JP5661227B2 - メモリコントローラ - Google Patents
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Description
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態に係る情報処理システムの機能ブロック図である。この情報処理システムは、ホストシステム1とメモリモジュール2とを備えて構成される。メモリモジュール2は、メモリコントローラ3とメモリ4とを備えている。
以上説明したように、読み出し回数記憶部331においてページごとの読み出し回数が管理される。そして、リフレッシュ対象領域として決定されるのは、読み出し回数が所定回数を超えたページである。このようにして、リフレッシュ対象領域のページが決定されると、当該ページに関しては、以下の方法で再書き込み処理が実行される。
次に、「リフレッシュ対象ページに関する再書き込み処理」が、どのようなタイミングで実行されるかについて説明する。再書き込み処理の実行タイミングとして、以下に複数の例を挙げる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態における情報処理システムの構成は、図1を用いて説明した第1の実施の形態と同様である。第1の実施の形態においては、各ページの読み出し回数を記録し、この読み出し回数に応じてデータ再書き込みを実行するようにした。これに対して、第2の実施の形態においては、読み出し回数とは無関係に、全てのページに関して順にデータ再書き込みを行う。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態における情報処理システムの構成は、図1を用いて説明した第1の実施の形態と同様である。第3の実施の形態においては、予め指定されたページに関してデータ再書き込み処理を行う。
2 メモリモジュール
3 メモリコントローラ
4 メモリ
33 リフレッシュ制御部
Claims (11)
- 再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、
再書き込み処理を実行する再書き込み実行タイミングにおいて、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の一部をリフレッシュ対象領域として決定する領域決定手段と、
前記リフレッシュ対象領域の状態にかかわらず、前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、
を備え、
前記領域決定手段は、
前記不揮発性半導体メモリの全記憶領域に対する再書き込み処理が複数回の前記再書き込み実行タイミングに亘ってなされるように、前記再書き込み実行タイミングごとに、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中の異なる領域を前記リフレッシュ対象領域として決定する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1に記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記不揮発性半導体メモリの電源がONもしくはOFFされるとき、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1に記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
外部から入力した再書き込みタイミング指示に応答して、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1に記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
所定のタイミングスケジュールに従い、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1に記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
ホストシステムによる前記不揮発性半導体メモリに対するアクセスが発生していないタイミングで、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1に記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
データバックアップのタイミングで、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域のデータを一時記憶メモリに格納後、当該領域のデータを消去し、再び、当該領域に前記一記憶メモリに退避させていたデータを格納する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域を含むブロック領域のデータを一時記憶メモリに格納後、当該ブロック領域のデータを消去し、再び、当該ブロックに前記一記憶メモリに退避させていたデータを格納する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域のデータを、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域内の別の領域に格納するとともに、当該データへの参照情報を新しい格納先に変更する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域を含むブロック領域のデータを、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域内の別の領域に格納するとともに、当該データへの参照情報を新しい格納先に変更する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。 - 請求項8または請求項10に記載のメモリコントローラにおいて、
前記ブロック領域は、前記不揮発性半導体メモリの消去単位であることを特徴とするメモリコントローラ。
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