＴ８の上面に塗布されるとともに前記導電性樹脂接着剤Ｓを前記圧電振動素子３とベース７の第１の収納部７０ａの内底面７０ａ１との間に介在させ硬化させることで、第１、第２内部端子パッドＮＴ７，ＮＴ８と第１の収納部７０ａの内底面７０ａ１とを電気的機械的に接合している。

以上により、圧電振動素子３の一端部を、ベース７の第１の収納部７０ａの内底面７０ａ１から隙間を設けながら、圧電振動素子３の対向する他端部をベース７の第１の収納部７０ａの内底面７０ａ１に接合して、圧電振動素子は、片持ち保持される。

ベース７を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材が形成されてなる。その金属ろう材は、封止材５として蓋４とベース１の接合領域（金属膜）７２ａとを接合する。金属製の蓋の平面視外形はセラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。

ベース７の第２の収納部７０ｂに集積回路素子２が格納され、第１の収納部７０ａに圧電振動素子３が格納された状態で、ベース７の接合領域７２ａに対して、蓋４にて被覆し、金属製の蓋４の封止材５とベースの接合領域７２ａとを溶融硬化させ、圧電振動素子３の気密封止を行うことで水晶発振器８の完成となる。

上記第１、第２の実施例においては、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２の２辺の周囲（一部周囲）に沿って第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６と第３配線パターンＨ５，Ｈ６を第１、第２輻射ノイズ遮断用導電路として形成する。そして、これら各導電路を間にして、圧電振動素子３と電気的に接続された第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、集積回路素子２の交流出力の第２内部端子パッドＮＴ３とを互いから隔てて形成することができる。

この場合、前記各導電路には、前記したように、直流電位または接地電位が印加されているので、第２内部端子パッドＮＴ３を流れる交流や高周波信号が輻射ノイズを発生しても、その輻射ノイズは、前記各導電路で遮断され、より悪影響の受けやすい圧電振動素子３と接続された第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２へ届くことがなくなる。つまり第２内部端子パッドＮＴ３の交流出力から発生する輻射ノイズの影響が、第１内部電極パッドＮＴ１，ＮＴ２に電気的に接続する圧電振動素子３に及ぶのを抑制することが可能となる。

また、ベース１，７の内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６と集積回路素子２のパッド２１〜２６とを、バンプＣを介して、フリップチップボンディングする際に、バンプＣの前記パッドに対する位置ずれ、あるいは前記パッドと前記内部端子パッドとの位置ずれを幅広の第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４とで吸収することができる。

そのため、バンプＣが内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６からはみ出して接合されることはない。また第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４は、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６より幅広に形成されているので、平面積が多少異なったり、パッドの位置が多少異なる別種類の集積回路素子２であっても、同じベース１，７に搭載することができる。これにより、圧電発振器として、製品の多様化やコスト削減等が行いやすい。

さらに幅の細い第３内部端子パッドによる上述の輻射ノイズの遮断効果を維持しながら、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４の距離を近接させて圧電発振器６，８の小型化に対応することができる。つまり本発明は、圧電発振器６，８の小型化に対応させながら、集積回路素子２のフリップチップボンディングする際の搭載性と接合の信頼性と汎用性とを同時に高めることができる。

また、上記実施例では、第１内部端子パッドＮＴ１，ＮＴ２と、第２内部端子パッドＮＴ３，ＮＴ４と、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６とが集積回路素子用の収納部の中心点Ｏを通る特定辺と平行な仮想線Ｌ１に対して略対称に対向配置させている。

このため、集積回路素子用の収納部の特定辺と直交する方向の反りに対して、ペアとなる第１パッド２１，２２と第１内部端子ＮＴ１，ＮＴ２、第２パッド２３，２４と第２内部端子ＮＴ３，ＮＴ４、および第３パッド２５，２６と第３内部端子ＮＴ５，ＮＴ６との各々の反りによる高さがばらつきを均一化することができる。

結果として、ベース１，７の内部端子パッドと集積回路素子のパッドとをバンプを介して超音波熱圧着によるフリップチップボンディングする際に、前記ペアとなる第１パッド２１，２２と第１内部端子ＮＴ１，ＮＴ２、第２パッド２３，２４と第２内部端子ＮＴ３，ＮＴ４、および第３パッド２５，２６と第３内部端子ＮＴ５，ＮＴ６での一対のバンプＣに対する押圧力が均一に分散して加圧されるため、強度のばらつきが生じることがなくなる。

