JP5864058B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
第1絶縁体101上に、読み出しビット線102a乃至102c(ただし、読み出しビット線102a、102cは図3にのみ示す)を形成する。このとき、読み出しビット線102bと隣接する読み出しビット線102a、102cの配置にはいくつかの方式がある。第1は、図3(A)と図3(B)に示すように、読み出しビット線102bと隣接する読み出しビット線102a、102cを全て同じ深さあるいは同じ層に形成する方法である。
第1ゲート絶縁膜106の上に読み出しトランジスタのゲートとなる第1導電層107a乃至107d(なお、第1導電層107c、107dは図4(B)にのみ示す)を形成する。第1導電層107a乃至107dの材料や厚さは適宜、設定すればよいが、以下のプロセスに用いるのに好ましいものであるとよい。例えば、多結晶シリコンを用いるとよい。
第1導電層107a乃至107dを覆って、適切な厚さの第1導電膜を形成する。第1導電膜は第1導電層107a乃至107dと同じ材質でもよいし、異なる材質でもよい。その後、第1導電膜を異方性エッチングすることで、第1導電層107a乃至107dの側面に側壁108を形成する。側壁108の幅は、0.1F乃至0.3Fとなるようにするとよい。このようにすることで、上記で説明したようにメモリセルの幅を2Fとすることができる。
第4絶縁体、第5絶縁体、第2導電膜を適切な厚さに形成する。第4絶縁体は、その上に形成する第5絶縁体とエッチングレートの異なる材料で形成することが好ましく、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン等とすればよく、その厚さは10nm乃至100nmとすればよい。また、その後に形成する第2半導体膜114a、114bが酸化物半導体である場合には水素に対するバリア性のある材料を用いることが好ましい。
島状の第2半導体膜114aおよび114b(ただし、第2半導体膜114bは図5(B)にのみ示す)を形成する。第2半導体膜114a、114bは第1導電層107a乃至107dと接するようにする。
第3導電膜を形成後、これを異方性エッチングすることで書き込みワード線116a、116bを形成する。書き込みワード線116a、116bの幅は、概ね、第3導電膜の厚さと同程度となる。このように凸状絶縁体の側面に自己整合的に配線を形成する技術に関しては、特許文献4を参照すればよい。さらに表面が平坦な第6絶縁体117を形成する。
第6絶縁体117をエッチングして、コンタクトホールを形成し、第2コンタクトプラグ118a乃至118d(ただし、第2コンタクトプラグ118c、118dは図5(B)にのみ示す)を埋め込む。
酸化シリコン、酸化炭化シリコン等の比較的誘電率の低い材料で第7絶縁体119を形成して、これにキャパシタを形成するための孔を設ける。そして、孔の内面に厚さ2nm乃至20nmのキャパシタ電極120a、120bを形成する。なお、キャパシタ電極120a、120bの厚さの上限は最小加工寸法Fに応じて決定すればよく、Fが20nmであれば、5nm以下とすることが好ましく、Fが10nmであれば、2.5nm以下とすることが好ましい。
読み出しワード線122a、122bをワード線方向に形成する。キャパシタ電極120a(あるいは120b)、キャパシタ絶縁体121および読み出しワード線122a(あるいは122b)によりキャパシタが構成される。
図8に本実施の形態を示す。本実施の形態では、センスアンプ、デコーダ等、メモリセルを駆動するための回路(駆動回路202)は単結晶半導体の基板201表面に公知の半導体集積回路技術を用いて形成されている。その上に、読み出しビット線203が形成され、さらに、その上に、書き込みワード線、読み出しワード線を含むメモリセル層204が設けられる。さらに、その上に書き込みビット線205が形成される。
(実施の形態3)
第1絶縁体301上に、読み出しビット線302を形成する。さらに、読み出しビット線302の上に適切な厚さの第2絶縁体303を形成する。第1絶縁体301と第2絶縁体303の厚さは100nm乃至1μmとすることが好ましい。また、第1絶縁体301と第2絶縁体303は酸化シリコン等の比較的誘電率の低い材料で形成するとよい。
第3絶縁体308を部分的にエッチングして、第3絶縁体308aを形成する。その際、第1導電層307aおよび307bで挟まれた部分は残す。さらに、第4絶縁体、第5絶縁体、第2導電膜を適切な厚さに形成する。第4絶縁体、第5絶縁体、第2導電膜に関しては、それぞれ、実施の形態1の第4絶縁体、第5絶縁体、第2導電膜を参照すればよい。
島状の第2半導体膜312を形成する。第2半導体膜312は第1導電層307aおよび307bと接するようにする。この際、第2半導体膜312をマスクとして、第2導電層311もエッチングする。したがって、第2導電層311のうち、その上に第2半導体膜312が存在しない部分は除去される。
第2ゲート絶縁膜313を覆って、第3導電膜314を形成する。
第3導電膜314を異方性エッチングすることで第3導電層314a乃至314dを形成する。第3導電層314a乃至314dは、凸状絶縁体310や第1導電層307aおよび307b、第3絶縁体308aに沿って、ワード線方向に形成される。
第6絶縁体315を形成し、これをエッチングして、第2導電層311に達するコンタクトホールを形成し、第2コンタクトプラグ316を埋め込む。さらに、ビット線方向に書き込みビット線317を形成する。このようにして、2つのトランジスタと1つのキャパシタを有するゲインセルのメモリセルを作製できる。本実施の形態のメモリセルの面積も最小で4F2とできる。
(実施の形態4)
単結晶シリコン等の半導体基板401上に、素子分離絶縁物402を形成する。さらに、第1ゲート絶縁膜403、第1導電層404を形成する。第1導電層404はメモリセルのメモリノードとなり、線分EFにおいて、2つの素子分離絶縁物に挟まれた領域を横断するように形成する。さらに、第1導電層404をマスクとして自己整合的に不純物領域405を形成する。
絶縁物を堆積し、その表面を平坦化することで、第3絶縁物409を形成する。図11(B)では、平坦化の際に、第2絶縁物407の一部がエッチングされる様子を示すが、第2絶縁物407を残しておいてもよい。
ワード線方向に延びる第3導電層410を形成する。また、第3導電層410の上に第4絶縁物411を形成する。第4絶縁物411の表面を平坦化する。さらに、第1導電層404に達する開口部412を形成する。
開口部412の側面に第2ゲート絶縁膜413を形成し、さらに、柱状半導体414を形成することで開口部412を埋める。この結果、第3導電層410をゲート、第2ゲート絶縁膜413をゲート絶縁物とするトランジスタが形成される。また、第3導電層410は書き込みワード線として機能する。なお、開口部412の直径は、トランジスタのチャネル幅に応じて決定され、例えば、10nm乃至50nmとするとよい。また、第3導電層410の厚さは、トランジスタのチャネル長に応じて決定され、例えば、100nm乃至500nmとするとよい。
柱状半導体414に接する第4導電層415を形成する。第4導電層415に用いる材料は柱状半導体414に用いる半導体材料に応じて決定するとよい。さらに、第5絶縁物416を形成し、第4導電層415に通じるコンタクトプラグ417を埋め込む、さらに、ビット線方向に延びる第5導電層418を形成する。第5導電層418は書き込みビット線として機能する。
102a 読み出しビット線
102b 読み出しビット線
102c 読み出しビット線
103 第2絶縁体
104 第1コンタクトプラグ
105 第1半導体膜
106 第1ゲート絶縁膜
107a 第1導電層
107b 第1導電層
107c 第1導電層
107d 第1導電層
108 側壁
109a 不純物領域
109b 不純物領域
109c 不純物領域
109d 不純物領域
110 第3絶縁体
111 第4絶縁層
112 凸状絶縁体
113 第2導電層
113a 第2導電層
114a 第2半導体膜
114b 第2半導体膜
115 第2ゲート絶縁膜
116a 書き込みワード線
116b 書き込みワード線
117 第6絶縁体
118a 第2コンタクトプラグ
118b 第2コンタクトプラグ
118c 第2コンタクトプラグ
118d 第2コンタクトプラグ
119 第7絶縁体
120a キャパシタ電極
120b キャパシタ電極
121 キャパシタ絶縁体
122a 読み出しワード線
122b 読み出しワード線
123 第8絶縁体
124 第3コンタクトプラグ
125a 書き込みビット線
125b 書き込みビット線
201 基板
202 駆動回路
203 読み出しビット線
204 メモリセル層
205 書き込みビット線
301 第1絶縁体
302 読み出しビット線
303 第2絶縁体
304 第1コンタクトプラグ
305 第1半導体膜
306 第1ゲート絶縁膜
307a 第1導電層
307b 第1導電層
308 第3絶縁体
308a 第3絶縁体
309 第4絶縁層
310 凸状絶縁体
311 第2導電層
312 第2半導体膜
313 第2ゲート絶縁膜
314 第3導電膜
314a 第3導電層
314b 第3導電層
314c 第3導電層
314d 第3導電層
315 第6絶縁体
316 第2コンタクトプラグ
317 書き込みビット線
401 半導体基板
402 素子分離絶縁物
403 第1ゲート絶縁膜
404 第1導電層
405 不純物領域
406 第1絶縁物
407 第2絶縁物
408 第2導電層
409 第3絶縁物
410 第3導電層
411 第4絶縁物
412 開口部
413 第2ゲート絶縁膜
414 柱状半導体
415 第4導電層
416 第5絶縁物
417 コンタクトプラグ
418 第5導電層
RBL 読み出しビット線
RWL 読み出しワード線
WBL 書き込みビット線
WWL 書き込みワード線
WTr 書き込みトランジスタ
RTr 読み出しトランジスタ
Claims (3)
- 基板上に形成された読み出しビット線と、
前記読み出しビット線上に形成された第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜上に形成された2つのゲート電極と、
前記2つのゲート電極を埋め込む絶縁膜と、
前記2つのゲート電極の間でかつ前記絶縁膜上の絶縁体と、
前記2つのゲート電極および前記絶縁体の上面と少なくとも2つの側面を覆う第2の半導体膜と、
前記絶縁体の2つの側面のそれぞれに沿い、かつ前記第2の半導体膜に重なる2本の書き込みワード線と、
前記絶縁体の頂部の電極と、
前記絶縁体上の前記電極と電気的に接続する書き込みビット線とを有する半導体装置であって、
第1のトランジスタと第3のトランジスタが1のメモリセルを構成し、
第2のトランジスタと第4のトランジスタが1のメモリセルを構成し、
前記第1のトランジスタは、チャネルとして機能する領域を有する前記第1の半導体膜と、ゲート電極である前記2つのゲート電極の一方と、を有し、
前記第2のトランジスタは、チャネルとして機能する領域を有する前記第1の半導体膜と、ゲート電極である前記2つのゲート電極の他方と、を有し、
前記第3のトランジスタは、チャネルとして機能する領域を有する前記第2の半導体膜と、ゲート電極である前記2本の書き込みワード線の一方と、を有し、
前記第4のトランジスタは、チャネルとして機能する領域を有する前記第2の半導体膜と、ゲート電極である前記2本の書き込みワード線の他方と、を有し、
前記第1のトランジスタの前記ゲート電極は、前記第3のトランジスタの前記第2の半導体膜と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの前記第1の半導体膜は、前記読み出しビット線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの前記ゲート電極は、前記第4のトランジスタの前記第2の半導体膜と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの前記第1の半導体膜は、前記読み出しビット線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの前記第2の半導体膜は、前記電極を介して前記書き込みビット線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの前記第2の半導体膜は、前記電極を介して前記書き込みビット線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記読み出しビット線の下には半導体基板に形成された駆動回路を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の半導体膜は酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
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