JP5914153B2 - 論理回路 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様であるNAND回路およびNOR回路を切り替えることができる論理回路について、図1を用いて説明する。
本実施の形態においては、実施の形態1に示す論理回路におけるトランジスタの作製方法について、図4乃至図7を用いて説明する。例として図1に示す論理回路における、トランジスタ111、トランジスタ107およびトランジスタ106の作製方法について説明する。なお、図4乃至図7において、A−Bに示す断面図は、酸化物半導体膜を有するトランジスタ111、nチャネルトランジスタ107及びpチャネルトランジスタ106が形成される領域の断面図に相当し、トランジスタ111は、トランジスタ107及びトランジスタ106と積層させて形成されており、C−Dに示す断面図は、酸化物半導体膜を有するトランジスタ111のソース電極またはドレイン電極の一方とnチャネルトランジスタ107のゲート電極とが接続されたノードNにおける断面図に相当する。なお、本実施の形態では、直接図示しないが、図1に示すようにpチャネルトランジスタ106のゲート電極もノードNと電気的に接続される。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した酸化物半導体膜を有するトランジスタについて、電界効果移動度を理論的に導出し、当該電界効果移動度を用いてトランジスタ特性を導出する。
本実施の形態では、先の実施の形態で示した酸化物半導体膜を有するトランジスタについて、特にIn、Sn、Znを主成分とする酸化物半導体膜を有するトランジスタについて説明する。
本発明の一態様に係る論理回路を用いることで、消費電力の低い電子機器を提供することが可能である。特に電力の供給を常時受けることが困難な携帯用の電子機器の場合、本発明の一態様に係る消費電力の低い半導体装置をその構成要素に追加することにより、連続使用時間が長くなるといったメリットが得られる。
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 トランジスタ
105 トランジスタ
106 トランジスタ
107 トランジスタ
108 トランジスタ
109 トランジスタ
110 トランジスタ
111 トランジスタ
201 半導体基板
203 素子分離領域
205 pウェル領域
215 絶縁膜
217 絶縁膜
221 絶縁膜
225 絶縁膜
227 酸化物半導体膜
229 酸化物半導体膜
231 絶縁膜
233 ゲート電極
235 酸化物半導体膜
237 サイドウォール絶縁膜
239 ゲート絶縁膜
243 絶縁膜
245 絶縁膜
249 配線
250 配線
421 RF回路
422 アナログベースバンド回路
423 デジタルベースバンド回路
424 バッテリー
425 電源回路
426 アプリケーションプロセッサ
427 CPU
428 DSP
429 インターフェース
430 フラッシュメモリ
431 ディスプレイコントローラ
432 メモリ回路
433 ディスプレイ
434 表示部
435 ソースドライバ
436 ゲートドライバ
437 音声回路
438 キーボード
439 タッチセンサ
451 バッテリー
452 電源回路
453 マイクロプロセッサ
454 フラッシュメモリ
455 音声回路
456 キーボード
457 メモリ回路
458 タッチパネル
459 ディスプレイ
460 ディスプレイコントローラ
461 CPU
462 DSP
463 インターフェース
600 基板
602 下地絶縁膜
606 酸化物半導体膜
608 ゲート絶縁膜
610 ゲート電極
614 電極
616 層間絶縁膜
618 配線
620 保護膜
1101 下地絶縁膜
1102 絶縁物
1104 ゲート絶縁膜
1105 ゲート電極
1107 絶縁物
207a ゲート絶縁膜
207b ゲート絶縁膜
209a ゲート電極
209b ゲート電極
211a 不純物領域
211b 不純物領域
213a 不純物領域
213b 不純物領域
219a コンタクトプラグ
219b コンタクトプラグ
219c コンタクトプラグ
219d コンタクトプラグ
223a 配線
223b 配線
223c 配線
235a 領域
235b 領域
235c 領域
241a 電極
241b 電極
1103a 領域
1103b 領域
1103c 領域
1106a サイドウォール絶縁膜
1106b サイドウォール絶縁膜
1108a ソース電極
1108b ドレイン電極
Claims (5)
- NAND回路としての機能と、NOR回路としての機能と、を切り替えることができる論理回路であって、
第1乃至第5のトランジスタと、ノードと、配線と、を有し、
前記ノードは、前記第1のトランジスタを介して前記配線と電気的に接続され、
前記ノードは、前記第2乃至第5のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記ノードと前記配線との導通又は非導通を制御して、前記第2乃至第5のトランジスタの導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第2及び第3のトランジスタが導通し、前記第4及び前記第5のトランジスタが非導通の場合、前記NAND回路として機能し、
前記第4及び第5のトランジスタが導通し、前記第2及び前記第3のトランジスタが非導通の場合、前記NOR回路として機能することを特徴とする論理回路。 - 直列に接続した第1乃至第4のトランジスタと、
直列に接続した第5乃至第8のトランジスタと、
ゲートが接続した第9のトランジスタおよび第10のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が、前記第9のトランジスタおよび前記第10のトランジスタのゲートと接続する第11のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタおよび前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの一方は高電位電源線に接続され、
前記第4のトランジスタおよび前記第8のトランジスタのソースまたはドレインの一方は接地または低電位電源線に接続され、
前記第1のトランジスタ、前記第3のトランジスタおよび前記第8のトランジスタのゲートは第1の信号線に接続され、
前記第2のトランジスタ、前記第4のトランジスタおよび前記第5のトランジスタのゲートは第2の信号線に接続され、
前記第6のトランジスタ、前記第7のトランジスタ、前記第9のトランジスタおよび前記第10のトランジスタのゲートは、前記第11のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続してノードを形成し、
前記第11のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第3の信号線と接続し、
前記第11のトランジスタのゲートは第5の信号線と接続し、
前記第9のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方および前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続し、
前記第9のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの他方および前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続し、
前記第10のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方と接続し、
前記第10のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第7のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第8のトランジスタのソースまたはドレインの他方と接続し、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの他方および前記第7のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第4の信号線と接続し、
前記第11のトランジスタは酸化物半導体を有することを特徴とする論理回路。 - 請求項2において、
前記ノードと接続する容量素子を有することを特徴とする論理回路。 - 請求項2又は請求項3において、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第5のトランジスタ、前記第6のトランジスタおよび前記第9のトランジスタはpチャネルトランジスタであり、
前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタ、前記第7のトランジスタ、前記第8のトランジスタ、前記第10のトランジスタおよび前記第11のトランジスタはnチャネルトランジスタであることを特徴とする論理回路。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、In、Ga、SnおよびZnから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする論理回路。
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CN106298772A (zh) | 2012-05-02 | 2017-01-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 可编程逻辑器件 |
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JP2014022507A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 不揮発プログラマブルスイッチ |
