JP5735484B2 - 熱電対アセンブリおよびこれを用いた冷接点補償 - Google Patents

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Description

本発明は熱電対に関し、とりわけ熱電対の接続に関する。
熱電対は広く使われている温度センサである。基本的に、熱電対はプラス側およびマイナス側の導線を備え、これらは異なる金属からできており、一方の端部で接合されている。この接合された端部は、一般にプロセスエンド(process end)、プロセス接点(process junction)、高温端部(hot end)、温接点(hot junction)、あるいは主接点(main junction)と呼ばれている。もう一方の端部は、一般に冷端部(cold end)、あるいは冷接点(cold junction)と呼ばれている。通常、温接点は温度が未知の環境に暴露され、冷接点は温度が既知の環境に暴露される。この状態で冷接点間での電圧が測定される。
上記のようにして電圧を計測すると、温度が未知の環境と温度が既知の環境間の温度差が分かる。これは、どのような金属であっても、熱勾配のある条件に曝されると起電力が生まれることを利用している。すなわち、各金属は、熱勾配の大きさに応じて、固有の電位差を生み出す。一方、金属が異なれば、同一の熱勾配に曝された場合でも、起電力は異なる。したがって、熱電対を構成する2種の金属は、温接点と冷接点間でそれぞれ異なる電位差を生み出すため、両冷接点間で観測される電位差は、温度が未知の環境と既知の環境間の温度差に対応することとなる。
熱電対によって計測される電圧の値は、プラス側の導線とマイナス側の導線にどのような金属を使用するかによって決まる。例えば、Kタイプ(国際電気標準会議(IEC)による)の熱電対は、正の電極にクロメル、負の電極にアルメルを用いる。他の金属を用いてもよいが、計測した電圧の値から温度差を導き出すためには、使用する金属の熱起電力特性を知っておかなければならない。
熱電対で温度を測定するには、原理的には、冷接点の温度を一定(例えば0℃)に保たなければならない。しかし、冷接点の温度が変化しても、冷接点に接続した他の手段を用いて(ダイオードの温度特性を利用したり、サーミスタや測温抵抗体を用いたりして)、その温度を測定することはできる。そこで、冷接点の温度が一定でない環境下で熱電対により温度を測定する場合には、他の手段で測定する冷接点温度を利用して、適切な校正(冷接点補償と呼ばれる)を行なう。
基本的に本発明は、熱電対のプラス側およびマイナス側の導線が、温度検出回路に正しく接続されているかどうかを判定する装置および方法を提供する。
本発明に基づくアセンブリは、熱電対、冷接点センサ、および電気回路を備える。この熱電対は、プロセスエンドおよび冷接点の端部を有する。この冷接点の端部は、第1および第2の冷接点の端子を有する。この冷接点センサは、冷接点の端部の近傍に支持され、冷接点の端部の温度を測定するように構成されている。この電気回路は冷接点センサに電気的に接続され、その第1および第2の冷接点の端子に接続されている。この電気回路は、熱電対信号を第1および第2の冷接点の端子間の電圧の関数として生成するように、また冷接点センサ信号をこの冷接点センサで測定される冷接点の端部の温度の関数として生成するように、構成されている。この電気回路は、さらに、熱電対信号と冷接点センサ信号の相関を演算するように構成されている。本発明には、このアセンブリを用いる方法も含まれている。
温度センサの概略図である。 熱電対での測定を示す図である。 測定の相関を示す図である。
図1は、温度センサ10の概略図を示す。温度センサ10は、熱電対の正極側のリード線12、熱電対のマイナス側導線14、プラス側の冷接点の端子16、マイナス側の冷接点の端子18、プロセスエンド20、冷接点補償器の電気回路22、冷接点補償器のプラス側導線24、冷接点補償器の負極側導線26、冷接点温度センサ28、出力回路30、出力接続線32、トランスミッタ34、トランスミッタ接続線36、およびユーザインターフェース38を備える。
熱電対のプラス側導線12は、プロセスエンド20で熱電対のマイナス側導線14に接続されている。プロセスエンド20は、温度の情報が必要なプロセス環境に暴露されてよい。プロセスエンド20は、一般に「主接点」あるいは「温接点」として知られている。
熱電対のプラス側導線12は、プラス側の冷接点の端子16にも接続され、熱電対のマイナス側導線14は、マイナス側の冷接点の端子18にも接続されている。冷接点補償器の回路22は、冷接点補償器のプラス側の接続線24を介して、プラス側の冷接点の端子16に接続され、冷接点補償器のマイナス側の接続線26を介して、マイナス側の冷接点の端子18に接続されている。プラス側の冷接点の端子16およびマイナス側の冷接点の端子18は、合わせて冷接点と呼ばれる。出力回路30は、出力接続線32を介して、冷接点補償器の電気回路22に接続されている。この図示された実施形態では、プラス側の冷接点の端子16、マイナス側の冷接点の端子18、プロセスエンド20、冷接点補償器の電気回路22、冷接点補償器のプラス側導線24、冷接点補償器のマイナス側導線26、冷接点の温度センサ28、出力回路30、および出力接続線32は、トランスミッタ34の一部となっている。
