JP6055799B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
HEMTは、閾値電圧が負電位となってノーマリオンの特性となりやすい。非特許文献1は、使いやすいノーマリオフの特性を実現するために、ヘテロ接合界面とゲート電極の間にp型の窒化物半導体層を介在させる技術を開示している。
非特許文献1は、p型層を利用してノーマリオフ化したHEMTを開示しているが、SBDを併用しない。非特許文献1では、ダイオードによってHEMTを保護する必要のない回路を用いる。
SBDの形成領域において窒化物半導体除去層が除去されて窒化物半導体残存層が露出している場合、その窒化物半導体残存層にショットキー接合するアノード電極とオーミック接合するカソード電極を形成すれば、SBDが得られるはずである。しかしながら、やってみても良好な整流特性を発揮するSBDが得られない。
特許文献1に開示されているように、共通の窒化物半導体基板にHEMTとSBDを形成することはできるが、p型層を利用してHEMTをノーマリオフ化する技術を用いると、良好な整流特性を発揮するSBDが得られなくなってしまう。非特許文献1では、p型層を利用してHEMTをノーマリオフ化する技術を開示しているが、ダイオードを必要としない回路を利用することで、p型層が結晶成長した積層基板を利用すると良好な整流特性を発揮するSBDが得られないという問題に対処している。
本明細書では、共通の窒化物半導体基板に、p型層を利用してノーマリオフ化したHEMTと、SBDを形成する技術を開示する。
その結果、窒化物半導体除去層をエッチングして窒化物半導体残存層が露出する際に、窒化物半導体残存層の露出面にエッチングダメージが加えられ、そのエッチングダメージによってアノード電極と窒化物半導体残存層がショットキー接合しないためであることが判明した。上記が判明した結果、エッチングダメージが加えられない技術、エッチングダメージが悪影響を与えない技術、あるいはエッチングダメージを修復する技術を採用すれば、窒化物半導体除去層をエッチングすることで露出した窒化物半導体残存層の表面にアノード電極とカソード電極を形成することで、良好な整流特性を発揮するSBDが得られることが判明した。
少なくともHEMTのゲート構造の形成範囲では、窒化物半導体基板が、第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層の表面に結晶成長した第2窒化物半導体層と、第2窒化物半導体層の表面に結晶成長した第3窒化物半導体層の積層構造を備えている。
SBDのアノード電極の形成範囲の少なくとも一部では、窒化物半導体基板が、第1窒化物半導体層と第2窒化物半導体層の積層構造を備えている。すなわち、前記の一部範囲では第3窒化物半導体層が存在しない。SBDのアノード電極は、第2窒化物半導体層の表面に接触している。
上記において、第2窒化物半導体のバンドギャップは第1窒化物半導体のバンドギャップよりも大きく、第3窒化物半導体はp型である。また、少なくともSBDのアノード電極に接触する範囲では、第2窒化物半導体層の表面が、第2窒化物半導体層とアノード電極がショットキー接合する表面に仕上げられている。
前記仕上げ工程が付加されていると、良好な整流特性を発揮するSBDを製造することか可能となる。
(1)例えば、Alを含む窒化物半導体を第2窒化物半導体層に用い、第3窒化物半導体層をエッチングして第2窒化物半導体層を露出させる際に、その露出面を酸化させるガスを用いると、第2窒化物半導体層の露出面をアノード電極にショットキー接合する面に仕上げることができる。
(2)あるいは、バンドギャップが大きい表面層とバンドギャップが小さい深部層によって第2窒化物半導体層を構成し、第3窒化物半導体層をエッチングして表面層を露出させると、第2窒化物半導体層の露出面をアノード電極にショットキー接合する面に仕上げることができる。
(3)あるいは、除去工程で第2窒化物半導体層が露出した窒化物半導体基板を窒素を含むガス中で熱処理すると、その露出面をアノード電極にショットキー接合する面に回復することができる。
