JP2017017311A - 半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
半導体デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017017311A JP2017017311A JP2016077879A JP2016077879A JP2017017311A JP 2017017311 A JP2017017311 A JP 2017017311A JP 2016077879 A JP2016077879 A JP 2016077879A JP 2016077879 A JP2016077879 A JP 2016077879A JP 2017017311 A JP2017017311 A JP 2017017311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- source
- semiconductor device
- semiconductor
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 11
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 10
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 40
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 41
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
基板と、
前記基板上に位置する半導体層と、
前記半導体層上に位置するソース、ドレイン、および、ソースとドレインとの間に位置するゲートと、
ソースと電気的に接続される開始部分と、前記半導体層との間に空気がある第1中間部分と、ゲートとドレインとの間の半導体層上を覆う第2中間部分と、前記半導体層との間に空気がある尾部と、を順次に含み、前記半導体層上に位置するソースフィールドプレートと、を含む半導体デバイスを提供している。
基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、ソース、ドレイン、および、ソースとドレインとの間に位置するゲートを形成し、
ソースと電気的に接続される開始部分と、前記半導体層との間に空気がある第1中間部分と、ゲートとドレインとの間の半導体層上を覆う第2中間部分と、前記半導体層との間に空気がある尾部と、を順次に含むソースフィールドプレートを空気ブリッジ金属プロセスによって形成する、ことを含む半導体デバイスの製造方法を提供している。
図2a〜図2cは、本発明の実施例1で提供された誘電体層を有する半導体デバイスの断面模式図であり、図3は、本発明の実施例1で提供された半導体デバイスの平面図である。図2a〜図2cに示すように、この半導体デバイスは、基板11と、基板11上に位置する半導体層12と、半導体層12上に位置するソース13、ドレイン14、および、ソース13とドレイン14との間に位置するゲート15と、ソース13と電気的に接続される開始部分191と、半導体層12との間に空気がある第1中間部分192と、ゲート15とドレイン14との間の半導体層12上を覆う第2中間部分193と、半導体層12との間に空気がある尾部194と、を順次に含み、半導体層12上に位置するソースフィールドプレート19と、を含む。ここで、ソースフィールドプレート19は、材料が金属材料であり、空気ブリッジ金属プロセスによって形成される。ソースフィールドプレートの金属の具体的な厚さは、設計要求やプロセス能力に応じて定めてもよい。
ステップS11で、基板11上に半導体層12を形成する。
ステップS13で、空気ブリッジ金属プロセスによって、ソースフィールドプレート19を形成する。
好ましくは、ソースフィールドプレートの尾部の長さが0μm〜5μmである。
図6は、本発明の実施例2で提供された溝の壁が斜面である半導体デバイスの断面模式図である。本実施例では、上記実施例を基にして改善している。図6に示すように、この半導体デバイスは、基板11と、基板11上に位置する半導体層12と、半導体層12上に位置するソース13、ドレイン14、および、ソース13とドレイン14との間に位置するゲート15と、半導体層12上に位置する第1誘電体層16および第2誘電体層17と、ゲート15とドレイン14との間の第2誘電体層17上に位置し、空気ブリッジのフォトエッチングの自己整合エッチングプロセスによって形成される溝18と、第2誘電体層17上に位置し、開始部分191がソース13と電気的に接続され、第1中間部分192が空気によって誘電体層と分離され、第2中間部分193が溝18内を覆い、尾部194が空気によって誘電体層と分離されるソースフィールドプレート19と、を含んでもよい。ここで、ソースフィールドプレート19は、材料が金属材料であり、空気ブリッジ金属プロセスによって形成される。
チャネル層123およびバリア層124は、ヘテロ接合構造を形成し、ヘテロ接合の界面において2DEGチャネルが形成されている(図6において点線で示される)。バリア層124上に位置するソース13およびドレイン14は、それぞれ2DEGに接触する。
本実施例では、実施例1と同様の部分について、重複する説明を省略する。
図8は、本発明の実施例3で提供された誘電体層が1層である半導体デバイスの断面模式図である。図8に示すように、本実施例では、上記実施例を基にして、第2誘電体層17が除去され、ゲート領域、ゲートとソースとの間の領域、および、ゲートとドレインとの間の一部の領域の第2誘電体層17が同等な厚さの空気によって置換されたことに相当する。このように、寄生容量および寄生抵抗をさらに減少させることができる。また、溝18が第1誘電体層16上にエッチングされ、溝18内を覆う第2中間部分193が強電界領域からさらに近くなり、さらに効果的にゲートとドレインとの間の領域の電界を変調することができる。
図9aは、本発明の実施例4で提供された誘電体層を有しない半導体デバイスの断面模式図である。図9aに示すように、本実施例では、実施例1を基にして、第1誘電体層16および第2誘電体層17が除去され、ゲート領域、ゲートとソースとの間の領域、および、ゲートとドレインとの間の一部の領域の誘電体層が同等な厚さの空気によって置換されたことに相当する。このように、寄生容量および寄生抵抗をさらに減少させることができる。また、溝18がバリア層124上にエッチングされ、溝18内を覆う第2中間部分193が強電界領域からさらに近くなり、さらに効果的にゲートとドレインとの間の領域の電界を変調することができる。
基板上に半導体層を形成するステップS21と、
半導体層上にソース、ドレイン、および、ソースとドレインとの間に位置するゲートを形成するステップS22と、
空気ブリッジのフォトエッチングの自己整合エッチングプロセスによって、半導体層上に溝を形成するステップS23と、
空気ブリッジ金属プロセスによって、ソースフィールドプレートを形成するステップS24と、を含んでもよい。
図10は、本発明の実施例5で提供されたソースフィールドプレートの尾部の長さがゼロである半導体デバイスの断面模式図である。図10に示すように、上記実施例において、溝18が設けられている半導体デバイスの内部の電界強度があまり強くない場合、ソースフィールドプレート19の尾部194の長さをゼロに減少してもよい。この構成は、ソースフィールドプレートの尾部による寄生ゲート−ソース容量および寄生抵抗を徹底的に除去することができる。
102,121 核形成層
103,122 バッファ層
104,123 チャネル層
105,124 バリア層
106,13 ソース
107,14 ドレイン
108,15 ゲート
109,16 第1誘電体層
110,17 第2誘電体層
111,19 ソースフィールドプレート
12 半導体層
18 溝
191 開始部分
192 第1中間部分
193 第2中間部分
194 尾部
21 フォトレジストのアーチ構造
22 フォトレジスト
Claims (22)
- 半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する半導体層と、
前記半導体層上に位置するソース、ドレイン、および、ソースとドレインとの間に位置するゲートと、
ソースと電気的に接続される開始部分と、前記半導体層との間に空気がある第1中間部分と、ゲートとドレインとの間の半導体層上を覆う第2中間部分と、前記半導体層との間に空気がある尾部と、を順次に含み、かつ前記半導体層上に位置するソースフィールドプレートと、
を含むことを特徴とする半導体デバイス。 - 前記半導体層上に溝を有し、前記第2中間部分が溝内に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体層上に位置する誘電体層をさらに含み、前記第2中間部分が前記誘電体層上を覆う、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記誘電体層上に溝を有し、前記第2中間部分が溝内に位置する、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体層上に位置する誘電体層をさらに含み、かつ前記誘電体層を貫通して、前記半導体層内まで延びる溝が設けられ、前記第2中間部分が溝内に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記尾部の長さが0μm〜5μmである、ことを特徴とする請求項2、4、または5に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体層は、基板上に位置する核形成層と、核形成層上に位置するバッファ層と、バッファ層上に位置するチャネル層と、チャネル層上に位置するバリア層と、を含み、ここで、前記チャネル層および前記バリア層は、ヘテロ接合構造を形成し、ヘテロ界面において二次元電子ガスが形成され、前記ソースおよび前記ドレインは、それぞれ二次元電子ガスに接触する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記基板は、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、インジウム窒化ガリウム、窒化アルミニウムインジウムガリウム、リン化インジウム、ヒ化ガリウム、炭化ケイ素、ダイヤモンド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンのうちの1つまたは複数の組み合わせである、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体層は、III‐∨族化合物に基づく半導体材料を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記ソースフィールドプレートの材料は、金属材料である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1中間部分は、少なくとも2つのブリッジ構造を含み、いずれか1つの前記ブリッジ構造の一端が前記ソースと電気的に接続され、他端が前記溝内に接続される、ことを特徴とする請求項6に記載の半導体デバイス。
- 前記ソースフィールドプレートと前記半導体層との最大高度差が0.5μm〜5μmである、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記溝の側壁は、垂直面、斜面及び曲面のうちのいずれか1つまたはそれらの組み合わせであってもよい、ことを特徴とする請求項6に記載の半導体デバイス。
- 前記誘電体層は、少なくとも1層である、ことを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記誘電体層の材料は、SiN、SiO2、SiON、Al2O3、HfO2、HfAlOxのうちのいずれか1つまたは任意の複数の組み合わせを含む、ことを特徴とする請求項14に記載の半導体デバイス。
- 前記誘電体層上には、ゲートフィールドプレート、ドレインフィールドプレート、およびフローティングフィールドプレートのうちのいずれか1つまたは任意の複数の組み合わせをさらに含む、ことを特徴とする請求項15に記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイスの製造方法であって、
基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、ソース、ドレイン、および、ソースとドレインとの間に位置するゲートを形成し、
ソースと電気的に接続される開始部分と、前記半導体層との間に空気がある第1中間部分と、ゲートとドレインとの間の半導体層上を覆う第2中間部分と、前記半導体層との間に空気がある尾部と、を順次に含むソースフィールドプレートを空気ブリッジ金属プロセスによって形成する、
ことを含むことを特徴とする方法。 - 空気ブリッジのフォトエッチングの自己整合エッチングプロセスによって、前記半導体層上に溝を形成し、前記第2中間部分が前記溝内に位置するようにする、
ことをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記半導体層上に誘電体層を形成し、前記第2中間部分が前記誘電体層上を覆うようにする、
ことをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 空気ブリッジのフォトエッチングの自己整合エッチングプロセスによって、前記誘電体層上に溝を形成し、前記第2中間部分が前記溝内に位置するようにする、
ことをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記半導体層上に誘電体層を形成し、前記誘電体層を貫通して前記半導体層内まで延びる溝を形成し、前記第2中間部分が溝内に位置するようにする、
ことをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記空気ブリッジ金属プロセスは、金属電子ビーム蒸着プロセス、金属スパッタリングプロセス及び金属電気めっきプロセスのうちの1つまたはそれらの組み合わせを含む、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510363973.6A CN105633144B (zh) | 2015-06-26 | 2015-06-26 | 一种半导体器件及其制备方法 |
CN201510363973.6 | 2015-06-26 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018019912A Division JP2018107462A (ja) | 2015-06-26 | 2018-02-07 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017017311A true JP2017017311A (ja) | 2017-01-19 |
JP6290287B2 JP6290287B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=56047886
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016077879A Active JP6290287B2 (ja) | 2015-06-26 | 2016-04-08 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2018019912A Pending JP2018107462A (ja) | 2015-06-26 | 2018-02-07 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018019912A Pending JP2018107462A (ja) | 2015-06-26 | 2018-02-07 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10847627B2 (ja) |
EP (1) | EP3109903A1 (ja) |
JP (2) | JP6290287B2 (ja) |
CN (1) | CN105633144B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019067786A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | 株式会社東芝 | 高出力素子 |
JP2019519088A (ja) * | 2017-03-30 | 2019-07-04 | ダイナックス セミコンダクター インコーポレイテッドDynax Semiconductor,Inc. | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10249725B2 (en) * | 2016-08-15 | 2019-04-02 | Delta Electronics, Inc. | Transistor with a gate metal layer having varying width |
US10700188B2 (en) * | 2017-11-02 | 2020-06-30 | Rohm Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor device with first and second conductive layers |
DE102017130213B4 (de) * | 2017-12-15 | 2021-10-21 | Infineon Technologies Ag | Planarer feldeffekttransistor |
WO2019131546A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
CN108777262A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-09 | 中国科学院微电子研究所 | 高电子迁移率晶体管 |
TWI730291B (zh) * | 2019-02-13 | 2021-06-11 | 新唐科技股份有限公司 | 靜電放電(esd)保護元件 |
CN112038402A (zh) * | 2019-06-03 | 2020-12-04 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 半导体结构 |
CN110676316B (zh) * | 2019-09-20 | 2023-04-11 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 增强型场效应晶体管 |
US11862693B2 (en) * | 2020-08-24 | 2024-01-02 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor devices including a drain captive structure having an air gap and methods of forming the same |
CN113436975B (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-14 | 深圳市时代速信科技有限公司 | 一种半导体器件及制备方法 |
CN115863406A (zh) * | 2023-03-02 | 2023-03-28 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 横向扩散金属氧化物半导体器件 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61181170A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-13 | アルカテル イタリア ソシエタ ペル アチオニ | 金属半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US20060118823A1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-06-08 | Primit Parikh | Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies |
JP2006286952A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006294494A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Dialight Japan Co Ltd | 蛍光ランプ |
JP2007150282A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2012109492A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
JP2012178416A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013062494A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-04-04 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
WO2014165034A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-09 | Transphorm Inc. | Enhancement-mode iii-nitride devices |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07135210A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3723780B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-12-07 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4417677B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-02-17 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
CN101238560B (zh) * | 2005-06-10 | 2011-08-31 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管 |
US7662698B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-02-16 | Raytheon Company | Transistor having field plate |
JP2008244002A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Sanken Electric Co Ltd | 電界効果半導体装置 |
JP5601072B2 (ja) * | 2010-08-03 | 2014-10-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
TWI451572B (zh) * | 2011-01-26 | 2014-09-01 | Richtek Technology Corp | 雙擴散金屬氧化物半導體元件及其製造方法 |
JP5874173B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2016-03-02 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
CN104157691B (zh) * | 2014-08-15 | 2017-12-26 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法 |
US9761675B1 (en) * | 2015-01-08 | 2017-09-12 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof |
-
2015
- 2015-06-26 CN CN201510363973.6A patent/CN105633144B/zh active Active
-
2016
- 2016-02-17 US US15/045,931 patent/US10847627B2/en active Active
- 2016-04-08 JP JP2016077879A patent/JP6290287B2/ja active Active
- 2016-06-24 EP EP16176093.9A patent/EP3109903A1/en not_active Ceased
-
2018
- 2018-02-07 JP JP2018019912A patent/JP2018107462A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61181170A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-13 | アルカテル イタリア ソシエタ ペル アチオニ | 金属半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
US20060118823A1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-06-08 | Primit Parikh | Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies |
JP2006286952A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006294494A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Dialight Japan Co Ltd | 蛍光ランプ |
JP2007150282A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2012109492A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
JP2012178416A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013062494A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-04-04 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
WO2014165034A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-09 | Transphorm Inc. | Enhancement-mode iii-nitride devices |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019519088A (ja) * | 2017-03-30 | 2019-07-04 | ダイナックス セミコンダクター インコーポレイテッドDynax Semiconductor,Inc. | 半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2019067786A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | 株式会社東芝 | 高出力素子 |
US10629717B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High power device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3109903A1 (en) | 2016-12-28 |
CN105633144A (zh) | 2016-06-01 |
JP6290287B2 (ja) | 2018-03-07 |
US20160380062A1 (en) | 2016-12-29 |
CN105633144B (zh) | 2019-09-24 |
US10847627B2 (en) | 2020-11-24 |
JP2018107462A (ja) | 2018-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6290287B2 (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP6726710B2 (ja) | 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 | |
US10978564B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6522521B2 (ja) | 半導体デバイスの電極及びその製造方法 | |
JP6161910B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8803199B2 (en) | III-nitride semiconductor device with stepped gate | |
US8004022B2 (en) | Field effect transistor | |
US9590071B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device | |
US20170345918A1 (en) | High-power and high-frequency heterostructure field-effect transistor | |
US9508809B2 (en) | III-N device with extended source and drain | |
JP2006286740A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20140197889A1 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing the same, power supply device, and high-frequency amplifier | |
CN112635545A (zh) | 具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS-HEMT及其制备方法 | |
JP6530210B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9570599B2 (en) | Transistor having nitride semiconductor used therein and method for manufacturing transistor having nitride semiconductor used therein | |
CN116313798A (zh) | 氮化镓基器件及其制备方法 | |
US20140306233A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2010067694A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012004573A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
CN116314312A (zh) | 一种半导体器件及其制备方法 | |
KR20240050587A (ko) | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR20230029112A (ko) | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | |
JP2018037567A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
KR20140039772A (ko) | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170620 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6290287 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |