JP6028987B2 - 放熱基板及び該放熱基板の製造方法 - Google Patents
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Description
金属とダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体の表面にメッキ処理を行って金属層を形成し、
前記金属層が形成された前記合金複合体を、該金属層の融点以下かつ該合金複合体の融点以下で加熱及び加圧することにより前記金属層の欠陥を修復する
ことを特徴とする。
また、「該金属層の融点以下かつ該合金複合体の融点以下」とは、金属層と合金複合体の融点のうち、より低い温度以下であることを意味する。
上記のように、金属層及び合金複合体の温度以下で(即ち、金属層と合金複合体の固相を維持して)加熱及び加圧処理するという条件が固相焼結で用いられる条件と共通することから、本明細書では、上記の加熱及び加圧する処理を便宜的に固相焼結とも呼ぶ。ただし、その場合でも、当該処理は金属層の欠陥を修復することを主たる目的とするものあり、合金複合体の内部構造を再構成することは好ましいが必須ではない。
主金属、該主金属と異なる種類の添加金属、及びダイヤモンドの粉末を主成分とする前記合金複合体を作製する
ことが望ましい。
また、前記添加金属は、Ti、Cr、Co、Mn、Ni、Fe、B、Y、Si、Mg、及びZnのうちの少なくとも1種類とすることができ、その添加量は合金複合体の全体の1vol%以上15vol%以下とすることが好ましい。
主金属、該主金属と異なる種類の添加金属、及びダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体と、該合金複合体の表面に形成された金属層を有し、
線膨張係数が6.5ppm/K以上15ppm/K以下であり、熱伝導率が420W/m・K以上であり、前記金属層の表面における欠陥の割合が5%以下である
ことを特徴とする。
既に、主金属がAg、Cu、Alやこれらの合金であれば、添加金属・ダイヤモンドの粉末を最適に混合し型押し後に液相焼結を行うことで線膨張係数6.5ppm/K以上15ppm/K以下の範囲、熱伝導率420W/m・K以上の放熱基板を製造することができるとの報告がある。しかし、添加金属を使用しても焼結が不安定で相対密度が低く、最終のNi系メッキの品質が確保できないという問題があり、また、熱伝導率のバラツキが大きく、熱伝導率が安定して420W/m・K以上にならないという問題等もあるため実用化に至っていない。
本発明は、金属とダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体の表面に、メッキにより金属層を形成したのち、該金属相及び該合金複合体の融点以下で加熱し加圧する(以下、この加熱及び加圧処理を便宜的に「固相焼結」ともいう。)を行うことで、表層に欠陥の少ない金属層を形成して熱伝導率の向上と安定を図ったものである。ここで、「合金複合体」は塊状に作製されたものを意味する。合金複合体は、例えば、金属とダイヤモンドの混合粉末を型押しすることによって得ることが可能であるが、型押し後に液相焼結を行って高密度の合金複合体を作製することが好ましい。また、溶浸法等、他の方法により合金複合体を作成してもよい。
耐熱性が必要な場合には、主金属としてAg、Cu、またはこれらの合金を用いることが望ましい。大型の放熱基板で軽量化が必要な場合は、主金属としてAlやAl合金を用いることが望ましい。
主金属がAg、Cu、及びこれらの合金のうちのいずれかである場合、添加金属は、例えばTi、Cr、Co、Mn、Ni、Fe、Bを用いることができ、その添加量は合金複合体の全体の1vol%以上5vol%以下とすることが望ましい。添加量が1vol%未満でも5vol%を超えても熱伝導度率が420W/m・K以上にはならない。また、主金属がAlやAl合金の場合、添加金属には、例えばSiを用いることができ、その添加量は合金複合体の全体の5vol%以上15vol%以下とすることが望ましい。添加量が5vol%未満でも15vol%を超えても熱伝導度率が420W/m・K以上にはならない。また1.0vol%Mgを添加することで後述の液相焼結が安定する効果がある。
他に、ダイヤモンド粉末は高価であるため、ダイヤモンド粉末の一部を安価で低線膨張係数のSiC、W、Mo等の粉末で置換しても本発明に放熱基板の特性を満たせば問題ない。
