JP2012178416A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化合物半導体積層構造2に形成された電極用リセス2Cを、ゲート絶縁膜6を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極7を形成すると共に、化合物半導体積層構造2に形成された電極用リセス2Dを、少なくとも電極用リセス2Dの底面で化合物半導体積層構造2と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造2とショットキー接触するフィールドプレート電極8を形成する。
【選択図】図3
Description
なお、以下の図面において、図示の便宜上、相対的に正確な大きさ及び厚みに示していない構成部材がある。
本実施形態では、化合物半導体装置としてMIS型のAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
図1〜図3は、第1の実施形態によるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
化合物半導体積層構造2は、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eを有して構成される。
Si基板1上に、AlNを0.1μm程度の厚みに、i(インテンショナリ・アンドープ)−GaNを3μm程度の厚みに、i−AlGaNを5nm程度の厚みに、n−AlGaNを30nm程度の厚みに、n−GaNを10nm程度の厚みに順次成長する。これにより、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eが形成される。
詳細には、化合物半導体積層構造2の素子分離領域に、例えばアルゴン(Ar)を注入する。これにより、化合物半導体積層構造2及びSi基板1の表層部分に素子分離構造3が形成される。素子分離構造3により、化合物半導体積層構造2上で活性領域が画定される。
なお、素子分離は、上記の注入法の代わりに、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法を用いて行っても良い。このとき、化合物半導体積層構造2のドライエッチングには、例えば塩素系のエッチングガスを用いる。
詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面におけるソース電極及びドレイン電極の形成予定位置(電極形成予定位置)に電極用リセス2A,2Bを形成する。
化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、電極形成予定位置に相当する化合物半導体積層構造2の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、灰化処理等により除去される。
このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばTa/Alを、例えば蒸着法により、電極用リセス2A,2Bを露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Taの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したTa/Alを除去する。その後、Si基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜1000℃の温度、例えば600℃程度で熱処理し、残存したTa/Alを電子供給層2dとオーミックコンタクトさせる。Ta/Alの電子供給層2dとのオーミックコンタクトが得られるのであれば、熱処理が不要な場合もある。以上により、電極用リセス2A,2Bを電極材料の一部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、ゲート電極の形成予定位置(電極形成予定位置)に相当する化合物半導体積層構造2の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。
レジストマスクは、灰化処理等により除去される。
詳細には、電極用リセス2Cの内壁面を覆うように、化合物半導体積層構造2上に絶縁材料として例えばAl2O3を堆積する。Al2O3は、例えば原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD法)により膜厚2nm〜200nm程度、ここでは10nm程度に堆積する。これにより、ゲート絶縁膜6が形成される。
詳細には、先ず、ゲート絶縁膜6上にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、フィールドプレート電極の形成予定位置(電極形成予定位置)に相当するゲート絶縁膜6の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。なお、この電極形成予定位置は、ゲート電極の電極用リセス2Cとドレイン電極5との間における所定箇所とされる。
レジストマスクは、灰化処理等により除去される。
詳細には、先ず、ゲート電極及びフィールドプレート電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストをゲート絶縁膜6上に塗布し、ゲート絶縁膜6の電極用リセス2Cの部分と電極用リセス2Dとをそれぞれ露出させる各開口を形成する。以上により、当該各開口を有するレジストマスクが形成される。
詳細には、CVD法等により、ソース電極4及びドレイン電極5、並びにゲート電極7及びフィールドプレート電極8を覆うように、Si基板1の全面に絶縁物、例えばSiNを堆積する。これにより、層間絶縁膜9が形成される。
詳細には、先ず、リソグラフィー及びドライエッチングにより層間絶縁膜9及びゲート絶縁膜6を加工する。これにより、ソース電極4及びフィールドプレート電極8の各表面の一部を露出する開口9a,9bが形成される。
堆積されたAuを、リソグラフィー及びドライエッチングにより加工する。以上により、層間絶縁膜9上に、開口9a,9b内を導電材料で埋め込んでソース電極4とフィールドプレート電極8とを電気的に接続する配線層11が形成される。
フィールドプレート電極8は、化合物半導体積層構造2(ここではキャップ層2e)とショットキー接触する。この構造では、フィールドプレート電極8下にゲート絶縁膜6が存在しない。そのため、フィールドプレート電極8による2DEGへの十分な作用が確保されて寄生容量Cgdが低下し、Cgd/Cgsが小さくなってデバイス動作の高速化に寄与する。
以下、第1の実施形態よるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの変形例について説明する。
図5は、第1の実施形態の変形例によるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
化合物半導体積層構造2は、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層22を有して構成される。
なお、この積層構造のキャップ層としては、上記の場合以外にも、例えばn−GaNとAlNとが順次積層された2層構造としたり、或いは4層以上の積層構造とすることも考えられる、
このとき、化合物半導体積層構造21の電極用リセス21A,21Bにはソース電極4及びドレイン電極5が形成され、化合物半導体積層構造21上には電極用リセス21Cの内壁面を覆うようにゲート絶縁膜6が形成される。
詳細には、先ず、ゲート絶縁膜6上にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、フィールドプレート電極の形成予定位置(電極形成予定位置)に相当するゲート絶縁膜6の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。なお、この電極形成予定位置は、ゲート電極の電極用リセス21Cとドレイン電極5との間における所定箇所とされる。
レジストマスクは、灰化処理等により除去される。
なお、電極用リセス21Dは、電極用リセス21Cよりも浅いという制限の下で、電子供給層2dの表面が露出するまでキャップ層22をエッチングして形成したり、また電子供給層2dのより深い箇所までエッチングして形成することも考えられる。
続いて、第1の実施形態の図3(b)〜図3(c)と同様の諸工程を実行し、ソース電極4とフィールドプレート電極8とが、配線層11により電気的に接続される。このときの様子を図5(c)に示す。
ゲート電極7の電極用リセス2E、フィールドプレート電極8の電極用リセス2Fは共に電子供給層2dの途中までドライエッチングにより掘り込まれて形成される。この場合、化合物半導体積層構造2の表面(電子供給層2dの表面)を基準として見た場合に、電極用リセス2Fは電極用リセス2Eよりも浅く形成される。
このディスクリートパッケージでは、上述したAlGaN/GaN・HEMTのチップが搭載される。以下、第1の実施形態及び変形例によるAlGaN/GaN・HEMTのチップ(以下、HEMTチップと言う)のディスクリートパッケージについて例示する。
HEMTチップ30では、その表面に、上述したAlGaN/GaN・HEMTのドレイン電極が接続されたドレインパッド31と、ゲート電極が接続されたゲートパッド32と、ソース電極が接続されたソースパッド33とが設けられている。
ディスクリートパッケージを作製するには、先ず、HEMTチップ30を、ハンダ等のダイアタッチ剤41を用いてリードフレーム42に固定する。リードフレーム42にはドレインリード42aが一体形成されており、ゲートリード42b及びソースリード42cがリードフレーム42と別体として離間して配置される。
その後、モールド樹脂44を用いて、トランスファーモールド法によりHEMTチップ30を樹脂封止し、リードフレーム42を切り離す。以上により、ディスクリートパッケージが形成される。
本実施形態では、第1の実施形態及びその変形例から選ばれたAlGaN/GaN・HEMTを備えたPFC(Power Factor Correction)回路を開示する。
図9は、PFC回路を示す結線図である。
本実施形態では、第1の実施形態及びその変形例から選ばれたAlGaN/GaN・HEMTを備えた電源装置を開示する。
図10は、第3の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。
一次側回路61は、第2の実施形態によるPFC回路50と、PFC回路50のコンデンサ55の両端子間に接続されたインバータ回路、例えばフルブリッジインバータ回路60とを有している。フルブリッジインバータ回路60は、複数(ここでは4つ)のスイッチ素子64a,64b,64c,64dを備えて構成される。
二次側回路62は、複数(ここでは3つ)のスイッチ素子65a,65b,65cを備えて構成される。
本実施形態では、第1の実施形態及びその変形例から選ばれたAlGaN/GaN・HEMTを備えた高周波増幅器を開示する。
図11は、第4の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。
ディジタル・プレディストーション回路71は、入力信号の非線形歪みを補償するものである。ミキサー72aは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号をミキシングするものである。パワーアンプ73は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅するものであり、第1の実施形態及びその変形例から選ばれたAlGaN/GaN・HEMTを有している。なお図11では、例えばスイッチの切り替えにより、出力側の信号をミキサー72bで交流信号とミキシングしてディジタル・プレディストーション回路71に送出できる構成とされている。
第1の実施形態及び変形例、並びに第2〜第4の実施形態では、化合物半導体装置としてAlGaN/GaN・HEMTを例示した。化合物半導体装置としては、AlGaN/GaN・HEMT以外にも、以下のようなHEMTに適用できる。
本例では、化合物半導体装置として、InAlN/GaN・HEMTを開示する。
InAlNとGaNは、組成によって格子定数を近くすることが可能な化合物半導体である。この場合、上記した第1の実施形態及び変形例、並びに第2〜第4の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlN、電子供給層がn−InAlN、キャップ層がn−GaNで形成される。また、この場合のピエゾ分極がほとんど発生しないため、2次元電子ガスは主にInAlNの自発分極により発生する。
本例では、化合物半導体装置として、InAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
GaNとInAlGaNは、後者の方が前者よりも組成によって格子定数を小さくすることができる化合物半導体である。この場合、上記した第1の実施形態及び変形例、並びに第2〜第4の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlGaN、電子供給層がn−InAlGaN、キャップ層がn−GaNで形成される。
前記第1のリセス内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2のリセス内に形成され、前記化合物半導体積層構造とショットキー接触するフィールドプレート電極と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置。
前記第2のリセスは、前記キャップ層のみに形成されていることを特徴とする付記1又は2に記載の化合物半導体装置。
前記第1層及び前記第3層は、前記化合物半導体積層構造における前記キャップ層下の化合物半導体層よりもバンドギャップが狭く、前記第2層は、前記化合物半導体層よりもバンドギャップが広いことを特徴とする付記3に記載の化合物半導体装置。
前記フィールドプレート電極は、前記ソース電極と電気的に接続されていることを特徴とする付記1〜5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
前記第1のリセス内にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記化合物半導体積層構造の表層に第2のリセスを形成する工程と、
前記第1のリセス内に、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記第2のリセス内に、前記化合物半導体積層構造とショットキー接触するフィールドプレート電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
前記第2のリセスは、前記キャップ層のみに形成されることを特徴とする付記7〜9のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記第1層及び前記第3層は、前記化合物半導体積層構造における前記キャップ層下の化合物半導体層よりもバンドギャップが狭く、前記第2層は、前記化合物半導体層よりもバンドギャップが広いことを特徴とする付記10に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記フィールドプレート電極と前記ソース電極とを電気的に接続する工程と
を更に含むことを特徴とする付記7〜11のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
第1のリセス及び第2のリセスが形成された化合物半導体積層構造と、
前記第1のリセス内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2のリセス内に形成され、前記化合物半導体積層構造とショットキー接触するフィールドプレート電極と
を含むことを特徴とする電源装置。
前記PFC回路に設けられる第1のスイッチ素子が前記トランジスタとされていることを特徴とする付記14に記載の電源装置。
前記インバータ回路に設けられる第2のスイッチ素子が前記トランジスタとされていることを特徴とする付記15に記載の電源装置。
トランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
第1のリセス及び第2のリセスが形成された化合物半導体積層構造と、
前記第1のリセス内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2のリセス内に形成され、前記化合物半導体積層構造とショットキー接触するフィールドプレート電極と
を含むことを特徴とする高周波増幅器。
2,21 化合物半導体積層構造
2a バッファ層
2b 電子走行層
2c 中間層
2d 電子供給層
2e,22 キャップ層
2A,2B,2C,2D,2E,2F,21A,21B,21C,21D 電極用リセス
3 素子分離構造
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 フィールドプレート電極
9 層間絶縁膜
9a,9b 開口
11 配線層
22a,22c n−GaN
22b AlN
30 HEMTチップ
31 ドレインパッド
32 ゲートパッド
33 ソースパッド
41 ダイアタッチ剤
42 リードフレーム
42a ドレインリード
42b ゲートリード
42c ソースリード
43 Alワイヤ
44 モールド樹脂
50 PFC回路
51,64a,64b,64c,64d,65a,65b,65c スイッチ素子
52 ダイオード
53 チョークコイル
54,55 コンデンサ
56 ダイオードブリッジ
60 フルブリッジインバータ回路
61 一次側回路
62 二次側回路
63 トランス
71 ディジタル・プレディストーション回路
72a,72b ミキサー
73 パワーアンプ
Claims (10)
- 第1のリセス及び第2のリセスが形成された化合物半導体積層構造と、
前記第1のリセス内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第2のリセス内に形成され、前記化合物半導体積層構造とショットキー接触するフィールドプレート電極と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記第2のリセスは、前記第1のリセスよりも浅く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
- 前記化合物半導体積層構造は、最上層にキャップ層を有しており、
前記第2のリセスは、前記キャップ層のみに形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体装置。 - 前記キャップ層は、第1層、第2層、及び第3層が順次積層されてなり、
前記第1層及び前記第3層は、前記化合物半導体積層構造における前記キャップ層下の化合物半導体層よりもバンドギャップが狭く、前記第2層は、前記化合物半導体層よりもバンドギャップが広いことを特徴とする請求項3に記載の化合物半導体装置。 - 前記第2のリセスは、その底面に前記第2層が露出するように形成されていることを特徴とする請求項4に記載の化合物半導体装置。
- 化合物半導体積層構造の表層に第1のリセスを形成する工程と、
前記第1のリセス内にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記化合物半導体積層構造の表層に第2のリセスを形成する工程と、
前記第1のリセス内に、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記第2のリセス内に、前記化合物半導体積層構造とショットキー接触するフィールドプレート電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記第2のリセスは、前記第1のリセスよりも浅く形成されることを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極と前記フィールドプレート電極とを、同一工程で形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の化合物半導体装置の製造方法。
- 前記化合物半導体積層構造は、最上層にキャップ層を有しており、
前記第2のリセスは、前記キャップ層のみに形成されることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 前記キャップ層は、第1層、第2層、及び第3層が順次積層されてなり、
前記第1層及び前記第3層は、前記化合物半導体積層構造における前記キャップ層下の化合物半導体層よりもバンドギャップが狭く、前記第2層は、前記化合物半導体層よりもバンドギャップが広いことを特徴とする請求項9に記載の化合物半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|
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TW (1) | TWI452696B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015230987A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
KR20160001744A (ko) * | 2014-06-26 | 2016-01-07 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 및 그 제작 방법 |
US9502549B2 (en) | 2013-04-23 | 2016-11-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP2017017311A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 蘇州能訊高能半導体有限公司Dynax Semiconductor,Inc. | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
EP3321960A1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10431657B1 (en) | 2018-03-13 | 2019-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2020150193A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103109369B (zh) * | 2010-06-24 | 2016-04-06 | 富士通株式会社 | 半导体装置 |
US8772833B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-07-08 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Power semiconductor device and fabrication method thereof |
US10002957B2 (en) * | 2011-12-21 | 2018-06-19 | Power Integrations, Inc. | Shield wrap for a heterostructure field effect transistor |
JP2013157407A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014017423A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP6064483B2 (ja) | 2012-09-21 | 2017-01-25 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9679981B2 (en) * | 2013-06-09 | 2017-06-13 | Cree, Inc. | Cascode structures for GaN HEMTs |
JP6194769B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-09-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2015077647A2 (en) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Cambridge Electronics, Inc. | Electric field management for a group iii-nitride semiconductor |
TWI548087B (zh) | 2014-06-06 | 2016-09-01 | 台達電子工業股份有限公司 | 半導體裝置與其之製造方法 |
US9571093B2 (en) | 2014-09-16 | 2017-02-14 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge driver circuits |
US9647476B2 (en) | 2014-09-16 | 2017-05-09 | Navitas Semiconductor Inc. | Integrated bias supply, reference and bias current circuits for GaN devices |
US9960154B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-05-01 | Navitas Semiconductor, Inc. | GaN structures |
JP6478395B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-03-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置 |
JP6299665B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2018-03-28 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US9991225B2 (en) * | 2015-06-23 | 2018-06-05 | Texas Instruments Incorporated | High voltage device with multi-electrode control |
US10056478B2 (en) * | 2015-11-06 | 2018-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | High-electron-mobility transistor and manufacturing method thereof |
CN106935642A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 北京大学 | 高电子迁移率晶体管和存储器芯片 |
US9831867B1 (en) | 2016-02-22 | 2017-11-28 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge driver circuits |
CN107230719A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 北京大学 | 高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
CN106653837B (zh) * | 2016-12-02 | 2019-09-13 | 电子科技大学 | 一种氮化镓双向开关器件 |
TWI722166B (zh) * | 2017-04-10 | 2021-03-21 | 聯穎光電股份有限公司 | 高電子遷移率電晶體 |
CN108807524B (zh) * | 2017-09-06 | 2021-11-02 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
US11043563B2 (en) * | 2018-03-12 | 2021-06-22 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor devices and methods for fabricating the same |
WO2020220590A1 (zh) * | 2019-04-29 | 2020-11-05 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块和空调器 |
CN109921675A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-06-21 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块和空调器 |
US11855198B2 (en) * | 2020-04-09 | 2023-12-26 | Qualcomm Incorporated | Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity |
JP2021197568A (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
JP2021197611A (ja) * | 2020-06-12 | 2021-12-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005244072A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2007007589A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2008071998A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008227501A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Cree Inc | 窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法 |
JP2009088097A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置とその製造方法 |
JP2010147387A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
