JP4377950B2 - メモリの管理方法 - Google Patents
メモリの管理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4377950B2 JP4377950B2 JP2008257293A JP2008257293A JP4377950B2 JP 4377950 B2 JP4377950 B2 JP 4377950B2 JP 2008257293 A JP2008257293 A JP 2008257293A JP 2008257293 A JP2008257293 A JP 2008257293A JP 4377950 B2 JP4377950 B2 JP 4377950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refresh
- data
- block
- physical block
- flash memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007726 management method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 claims description 3
- 208000033748 Device issues Diseases 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 2
- 101000737052 Homo sapiens Coiled-coil domain-containing protein 54 Proteins 0.000 description 1
- 101000824971 Homo sapiens Sperm surface protein Sp17 Proteins 0.000 description 1
- 101001067830 Mus musculus Peptidyl-prolyl cis-trans isomerase A Proteins 0.000 description 1
- 102100022441 Sperm surface protein Sp17 Human genes 0.000 description 1
- 101100310674 Tenebrio molitor SP23 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100438139 Vulpes vulpes CABYR gene Proteins 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3431—Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
このリードディスターブエラーに対処するため、該エラーが生じない特別な回路を予め用意したり、電荷の変化したセル単体を個別に探し出してこれを補正しエラーデータが読み出されないようにする方法などが提案されているが、回路や処理が複雑で高価となり、実用的ではない。
図1に示すように、本発明は、NAND型フラッシュメモリ22(本明細書において、特に必要のない限り、単に“フラッシュメモリ”という)と該フラッシュメモリ22に対するデータの書き込みや読み出しの実行、その他の制御を行うコントローラ21を有するフラッシュメモリデバイス2(特許請求の範囲の「記憶装置」に相当)において実行される。本願では、フラッシュメモリデバイス2と、該デバイス2にデータの書き込みや読み出しのコマンドを発行するホスト1からなる構成をシステムという。コントローラ21には、必要に応じ作業領域としてのRAM23を接続する。RAM23はコントローラ21の内部に設けてもよい。システムは、例えばMPEG音楽プレーヤのように、所定の機器として一体に構成されていてもよいし、ホスト1がPC(パーソナルコンピュータ)で構成され、フラッシュメモリデバイス2がSSD(Solid State Drive)としてPCとUSBインターフェースやIDEインターフェースで接続される構成であってもよい。その他、遊技機等所定の機器に搭載される基板上に構成されてもよい。
(第1実施例:オートリフレッシュ)
オートリフレッシュは、デバイス2に電源投入直後、ホスト1よりコントローラ21に、ENABLE/DISABLE AUTO REFRESH コマンド(デバイス提供者で定義するユニークコマンド。以下、単にオートリフレッシュコマンドという。)を発行しておき、所定時刻及び/又は所定時間間隔にリフレッシュを実行させる方法である。デバイス2に定常的に電源が投入されているようなシステムの場合は、所定時刻ごと(秒単位で設定可能)にリフレッシュを実行してもよい。またはコントローラ21に、ENABLE/DISABLE AUTO REFRESH コマンドで実行すると同様なプログラム(ファームウエア)を予めインストールしておいてもよい。これらオートリフレッシュは、フラッシュメモリデバイス2が有するタイマー(図示せず)を利用して自動的にリフレッシュを実行する方法であるため、本願では以下、タイマーイベントという。オートリフレッシュの場合、特許請求の範囲のステップd)、e)、f)がタイマーイベントで実行される。
オートリフレッシュコマンドまたはファームウエアにより、タイマーイベントが、ホスト1がメディアアクセスをしていないときに発生した場合は、コントローラ21はリフレッシュ管理テーブルをサーチし、リフレッシュフラグが設定されている物理ブロックが一つ存在することが確認された場合、コントローラ21は当該フラグが設定されている物理ブロックのリフレッシュを直ちに実行する。メディアアクセスとは、ホストがコマンドを発行することにより、フラッシュメモリ22からデータの読み出しや、データの書き込みを行うことをいう。
タイマーイベントが、ホスト1がメディアアクセスを実行していないときに発生した場合であって、リフレッシュ管理テーブルでリフレッシュフラグが設定されている物理ブロックが二つ存在することが確認された場合、コントローラ21は当該フラグが設定されている物理ブロックを一つずつ、即ち、ブロック単位でリフレッシュする。まずデータ消去回数が、図4のフェーズA,B,Cのいずれに該当するかを判定し、データ読み出し回数がそれぞれの閾値(コントローラ閾値)を超えた値が大きいもの順にリフレッシュを実行する。又は、データ読み出し回数がベンダー指定値に近いもの順にリフレッシュを実行する。図4では、フェーズA,B,Cのそれぞれで、ベンダー指定値とコントローラ閾値の差がすべて同じであるため、上記2例において実質的に同一の結果となるが、フェーズA,B,Cのそれぞれで、ベンダー指定値とコントローラ閾値の差を異なる値に設定した場合は、前者の実行方法を採った場合と後者の実行方法を採った場合とではリフレッシュの順番が異なる。このような方法を採ることにより、リードディスターブエラーを生起する可能性の高い順番で物理ブロックがリフレッシュされるため、リードディスターブエラーの発生をより確実に防止することができる。
