JP2012178467A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化合物半導体積層構造2の裏面から、化合物半導体積層構造2の少なくともバッファ層2aに不純物、例えばFe,C,B,Ti,Crのうちから選ばれた少なくとも1種類を導入し、バッファ層2aの抵抗値を高くする。
【選択図】図3
Description
本実施形態では、化合物半導体装置として、窒化物半導体のAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
図1〜図4は、第1の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
化合物半導体積層構造2は、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eを有して構成される。
Si基板1上に、AlNを5nm程度の厚みに、i(インテンショナリ・アンドープ)−GaNを1μm程度の厚みに、i−AlGaNを5nm程度の厚みに、n−AlGaNを30nm程度の厚みに、n−GaNを3nm程度の厚みに順次成長する。これにより、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eが形成される。バッファ層2aとしては、AlNの代わりにAlGaNを用いたり、低温成長でGaNを成長するようにしても良い。
詳細には、化合物半導体積層構造2の素子分離領域に、例えばアルゴン(Ar)を注入する。これにより、化合物半導体積層構造2及びSi基板1の表層部分に素子分離構造3が形成される。素子分離構造3により、化合物半導体積層構造2上で活性領域が画定される。
なお、素子分離は、上記の注入法の代わりに、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法を用いて行っても良い。このとき、化合物半導体積層構造2のドライエッチングには、例えば塩素系のエッチングガスを用いる。
詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面におけるソース電極及びドレイン電極の形成予定位置(電極形成予定位置)に電極用リセス2A,2Bを形成する。
化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、電極形成予定位置に相当する化合物半導体積層構造2の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、灰化処理等により除去される。
このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばTa/Alを、例えば蒸着法により、電極用リセス2A,2Bを露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Taの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したTa/Alを除去する。その後、Si基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜1000℃程度の温度、例えば600℃程度で熱処理し、残存したTa/Alを電子供給層2dとオーミックコンタクトさせる。Ta/Alの電子供給層2dとのオーミックコンタクトが得られるのであれば、熱処理が不要な場合もある。以上により、電極用リセス2A,2Bを電極材料の一部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ゲート電極の形成予定位置(電極形成予定位置)に相当する化合物半導体積層構造2の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、灰化処理等により除去される。
詳細には、電極用リセス2Cの内壁面を覆うように、化合物半導体積層構造2上に絶縁材料として例えばAl2O3を堆積する。Al2O3は、例えば原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD法)により膜厚2nm〜200nm程度、ここでは10nm程度に堆積する。これにより、ゲート絶縁膜6が形成される。
詳細には、先ず、ゲート電極及びフィールドプレート電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストをゲート絶縁膜6上に塗布し、ゲート絶縁膜6の電極用リセス2Cの部分を露出させる各開口を形成する。以上により、当該各開口を有するレジストマスクが形成される。
また、電極用リセス2C内にゲート電極7を形成するゲートリセス構造を採用することなく、リセスのない化合物半導体積層構造2上に、ゲート絶縁膜を介して、或いは直接的に、ゲート電極を形成しても良い。
詳細には、Si基板1を裏面1aから例えば化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)、又はドライエッチング、ウェットエッチング等により加工し、0μm〜50μm程度の範囲内の所定厚みまで薄化する。0μmの厚みとは、Si基板1を完全に除去した状態を言う。Si基板1の完全除去を行う場合には、例えばフッ素系ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングで、バッファ層2aの裏面をエッチングストッパーとすることにより、実現可能である。また、例えばフッ酸及び硝酸の混合液をエッチング液に用いたウェットエッチングでも、Si基板1をバッファ層2aに対して選択的に完全除去することができる。
Si基板1を例えば50μm程度の厚みに残存させた場合を図3(a)に、Si基板1を完全に除去した場合を図4(a)にそれぞれ示す。
詳細には、Si基板1の裏面1a又はバッファ層2aの裏面2aaに、バッファ層2aを高抵抗化する(電気抵抗値を高くする)不純物をイオン注入する。このイオン注入により、裏面1a又は裏面2aaから、バッファ層2a及び電子走行層2bの一部まで不純物が導入され、導入部位に高抵抗領域8が形成される。不純物としては、Fe,C,B,Ti,Crの各イオンのうちから選ばれた少なくとも1種類、ここではFeイオンを用いる。イオン注入の条件は、例えばドーズ量を1×1013/cm2〜1×1015/cm2程度、加速エネルギーを50keV〜1000keV程度とする。
また、特に図3(a)でSi基板1を完全に除去した場合には、その後の例えばダイシング工程等において、素子上に所定の補強部材を被覆し、素子の損壊等を防止することが考えられる。
即ち、本実施形態によれば、バッファ層2aの結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層2aを高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTが実現する。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaN・HEMTの構成及び製造方法を開示するが、高抵抗領域形成のためのイオン注入工程が異なる点で相違する。なお、第1の実施形態の構成部材等と同一のものについては、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図5及び図6は、第2の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