(4)あるいは、SBDのアノード電極の形成範囲の少なくとも一部において第3窒化物半導体層をウエットエッチングして第2窒化物半導体層を露出させてもよい。ウエットエッチングすると、第2窒化物半導体層の露出面に生じる損傷が少なく、その露出面にアノード電極を形成するとショットキー接合する表面が得られる。
(第1特徴)第2窒化物半導体層の表面に露出するAlO膜の膜厚が、アノード電極と第2窒化物半導体層の間にはショットキー接合を実現し、カソード電極と第2窒化物半導体層の間にはオーミック接合を実現する厚みに調整されている。
(第2特徴)電子走行層となる第1窒化物半導体層と、電子供給層となる第2窒化物半導体の深部層と、アノード電極と第2窒化物半導体をショットキー接合させる第2窒化物半導体の表面層(製造方法との関係では窒化物半導体残存層となる)と、HEMTをノーマリオフ化する第3窒化物半導体層(製造方法との関係では窒化物半導体除去層となる)の全部が窒化物半導体で形成されている。
(第3特徴)バンドギャップの大小関係が、第1窒化物半導体層<第2窒化物半導体の深部層<第2窒化物半導体の表面層の関係にある。
(第4特徴)第2窒化物半導体の表面層の厚みは数nmであり、アノード電極と第2窒化物半導体の深部層の間をショットキー接合とし、カソード電極と第2窒化物半導体層の間をオーミック接合とする。
(第6特徴)酸素を含むエッチングガスを用いて窒化物半導体除去層をエッチングするのに代えて、酸素を含まないエッチングガスを用いて窒化物半導体除去層をエッチングし、その結果露出した窒化物半導体残存層の表面を酸素プラズマに晒してもよい。酸素プラズマに晒すことで、窒化物半導体残存層の表面にAlO膜が露出する状態が得られる。
(第8特徴)第7特徴の構造を得るためには、エピタキシャル成長の段階で、窒化物半導体残存層の深部層となるAlxGa1−xN層を形成し、その上に窒化物半導体残存層の表面層となるAlzGawIn1−z−wN層を積層し、その上に窒化物半導体除去層となるp型の窒化物半導体層を積層した基板を形成する。HEMTのゲート構造を形成する範囲では、p型の窒化物半導体層を残存させる。その結果、HEMTのゲート構造形成範囲では、AlzGawIn1−z−wNの表面層も残存する。SBDのアノード電極形成範囲では、p型の窒化物半導体層を除去してAlzGawIn1−z−wNの表面層を残存させる。その製造方法によると、AlxGa1−xNの深部層とAlzGawIn1−z−wN(またはその酸化物)の表面層で窒化物半導体残存層を形成し、そのAlzGawIn1−z−wN(またはその酸化物)の表面にアノード電極を形成した構造を得ることができる。
一般に、バンドギャップが小さい深部層とバンドギャップが大きい表面層で窒化物半導体残存層を形成すると、窒化物半導体除去層をエッチングすることで露出した表面層の表面を、アノード電極にショットキー接合する表面に仕上げることができる。
・共通の窒化物半導体基板にノーマリオフ型のHEMTとSBDを形成する。
・その窒化物半導体基板は、第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層の表面に結晶成長した第2窒化物半導体層(窒化物半導体残存層に対応する)と、第2窒化物半導体層の表面に結晶成長した第3窒化物半導体層(窒化物半導体除去層に対応する)の積層構造を備えている。
・第2窒化物半導体のバンドギャップは第1窒化物半導体のそれよりも大きい。
・第3窒化物半導体はp型である。
・HEMTのゲート構造を形成する範囲以外では第3窒化物半導体層が存在しない。
ただし正確にいうと、SBDのアノード電極形成範囲の一部に、第3窒化物半導体層が存在していてもよい。
・第2窒化物半導体層の表面にSBDのアノード電極が形成されている。
・第2窒化物半導体層の表面は、第2窒化物半導体層とアノード電極がショットキー接合する表面に仕上げられている。
従来の技術によると、第2窒化物半導体層の表面にエッチングダメージが加えられるために表面が荒れ、その表面にアノード電極を形成しても第2窒化物半導体層とアノード電極がショットキー接合しない。本技術では、その問題を解決するために、表面にアノード電極を形成すると第2窒化物半導体層とアノード電極がショットキー接合する表面を形成しておく。