この場合は、物理ブロック単位で、時分割にリフレッシュを実行する。即ち1物理ブロック当たりのタイマーイベントの処理は、その開始から終了までせいぜい100ms(ミリ秒)程度であるから、リフレッシュ間隔(一の物理ブロックのリフレッシュ開始から次の物理ブロックのリフレッシュ開始まで)を、例えば1秒以上に設定する。そしてコントローラ21は、まず一の物理ブロックに対するメディアアクセスの処理の完了後、次のブロックのメディアアクセスの処理開始前に割り込んで1物理ブロックのリフレッシュを実行する。その後1秒経過してから同様なタイミングで次の物理ブロックのリフレッシュを実行する。
上述のオートリフレッシュの他、メディアアクセスを実行しないときに、ホスト1がコントローラ21に以下のようなコマンドを発行してリフレッシュを実行してもよい。
1.GET REFRESH PENDING STATUS コマンド
本コマンドは、コントローラ21に対し、リフレッシュ管理テーブルをサーチさせて、
リフレッシュフラグが設定されている物理ブロックの総数をホスト1に通知させるものである。
2.EXECUTE
REFRESH コマンド
本コマンドは、コントローラ21にリフレッシュを実行させるものである。リフレッ
シュが終了するとコマンドが終了する。リフレッシュを実行する物理ブロック数を指定できる。
3.SAVE
REFRESH TABLE コマンド
本コマンドは、コントローラ21に、RAM23上のリフレッシュ管理テーブルの内容
を、管理領域に保存させるものである。リフレッシュ管理テーブルの保存が終了するとコマンドが終了する。
フラッシュメモリデバイスは、データ書き込みの際、ユーザデータに対してエラーチェックコード(ECC)を付加して書き込んでいる。データ読み出し時にはデコーダがこのエラーチェックコードを基に、読み出したデータにエラー(本願ではこれを「bitエラー」という)がないかをチェックし、bitエラー数がコントローラの能力値(例えば8bit)以内であれば、コントローラ21内のエラー訂正回路(図示せず)がbitエラーを訂正し、正しいデータをホスト1に送出する。bitエラーは、データの消去、リードディリスターブ、経年変化(データリテンション)、セルの物理的欠陥(たとえば絶縁膜の劣化、破壊)などに起因して生じる。bitエラー数がコントローラ能力値を超えると、その欠陥セルを含むブロックは、もはやエラー訂正ができず、使用に耐えないbadブロックとなる。
2 フラッシュメモリデバイス
21 コントローラ
22 NAND型フラッシュメモリ
23 RAM
Claims (9)
- フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するデータの読み書きの制御を実行するコントローラを有するフラッシュメモリデバイスにおけるフラッシュメモリの管理方法であって、
物理ブロック毎のデータ読み出し回数と消去回数を、工場出荷時に物理ブロック番号ごとに異なるデータ読み出し回数のダミーデータを予め記録してなるリフレッシュ管理テーブルに随時記憶、更新するステップと、
物理ブロックのデータ読み出し回数が予め決定してなる閾値に至ったとき該物理ブロックにリフレッシュフラグを設定するステップと、
該リフレッシュフラグの設定された物理ブロックのデータを空きブロック若しくは予備ブロックにコピーしてから元のデータを消去してブロック管理テーブルを更新するステップと、
リフレッシュ管理テーブル上の当該物理ブロックのデータ読み出し回数を“0”に変更するステップ、
を有することを特徴とするフラッシュメモリの管理方法。 - 前記閾値は、ベンダー指定値を下回る値に設定されてなることを特徴とする請求項1
記載のメモリの管理方法。 - 前記閾値が、各物理ブロックの前記データ消去回数の所定の範囲ごとに異なる値に設定されてなることを特徴とする請求項2記載のメモリの管理方法。
- データ読み出し回数がベンダー指定値に近い順にリフレッシュを実行することを特徴とする請求項2乃至請求項3いずれか1項記載のメモリの管理方法。
- 前記リフレッシュを、タイマーイベントとして実行することを特徴とする請求項1乃
至請求項4いずれか1項記載のメモリの管理方法。 - フラッシュメモリデバイスにメディアアクセスするホストがメディアアクセスを実行していないタイミングでコントローラにコマンドを発行し、リフレッシュを実行することを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれか1項記載のメモリの管理方法。
- リフレッシュを実行すべき物理ブロックが複数存在する場合、一定のタイムインター
バルで該物理ブロックをそれぞれリフレッシュすることを特徴とする請求項1乃至請求項6いずれか1項記載のメモリの管理方法。 - 物理ブロックごとの読み出し回数を毎日記憶しておくとともに、システム電源をオンしたときに、当該物理ブロックごとの読み出し回数の最大値又は平均値を求めて、当日にフラグが設定される物理ブロックが存在するか否かを予想し、設定される可能性がある物理ブロックは、フラッシュメモリデバイスを搭載してなるシステムの本稼動前にリフレッシュを前倒しで実行することを特徴とする請求項1乃至請求項7いずれか1項記載の記メモリの管理方法。
- 物理ブロックごとの読み出し回数を毎日記憶しておくとともに、システム稼動終了後、当該物理ブロックごとの読み出し回数の最大値又は平均値を求めて、翌日にフラグが設定される物理ブロックが存在するか否かを予想し、設定される可能性がある物理ブロックは、フラッシュメモリデバイスを搭載してなるシステムの電源をOFFする前にリフレッシュを前倒しで実行することを特徴とする請求項1乃至請求項7いずれか1項記載のメモリの管理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008257293A JP4377950B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | メモリの管理方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007336047 | 2007-12-27 | ||
JP2007336047 | 2007-12-27 | ||
JP2008037139 | 2008-02-19 | ||
JP2008037139 | 2008-02-19 | ||
JP2008257293A JP4377950B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | メモリの管理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009223876A JP2009223876A (ja) | 2009-10-01 |
JP4377950B2 true JP4377950B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=40548588
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008257302A Active JP5567263B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | メモリの管理方法 |
