JP5951259B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1(A)に、本発明の一態様に係る記憶装置のメモリセル100の構成を、一例として回路図で示す。図1(A)に示す回路図では、メモリセル100が、スイッチング素子として機能するトランジスタ101と、トランジスタ102と、容量素子103と、容量素子104とを有する。
本実施の形態では、複数のメモリセルを有する記憶装置の構成と、その駆動方法の一例について説明する。
本実施の形態では、複数のメモリセルを有する記憶装置の構成と、その駆動方法の別の一例について説明する。
記憶装置の、駆動回路の具体的な構成の一例について説明する。
本実施の形態では、読み出し回路の具体的な構成の一例について説明する。
本実施の形態では、図1(A)に示したメモリセル100、または図1(B)に示したメモリセル110において、容量素子103が有する一対の電極のうち、フローティングの状態にある電極の電位の変化から、不良メモリセルの有無を検出する場合について説明する。
本実施の形態では、図1(A)に示したメモリセル100において、トランジスタ101の活性層に酸化物半導体を用い、トランジスタ102の活性層にシリコンを用いる場合を例に挙げて、記憶装置の作製方法について説明する。
本実施の形態では、実施の形態7とは異なる構造を有した、酸化物半導体膜を用いたトランジスタについて説明する。
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 容量素子
104 容量素子
110 メモリセル
120 基板
121 ゲート電極
122 絶縁膜
123 酸化物半導体膜
124 ソース電極
125 ドレイン電極
126 絶縁膜
150 実線
151 実線
200 セルアレイ
201 セルアレイ
260 トランジスタ
261 トランジスタ
262 オペアンプ
301 センスアンプ
302 スイッチング素子
303 センスアンプ
304 スイッチング素子
700 基板
701 絶縁膜
702 半導体膜
703 ゲート絶縁膜
704 不純物領域
705 マスク
706 開口部
707 ゲート電極
708 導電膜
709 不純物領域
710 チャネル形成領域
711 不純物領域
712 絶縁膜
713 絶縁膜
716 酸化物半導体膜
719 導電膜
720 導電膜
721 ゲート絶縁膜
722 ゲート電極
723 導電膜
724 絶縁膜
725 開口部
726 配線
727 絶縁膜
728 配線
800 記憶装置
801 セルアレイ
802 駆動回路
803 回路
804 ワード線駆動回路
805 データ線駆動回路
806 制御回路
807 デコーダ
808 レベルシフタ
809 バッファ
810 デコーダ
811 レベルシフタ
812 セレクタ
901 トランジスタ
902 絶縁膜
903 酸化物半導体膜
904 ソース電極
905 ドレイン電極
906 ゲート絶縁膜
907 ゲート電極
908 高濃度領域
909 チャネル形成領域
911 トランジスタ
912 絶縁膜
913 酸化物半導体膜
914 ソース電極
915 ドレイン電極
916 ゲート絶縁膜
917 ゲート電極
918 高濃度領域
919 チャネル形成領域
921 トランジスタ
922 絶縁膜
923 酸化物半導体膜
924 ソース電極
925 ドレイン電極
926 ゲート絶縁膜
927 ゲート電極
928 高濃度領域
929 低濃度領域
930 サイドウォール
931 チャネル形成領域
941 トランジスタ
942 絶縁膜
943 酸化物半導体膜
944 ソース電極
945 ドレイン電極
946 ゲート絶縁膜
947 ゲート電極
948 高濃度領域
949 低濃度領域
950 サイドウォール
951 チャネル形成領域
7031 筐体
7032 筐体
7033 表示部
7034 表示部
7035 マイクロホン
7036 スピーカー
7037 操作キー
7038 スタイラス
7041 筐体
7042 表示部
7043 音声入力部
7044 音声出力部
7045 操作キー
7046 受光部
7051 筐体
7052 表示部
7053 操作キー
Claims (5)
- メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の容量値と比べて、前記第2の容量素子の容量値が非常に大きく、
データの保持時間が所定の長さに満たないメモリセルを検出するための検証動作を行う時に、前記第2の容量素子の第2の電極を非選択状態にすることを特徴とする半導体装置。 - 第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、
前記第1のメモリセルは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、
前記第2のメモリセルは、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第3の容量素子と、第4の容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3の容量素子の第1の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4の容量素子の第1の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第1、第3の容量素子の容量値と比べて、前記第2、第4の容量素子の容量値が非常に大きく、
データの保持時間が所定の長さに満たないメモリセルを検出するための検証動作を行う時に、前記第2、第4の容量素子の第2の電極を非選択状態にすることを特徴とする半導体装置。 - 第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有し、
前記第1のメモリセルは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、
前記第2のメモリセルは、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第3の容量素子と、第4の容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3の容量素子の第1の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4の容量素子の第1の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第2の電極は、前記第3の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第2の電極は、前記第4の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第1、第3の容量素子の容量値と比べて、前記第2、第4の容量素子の容量値が非常に大きく、
データの保持時間が所定の長さに満たないメモリセルを検出するための検証動作を行う時に、前記第2、第4の容量素子の第2の電極を非選択状態にすることを特徴とする半導体装置。 - 第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、第3のメモリセルと、第4のメモリセルと、を有し、
前記第1のメモリセルは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、
前記第2のメモリセルは、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第3の容量素子と、第4の容量素子と、を有し、
前記第3のメモリセルは、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第5の容量素子と、第6の容量素子と、を有し、
前記第4のメモリセルは、第7のトランジスタと、第8のトランジスタと、第7の容量素子と、第8の容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第3のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第5のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第7のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第1の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3の容量素子の第1の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4の容量素子の第1の電極は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第6のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5の容量素子の第1の電極は、前記第6のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6の容量素子の第1の電極は、前記第6のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第8のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第7の容量素子の第1の電極は、前記第8のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第8の容量素子の第1の電極は、前記第8のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第5のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第7のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の容量素子の第2の電極は、前記第5の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第2の電極は、前記第6の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第3の容量素子の第2の電極は、前記第7の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第4の容量素子の第2の電極は、前記第8の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第1、第3、第5、第7の容量素子の容量値と比べて、前記第2、第4、第6、第8の容量素子の容量値が非常に大きく、
データの保持時間が所定の長さに満たないメモリセルを検出するための検証動作を行う時に、前記第2、第4、第6、第8の容量素子の第2の電極を非選択状態にすることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
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