主金属、添加金属、及びダイヤモンドの混合粉末を型押しした後の焼結は、真空、減圧、加圧、非酸化、還元ガス、不活性ガス中で主金属の液相が出現する温度(融点)以上での液相焼結であることが好ましい。液相焼結することでダイヤモンド粒子の表層に添加金属とダイヤモンドが反応して炭化物ができる。更に、炭化物と添加金属と主金属が反応した合金層ができ金属・添加物・ダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体ができる。
金属層は液相焼結後の合金複合体やその研磨品にメッキを被覆して形成するものであり、Ag、Cu、Ni、あるいはそれらの合金等からなり、厚みが5μm以上200μm以下であれば、合金複合体の全面、上下、半導体デバイスを搭載する部分のみのいずれでも問題はない。特に、やわらかくて熱伝導度率の大きいAgやCuの金属層が好適であり、Niまたはこれらの合金のメッキはAl系ダイヤモンドの大型で寸法の厚い放熱基板に有効である。また金属層として、Ag、Cu、Niまたはこれらの合金を多層にメッキしてもよい。
金属層の厚みが5μm以下では加熱加圧しても放熱基板に必要な欠陥の少ない金属層を全体に設けることが難しい。また200μm以上では金属層が非常に不安定になりやすく、またメッキに係る費用が高くなる。
メッキ後の固相焼結は真空、減圧、加圧、非酸化、不活性ガス、難燃性液体、不燃性液等の雰囲気で行うことができるが、水中法で通電焼結を行うと、ニアネットシェイプで製作することが可能であり、またコスト的にも有利である。金属層及び合金複合体の融点以下、50MPa以上500MPa以下の条件(固相焼結に相当する条件)で加熱及び加圧を行うことにより、合金複合体の表面にメッキされた金属層の欠陥を修復し、更に合金複合体自体の熱伝導率の向上と安定化を図ることができる。その製造はホットプレス(以下HPと略記)、鍛造、通電焼結等により可能である。この固相焼結で金属とダイヤモンドからなる合金複合体の表面にメッキしたAg、Cu、Niや、それらの合金からなる金属層を、Cuの放熱基板の表層のような欠陥の少ない状態にできる。
圧力は50MPa以上とすることが好ましく、それ以下では金属層の十分な修復が難しい。また、500MPa以上では大型装置を用いなければ加圧できないので経済的でなく、また、一般的な治具や電極では破壊してしまうことがある。このため合金複合体や金属層の種類に適した固相焼結の条件(温度や圧力)、治具、及び電極を選択することが重要である。
薄いシートやウエハーの合金複合体では、治具や電極の面粗さが表面に転写されるので、ウォ―タージェット、高出力レーザー、ワイヤカット等で所定の形状に切断して製品化する。さらに高い精度が必要な場合には、金属層を研磨紙やバフで研磨し所定の表面粗さに仕上げ、ウォ―タージェット、高出力レーザー、ワイヤカット等で所定の形状に切断して製品化することも可能である。また、ニアネットシェイプで合金複合体を作製すると形状加工が不要でありコスト的に有利である。
最終のメッキは放熱基板に各種の部材、絶縁板、半導体デバイス等を銀ろう付やハンダ付等で接合することを目的として行われるが、放熱基板に欠陥があると、その影響で最終のNi系メッキに欠陥が発生し、良好な銀ろう付やハンダ付ができないという問題が発生する。Ni系メッキが多層になっても次々と欠陥が転写されていくので問題は解決しない。なお、Ni系メッキとは、NiやNi合金のメッキを意味する。
(線膨張係数の測定)
固相焼結後の25mm×25mm×2〜2.5mmの試料(表面に金属層を施した合金複合体)からWEDMやパワーレーザーで10mm×5mm×厚み2〜2.5mmの試験片を切り出し、熱膨張係数計(セイコー電子工業社製)でRT(25℃)の線膨張係数の測定を行った。
固相焼結後の25mm×25mm×2〜2.5mmの試料(表面に金属層を施した合金複合体)からWEDMやパワーレーザーでφ10mm×厚み2mm〜2.5mmの試験片を切り出し、レーザーフラッシュ法の熱伝導度計(アルバック理工製 TC-7000)でRT(25℃)の熱伝導率の測定を行った。
固相焼結後の25mm×25mm×2〜2.5mmの試料(表面に金属層を施した合金複合体)を大気中に450℃に30分保持し、その外観を顕微鏡の10倍の倍率で目視観察し、金属層のメッキのフクレがない場合はOKであり、大小にかかわらずフクレが見つかった場合にはNGと判断した。
固相焼結後の25mm×25mmの試料(表面に金属層を施した合金複合体)をバリ取りしバフ研磨した後に、3μmNi-Bメッキした放熱基板に10mm×10mm×0.7mmのSiデバイスの金属電極付を高温SnAgCuハンダ(融点218℃)で接合し、超音波でボイドの面積を調べ5%以下のものを合格(OK)、5%よりも大きいものを不合格(NG)とした。なお、この評価は非常に厳しく、この測定でボイド率5%以下を合格すれば銀ろう付、他のハンダ付け、樹脂付等で問題が起こらない知見がある。
69vol%Ag、1vol%Ti、30vol%の30μmダイヤモンドの粉末を混合し、25mm×25mmの金型を使用して圧力500MPaでプレス型押しした後に、真空中・温度1100℃・60分で液相焼結を行って合金複合体を作製し、その合金複合体に金属層として5μmのAgメッキ処理を施した後、HPで温度400℃、圧力50MPa、30分保持という条件で固相焼結を行い、バリ取り後、フクレテストを行い、その後3μmNi・Bメッキを行い、ハンダ付のボイド品質の評価を行った。
結果を表1に示す。
35vol%Ag、5vol%Cr、60vol%の100μmダイヤモンドの粉末を混合し、25mm×25mmの金型を使用して圧力500MPaでプレス型押しした後に、水素中・温度1200℃・60分で液相焼結を行って合金複合体を作製し、その合金複合体に金属層として50μmのCuメッキ処理を施した後、セラミック治具に合金複合体を入れ通電焼結機で圧力300MPaがかかるように上下電極で加圧し、通電加熱で600℃、5分保持という条件で固相焼結を行い、バリ取り後、フクレテストを行い、その後3μmNi・Bメッキを行い、ハンダ付のボイド品質の評価を行った。
結果を表1に示す。
10vol%Ag、37vol%Cu、及び3vol%Tiと、30vol%の100μmダイヤモンドの粉末並びに20vol%の30μmダイヤモンド粉末を混合し、25mm×25mmの金型を用いて圧力500MPaでプレス型押しした後に、真空中・温度1000℃・60分で液相焼結を行って合金複合体を作製し、その合金複合体に金属層として100μmのCuメッキ処理を施した後、そのメッキ済合金複合体1を図1のセラミック治具4に入れ抵抗溶接機を用いて水中6で上下電極2、3により100MPa加圧しながら通電しつつ温度500℃で2秒保持し、さらにそれを加圧したままで500℃になる通電を3回繰り返すという条件で固相焼結を行い、バリ取り後、フクレテストし、その後3μmNi・Bメッキを行い、ハンダ付のボイド品質の評価を行った。
結果を表1に示す。
29vol%Al、10vol%Si、1vol%Mg 、60vol%の50μmダイヤモンド粉末を混合し、25mm×25mm金型を用いて圧力500MPaでプレス型押しした後に、窒素中・温度600℃・60分で液相焼結を行って合金複合体を作製し、その合金複合体の表層を研削してTiとNiを併せて0.3μm蒸着し、更に金属層として10μmのNiメッキ処理を施した後、HPで真空、温度450℃、圧力100MPa、10分保持という条件で固相焼結を行い、バリ取り後、フクレテストを行い、その後3μmNi・Bメッキを行い、ハンダ付のボイド品質の評価を行った。
結果を表2に示す。
実施例3の放熱基板(熱膨張係数8.3ppm/Kで熱伝導度555W/m・K)にセラミックとコバール等の部材を水素中・温度750℃で銀ろう付けした後、剥離や割れがないことを確認してPKGを作り、それに10mm×10mm×0.7mmのSiデバイスの金属電極を高温AuSn(融点280℃)ハンダを300℃で接合し、超音波でボイド面積が3%以下であることを確認した半導体モジュールを製作し、この半導体モジュールについてヒートサイクルテスト(-40〜125℃、3000回)を行った。併せて、比較のために、同寸法の実施例3と同じ熱膨張係数8.3ppm/Kで、熱伝導度200W/m・Kの20wt%CuWの放熱基板で同じPKGを作りデバイスを搭載してヒートサイクルテスト(-40〜125℃、3000回)を行った。
結果、いずれの試料も剥離や割れ等の問題は起こらなかった。
これにより将来的な高性能半導体モジュールに対応できる高性能放熱基板の要求を満たすことができる。
なお、本発明は現形態に限定されるものではなく本発明の目的を達成できる範囲での形態は本発明に含まれる。本発明を実施する際の具体的な構造や形態等は本発明の目的を達成できる範囲内で他の構造でもよい。例えば他の製法の金属ダイヤモンドの放熱基板のメッキ品質の確保にも本発明は応用できる。
今回開示された実施形態及び実施例はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。上記した説明でなく特許請求範囲によって示される。
2…上下する上電極
3…下電極
4…セラミック治具
5…溶接機電源
6…水
7…ダイヤモンド
8…金属層
9…放熱基板の断面拡大写真
Claims (14)
- 主金属、該主金属と異なる種類の添加金属、及びダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体と、該合金複合体の表面に形成された金属層を有し、
線膨張係数が6.5ppm/K以上15ppm/K以下であり、熱伝導率が420W/m・K以上であり、前記金属層の表面における欠陥の割合が5%以下である
ことを特徴とする放熱基板。 - 前記金属層の厚さが2μm以上である
ことを特徴とする請求項1に記載の放熱基板。 - 前記主金属が、Ag、Cu、Al、及びこれらの合金のうちの少なくとも1種類であり、
前記添加金属が、Ti、Cr、Co、Mn、Ni、Fe、B、Si、Mg、及びZnのうちの少なくとも1種類であり、その添加量が前記合金複合体の全体の1vol%以上15vol%以下である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の放熱基板。 - 前記主金属がAg、Cu、及びこれらの合金のうちの少なくとも1種類であり、
前記添加金属が、Ti、Cr、Co、Mn、Ni、Fe、及びBのうちの少なくとも1種類であり、その添加量が前記合金複合体の全体の1vol%以上5vol%以下である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の放熱基板。 - 前記主金属がAl及びAl合金のうちの少なくとも1種類であり、
前記添加金属がSiであり、その添加量が前記合金複合体の全体の5vol%以上15vol%以下である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の放熱基板。 - さらに、1.0vol%のMgが添加されている
ことを特徴とする請求項5に記載の放熱基板。 - 前記金属層が、Ag、Cu、Ni、及びこれらの合金のうちの少なくとも1種類からなり、その厚さが2μm以上である
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の放熱基板。 - 前記合金複合体と前記金属層の間に、Ti、Cr、Au、及びPtのうちの少なくとも1種類からなる層が形成されている
ことを特徴とする請求項1から7のうちのいずれかに記載の放熱基板。 - 請求項1から8のいずれかに記載の放熱基板を備えることを特徴とする半導体用パッケージ。
- 請求項1から8のいずれかに記載の放熱基板を備えることを特徴とする半導体用モジュール。
- 前記金属層の表面にNi系メッキ及びハンダ付けが施されており、該ハンダ付けのボイド率が5%以下である
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体用モジュール。 - 金属とダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体の表面にメッキ処理を行って金属層を形成し、
前記金属層が形成された前記合金複合体を、該金属層の融点以下かつ該合金複合体の融点以下で加熱及び加圧することにより前記金属層の欠陥を修復する放熱基板の製造方法において、
主金属、該主金属と異なる種類の添加金属、及びダイヤモンドの混合粉末を型押し、該型押しした混合粉末を液相焼結して前記合金複合体を作成し
前記ダイヤモンドの粉末のうちの95%以上が、粒径が10μm以上1000μm以下であるダイヤモンド粉末であり、
前記主金属がAg、Cu、及びこれらの合金のうちの少なくとも1種類であり、
前記添加金属が、Ti、Cr、Co、Mn、Ni、Fe、及びBのうちの少なくとも1種類であり、その添加量が前記合金複合体の全体の1vol%以上5vol%以下である
ことを特徴とする放熱基板の製造方法。 - 金属とダイヤモンドの粉末を主成分とする合金複合体の表面にメッキ処理を行って金属層を形成し、
前記金属層が形成された前記合金複合体を、該金属層の融点以下かつ該合金複合体の融点以下で加熱及び加圧することにより前記金属層の欠陥を修復する放熱基板の製造方法において、
主金属、該主金属と異なる種類の添加金属、及びダイヤモンドの混合粉末を型押し、該型押しした混合粉末を液相焼結して前記合金複合体を作成し
前記ダイヤモンドの粉末のうちの95%以上が、粒径が10μm以上1000μm以下であるダイヤモンド粉末であり、
前記主金属がAl及びAl合金のうちの少なくとも1種類であり、
前記添加金属がSiであり、その添加量が前記合金複合体の全体の5vol%以上15vol%以下である
ことを特徴とする放熱基板の製造方法。 - さらに、1.0vol%のMgが添加されている
ことを特徴とする請求項13に記載の放熱基板の製造方法。
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