JP2008257293A Active JP4377950B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | メモリの管理方法 |
JP2008257305A Expired - Fee Related JP4377951B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | 記憶装置、システム、該システムを搭載した遊技機 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008257302A Active JP5567263B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | メモリの管理方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008257305A Expired - Fee Related JP4377951B2 (ja) | 2007-12-27 | 2008-10-02 | 記憶装置、システム、該システムを搭載した遊技機 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090172267A1 (ja) |
EP (1) | EP2077559B1 (ja) |
JP (3) | JP5567263B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10831395B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-11-10 | Toshiba Memory Corporation | Memory system, control method, and control device |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2077559B1 (en) * | 2007-12-27 | 2012-11-07 | Hagiwara Solutions Co., Ltd. | Refresh method of a flash memory |
JP2009230475A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Nec Personal Products Co Ltd | 不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム |
US9720616B2 (en) * | 2008-06-18 | 2017-08-01 | Super Talent Technology, Corp. | Data-retention controller/driver for stand-alone or hosted card reader, solid-state-drive (SSD), or super-enhanced-endurance SSD (SEED) |
US8891298B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-11-18 | Greenthread, Llc | Lifetime mixed level non-volatile memory system |
JP5367357B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-12-11 | 株式会社メガチップス | メモリシステムおよびコンピュータシステム |
JP5185156B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | メモリコントローラおよび半導体記憶装置 |
US8745170B2 (en) * | 2009-08-27 | 2014-06-03 | Apple Inc. | Dynamic file streaming |
JP2011107851A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Toshiba Corp | メモリシステム |
TWI417889B (zh) * | 2009-12-30 | 2013-12-01 | Silicon Motion Inc | 快閃記憶體之寫入逾時控制方法及其記憶裝置 |
US9727571B2 (en) * | 2010-01-21 | 2017-08-08 | Sandisk Il Ltd. | Storage system supporting replacement of content in a storage device |
US9378831B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
US9324440B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
KR101691088B1 (ko) | 2010-02-17 | 2016-12-29 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR101691092B1 (ko) | 2010-08-26 | 2016-12-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR101658479B1 (ko) | 2010-02-09 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
JP5788183B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2015-09-30 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 不揮発性メモリ装置、それの動作方法、そしてそれを含むメモリシステム |
US8923060B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and operating methods thereof |
US8908431B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Control method of nonvolatile memory device |
JP2011170956A (ja) | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法と、それを含むメモリシステム |
US8792282B2 (en) | 2010-03-04 | 2014-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, memory systems and computing systems |
JP2010160816A (ja) * | 2010-03-29 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の制御方法 |