冷接点のプラス側導線12は、実質的にはどのような導電性の材質であっても熱電対のプラス側導線としての使用に適していればよく、たとえばクロメルであってよい。冷接点のマイナス側導線14は、実質的にどのような導電性の材質であっても、冷接点のプラス側導線12と対になるように選択されたマイナス側の導線としての使用に適していればよく、たとえばアルメルであってよい。冷接点のプラス側導線12および冷接点のマイナス側導14は合わせて、熱電対を形成する。
冷接点補償器の電気回路22は、プラス側の冷接点の端子16とマイナス側の冷接点の端子18との間の電圧を測定することができる。冷接点補償器の電気回路22は、冷接点の温度センサ28を用いて冷接点での温度を測定することができる。冷接点の温度センサ28は、温度に反応するデバイスであり、たとえばサーミスタ、ダイオード、あるいは測温抵抗体デバイスである。次に冷接点補償器の電気回路22は、冷接点の温度に基づいて補正電圧を計算する。冷接点補償器の出力回路22は、出力接続線32を介して、冷接点補償器の回路30に所定の信号を送信する。この信号は、プラス側の冷接点の端子16とマイナス側の冷接点の端子18との間で測定される電圧を表す信号と、補正電圧を表す信号とを含む。
冷接点補償器の電気回路22からの信号に基づいて、出力回路30は、冷接点の正確な温度、冷接点とプロセスエンド20との間の温度差、およびプロセスエンド20の正確な温度を含む種々の温度を計算することができる。これらの温度値は、多項式補間あるいは参照テーブルの値を基準にするなどの、一般的な手法で決めることができる。トランスミッタの接続線36は、トランスミッタ34をユーザインターフェース38に電気的に接続している。この図示された実施形態では、出力回路30は、トランスミッタの接続線36によってユーザインターフェース38に接続されているが、この接続線は有線接続であっても、無線接続であってもよい。
ユーザインターフェース38は、出力回路30から受信した信号に基づいて、冷接点補償器の電気回路22および出力回路30によって計算された温度値を表示してよい。1つの実施形態では、ユーザインターフェース38は、温度値のデジタル表示が可能なグラフィカルユーザインターフェースであってよい。他の実施形態では、ユーザインターフェース38は、ユーザと情報通信を行えるものであれば概ねどのようなユーザインターフェースあってもよい。
これらの温度値の確度は、熱電対のプラス側導線12と熱電対のマイナス側導線とに用いられる材質および冷接点温度センサ28に用いられる温度に反応するデバイスなどの要因に依存する。さらに、この確度は温度センサ10の全ての部品が適切に接続されているどうかにも依存する。たとえば、温度センサ10は、熱電対のプラス側導線12が冷接点の端子16に接続され、熱電対のマイナス側導線14が同様にマイナス側の冷接点の端子18に接続されていることを前提として機能する。もしこれらの導線が誤って、間違った端子に接続されていると、プラス側の冷接点の端子16とマイナス側の冷接点の端子18との間の電圧降下は、正しく接続された温度センサの温度での電圧降下と逆になってしまう。このような場合、出力回路30は、プロセスエンド20の不正確な温度値を計算してしまうことになる。状況次第では、この温度値が不正確であることがユーザにとって明瞭でない可能性もある。
図2は熱電対での測定図40を示す。熱電対での測定図40は、温度値を時間の関数として示したものである。実際のライン42は、プロセスエンド20での実際のプロセス温度を時間経過に対して示したものである。ここで図示された実施形態では、実際の温度は60時間で約100℃から約200℃に直線的に上昇している。
熱電対のライン44は、温度センサ10の全ての部品が適切に接続されている場合に測定された温度差(プロセスエンド20の温度−冷接点の温度)を時間経過に対して示したものである。ここに図示された実施形態では、測定された温度差は60時間で上昇率が変化しながら約100℃から約200℃に上昇している。
冷接点のライン46は、冷接点で測定された温度を時間経過に対して示したものである。この図示された実施形態では、冷接点で測定された温度は、約60時間に渡り0℃付近で変動している。
反転した熱電対のライン48は、温度センサ10が反対に接続されて(すなわち、熱電対のプラス側導線14がプラス側の冷接点の端子16に接続され、熱電対のプラス側導線12がマイナス側の冷接点の端子18に接続された場合)、間違って測定された、プロセスエンド20と冷接点の温度差を時間経過に対し示したものである。ここに図示された実施形態では、間違って測定された温度差は60時間で下降率が変化しながら約−100℃から約−200℃に下降している。反転した熱電対のライン48は、事実上熱電対の線44を裏返しにしたものである。
熱電対での測定図40から明らかなように、熱電対のライン44は、冷接点のライン46に対し逆の相関を有している。冷接点での温度が上昇すると、温度差は必然的に減少する。これは以下の式で表すことができる。
(実際のプロセス温度)−(冷接点の温度)=(測定された熱電対の温度差)
また、熱電対での測定図40から明らかなように、反転したTCのライン48は、CJのライン46に対し正の相関を有している。これは以下の式で表すことができる。