TWI591966B (zh) | 2012-10-17 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法 |
KR102102589B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그램 가능한 논리 장치 |
WO2014077295A1 (en) | 2012-11-15 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP6254834B2 (ja) | 2012-12-06 | 2017-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8952723B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device and semiconductor device |
US9704886B2 (en) | 2013-05-16 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device |
JP6473626B2 (ja) | 2014-02-06 | 2019-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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JP6541376B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイスの動作方法 |
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KR102643895B1 (ko) | 2015-10-30 | 2024-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
CN109565280B (zh) | 2016-08-19 | 2023-02-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的电源控制方法 |
US11189658B2 (en) * | 2017-11-22 | 2021-11-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic random access memory and manufacturing method thereof |
US11728794B2 (en) * | 2021-12-03 | 2023-08-15 | Nanya Technology Corporation | Data receiving circuit |
US11770117B2 (en) | 2021-12-07 | 2023-09-26 | Nanya Technology Corporation | Data receiving circuit |
Family Cites Families (166)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4870302A (en) | 1984-03-12 | 1989-09-26 | Xilinx, Inc. | Configurable electrical circuit having configurable logic elements and configurable interconnects |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP2682009B2 (ja) * | 1988-05-23 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | 選択回路 |
JP2749185B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-05-13 | シャープ株式会社 | 複合論理回路 |
JP2990773B2 (ja) * | 1990-09-18 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | 選択回路 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH05259882A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | レベル変換回路装置 |
US5250855A (en) * | 1992-03-20 | 1993-10-05 | Vlsi Technology, Inc. | Fast logic circuits |
US5164612A (en) | 1992-04-16 | 1992-11-17 | Kaplinsky Cecil H | Programmable CMOS flip-flop emptying multiplexers |
JP3059589B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2000-07-04 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置 |
KR960003373B1 (ko) | 1992-09-29 | 1996-03-09 | 후지쓰 가부시키가이샤 | 프로그래머블 논리회로 |
US5381058A (en) | 1993-05-21 | 1995-01-10 | At&T Corp. | FPGA having PFU with programmable output driver inputs |
US5677691A (en) | 1993-06-25 | 1997-10-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Configurable analog and digital array |
JP3430231B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2003-07-28 | 富士通株式会社 | 論理セル及びこれを用いた半導体集積回路 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
US5545579A (en) | 1995-04-04 | 1996-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of fabricating a sub-quarter micrometer channel field effect transistor having elevated source/drain areas and lightly doped drains |
US5568067A (en) * | 1995-06-30 | 1996-10-22 | Cyrix Corporation | Configurable XNOR/XOR element |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5796128A (en) | 1996-07-25 | 1998-08-18 | Translogic Technology, Inc. | Gate array with fully wired multiplexer circuits |
JP4103968B2 (ja) | 1996-09-18 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JP3106998B2 (ja) | 1997-04-11 | 2000-11-06 | 日本電気株式会社 | メモリ付加型プログラマブルロジックlsi |
US6057707A (en) | 1997-06-20 | 2000-05-02 | Altera Corporation | Programmable logic device incorporating a memory efficient interconnection device |
JP3185727B2 (ja) | 1997-10-15 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | プログラマブル機能ブロック |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP3488105B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2004-01-19 | 日本電信電話株式会社 | 動作解析を防止する論理回路および論理回路装置 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6118300A (en) | 1998-11-24 | 2000-09-12 | Xilinx, Inc. | Method for implementing large multiplexers with FPGA lookup tables |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
KR100317331B1 (ko) | 1999-11-11 | 2001-12-24 | 박종섭 | 불휘발성 강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR100516693B1 (ko) | 2003-04-02 | 2005-09-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 프로그래머블 로직 회로 |