図1に示すように、第1実施例の半導体装置では、同じ窒化物半導体基板28に、HEMTとSBDが形成されている。HEMTは範囲Aに形成されており、SBDは範囲Bに形成されている。
図1は、後記するゲート電極16を形成する範囲以外では、第3窒化物半導体層18をエッチングして除去した後を示しており、残存範囲18aのみを示している。
窒化物半導体基板28の使命は、第1窒化物半導体層6と第2窒化物半導体層8のヘテロ接合を提供することにある。バッファ層4は、バッファ層4の表面に第1窒化物半導体層6が結晶成長する基盤となる層であればよく、必ずしも窒化物半導体でなくてもよい。基板2は、基板2の表面にバッファ層4が結晶成長する基盤となる層であればよく、必ずしも窒化物半導体でなくてもよい。基板2に窒化物半導体を利用する場合には、バッファ層4を省略することができる。バッファ層4を利用する場合には、基板2に窒化物半導体以外、たとえばSi基板、SiC基板、あるいはサファイヤ基板を用いることができる。
第3窒化物半導体層18は、p型であって、ヘテロ接合界面に空乏層を形成するものであればよく、必ずしも窒化物半導体でなくてもよい。ただし、第2窒化物半導体層8の表面に結晶成長することから、窒化物半導体の結晶層を用いるのが実際的である。
上記から明らかに、本明細書でいう窒化物半導体基板とは、第1窒化物半導体層6と第2窒化物半導体層8とp型の第3窒化物半導体層18を提供する基板のことをいう。
本実施例では、基板2にSi基板を用い、バッファ層4にAlGaNを用い、第1窒化物半導体層6にi型のGaNを用い、第2窒化物半導体層8にi型のAlxGa1−xNを用い、第3窒化物半導体層18にp型のAlyGa1−yNを用いる。GaNのバンドギャップ<AlxGa1−xNのバンドギャップである。0<x,y≦1である。
ヘテロ接合界面に対向する位置に、p型の第3窒化物半導体層の一部18aが残存している。p型の第3窒化物半導体層18aから第2窒化物半導体層8と第1窒化物半導体層6に向けて空乏層が広がる。ゲート電極16に正電位を加えない状態では、p型の第3窒化物半導体層18aを介してゲート電極16に対向する範囲のヘテロ接合界面が空乏化し、ソース電極14とドレイン電極20の間を電子が移動できない。ソース電極14とドレイン電極20の間がオフとなる。ゲート電極16に正電位を加えると、空乏層が消失し、ソース電極14とドレイン電極20の間が2次元電子ガスでつながれる。ソース電極14とドレイン電極20の間がオンとなる。上記から、範囲Aでは、ノーマリオフ型のHEMTが得られることがわかる。電子が移動する第1窒化物半導体層6はi型であり、電子の移動を阻害する不純物が少ない。このHEMTは、オン抵抗が低い。
なお、ソース電極14,ドレイン電極20,カソード電極26の形成前に、ソース電極14,ドレイン電極20,カソード電極26の形成範囲をエッチングしてAlO膜10を除去しておいてもよい。フッ酸を利用するウエット加工または塩素ガスを利用するドライ加工によって、範囲を定めてAlO膜10を除去することができる。
以下では、第1実施例と同じ部材には同じ参照番号を用いることで、重複説明を省略する。相違点のみを説明する。
図2に示すように、第2実施例の半導体装置では、アノード電極24と第2窒化物半導体層8の接触部が相違する。この実施例では、アノード電極24に接する位置でも、p型の第3窒化物半導体層18の一部18b,18cを残存させる。すなわち、アノード電極24と第2窒化物半導体層8の接触部の左右両側に、p型の第3窒化物半導体層18b,18cが存在する構造とする。
図3の段階:窒化物半導体基板を用意する。これは、基板2の表面にバッファ層4がエピタキシャル成長し、バッファ層4の表面に第1窒化物半導体層6がエピタキシャル成長し、第1窒化物半導体層6の表面に第2窒化物半導体層8がエピタキシャル成長し、第2窒化物半導体層8の表面に第3窒化物半導体層18がエピタキシャル成長した積層構造を備えている。窒化物半導体の場合、不純物を注入してp型に調整することが難しい。基板の形成段階で第3窒化物半導体層18を形成すると、p型の結晶層を成長させることができる。