TWI490869B (zh) * | 2010-08-13 | 2015-07-01 | Mstar Semiconductor Inc | 應用於快閃記憶體的方法與相關的控制器 |
US8392635B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-03-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Selectively enabling a host transfer interrupt |
JP2012173778A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Sony Corp | 管理装置、および管理方法 |
US8560922B2 (en) | 2011-03-04 | 2013-10-15 | International Business Machines Corporation | Bad block management for flash memory |
KR101826137B1 (ko) | 2011-03-24 | 2018-03-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 이를 포함하는 장치들, 및 이의 동작 방법 |
JP5629391B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2014-11-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法 |
JP5708228B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | Icカード及びicカードのリフレッシュ方法 |
JP5697796B2 (ja) | 2011-08-29 | 2015-04-08 | 株式会社日立製作所 | 電気的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリを有する半導体記憶装置 |
WO2013043602A2 (en) * | 2011-09-19 | 2013-03-28 | SanDisk Technologies, Inc. | High endurance non-volatile storage |
EP2761480A4 (en) | 2011-09-30 | 2015-06-24 | Intel Corp | APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING MULTINIVE MEMORY HIERARCHY ON COMMON MEMORY CHANNELS |
EP2761472B1 (en) | 2011-09-30 | 2020-04-01 | Intel Corporation | Memory channel that supports near memory and far memory access |
CN103946812B (zh) | 2011-09-30 | 2017-06-09 | 英特尔公司 | 用于实现多级别存储器分级体系的设备和方法 |
EP3451176B1 (en) | 2011-09-30 | 2023-05-24 | Intel Corporation | Apparatus and method for implementing a multi-level memory hierarchy having different operating modes |
US8725936B2 (en) * | 2012-03-30 | 2014-05-13 | Hitachi, Ltd. | Storage system with flash memory, and storage control method |
TWI467376B (zh) * | 2012-06-11 | 2015-01-01 | Phison Electronics Corp | 資料保護方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
US9053808B2 (en) * | 2012-06-21 | 2015-06-09 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory with targeted read scrub algorithm |
US20140013031A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Yoko Masuo | Data storage apparatus, memory control method, and electronic apparatus having a data storage apparatus |
KR20140008702A (ko) * | 2012-07-11 | 2014-01-22 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 쓰기 방법 |
TWI509615B (zh) | 2012-08-03 | 2015-11-21 | Phison Electronics Corp | 資料儲存方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
CN103593296B (zh) * | 2012-08-15 | 2016-05-18 | 群联电子股份有限公司 | 数据储存方法、存储器控制器与存储器储存装置 |
US8966343B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-02-24 | Western Digital Technologies, Inc. | Solid-state drive retention monitor using reference blocks |
JP6012432B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-10-25 | 株式会社メガチップス | 半導体記憶装置 |
US20140173239A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Apple Inc. | Refreshing of memory blocks using adaptive read disturb threshold |
US9575829B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-02-21 | Sandisk Technologies Llc | Probability-based remedial action for read disturb effects |
US9032264B2 (en) | 2013-03-21 | 2015-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Test method for nonvolatile memory |