さらに、第３内部端子パッドＮＴ５，ＮＴ６が集積回路素子用の収納部の中心点Ｏを通る前記特定辺と直交する仮想線Ｌ２に沿って略対向配置している。

このため、ベース１，７の内部端子パッドＮＴ１〜ＮＴ６と集積回路素子２のパッド２１〜２６とをバンプＣを介して超音波熱圧着によるフリップチップボンディングする際に、集積回路素子用の収納部の特定辺方向とこれに直交する方向の両方の反りの頂点付近（本形態では中心点Ｏ付近）寄りに、集積回路素子２の中心点の位置を配置することができる。

結果として、前記ペアとなる第１パッド２１，２２と第１内部端子ＮＴ１，ＮＴ２、第２パッド２３，２４と第２内部端子ＮＴ３，ＮＴ４、および第３パッド２５，２６と第３内部端子ＮＴ５，ＮＴ６における合計６箇所でのバンプＣに対する押圧力とその加圧強度も均一化される。これにより、接合強度がより安定した信頼性の高いものとすることができる。つまり本発明は、圧電発振器６，８の小型化に対応させながら、集積回路素子２のフリップチップボンディングする際のバンプＣの接合強度も安定化され、より確実に電気的機械的な接合が行える。

なお、本発明の実施形態では、圧電振動素子としてＡＴカット水晶振動板を用いているが、これに限定されるものでなく、音叉型水晶振動板であってもよい。

また、圧電振動素子として水晶を材料としているが、これに限定されるものではなく、圧電セラミックスやＬｉＮｂＯ3等の圧電単結晶材料を用いてもよい。

すなわち、任意の圧電振動素子が適用可能である。また、圧電振動素子を片持ち保持するものを例にしているが、圧電振動素子の両端を保持する構成であってもよい。また導電性接合材として、シリコーン系の導電樹脂接着剤を例にしているが、他の導電性樹脂接着剤でもよく、例えば、金属バンプや金属メッキバンプのバンプ材、ろう材等を用いてもよい。

また、本発明は、前記したように、圧電振動素子３と集積回路素子２とを用いているが、これに限定されない。圧電振動素子３の個数は任意に設定可能である。

本発明は、さらに集積回路素子２に加えて他の回路部品を搭載してもよい。また、本発明は、前記Ｈ型配置の水晶発振器を例にしているが、上部のみが開口した凹部を有しかつ集積回路素子と圧電振動素子とが凹部内底面に並列した状態で搭載された平置型配置の水晶発振器に適用することができる。

さらに本発明は、集積回路素子用の凹部を有した基板と圧電振動素子用の凹部を有した基板を個別に準備し、これらを厚み方向に積層された状態で搭載された重箱型配置の水晶発振器にも適用することができる。すなわち、ベースに搭載する部材は用途にあわせて設定変更することができる。

また、集積回路素子とベースとの電気的接続は、超音波熱圧着によるフリップチップボンディング工法に限らず、他の工法を採用してもよい。本発明は、前記発振回路構成に限定されず、他の発振用増幅器を含む発振回路構成でもよい。

また、本発明の実施形態では、ベース内部を金属ろう材により封止する例を挙げたが、その封止の形態は、これに限定されるものではなく、シーム封止、例えば、レーザビームや電子ビーム等によるビーム封止や、ガラス封止等でも適用することができる。

なお、本発明は、その思想または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

本発明は、表面実装型の圧電振動発振器に適用できる。

１、７ ベース
２ 集積回路素子
３ 圧電振動素子
４ 蓋
５ 封止材
６、８ 水晶発振器
１０ 収納部
１０ａ 第１の収納部
１０ｂ 第２の収納部
１０ｃ 保持台
１０ｄ 枕部
１１ 底部
１２ 堤部
１３ 堤部
ＮＴ１，ＮＴ２ 第１内部端子パッド
ＮＴ３，ＮＴ４ 第２内部端子パッド
ＮＴ５，ＮＴ６ 第３内部端子パッド
Ｈ１，Ｈ２ 第１配線パターン
Ｈ３，Ｈ４ 第２配線パターン
Ｈ５，Ｈ６ 第３配線パターン
Ｓ 導電樹脂接着剤（導電性接合材）
Ｃ 金属バンプ
Ｖ 導電ビア

Claims (8)