ドライエッチングの際(少なくも第2窒化物半導体層8の表面が露出する直前の期間)には、酸素を含むガスを用いてドライエッチングする。すると、露出した第2窒化物半導体層8の表面が酸化し、その表面にAlO膜10が形成される。第2窒化物半導体層8はi型のAlGaNで形成されており、そのAlが酸化してAlO膜10が形成される。その後に、マスクを除去する。
上記に代え、酸素を含まないガスで第3窒化物半導体層18をドライエッチングして第2窒化物半導体層8の表面を露出させてもよい。その場合は、その後に第2窒化物半導体層8の表面に酸素プラズマを照射する。それによっても、露出した第2窒化物半導体層8の表面にAlO膜10が露出する状態を得ることができる。
また、p型の窒化物半導体層18aの表面にゲート電極16を形成する。
最後に、パッシベーション膜12を形成する。以上によって、図2に示した構造が製造される。
なお、ソース電極14,ドレイン電極20,カソード電極26の形成前に、ソース電極14,ドレイン電極20,カソード電極26の形成範囲に存在するAlO膜10を除去しておいてもよい。
図7を参照して第3実施例の半導体装置を説明する。本実施例の半導体装置は、図8に示すように、第2窒化物半導体の深部層8と第3窒化物半導体層18の間に、第2窒化物半導体の表面層30が結晶成長した基板を用いて製造する。すなわち、第2窒化物半導体の深部層8と表面層30で、第2窒化物半導体層32とする。
この実施例では、第1窒化物半導体6にGaNを用い、第2窒化物半導体の深部層8にi型のAlxGa1−xNを用い、第2窒化物半導体の表面層30にAlzGawIn1−z−wNを用い、第3窒化物半導体層18にp型のAlyGa1−yNを用いる。それらのバンドギャップは、第1窒化物半導体6<第2窒化物半導体の深部層8<第2窒化物半導体の表面層30の関係にある。第3窒化物半導体層18のバンドギャップに関しては特に制約されない。本実施例では、第3窒化物半導体層18のバンドギャップが、第2窒化物半導体の深部層8のそれにほぼ等しい。
前記したように、第3窒化物半導体層18をエッチングして第2窒化物半導体の深部層8の表面を露出させると、その表面に形成したアノード電極24がショットキー接合しない。それに対して、第3窒化物半導体層18をエッチングして第2窒化物半導体の表面層30の表面を露出させると、第2窒化物半導体の表面層30の表面に形成したアノード電極24がショットキー接合する。第2窒化物半導体の深部層8と第2窒化物半導体の表面層30では、バンドギャップが相違することから、その差異が生じる。
その構造を得るためには、ソース電極14とドレイン電極20とカソード電極26の形成前に、それらの形成位置において第2窒化物半導体の表面層30をエッチングして開口を形成し、その開口を貫通するようにソース電極14とドレイン電極20とカソード電極26を形成すればよい。
第2窒化物半導体の表面層30をエッチングして開口を形成する代わりに、第2窒化物半導体の表面層30の表面にソース電極14とドレイン電極20とカソード電極26を形成し、その後に熱処理してもよい。熱処理することで、ソース電極14とドレイン電極20とカソード電極26を構成する金属が第2窒化物半導体の表面層30内に拡散し、ソース電極14とドレイン電極20とカソード電極26が第2窒化物半導体の深部層8とオーミック接触する結果を得ることができる。熱処理する場合、熱処理後にアノード電極24を形成する。アノード電極24は熱処理されないために、第2窒化物半導体の表面層30を介して第2窒化物半導体の深部層8にショットキー接合する結果を得ることができる。
第3窒化物半導体層18をエッチングして第2窒化物半導体層8の表面を露出させる際に、第2窒化物半導体層8の表面にエッチングダメージが生じる。エッチングダメージの大部分は、窒化物半導体から窒素が抜けることである。そこで、第3窒化物半導体層18が除去されて第2窒化物半導体層8の表面が露出した窒化物半導体基板をアンモニアガスに晒しながら熱処理する。すると、窒化物半導体に窒素が補給され、エッチングダメージが修復される。その後にアノード電極24を形成すると、アノード電極24と第2窒化物半導体層8がショットキー接合する。その場合は、AlO膜が形成されるエッチング条件を採用しなくてもよい。
