JP5072436B2 - 表面実装用の水晶発振器 - Google Patents

表面実装用の水晶発振器 Download PDF

Info

Publication number
JP5072436B2
JP5072436B2 JP2007135967A JP2007135967A JP5072436B2 JP 5072436 B2 JP5072436 B2 JP 5072436B2 JP 2007135967 A JP2007135967 A JP 2007135967A JP 2007135967 A JP2007135967 A JP 2007135967A JP 5072436 B2 JP5072436 B2 JP 5072436B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
container body
electrode
crystal oscillator
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007135967A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008294587A5 (ja
JP2008294587A (ja
Inventor
淳史 堀江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Dempa Kogyo Co Ltd filed Critical Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Priority to JP2007135967A priority Critical patent/JP5072436B2/ja
Priority to US12/124,948 priority patent/US20080290956A1/en
Publication of JP2008294587A publication Critical patent/JP2008294587A/ja
Publication of JP2008294587A5 publication Critical patent/JP2008294587A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5072436B2 publication Critical patent/JP5072436B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73257—Bump and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

本発明は表面実装用の水晶発振器（以下、表面実装発振器とする）を技術分野とし、特にＩＣチップからの放熱効果を高めた表面実装発振器に関する。
（発明の背景）
表面実装発振器は小型・軽量であることから、特に携帯型の電子機器に周波数や時間の基準源として内蔵される。近年では、小型化に伴い、ＩＣチップの発熱による影響が問題視されている。
（従来技術の一例）
第３図は一従来例を説明する図で、同図（ａ）は表面実装発振器の断面図、同図（ｂ）はカバーを除く平面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。
表面実装発振器は容器本体１にＩＣチップ２と水晶片３を収容し、カバー４を被せて密閉封入される。容器本体１は底壁１a、中間枠１ｂ及び上壁１ｃを有する積層セラミックからなり、両端側に内壁段部を有して凹状とする。そして、容器本体１の内底面には例えば中央の水晶端子や、両端側の電源、出力、アース及びスタンバイ端子とする回路端子５を有する。
水晶端子は配線路を経て水晶保持端子６に接続し、これを除く回路端子５は容器本体１の外底面の外部端子７に接続する。ＩＣチップ２は少なくとも発振回路を集積化し、回路機能面の図示しないＩＣ端子が、バンプ８を用いた超音波熱圧着によって凹部の内底面に固着する（所謂フリップチップボンディング）。
水晶片３はＡＴカットとして両主面に励振電極９を有し、引出電極１０の延出した一端部両側が導電性接着剤１１によって容器本体１の一端側の内壁段部に固着される。そして、水晶片３の他端部は他端側の内壁段部の上方に位置して、衝撃時等における振幅の揺れ幅を小さくする。
水晶振動子（水晶片３）の周波数温度特性はＡＴカットしたことにより、常温２５℃近傍に変曲点を有する三次曲線とする（第４図）。三次曲線は切断角度に依存して３次、２次及び１次の係数が変化する。この例では、２５℃近傍以下の温度点に極大値Ｔ1（例えば−５℃）を、２５℃以上の温度点に極小値Ｔ2（同６５℃）を有する切断角度とする。これにより、例えば３次項のみとした直線状の３次曲線に比較し、常温２５℃近傍の発振周波数を公称周波数とすることによって、温度が常温２５℃近傍から低温側及び高温側に変化しても周波数変化を小さくできる。
通常では、極大値Ｔ1から極小値Ｔ2までの傾斜特性（勾配）を緩やかにして、極大値Ｔ1以下及び極小値Ｔ2以上の傾斜特性を急峻にする。これにより、例えば−１０℃から
