JP5677812B2 - 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents

基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5677812B2
JP5677812B2 JP2010255210A JP2010255210A JP5677812B2 JP 5677812 B2 JP5677812 B2 JP 5677812B2 JP 2010255210 A JP2010255210 A JP 2010255210A JP 2010255210 A JP2010255210 A JP 2010255210A JP 5677812 B2 JP5677812 B2 JP 5677812B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
regenerating
thin film
mask blank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010255210A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2011127221A5 (enExample
JP2011127221A (ja
Inventor
雅広 橋本
雅広 橋本
野澤　順
順 野澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2010255210A priority Critical patent/JP5677812B2/ja
Publication of JP2011127221A publication Critical patent/JP2011127221A/ja
Publication of JP2011127221A5 publication Critical patent/JP2011127221A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5677812B2 publication Critical patent/JP5677812B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • H10P50/642—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
JP2010255210A 2009-11-18 2010-11-15 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 Active JP5677812B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010255210A JP5677812B2 (ja) 2009-11-18 2010-11-15 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263011 2009-11-18
JP2009263011 2009-11-18
JP2010255210A JP5677812B2 (ja) 2009-11-18 2010-11-15 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011127221A JP2011127221A (ja) 2011-06-30
JP2011127221A5 JP2011127221A5 (enExample) 2013-12-12
JP5677812B2 true JP5677812B2 (ja) 2015-02-25

Family

ID=44173951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010255210A Active JP5677812B2 (ja) 2009-11-18 2010-11-15 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5677812B2 (enExample)
KR (1) KR101757924B1 (enExample)
CN (1) CN102109756B (enExample)
TW (1) TWI494682B (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5627990B2 (ja) * 2010-10-25 2014-11-19 Hoya株式会社 インプリント用モールドの製造方法
JP5924901B2 (ja) * 2011-10-17 2016-05-25 Hoya株式会社 転写用マスクの製造方法
JP6460617B2 (ja) * 2012-02-10 2019-01-30 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP6301127B2 (ja) * 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
CN104932194A (zh) * 2015-07-22 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法
JP6716316B2 (ja) * 2016-03-30 2020-07-01 Hoya株式会社 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
TWI869221B (zh) 2019-06-26 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
JP2023513134A (ja) * 2020-02-04 2023-03-30 ラム リサーチ コーポレーション 金属含有ｅｕｖレジストの乾式現像性能を高めるための塗布／露光後処理
US12436464B2 (en) 2020-04-03 2025-10-07 Lam Research Corporation Pre-exposure photoresist curing to enhance EUV lithographic performance
US12209046B2 (en) * 2020-05-13 2025-01-28 AGC Inc. Glass substrate for EUVL, manufacturing method thereof, mask blank for EUVL, and manufacturing method thereof
CN115004110A (zh) 2020-07-07 2022-09-02 朗姆研究公司 用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
CN113458609A (zh) * 2021-05-27 2021-10-01 上海传芯半导体有限公司 再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法
WO2022255186A1 (ja) * 2021-06-04 2022-12-08 Ａｇｃ株式会社 薬液、膜付き基板の再生方法、膜付き基板の製造方法、および反射型マスクブランクの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04280987A (ja) * 1991-03-06 1992-10-06 Central Glass Co Ltd クリーニング装置
JP2001091731A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Ueyama Denki:Kk 樹脂遮光層を有するカラーフィルターガラス基板の再生方法
JP2002004052A (ja) * 2000-06-14 2002-01-09 Canon Inc 成膜装置のクリーニング方法及び堆積膜成膜方法
JP4158885B2 (ja) * 2002-04-22 2008-10-01 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
WO2004061943A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-22 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Recycling by mechanical means of a wafer comprising a taking-off structure after taking-off a thin layer thereof
JP2004335514A (ja) 2003-04-30 2004-11-25 Nikon Corp 多層膜反射マスク、その再生方法及び露光装置
JP2005191352A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Hoya Corp 多層反射膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法及び反射型マスクブランクスの製造方法
JP2006078825A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4405443B2 (ja) 2004-10-22 2010-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
TW200812715A (en) * 2006-09-01 2008-03-16 Kun-Huang Wu Method of surface treatment of recycled substrate and transparent substrate made by the same
JP4281773B2 (ja) * 2006-09-25 2009-06-17 ヤマハ株式会社 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法
JP2008151916A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 大型フォトマスク基板のリサイクル方法
TWI437358B (zh) * 2007-09-27 2014-05-11 Ｈｏｙａ股份有限公司 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110055436A (ko) 2011-05-25
CN102109756B (zh) 2016-01-20
TW201140230A (en) 2011-11-16
KR101757924B1 (ko) 2017-07-13
CN102109756A (zh) 2011-06-29
JP2011127221A (ja) 2011-06-30
TWI494682B (zh) 2015-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5677812B2 (ja) 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP4652946B2 (ja) 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP6420383B2 (ja) マスクブランク用ガラス基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク及びマスク
JP6343690B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
JP6002786B2 (ja) マスクブランク、転写用マスク及び転写用マスクの製造方法
JP5123349B2 (ja) 多階調マスクの製造方法
US7294438B2 (en) Method of producing a reflective mask and method of producing a semiconductor device
US20130177841A1 (en) Mask blank, method of manufacturing the same, and transfer mask
JP2013178371A (ja) 薄膜付き基板の薄膜の除去方法、転写用マスクの製造方法、基板の再生方法、及びマスクブランクの製造方法
WO2013141268A1 (ja) 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
TWI833025B (zh) 反射型遮罩基底、反射型遮罩、以及反射型遮罩及半導體裝置之製造方法
JP4535270B2 (ja) 反射型マスクの製造方法
JP2018054794A (ja) マスクブランク用ガラス基板の再生方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法
US8846274B2 (en) Mask blank, transfer mask and process for manufacturing semiconductor devices
JP7354005B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP5635839B2 (ja) マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法
JP2004281967A (ja) 反射型マスクブランクス及び反射型マスク
JP6716316B2 (ja) 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2011181657A (ja) 反射型マスクおよびその修復方法
JP2005191352A (ja) 多層反射膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法及び反射型マスクブランクスの製造方法
JP2004289048A (ja) 反射型マスクの製造方法
JP5896402B2 (ja) マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131028

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131028

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5677812

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250