第3窒化物半導体18をウエットエッチングして第2窒化物半導体層8を露出させてもよい。その場合は、第2窒化物半導体層8の表面にエッチングダメージが加わらない。ウエットエッチング後に露出した第2窒化物半導体層8の表面にアノード電極24を形成すれば、アノード電極24と第2窒化物半導体層8がショットキー接合する。
また、図1に示したゲート電極16の形成範囲にのみ第3窒化物半導体層18aを結晶成長させてもよい。あるいは、図2に示した18a,18b,18cの範囲にのみ第3窒化物半導体層を形成してもよい。第2窒化物半導体層8の表面の局所的範囲をマスクで覆っておいて結晶成長することで、第3窒化物半導体層の結晶成長範囲を選択することができる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
4:バッファ層
6:i型のGaN層(第1窒化物半導体層の実施例)
8:i型のAlGaN層(第2窒化物半導体層の実施例、窒化物半導体残存層の実施例)
10:AlO膜
12:パッシベーション膜
14:ソース電極
16:ゲート電極
18:p型のAlGaN層(第3窒化物半導体層の実施例、窒化物半導体除去層の実施例)
20:ドレイン電極
22:素子分離領域
24:アノード電極
26:カソード電極
28:窒化物半導体基板
30:AlzGawIn1−z−wN(第2窒化物半導体の表面層の実施例)
32:第2窒化物半導体層
Claims (4)
- 共通の窒化物半導体基板にHEMTとSBDが形成されている半導体装置であり、
少なくとも前記HEMTのゲート構造の形成範囲では、前記窒化物半導体基板が、第1窒化物半導体層と、その第1窒化物半導体層の表面に結晶成長した第2窒化物半導体層と、その第2窒化物半導体層の表面に結晶成長した第3窒化物半導体層の積層構造を備えており、
前記SBDのアノード電極の形成範囲の少なくとも一部では、前記窒化物半導体基板が、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層の積層構造を備えており、
前記アノード電極は、前記第2窒化物半導体層の上方に設けられており、
前記第2窒化物半導体のバンドギャップは前記第1窒化物半導体のそれよりも大きく、
前記第3窒化物半導体はp型であり、
少なくとも前記アノード電極が設けられている範囲では、前記第2窒化物半導体層の表面にはAlを含む酸化膜が設けられており、前記アノード電極は、前記酸化膜の表面に設けられており、前記第2窒化物半導体層と前記アノード電極がショットキー接合することを特徴とする半導体装置。 - 前記Alを含む酸化膜が、AlO膜である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記アノード電極の形成範囲の一部では、前記第2窒化物半導体層の表面に前記第3窒化物半導体層が積層されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 共通の窒化物半導体基板にHEMTとSBDが形成されている半導体装置の製造方法であり、
第1窒化物半導体層の表面にAlを含む第2窒化物半導体層を結晶成長させ、その第2窒化物半導体層の表面に第3窒化物半導体層を結晶成長させて窒化物半導体の積層基板を用意する工程と、
前記SBDのアノード電極の形成範囲の少なくとも一部において、前記第3窒化物半導体層を除去して前記第2窒化物半導体層を露出させる除去工程と、
前記第2窒化物半導体の露出面を酸化させるガスを用いて、前記除去工程で露出する前記第2窒化物半導体層の露出面を酸化させ、前記第2窒化物半導体層の表面にAlを含む酸化膜を形成する仕上げ工程と、
前記仕上げ工程後の前記Alを含む酸化膜の表面に、前記アノード電極を形成する工程と、
を備えており、
前記第2窒化物半導体のバンドギャップは前記第1窒化物半導体のそれよりも大きく、
前記第3窒化物半導体はp型であり、
前記仕上げ工程と前記アノード電極を形成する工程の間に、前記Alを含む酸化膜を完全に除去する工程を有さないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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