−[(実際のプロセス温度)−(冷接点の温度)]
=(反転して測定された熱電対の温度差)
したがって、熱電対が適切に接続されているか否かは、冷接点の温度と測定された熱電対の温度差とを比較することで明らかとなる。
図3は測定の相関図を示す。測定の相関図50は、測定された冷接点の温度と測定された温度差との間の相関値を時間の関数として示したものである。正しいライン52は、温度センサ10が正しく接続されている場合の相関値を示している。この図示された実施形態では、正しいライン52は、約10時間に渡り0と−1の間で変動している。
反転したライン54は、温度センサ10が反対に接続された場合(すなわち、熱電対のマイナス側導線14がプラス側の冷接点の端子16に接続され、熱電対のプラス側導線12がマイナス側の冷接点の端子18に接続された場合)の相関値を示している。この図示された実施形態では、反転したライン54は、約10時間に渡り0と1の間で変動している。
平坦なライン56は、温度センサ10が開放回路となっている場合(すなわち、プラス側の冷接点の端子16あるいはマイナス側の冷接点の端子18が、熱電対のプラス側導線12または熱電対のマイナス側導線14に接続されていない場合)の相関値を示している。この図示された実施形態では、正しいライン56は、約10時間に渡りほぼ0の値となっている。
出力回路30は、冷接点補償器の電気回路22から受信した信号に基づいて、相関値を時間の関数として計算することができる。相関は以下の2つの方法のいずれかで評価することができる。第1の方法では、相関は、冷接点で測定された温度の時間変化率と、プラス側の冷接点の端子16とマイナス側の冷接点の端子18の間の電圧の変化率との相関で評価することができる。第2の方法では、相関は、冷接点で測定された温度の時間変化率と、冷接点とプロセス端部の間の温度差の時間変化率との相関で評価することができる。冷接点とプロセスエンドの温度差は、そのままプラス側の冷接点の端子16とマイナス側の冷接点の端子18の間の電圧に対応しているので、これらのいずれの相関も有用である。
相関の評価は、必然的に冷接点での少なくとも何らかの温度変化が必要である。このような変化は、長い時間に渡っては、通常自然に起こるものである。この方法の正確さは、冷接点での温度変化がプロセスエンド20での温度変化に対して比較的大きくなるように設定することで、向上することができる。冷接点での大きな温度変化は、温度差の変化に対し大きな影響を生じ、相関値を−1あるいは1に近づける。このようにして、温度センサ10が正しく接続されているかどうかについての結果の信頼性が向上される。相関値が−1に近いほど、温度センサが正しく接続されていることの確度が大きくなる。相関値が1に近いほど、温度センサ10が逆に接続されていることの確度が大きくなる。常に0である相関値は、開放回路であることを示唆している。0に近づいてゆく相関値は、不確定な検査またはセンサ不良を示唆している。
出力回路30は、ユーザインターフェース38を駆動して、接続の状態に関して警告する。1つの実施形態では、ユーザインターフェース38は、測定の相関図50のように、相関値を時間の関数で示す図を表示することができる。他のもう1つの実施形態では、ユーザインターフェース38は、相関値のデジタル表示を行うことができる。さらにもう1つの実施形態では、ユーザインターフェース38は、接続状態に関して決定的な警告を提供するために相関の情報を利用してよい。1つの実施形態では、ユーザインターフェース38は、正しい接続、間違った接続、あるいは無接続であることを示す3つの警告のうちの1つを提供するようにしてよい。このような警告を提供する前に、相関の閾値を設定するようにしてもよい。たとえば、相関値がゼロ以下になった時には、ユーザインターフェース38は、正しい接続であることを示す警告を常に提供してよく、あるいは相関値がゼロ未満のある所定の値以下に低下した時のみ、正しい接続であることを示唆する警告を提供するようにしてよい。
さらに、ユーザインターフェース38は、相関値が所定の閾値より下に一瞬でも低下する度に、正しい接続であることを示す警告を提供してよく、相関値が所定の期間、所定の閾値より低下した場合のみ、正しい接続であることを示す警告を提供するようにしてよく、あるいは、平均的な相関値が所定の期間、所定の閾値より低下した場合のみ、正しい接続であることを示す警告を提供するようにしてよい。冷接点の温度が十分に頻繁に変化する場合は、相関演算は10分以下で完了する。また、ユーザインターフェース38は、正の閾値を用いる以外は、正しい接続であることを示す警告の場合に説明したと同様に、間違った接続であることを示す警告を提供するようにしてよい。また、ユーザインターフェース38は、正および負の閾値を用いる以外は、正しい接続であることを示す警告の場合に説明したと同様に、無接続であることを示す警告を提供するようにしてよい。
ユーザインターフェース38が、熱電対10の接続が正しくない旨を表示した場合には、ユーザは、プラス側導線12またはマイナス側導線14を、正しい端子に接続し直す。同様に、ユーザインターフェース38が開放回路である旨を表示した場合には、ユーザは、導線を再度接続する。一方、ユーザインターフェース38が、熱電対10の接続が正しい旨を表示した場合には、ユーザは、熱電対10が測定した温度に大きな信頼を寄せることができる。
本発明は、多くの効果・利点を有する。すなわち、本発明によれば、ユーザは、熱電対の接続が正しいことについて信頼を寄せることができる。また、熱電対の接続が反対のときには、ユーザは、接続の誤りに気づくことができる。このため、ユーザが誤った温度の測定結果を取り入れることは防止され、ユーザは誤った接続を正すことができる。さらに、熱電対の導線の接続が外れたり、破断したりした場合には、ユーザに警報を発するようにすることもできる。このような効果・利点は、冷接点が位置する温度が既知の環境と、温接点が位置する温度が未知の環境との間の温度差が小さい場合に、特に有用である。
以上、本発明を好ましい実施形態に即して説明してきたが、当業者であれば、本発明の意図および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の変更を行うことができることを認識するであろう。たとえば、相関の演算は、実際はトランスミッタで行われる必要はない。冷接点の温度と測定された熱電対の温度差の間の相関値を時間の関数として計算することができる回路であれば、どのような回路もこの目的に用いることができる。

Claims (20)

  1. 熱電対(12,14)で温度を検出し、前記熱電対(12,14)の温接点(20)の温度および前記熱電対(12,14)の冷接点(16,18)の温度の関数である熱電対信号(44)を生成する工程と、
    冷接点温度センサ(28)で温度を検出し、冷接点(16,18)の温度の関数である冷接点センサ信号(46)を生成する工程と、
    前記熱電対信号(44)と前記冷接点センサ信号(46)とを相関演算し、前記熱電対(12,14)が正しくトランスミッタ(34)に接続されているか否かを示す信号を生成する工程と、
    を備える、トランスミッタ(34)に接続された熱電対(12,14)の動作を監視する方法。
  2. 前記熱電対がトランスミッタと正しく接続されているか否かを示す信号をユーザに提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記熱電対がトランスミッタと正しく接続されているか否かを示す信号は、時間の関数である、前記冷接点センサ信号と前記熱電対信号との相関値であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 正の相関値に対応して第1の信号をユーザに提供し、負の相関値に対応して第2の信号をユーザに提供する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 略ゼロの相関値に対応して第3の信号をユーザに提供する工程をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. 前記冷接点温度センサ信号(46)に対する前記熱電対信号(44)の平均の相関値を演算する工程と、
    所定の正の値を越える、平均の相関値に対応して、第1の信号をユーザに提供する工程と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 前記第1の信号に対応して、前記トランスミッタ(34)の第1の端子(16)に接続されていた熱電対の冷接点の端部(12,14)が前記トランスミッタの第2の端子(18)に接続され、前記第2の端子(18)に接続されていた熱電対の冷接点の端部(12,14)が前記第1の端子に接続されるように、前記熱電対(12,14)を前記トランスミッタ(34)に接続し直す工程をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 前記平均の相関値は、前記冷接点の温度が変化した場合に所定の期間に渡って演算されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
  9. 前記所定の期間は、概ね10分間を上回ることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 前記所定の正の値は、0〜1であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  11. 前記第1の信号に対応して、前記トランスミッタ(34)の第1の端子(16)に接続されていた熱電対の冷接点の端部(12,14)が前記トランスミッタ(34)の第2の端子(18)に接続され、前記第2の端子(18)に接続されていた熱電対の冷接点の端部(12,14)が前記第1の端子に接続されるように、前記熱電対(12,14)を前記トランスミッタ(34)に接続し直す工程をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  12. 前記平均の相関値が所定の負の値未満の場合には、第2の信号をユーザに提供する工程をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  13. 前記平均の相関値が、前記所定の正の値と前記所定の負の値の間にある場合には、第3の信号をユーザに提供する工程をさらに備えることを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 前記温接点(20)の温度に実質的に等しい温度を表す温度信号をユーザに提供する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  15. 熱電対の第1の冷接点の端部(12)をトランスミッタ(34)の第1の端子(16)に接続し、熱電対の第2の冷接点の端部(14)を、前記トランスミッタ(34)の第2の端子(18)に接続する工程と、
    前記熱電対(34)の温接点(20)を、第1の温度を有する第1の環境に暴露し、前記熱電対の前記冷接点の端部(12,14)を、第2の温度を有する第2の環境に暴露する工程と、
    前記熱電対(12,14)で温度を検出して、前記第1の温度と前記第2の温度の差の関数である、熱電対信号(44)を生成する工程と、
    冷接点温度センサ(28)で温度を検出し、前記第2の温度として冷接点センサ信号(46)を生成する工程と、
    前記冷接点センサ信号(46)と前記熱電対信号(44)との間に正の相関がある場合には、前記第1の冷接点の端部が前記第2の端子(18)に接続され、前記第2の冷接点の端部が前記第1の端子に接続されるように、前記熱電対(12,14)と前記トランスミッタとを接続し直す工程と、
    を備える、トランスミッタ(34)に熱電対(12,14)を接続する方法。
  16. 温接点および冷接点の端部(16,18)を有する熱電対(12,14)であって、前記冷接点の端部(16,18)が第1の冷接点の端子(16)および第2の冷接点の端子(18)を有する熱電対と、
    前記冷接点の端部(16,18)の近傍で支持され、前記冷接点の端部(16,18)での温度を測定する冷接点温度センサ(28)と、
    前記冷接点温度センサ(28)に電気的に接続され、前記第1の冷接点の端子(16)と前記第2の冷接点の端子(18)とに電気的に接続された電気回路(22,30)であって、
    前記第1の冷接点の端子(16)と前記第2の冷接点の端子(18)の間の電圧の関数である熱電対信号(44)を生成し、前記冷接点温度センサ(28)で測定される前記冷接点の端部(16,18)の温度の関数である冷接点センサ信号(46)を生成し、前記熱電対信号(44)と前記冷接点センサ信号(46)の相関を演算する電気回路(22,30)と、
    を備えるアセンブリ。
  17. 前記電気回路(22,30)に電気的に接続されたユーザインターフェースをさらに備えることを特徴とする請求項16に記載のアセンブリ。
  18. 前記電気回路(22,30)は、前記熱電対(12,14)が正しく前記電気回路(22,30)に接続されているか否かを示す信号を生成するようにユーザインターフェース(38)を駆動するよう構成されていることを特徴とする請求項17に記載のアセンブリ。
  19. 前記電気回路(22,30)は、相関データおよび温度データを前記ユーザインターフェース(38)に送信することを特徴とする請求項17に記載のアセンブリ
  20. 前記電気回路(22,30)は、冷接点補償器(22)を備えることを特徴とする請求項17に記載のアセンブリ。
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EP (1) EP2414797B1 (ja)
JP (1) JP5735484B2 (ja)
CN (1) CN102369422B (ja)
BR (1) BRPI1014789A2 (ja)
WO (1) WO2010117427A1 (ja)

Families Citing this family (335)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9429478B2 (en) * 2012-02-10 2016-08-30 Extron Company Thermocouple with integrity monitoring
DE102012003407B4 (de) * 2012-02-23 2013-10-24 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Temperaturmess-Modul mit Lagekompensation
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP2014109303A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Jfe Steel Corp シャーピン、シャーピン折損検出装置、及びシャーピン折損検出方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20140226695A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-14 Unison Industries, Llc Embedded Resistance Temperature Detector Assembly
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9279731B2 (en) * 2013-03-12 2016-03-08 Lam Research Corporation Multichannel thermocouple compensation for three dimensional temperature gradient
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9360377B2 (en) * 2013-12-26 2016-06-07 Rosemount Inc. Non-intrusive temperature measurement assembly
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
DE102015113842A1 (de) * 2015-08-20 2017-02-23 Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg Temperaturmessgerät mit Vergleichstemperaturbestimmung
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US10260960B2 (en) * 2015-12-17 2019-04-16 Honeywell International Inc. System and method to mitigate abrupt environment temperature disturbances in cold junction of TC/RTD in control systems
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11226242B2 (en) 2016-01-25 2022-01-18 Rosemount Inc. Process transmitter isolation compensation
CA3011963C (en) 2016-01-25 2021-08-24 Rosemount Inc. Non-intrusive process fluid temperature calculation system
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US11067520B2 (en) 2016-06-29 2021-07-20 Rosemount Inc. Process fluid temperature measurement system with improved process intrusion
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US11226255B2 (en) 2016-09-29 2022-01-18 Rosemount Inc. Process transmitter isolation unit compensation
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
CN107436200B (zh) * 2017-07-31 2020-07-14 北京临近空间飞行器系统工程研究所 一种基于热电偶传感器的温度测量通路地面测试方法
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7128645B2 (ja) * 2018-04-19 2022-08-31 ジオマテック株式会社 温度校正装置及び温度計測装置
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
WO2020067915A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 Rosemount Inc. Non-invasive process fluid temperature indication with reduced error
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
JP7413888B2 (ja) * 2020-03-27 2024-01-16 横河電機株式会社 診断装置、及び診断方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
CN113267265B (zh) * 2021-05-21 2024-08-09 中国联合重型燃气轮机技术有限公司 燃气轮机的燃气温度测量系统、燃气轮机和温度测量方法
US11946815B2 (en) * 2021-07-22 2024-04-02 Eurotherm Limited Removable PCB terminal block cold junction compensation
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2647237A (en) 1950-11-17 1953-07-28 Bogue Elec Mfg Co Thermocouple testing system
US3921453A (en) * 1974-03-08 1975-11-25 Chrysler Corp Thermocouple system having a PN junction for cold junction compensation
US4166243A (en) * 1978-04-21 1979-08-28 General Motors Corporation Thermocouple failure detector
JPS58138047U (ja) * 1982-03-12 1983-09-17 川惣電機工業株式会社 熱電対の検査回路
JPS60107534A (ja) * 1983-11-16 1985-06-13 Chino Works Ltd 熱電対入力回路
US4623266A (en) 1985-09-24 1986-11-18 Rosemount Inc. Cold junction compensation for thermocouple
JP2504425B2 (ja) * 1986-10-09 1996-06-05 日本フエンオール 株式会社 温度調節器
US4936690A (en) * 1989-05-31 1990-06-26 Rosemount Inc. Thermocouple transmitter with cold junction compensation
US5499023A (en) 1992-05-27 1996-03-12 Kaye Instruments, Inc. Method of and apparatus for automated sensor diagnosis through quantitative measurement of one of sensor-to-earth conductance or loop resistance
JPH09198147A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Omron Corp 温度調節器
JPH11152637A (ja) 1997-11-14 1999-06-08 Murata Mach Ltd 繊維機械におけるヒータ制御装置
US6344747B1 (en) 1999-03-11 2002-02-05 Accutru International Device and method for monitoring the condition of a thermocouple
US6983223B2 (en) 2003-04-29 2006-01-03 Watlow Electric Manufacturing Company Detecting thermocouple failure using loop resistance
US7131768B2 (en) * 2003-12-16 2006-11-07 Harco Laboratories, Inc. Extended temperature range EMF device
DE102005029045A1 (de) * 2005-06-21 2007-01-04 Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co Kg Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung und/oder Überwachung der Temperatur
JP4888861B2 (ja) 2005-11-17 2012-02-29 光照 木村 電流検出型熱電対等の校正方法および電流検出型熱電対
CN200962059Y (zh) * 2005-12-05 2007-10-17 黄勤 热电偶无源测温装置及能测温的无烟锅
US7841771B2 (en) * 2006-07-13 2010-11-30 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Self-validating thermocouple
US7658539B2 (en) 2006-12-04 2010-02-09 Rosemount Inc. Temperature sensor configuration detection in process variable transmitter
JP5336042B2 (ja) * 2006-12-18 2013-11-06 オークマ株式会社 工作機械における温度センサの異常検知方法
US8702306B2 (en) * 2007-09-21 2014-04-22 Siemens Industry, Inc. Systems, devices, and/or methods for managing a thermocouple module
US8757874B2 (en) * 2010-05-03 2014-06-24 National Instruments Corporation Temperature sensing system and method

Also Published As

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