７０℃までの範囲をα（１０）ppm以内とした温度規格を満足する。水晶発振器の周波数温度特性は、水晶振動子の周波数温度特性が支配的になって基本的にはほぼ同一特性となる。なお、カバー４はシーム溶接やガラス封止等によって容器本体１の開口端面に接合される。
特開２００７−６７９６７号公報
（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の表面実装発振器では、ＩＣチップ２の発熱温度によって、容器本体１内の温度も上昇する。このため、水晶発振器の常温２５℃近傍での発振周波数も変化し、公称周波数からのズレを生じる。このことから、従来では、発振器の組み立て後の公称周波数からのズレを見込んで、例えば水晶片３の切断角度を代えて対応する必要があった。
しかし、表面実装発振器の小型化が進行するほど、例えば平面外形が5.0×3.2ｍｍ、高さが1.2ｍｍ以下になって内積が小さくなるほど、ＩＣチップ２の発熱の影響が大きくなる。この場合、常温２５℃での周波数変化よりも、高温側及び低温側の周波数変化の方が大きくなる。すなわち、前述のように常温時付近での温度に対する傾斜特性よりも、高温側及び低温側での傾斜特性が急峻なため、温度変化に対する周波数変化も大きくなる。
そして、特に８０℃付近以上となる高温側の周波数温度特性は、基準周波数（公称周波数）からの＋方向の周波数偏差Δｆ／ｆも大きくなって、周波数温度特性の上限規格から離れる方向なので問題となる。一方、−２０℃付近以下となる低温側は基準周波数に接近する方向なので、特に問題にはならない。
これらのことから、常温のみならず特に高温側での周波数偏差を規格内にしなければならないので、水晶片３の切断角度を単に代えるのみでは、充分に対応できずに生産性を低下させる問題があった。なお、フリップチップボンディングによる固着なので、回路機能面とは反対面を固着してワイヤーボンディングによって電極を導出する場合に比較して放熱効果が小さいことに起因する。
（発明の目的）
本発明は、ＩＣチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高めた表面実装発振器を提供することを目的とする。
（第１解決手段）
本発明は、特許請求の範囲（請求項１）に示したように、ＩＣチップと水晶片とを収容する凹部を有したセラミックからなる容器本体を備え、前記ＩＣチップの回路機能面が前記容器本体の内底面に電気的・機械的に接続された表面実装用の水晶発振器において、前記ＩＣチップの回路機能面とは反対面に第１電極を形成し、前記容器本体の内部における水平方向の露出面に第２電極を形成し、前記第１電極と前記第２電極とをワイヤーボンディングによって接続した構成とする。そして、前記ＩＣチップと前記凹部との角部を挟んで隣接する２辺を互いに接近させて、前記ＩＣチップの回路機能面と前記容器本体の内底面との間には絶縁性接着剤を塗布し、前記ＩＣチップの外周側面と前記凹部の内周面との間に導電性接着剤を埋設する。これにより、ＩＣチップの外周側面からの放熱を促進するので、放熱効果をさらに高める。
（第２解決手段）
特許請求の範囲の請求項５に示したように、ＩＣチップと水晶片とを収容する凹部を有したセラミックからなる容器本体を備え、前記ＩＣチップにおける回路機能面の一組の対向辺に設けられた複数のＩＣ端子と、前記容器本体の内底面の長手方向に沿った両側領域に設けられて前記ＩＣ端子と対面した複数の回路端子とをバンプを用いて接続してなる表面実装用の水晶発振器において、前記ＩＣチップと前記凹部との角部を挟んで隣接する２辺を互いに接近させて、前記ＩＣチップの回路機能面と前記容器本体の内底面との間には絶縁性接着剤を塗布し、前記ＩＣチップの外周側面と前記凹部の内周面との間に導電性接着剤を埋設した構成とする。
このような第１解決手段の構成であれば、ＩＣチップは回路機能面とその反対面の両主面から放熱される。また、第２解決手段の構成であれば、ＩＣチップの外周側面からの放熱を促進する。したがって、いずれの場合も、ＩＣチップの発熱による周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高められる。
（実施態様項）
本発明の請求項２では、請求項１において、前記第２電極は前記容器本体の外底面に設けられた表面実装用の外部端子と配線路を経て電気的に接続する。これにより、配線路を熱伝導体として第２電極から外部端子に接続して放熱路が確保されるので、さらに放熱効果を高める。
同請求項３では、請求項２において、前記外部端子はアース端子とする。これにより、電気的な影響を少なくする。
同請求項４では、請求項１において、前記容器本体は両端側に内壁段部を有し、前記水晶片の一端部が前記一端側の内壁段部に固着して他端部が前記他端側の内壁段部の上方に位置し、前記他端側の内壁段部は上段と下段とから形成し、前記第２電極は前記下段上に設けられる。これにより、水晶片の他端部がワイヤーボンディングの金線等に接触することを防止する。
同請求項６では、請求項５において、前記凹部の内周面には前記導電性接着剤の埋設用の切欠部を設ける。これにより、請求項５でのＩＣチップと凹部の内周面との間の導電性接着剤の塗布（埋設）を容易にする。
（第１実施形態）
第１図は本発明の第１実施形態を説明する図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は表面実装発振器のカバーを除く平面図である。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