1. 積層基板を含み、かつ、収納部と前記収納部の内底面に形成された複数の内部端子パッドとを備えた絶縁性のベースと、
   矩形状で一主面に前記ベースの内部端子パッドの一部にバンプを介してボンディングされるパッドを有する集積回路素子と、
   前記ベースの内部端子パッドの他の一部に電気機械的に接合され、前記集積回路素子と電気的に接続される圧電振動素子と、
   を備え、
   前記集積回路素子は、前記集積回路素子の第１辺寄りに形成された２つの対向する第１パッドと、前記集積回路素子の第１辺に対向する第２辺寄りに形成された２つの対向する第２パッドと、前記２つの対向する第１パッドそれぞれと、前記２つの対向する第２パッドそれぞれとの間に形成された２つの対向する第３パッドとを有し、前記２つの対向する第２パッドのうちの一方が前記集積回路素子の交流信号出力用となり、
   前記ベースの内部端子パッドは、前記圧電振動素子と電気的に接続されるとともに前記集積回路素子の前記２つの対向する第１パッドそれぞれと接合される２つの対向する第１内部端子パッドと、前記２つの対向する第２パッドそれぞれと接合される２つの対向する第２内部端子パッドと、前記２つの対向する第３パッドそれぞれと接合される２つの対向する第３内部端子パッドとを有し、
   前記２つの対向する第１内部端子パッドそれぞれの周囲の一部に沿って、前記２つの対向する第３内部端子パッドそれぞれと当該２つの対向する第３内部端子パッドそれぞれを延出する２つの第１および第２配線パターンそれぞれとが輻射ノイズ遮断用の第１及び第２導電路としてそれぞれ形成され、
   前記２つの対向する第１内部端子パッドそれぞれと前記２つの対向する第２内部端子パッドそれぞれとが前記第１及び第２導電路それぞれを間にして互いに隔てられた位置に形成されており、
   前記第１及び第２配線パターンそれぞれは、前記２つの対向する第１〜第３内部端子パッドそれぞれと共に、前記収納部の内底面に形成されており、
   前記２つの対向する第３内部端子パッドそれぞれと、前記第１及び第２配線パターンそれぞれは、同一の幅であり、
   前記２つの対向する第１内部端子パッドそれぞれと前記２つの対向する第２内部端子パッドそれぞれは、それぞれの間に位置する前記２つの対向する第３内部端子パッドそれぞれよりも、前記２つの対向する第１内部端子パッドそれぞれと、前記２つの対向する第２内部端子パッドそれぞれと、前記２つの対向する第３内部端子パッドそれぞれとが並設された方向に幅広に形成され、
   前記第１及び第２導電路それぞれに、共に直流電位、または、共に接地電位が印加され、
   前記２つの対向する第１内部端子パッド同士が対向する間隔は、前記２つの対向する第１内部端子パッドそれぞれの対向する方向のパッド幅よりも短く、かつ、前記２つの対向する第３内部端子パッド同士が対向する間隔は、前記２つの対向する第１内部端子パッド同士が対向する間隔と同程度である、表面実装型圧電発振器。
2. 前記ベースは、セラミック基板により構成される請求項１に記載の表面実装型圧電発振器。
3. 前記ボンディングは、フリップチップボンディングである請求項１に記載の表面実装型圧電発振器。
4. 前記導電路は、前記２つの対向する第１内部端子パッドの一方の周囲の一部に沿って、略Ｌ字形状に形成された第１導電路と、前記２つの対向する第１内部端子パッドの他方の周囲の一部に沿って、略Ｌ字形状に形成された第２導電路とを含む、請求項１に記載の表面実装型圧電発振器。
5. 前記２つの対向する第１内部端子パッドは、一方が交流信号入力用、他方が交流信号出力用であり、前記２つの対向する第２パッドと接合される前記２つの対向する第２内部端子パッドは、一方が交流信号出力用、他方が接地用である、請求項４に記載の表面実装型圧電発振器。
6. 前記圧電振動素子は、ＡＴカットされた水晶振動板である請求項１に記載の表面実装型圧電発振器。
7. 前記ベースは、最下層の底部と、中間層の第１堤部と、最上層の第２堤部と、から構成され、前記底部は、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板で構成され、前記第１堤部は、前記底部上にセラミック材料により平面視枠形状に積層され、前記第２堤部は、前記第１ 堤部上にセラミック材料により平面視枠形状に積層され、前記ベースの収納部は、前記第１堤部により形成されて前記集積回路素子が収納される第１収納部と、前記第２堤部により形成されて前記圧電振動素子が収納される第２収納部とにより形成され、前記第１収納部の内底面に、前記第１〜第３内部端子パッドが形成されている、請求項１に記載の表面実装型圧電発振器。
8. 前記ベースは、中間層の中板部と、上層の第３堤部と、下層の第４堤部とから構成され、前記中板部は、セラミック材料により平面視矩形状に形成された一枚板のものであり、前記第３堤部は、前記中板部の上にセラミック材料により平面視枠形状に積層され、前記第４堤部は、前記中板部の下にセラミック材料により平面視枠形状に積層され、前記ベースの収納部は、前記第３堤部により形成されて前記圧電振動素子が収納される第３収納部と、前記第４堤部により形成されて前記集積回路素子が収納される第４収納部とにより形成され、前記第４ 収納部の内底面に、前記第１〜第３内部端子パッドが形成されている、請求項１に記載の表面実装型圧電発振器。

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