WO2011011261A2 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Triquint Semiconductor, Inc. | Enhancement-mode gallium nitride high electron mobility transistor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4568118B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | パワー半導体素子 |
JP3940699B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
US7550783B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-06-23 | Cree, Inc. | Wide bandgap HEMTs with source connected field plates |
US9773877B2 (en) * | 2004-05-13 | 2017-09-26 | Cree, Inc. | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates |
US7714359B2 (en) * | 2005-02-17 | 2010-05-11 | Panasonic Corporation | Field effect transistor having nitride semiconductor layer |
JP2008071988A (ja) | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP5319084B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5417693B2 (ja) | 2007-08-22 | 2014-02-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5487615B2 (ja) | 2008-12-24 | 2014-05-07 | サンケン電気株式会社 | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
US8168486B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-05-01 | Intersil Americas Inc. | Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011039921A patent/JP5866773B2/ja active Active
- 2011-12-14 US US13/325,972 patent/US8765554B2/en active Active
- 2011-12-28 TW TW100149135A patent/TWI452696B/zh active
- 2011-12-29 CN CN201110452379.6A patent/CN102651393B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005244072A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2007007589A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2008071998A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008227501A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Cree Inc | 窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法 |
JP2009088097A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置とその製造方法 |
JP2010147387A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
WO2011011261A2 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Triquint Semiconductor, Inc. | Enhancement-mode gallium nitride high electron mobility transistor |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502549B2 (en) | 2013-04-23 | 2016-11-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP2015230987A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
KR20160001744A (ko) * | 2014-06-26 | 2016-01-07 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 및 그 제작 방법 |
KR102135163B1 (ko) * | 2014-06-26 | 2020-07-20 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 및 그 제작 방법 |
JP2017017311A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 蘇州能訊高能半導体有限公司Dynax Semiconductor,Inc. | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2018107462A (ja) * | 2015-06-26 | 2018-07-05 | 蘇州能訊高能半導体有限公司Dynax Semiconductor,Inc. | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
US11342290B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-05-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP3321960A1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10600744B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-03-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11901316B2 (en) | 2016-11-15 | 2024-02-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10431657B1 (en) | 2018-03-13 | 2019-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
CN111697063A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
CN111697063B (zh) * | 2019-03-15 | 2023-12-12 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
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