表面実装発振器は前述したように、凹状とした容器本体１の内底面に設けた回路端子５にＩＣチップ２のＩＣ端子をバンプ８を用いた超音波熱圧着を含むフリップチップボンディングによって固着し、励振電極９から引出電極１０の延出した水晶片３の一端部両側を内壁段部に固着してなる。内底面の回路端子は、中央の２個を水晶端子として、両側を電源、出力、アース及びスタンバイ端子とする。
そして、この実施形態では、ＩＣチップ２の回路機能面とは反対面に蒸着やスパッタによってＡu（金）による第１電極１２ａを形成する。また、容器本体１は他端側における中間枠１ｂを第１及び第２中間枠１（ｂ1、１ｂ2）の二層とする。これにより、他端側の内壁段部を上段及び下段から形成する。なお、一端側の内壁段部と他端側の上段とは同一面上とする。
そして、容器本体１における他端側の内壁段部の下段には、第２電極１２ｂを形成する。第２電極１２ｂは予め印刷されて積層セラミックの焼成時に一体的に形成され、例えば表面をＡuメッキとする。ここでは、第２電極１２ｂは図示しないビアホール等を含む配線路によってアース端子としての外部端子５に電気的に接続する。そして、ＩＣチップ２の第１電極１２ａと下段の第２電極１２ｂとをワイヤーボンディングによる金線等によって電気的に接続する。
このような構成であれば、ＩＣチップ２の回路機能面とは反対面からも、第１電極１２ａ、ワイヤーボンディングによる金線及び第２電極１２ｂを経て、ＩＣチップ２の発熱をアース用の外部端子５に伝熱して放熱する。したがって、ＩＣチップ２の両主面から放熱するので、水晶振動子の動作温度の上昇を抑止する。これにより、周波数温度特性への影響を軽減して生産性を高められる。
なお、第２電極１２ｂはアース端子としての外部端子５に接続したが、これ以外の外部端子５に接続しても伝熱路を形成して放熱効果を高める。また、第２電極１２ｂは内壁段部の下段に形成したが、容器本体１の内底面にスペースがある場合は内底面に形成してもよい。要は、容器本体１の内部における水平方向の露出面に第２電極１２ｂを形成すればよい。
また、容器本体１における下段の第２電極１２ｂに伝搬した熱は容器本体１から放熱されるので、外部端子５に接続しなくともその効果は期待できる。さらに、容器本体１の下段は他端側のみに設けたが両端側や全周に設けて、ワイヤーボンディングによる金線を設けて放熱効果を高めてもよい。
（第２実施形態）
第２図は本発明の第２実施形態を説明する図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は表面実装発振器のカバーを除く平面図である。なお、前実施形態と同一部分の説明は簡略又は省略する。
第２実施形態では、ＩＣチップ２と容器本体１との角部を挟んで隣接する２辺を互いに接近させて配置する。この場合、ＩＣチップの中心は容器本体の内底面の中心から偏心する。そして、ＩＣチップ２の回路機能面と容器本体１の内底面との間には絶縁性接着剤１３ａを塗布する。
さらに、互いに隣接したＩＣチップ２の外周側面と容器本体１の凹部（内壁段部）の内周面との間に導電性接着剤１３ｂを塗布して両者間に埋設する。ここでは、他端側における凹部の内周に切欠部１４を設けて、導電性の接着剤１３ｂを注入して塗布する。
このような構成であれば、ＩＣチップ２の外周側面と容器本体の凹部の内周面とが導電性接着剤１３ｂによって熱的に結合する。この場合、導電性接着剤１３ｂは例えば銀粒子を含むので伝熱性に富み、放熱効果を高められる。また、導電性接着剤１３ｂを例えばアース端子としての外部端子５に接続すれば、さらに放熱効果を高める。そして、この第２実施形態の構成を第１実施形態に適用すればさらにまた放熱効果を高める。
（他の事項）
上記の各実施形態ではＩＣチップ２と水晶片３とを同一空間内に収容したが、例えば容器本体を両主面に凹部を有したＨ状とし、一方の凹部に水晶片３を、他方の凹部にＩＣチップ２を収容した場合でも同様に適用できる。さらに、表面実装振動子の底面にＩＣチップを収容した凹状の実装基板を接合した場合でも適用できる。
また、表面実装発振器を温度補償型とした場合は、ＩＣチップ内に設けられた温度検出素子と水晶振動子の動作温度とが異なり、温度補償機構部からの温度補償電圧は実際に補償すべき温度補償電圧からズレを生じる。したがって、この場合でも、本発明は適用できる。
本発明の第１実施形態を説明する表面実装発振器の図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）はカバーを除く平面図である。 本発明の第２実施形態を説明する図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は表面実装発振器のカバーを除く平面図である 従来例を説明する図で、同図（ａ）は表面実装発振器の断面図、同図（ｂ）はカバーを除く平面図、同図（ｃ）は水晶片の平面図である。 従来例の問題点を説明する水晶振動子（水晶発振器）の周波数温度特性図である。
符号の説明
１ 容器本体、２ ＩＣチップ、３ 水晶片、４ カバー、５ 回路端子、６ 水晶保持端子、７ 外部端子、８ バンプ、９ 励振電極、１０ 引出電極、１１、１３ｂ 導電性接着剤、１２ 電極、１３ａ 絶縁性接着剤。