JP2001168198A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sony Corp | メモリ混載半導体集積回路およびその設計方法 |
US6288593B1 (en) * | 2000-01-04 | 2001-09-11 | Translogic Technology, Inc. | Digital electronic circuit for use in implementing digital logic functions |
US6384628B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-07 | Cypress Semiconductor Corp. | Multiple voltage supply programmable logic device |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003115754A (ja) * | 2001-06-06 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性セレクタ及び集積回路装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
DE10152888A1 (de) | 2001-10-26 | 2003-05-15 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Analogmultiplexer |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
DE60239588D1 (de) | 2001-12-28 | 2011-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Programmierbare Logikschaltung mit ferroelektrischem Konfigurationsspeicher |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US6856542B2 (en) * | 2002-06-04 | 2005-02-15 | Stmicroelectronics, Inc. | Programmable logic device circuit and method of fabricating same |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7327169B2 (en) * | 2002-09-25 | 2008-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Clocked inverter, NAND, NOR and shift register |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US6856173B1 (en) | 2003-09-05 | 2005-02-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit |
DE10354501B4 (de) | 2003-11-21 | 2007-07-05 | Infineon Technologies Ag | Logik-Schaltkreis-Anordnung |
US7030651B2 (en) | 2003-12-04 | 2006-04-18 | Viciciv Technology | Programmable structured arrays |
CN1998087B (zh) | 2004-03-12 | 2014-12-31 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 非晶形氧化物和薄膜晶体管 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7242614B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-07-10 | Impinj, Inc. | Rewriteable electronic fuses |
KR20050099259A (ko) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | 삼성전자주식회사 | 고속 플립플롭들 및 이를 이용한 복합 게이트들 |
US7348827B2 (en) | 2004-05-19 | 2008-03-25 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of programmable logic devices |
US7400167B2 (en) | 2005-08-16 | 2008-07-15 | Altera Corporation | Apparatus and methods for optimizing the performance of programmable logic devices |
US7129745B2 (en) | 2004-05-19 | 2006-10-31 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of integrated circuits |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7868326B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
RU2399989C2 (ru) | 2004-11-10 | 2010-09-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) * | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006313999A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577282A (zh) | 2005-11-15 | 2009-11-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5197058B2 (ja) | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
WO2008126879A1 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
US8026739B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-09-27 | Cypress Semiconductor Corporation | System level interconnect with programmable switching |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5430846B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
US7652502B2 (en) | 2007-12-29 | 2010-01-26 | Unity Semiconductor Corporation | Field programmable gate arrays using resistivity sensitive memories |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5388525B2 (ja) | 2008-09-25 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | プログラマブル論理回路 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5366127B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-12-11 | スパンション エルエルシー | アナログ集積回路 |
JP5781720B2 (ja) | 2008-12-15 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5736114B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法、電子機器の駆動方法 |
TWI650848B (zh) * | 2009-08-07 | 2019-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
WO2011027676A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011034012A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device |
CN104934483B (zh) * | 2009-09-24 | 2018-08-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体元件及其制造方法 |
US7795923B1 (en) * | 2009-10-13 | 2010-09-14 | National Changhua University Of Education | Logic circuit |
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