続いて、第1の実施形態と同様に、図3(a)又は図4(a)の工程を実行する。これにより、Si基板1が所定厚みに残存(図3(a))、或いは完全に除去される(図4(a))。
詳細には、Si基板1の裏面1a又はバッファ層2aの裏面2aaに、レジストを塗布し、リソグラフィーにより加工する。これにより、Si基板1の裏面1a又はバッファ層2aの裏面2aaのゲート電極7に位置整合する部位、即ちチャネルに位置整合する部位を露出する開口11aを有するレジストマスク11が形成される。
Si基板1の裏面1a上にレジストマスク11を形成する場合を図5(a)に、バッファ層2aの裏面2aa上にレジストマスク11を形成する場合を図6(a)にそれぞれ示す。
詳細には、レジストマスク11をイオン注入のマスクとして用いて、Si基板1の裏面1a又はバッファ層2aの裏面2aaに、バッファ層2aを高抵抗化する不純物をイオン注入する。このイオン注入により、開口11aに露出する裏面1aから、又は開口11aに露出する裏面2aaから、バッファ層2a及び電子走行層2bの一部まで不純物が導入される。これにより、バッファ層2a及び電子走行層2bの一部で開口11aに整合する箇所に、局所的な高抵抗領域9が形成される。不純物としては、Fe,C,B,Ti,Crの各イオンのうちから選ばれた少なくとも1種類、ここではFeイオンを用いる。イオン注入の条件は、例えばドーズ量を1×1013/cm2〜1×1015/cm2程度、加速エネルギーを50keV〜1000keV程度とする。
また、高抵抗領域9は、幅方向で上方のチャネル領域に位置整合する部位のみに局所的に形成される。バッファ層2aのうちで主にチャネル領域下に相当する箇所は、オフリーク電流の経路となり得る。本実施形態では、当該箇所に高抵抗領域9を形成するため、イオン注入によるバッファ層2aの結晶破壊を可及的に抑えて、オフリーク電流を実効的に抑制することができる。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaN・HEMTの構成及び製造方法を開示するが、高抵抗領域形成のためのイオン注入工程が異なる点で相違する。なお、第1の実施形態の構成部材等と同一のものについては、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図7〜図9は、第3の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
詳細には、Si基板1を裏面1aから例えばCMP、又はドライエッチング、ウェットエッチング等により加工し、50μm〜100μm程度の範囲内の所定厚み、例えば50μm程度まで薄化する。
詳細には、Si基板1の裏面1aを、例えばボッシュ(Bosch)プロセスにより加工する。Boschプロセスとは、側壁堆積ガスとエッチングガスとを交互に供給するSiの高アスペクト比の深掘りエッチング技術である。Boschプロセスの代わりに、通常のリソグラフィー及びドライエッチングを用いることも可能である。これにより、Si基板1の裏面1aのゲート電極7に位置整合する部位、即ちチャネルに位置整合する部位に凹部が形成される。凹部としては、底部にSi基板を薄く残存させる窪み1Aとして形成するか(図8(a))、或いはバッファ層2aの裏面2aaの一部を露出させる開口1Bとして形成する(図9(a))。
詳細には、Si基板1をイオン注入のマスクとして用いて、Si基板1の裏面1aに、バッファ層2aを高抵抗化する不純物をイオン注入する。このイオン注入により、Si基板1の窪み1Aから底部に残存する部分を透過して、或いは開口1Bから、バッファ層2a及び電子走行層2bの一部まで不純物が導入される。これにより、バッファ層2a及び電子走行層2bの一部で窪み1A又は開口1Bに整合する箇所に、局所的な高抵抗領域10が形成される。不純物としては、Fe,C,B,Ti,Crの各イオンのうちから選ばれた少なくとも1種類、ここではFeイオンを用いる。イオン注入の条件は、例えばドーズ量を1×1013/cm2〜1×1015/cm2程度、加速エネルギーを50keV〜1000keV程度とする。このイオン注入の条件であれば、Si基板1がマスクとなって窪み1A又は開口1Bの部位のみに不純物が導入されることになる。
また、高抵抗領域10は、幅方向で上方のチャネル領域に位置整合する部位のみに局所的に形成される。バッファ層2aのうちで主にチャネル領域下に相当する箇所は、オフリーク電流の経路となり得る。本実施形態では、当該箇所に高抵抗領域10を形成するため、イオン注入によるバッファ層2aの結晶破壊を可及的に抑えて、オフリーク電流を実効的に抑制することができる。
また、Si基板1をある程度残した状態でイオン注入等を行うため、その後の例えばダイシング工程等における懸念がなく、ハンドリング等の点で有利となり、AlGaN/GaN・HEMTの確実な作製が可能となる。
本実施形態では、第1〜第3の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを適用した電源装置を開示する。
図10は、第4の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。
一次側回路21は、交流電源24と、いわゆるブリッジ整流回路25と、複数(ここでは4つ)のスイッチング素子26a,26b,26c,26dとを備えて構成される。また、ブリッジ整流回路25は、スイッチング素子26eを有している。
二次側回路22は、複数(ここでは3つ)のスイッチング素子27a,27b,27cを備えて構成される。
本実施形態では、第1〜第3の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを適用した高周波増幅器を開示する。
図11は、第5の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。
ディジタル・プレディストーション回路31は、入力信号の非線形歪みを補償するものである。ミキサー32aは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号をミキシングするものである。パワーアンプ33は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅するものであり、第1〜第3の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを有している。なお図11では、例えばスイッチの切り替えにより、出力側の信号をミキサー32bで交流信号とミキシングしてディジタル・プレディストーション回路31に送出できる構成とされている。
第1〜第5の実施形態では、化合物半導体装置としてAlGaN/GaN・HEMTを例示した。化合物半導体装置としては、AlGaN/GaN・HEMT以外にも、以下のようなHEMTに適用できる。
本例では、化合物半導体装置として、InAlN/GaN・HEMTを開示する。
InAlNとGaNは、組成によって格子定数を近くすることが可能な化合物半導体である。この場合、上記した第1〜第5の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlN、電子供給層がn−InAlN、キャップ層がn−GaNで形成される。また、この場合のピエゾ分極がほとんど発生しないため、2次元電子ガスは主にInAlNの自発分極により発生する。
本例では、化合物半導体装置として、InAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
GaNとInAlGaNは、後者の方が前者よりも組成によって格子定数を小さくすることができる化合物半導体である。この場合、上記した第1〜第5の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlGaN、電子供給層がn−InAlGaN、キャップ層がn−GaNで形成される。
前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層において局所的に、前記バッファ層の他の部位よりも抵抗値の高い領域が形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。
前記領域は、前記化合物半導体積層構造の少なくとも前記バッファ層において、前記電極の下方に位置整合する部位に局所的に形成されることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。
前記化合物半導体積層構造の前記凹部に位置整合する部位に前記領域が形成されていることを特徴とする付記5に記載の化合物半導体装置。
前記化合物半導体積層構造の裏面から、前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層に不純物を導入し、前記バッファ層の抵抗値を高くすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
前記薄化加工の後、前記化合物半導体積層構造に前記不純物を導入することを特徴とする付記9に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記領域を、前記電極の下方に位置整合する部位に局所的に形成することを特徴とする付記11に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記基板の裏面から前記化合物半導体積層構造に前記不純物を導入して前記領域を形成することを特徴とする付記11又は12に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体積層構造を備えており、
前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層において局所的に、前記バッファ層の他の部位よりも抵抗値の高い領域が形成されていることを特徴とする電源回路。
トランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体積層構造を備えており、
前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層において局所的に、前記バッファ層の他の部位よりも抵抗値の高い領域が形成されていることを特徴とする高周波増幅器。
1a,2aa 裏面
1A 窪み
1B,11a 開口
2 化合物半導体積層構造
2a バッファ層
2b 電子走行層
2c 中間層
2d 電子供給層
2e キャップ層
2A,2B,2C 電極用リセス
3 素子分離構造
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8,9,10 高抵抗領域
11 レジストマスク
21 一次側回路
22 二次側回路
23 トランス
24 交流電源
25 ブリッジ整流回路
26a,26b,26c,26d,26e,27a,27b,27c スイッチング素子
31 ディジタル・プレディストーション回路
32a,32b ミキサー
33 パワーアンプ
Claims (10)
- 化合物半導体積層構造を備えており、
前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層において局所的に、前記バッファ層の他の部位よりも抵抗値の高い領域が形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記化合物半導体積層構造の上方に形成された電極を更に含み、
前記領域は、前記化合物半導体積層構造の少なくとも前記バッファ層において、前記電極の下方に位置整合する部位に局所的に形成されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。 - 前記領域は、不純物が導入されて形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体装置。
- 前記化合物半導体積層構造が形成される基板を更に含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記基板の裏面に凹部が形成されており、
前記化合物半導体積層構造の前記凹部に位置整合する部位に前記領域が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の化合物半導体装置。 - 化合物半導体積層構造を備えた化合物半導体装置の製造方法であって、
前記化合物半導体積層構造の裏面から、前記化合物半導体積層構造の少なくともバッファ層に不純物を導入し、前記バッファ層の抵抗値を高くすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記化合物半導体積層構造が形成される基板を薄化加工する工程を更に含み、
前記薄化加工の後、前記化合物半導体積層構造に前記不純物を導入することを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 少なくとも前記バッファ層に、局所的に前記不純物を導入し、前記バッファ層の他の部位よりも抵抗値の高い領域を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記化合物半導体積層構造の上方に電極を形成する工程を更に含み、
前記領域を、前記電極の下方に位置整合する部位に局所的に形成することを特徴とする請求項8に記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 前記化合物半導体積層構造が形成される基板の裏面に凹部を形成する工程を更に含み、
前記基板の裏面から前記化合物半導体積層構造に前記不純物を導入して前記領域を形成することを特徴とする請求項8又は9に記載の化合物半導体装置の製造方法。
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