Claims (6)

  1. ＩＣチップと水晶片とを収容する凹部を有したセラミックからなる容器本体を備え、前記ＩＣチップの回路機能面が前記容器本体の内底面に電気的・機械的に接続された表面実装用の水晶発振器において、前記ＩＣチップの回路機能面とは反対面に第１電極を形成し、前記容器本体の内部における水平方向の露出面に第２電極を形成し、前記第１電極と前記第２電極とをワイヤーボンディングによって接続した表面実装用の水晶発振器であって、前記ＩＣチップと前記凹部との角部を挟んで隣接する２辺を互いに接近させて、前記ＩＣチップの回路機能面と前記容器本体の内底面との間には絶縁性接着剤を塗布し、前記ＩＣチップの外周側面と前記凹部の内周面との間に導電性接着剤を埋設したことを特徴とする表面実装用の水晶発振器。
  2. 請求項１において、前記第２電極は前記容器本体の外底面に設けられた表面実装用の外部端子と電気的に接続した表面実装用の水晶発振器。
  3. 請求項２において、前記外部端子はアース端子である表面実装用の水晶発振器。
  4. 請求項１において、前記容器本体は両端側に内壁段部を有し、前記水晶片の一端部が前記一端側の内壁段部に固着して他端部が前記他端側の内壁段部の上方に位置し、前記他端側の内壁段部は上段と下段とから形成し、前記第２電極は前記下段上に設けられた表面実装用の水晶発振器。
  5. ＩＣチップと水晶片とを収容する凹部を有したセラミックからなる容器本体を備え、前記ＩＣチップにおける回路機能面の一組の対向辺に設けられた複数のＩＣ端子と、前記容器本体の内底面の長手方向に沿った両側領域に設けられて前記ＩＣ端子と対面した複数の回路端子とをバンプを用いて接続してなる表面実装用の水晶発振器において、前記ＩＣチップと前記凹部との角部を挟んで隣接する２辺を互いに接近させて、前記ＩＣチップの回路機能面と前記容器本体の内底面との間には絶縁性接着剤を塗布し、前記ＩＣチップの外周側面と前記凹部の内周面との間に導電性接着剤を埋設したことを特徴とする表面実装用の水晶発振器。
  6. 請求項５において、前記凹部の内周面には前記導電性接着剤の埋設用の切欠部を設けた表面実装用の水晶発振器。
JP2007135967A 2007-05-22 2007-05-22 表面実装用の水晶発振器 Expired - Fee Related JP5072436B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007135967A JP5072436B2 (ja) 2007-05-22 2007-05-22 表面実装用の水晶発振器
US12/124,948 US20080290956A1 (en) 2007-05-22 2008-05-21 Surface-mount type crystal oscillator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007135967A JP5072436B2 (ja) 2007-05-22 2007-05-22 表面実装用の水晶発振器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008294587A JP2008294587A (ja) 2008-12-04
JP2008294587A5 JP2008294587A5 (ja) 2010-04-02
JP5072436B2 true JP5072436B2 (ja) 2012-11-14

Family

ID=40071852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007135967A Expired - Fee Related JP5072436B2 (ja) 2007-05-22 2007-05-22 表面実装用の水晶発振器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080290956A1 (ja)
JP (1) JP5072436B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8717108B2 (en) 2011-04-12 2014-05-06 The Boeing Company Resonator device
WO2013128782A1 (ja) * 2012-02-28 2013-09-06 株式会社大真空 表面実装型圧電発振器
CN103837145B (zh) * 2012-11-26 2018-12-28 精工爱普生株式会社 电子器件及其制造方法、盖体、电子设备以及移动体
JP2014110369A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 Seiko Epson Corp ベース基板、振動子、発振器、センサー、電子デバイス、電子機器、および移動体
JP2017034404A (ja) * 2015-07-30 2017-02-09 株式会社大真空 圧電発振器
JP6813682B2 (ja) * 2017-07-21 2021-01-13 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0563136A (ja) * 1991-08-31 1993-03-12 Nec Corp 混成集積回路装置
JPH07336141A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発振器
US5912592A (en) * 1994-07-04 1999-06-15 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator
US5786230A (en) * 1995-05-01 1998-07-28 Motorola, Inc. Method of fabricating multi-chip packages
JP3502511B2 (ja) * 1996-09-18 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3678148B2 (ja) * 1998-12-02 2005-08-03 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス
JP3438709B2 (ja) * 2000-08-31 2003-08-18 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及びその製造方法と圧電発振器の製造方法
JP3612031B2 (ja) * 2001-03-29 2005-01-19 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
JP3842605B2 (ja) * 2001-09-25 2006-11-08 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
US6833768B2 (en) * 2002-03-07 2004-12-21 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface-mount crystal oscillator
JP3967185B2 (ja) * 2002-04-25 2007-08-29 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
JP4072020B2 (ja) * 2002-08-09 2008-04-02 日本電波工業株式会社 表面実装水晶発振器
JP2004297737A (ja) * 2003-02-03 2004-10-21 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP4692722B2 (ja) * 2004-01-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージおよび電子部品
JP4244865B2 (ja) * 2004-06-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器および電子機器
JP4585847B2 (ja) * 2004-12-27 2010-11-24 京セラキンセキ株式会社 水晶発振器及びその製造方法
JP2007073849A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Sharp Corp 電子回路モジュールとその製造方法
US7471162B2 (en) * 2006-04-24 2008-12-30 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface mount type temperature-compensated crystal oscillator

Also Published As

Publication number Publication date
US20080290956A1 (en) 2008-11-27
JP2008294587A (ja) 2008-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008205938A (ja) 表面実装用の水晶振動子
JP5072436B2 (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2009065437A (ja) 水晶デバイス
JP2009004900A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2006013650A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2010141415A (ja) 表面実装用の水晶発振器及びその製造方法
JP2008294585A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2007173974A (ja) 水晶デバイス
JP2007235289A (ja) 圧電発振器
JP2007096881A (ja) 圧電発振器
JP2008283414A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP5300434B2 (ja) 表面実装水晶発振器
JP2012142700A (ja) 圧電発振器
JP2010187263A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP5468240B2 (ja) 表面実装用とした温度補償水晶発振器
JP2008311826A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2008252451A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2007073652A (ja) 圧電振動デバイス
JP6391235B2 (ja) 水晶デバイス
JP2009021726A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP5337635B2 (ja) 電子デバイス
JP5451266B2 (ja) 電子デバイス
JP2010141421A (ja) 表面実装用の水晶発振器
JP2011223232A (ja) 圧電発振器
JP4373309B2 (ja) 電子部品用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100210

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110414

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120724

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120821

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees