JP2011127221A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011127221A5 JP2011127221A5 JP2010255210A JP2010255210A JP2011127221A5 JP 2011127221 A5 JP2011127221 A5 JP 2011127221A5 JP 2010255210 A JP2010255210 A JP 2010255210A JP 2010255210 A JP2010255210 A JP 2010255210A JP 2011127221 A5 JP2011127221 A5 JP 2011127221A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- regenerating
- thin film
- substrate according
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 34
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010255210A JP5677812B2 (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-15 | 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009263011 | 2009-11-18 | ||
| JP2009263011 | 2009-11-18 | ||
| JP2010255210A JP5677812B2 (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-15 | 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011127221A JP2011127221A (ja) | 2011-06-30 |
| JP2011127221A5 true JP2011127221A5 (enExample) | 2013-12-12 |
| JP5677812B2 JP5677812B2 (ja) | 2015-02-25 |
Family
ID=44173951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010255210A Active JP5677812B2 (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-15 | 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5677812B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101757924B1 (enExample) |
| CN (1) | CN102109756B (enExample) |
| TW (1) | TWI494682B (enExample) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5627990B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-11-19 | Hoya株式会社 | インプリント用モールドの製造方法 |
| JP5924901B2 (ja) * | 2011-10-17 | 2016-05-25 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法 |
| JP6460617B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2019-01-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP6301127B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| CN104932194A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法、掩膜板的回收方法 |
| JP6716316B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-07-01 | Hoya株式会社 | 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| TWI869221B (zh) | 2019-06-26 | 2025-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 |
| JP2023513134A (ja) * | 2020-02-04 | 2023-03-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 金属含有ｅｕｖレジストの乾式現像性能を高めるための塗布／露光後処理 |
| TWI876020B (zh) | 2020-04-03 | 2025-03-11 | 美商蘭姆研究公司 | 處理光阻的方法、以及用於沉積薄膜的設備 |
| US12209046B2 (en) * | 2020-05-13 | 2025-01-28 | AGC Inc. | Glass substrate for EUVL, manufacturing method thereof, mask blank for EUVL, and manufacturing method thereof |
| CN116626993A (zh) | 2020-07-07 | 2023-08-22 | 朗姆研究公司 | 用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺 |
| CN113458609A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-10-01 | 上海传芯半导体有限公司 | 再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法 |
| WO2022255186A1 (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | Ａｇｃ株式会社 | 薬液、膜付き基板の再生方法、膜付き基板の製造方法、および反射型マスクブランクの製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280987A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Central Glass Co Ltd | クリーニング装置 |
| JP2001091731A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Ueyama Denki:Kk | 樹脂遮光層を有するカラーフィルターガラス基板の再生方法 |
| JP2002004052A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-01-09 | Canon Inc | 成膜装置のクリーニング方法及び堆積膜成膜方法 |
| JP4158885B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2008-10-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
| JP5047609B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2012-10-10 | ソワテク | 除去構造を含んでなるウェハーの、その薄層を除去した後の、機械的手段による循環使用 |
| JP2004335514A (ja) | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 多層膜反射マスク、その再生方法及び露光装置 |
| JP2005191352A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法及び反射型マスクブランクスの製造方法 |
| JP2006078825A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| JP4405443B2 (ja) | 2004-10-22 | 2010-01-27 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| TW200812715A (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-16 | Kun-Huang Wu | Method of surface treatment of recycled substrate and transparent substrate made by the same |
| JP4281773B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2009-06-17 | ヤマハ株式会社 | 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法 |
| JP2008151916A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 大型フォトマスク基板のリサイクル方法 |
| JP5161017B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-03-13 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びインプリント用モールドの製造方法 |
-
2010
- 2010-11-11 TW TW099138859A patent/TWI494682B/zh active
- 2010-11-15 CN CN201010547438.3A patent/CN102109756B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-15 JP JP2010255210A patent/JP5677812B2/ja active Active
- 2010-11-17 KR KR1020100114433A patent/KR101757924B1/ko active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011127221A5 (enExample) | ||
| KR102329363B1 (ko) | 대면적 다단 나노구조의 제조 | |
| JP3939167B2 (ja) | 露光用反射型マスクブランク、その製造方法及び露光用反射型マスク | |
| KR102243630B1 (ko) | 20ｎｍ 이하 특징부의 균일한 임프린트 패턴 전사 방법 | |
| JP2022069683A5 (enExample) | ||
| JP2009098689A5 (enExample) | ||
| JP2005345737A5 (enExample) | ||
| JP2007311584A5 (enExample) | ||
| JP2015200883A5 (enExample) | ||
| JP2008209873A5 (enExample) | ||
| TWI505336B (zh) | 金屬光柵的製備方法 | |
| JP2010225899A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2015142083A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2009206339A5 (enExample) | ||
| CN110161606B (zh) | 一种耦合光栅的制备方法 | |
| JP2014145920A5 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2009080421A5 (enExample) | ||
| JP2016126319A5 (enExample) | ||
| JP2009206338A5 (enExample) | ||
| JP6127517B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
| CN104637873B (zh) | 一种显示基板制备方法 | |
| WO2023067739A1 (ja) | Ｅｕｖ透過膜 | |
| JP2011207163A5 (enExample) | ||
| JP6123304B2 (ja) | テンプレート用積層基板、テンプレートブランク、ナノインプリント用テンプレート、および、テンプレート基板の再生方法、並びに、テンプレート用積層基板の製造方法 | |
| JP5606826B2 (ja) | インプリント用離型層、インプリント用離型層付きモールド及びインプリント用離型層付きモールドの製造方法 |