WO2014205600A1 (en) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | Micron Technology, Inc. | On demand block management |
US9355689B2 (en) * | 2013-08-20 | 2016-05-31 | Oracle International Corporation | Detection of multiple accesses to a row address of a dynamic memory within a refresh period |
KR102242022B1 (ko) | 2013-09-16 | 2021-04-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법 |
US9329802B2 (en) * | 2013-11-11 | 2016-05-03 | Qualcomm Incorporated | Fail safe refresh of data stored in NAND memory device |
US9274888B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-03-01 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for multiple-bit DRAM error recovery |
TWI503843B (zh) * | 2014-01-08 | 2015-10-11 | Winbond Electronics Corp | 適應性刷新裝置與方法 |
KR102069274B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2020-01-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 제어 방법 |
TWI514401B (zh) * | 2014-03-11 | 2015-12-21 | Winbond Electronics Corp | 串列反及式快閃記憶體及其內建可變式壞區的管理方法 |
US9495242B2 (en) * | 2014-07-30 | 2016-11-15 | International Business Machines Corporation | Adaptive error correction in a memory system |
US9959059B2 (en) * | 2014-10-20 | 2018-05-01 | Sandisk Technologies Llc | Storage error management |
KR102277521B1 (ko) | 2015-01-23 | 2021-07-16 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 리드 리클레임 및 읽기 방법 |
US9977615B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-05-22 | Qualcomm Incorporated | Smart refresh of data on flash devices |
KR102449337B1 (ko) | 2015-12-14 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR20170089069A (ko) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그의 동작방법 |
US10303623B2 (en) | 2016-04-08 | 2019-05-28 | Cryptography Research, Inc. | Non-volatile memory for secure storage of authentication data |
TWI604455B (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-01 | Silicon Motion Inc | 資料儲存裝置、記憶體控制器及其資料管理方法與資料區塊管理方法 |
JP6679412B2 (ja) * | 2016-05-19 | 2020-04-15 | キヤノン株式会社 | ストレージ制御装置、情報処理方法及びプログラム |
US10192608B2 (en) * | 2017-05-23 | 2019-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for detection refresh starvation of a memory |
US10109339B1 (en) * | 2017-07-28 | 2018-10-23 | Micron Technology, Inc. | Memory devices with selective page-based refresh |
US10176860B1 (en) | 2017-08-29 | 2019-01-08 | Micron Technology, Inc. | Refresh in non-volatile memory |
US10140042B1 (en) | 2017-09-13 | 2018-11-27 | Toshiba Memory Corporation | Deterministic read disturb counter-based data checking for NAND flash |
CN108052279B (zh) * | 2017-11-23 | 2020-06-19 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | 一种提升闪存性能的方法、装置、设备及存储介质 |
JP7074519B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-05-24 | キオクシア株式会社 | メモリシステム、および、メモリ制御方法 |
US10475519B2 (en) | 2018-03-23 | 2019-11-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same |
US11010067B2 (en) * | 2018-12-28 | 2021-05-18 | Intel Corporation | Defense against speculative side-channel analysis of a computer system |
KR102683296B1 (ko) * | 2019-05-17 | 2024-07-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR20200143912A (ko) | 2019-06-17 | 2020-12-28 | 삼성전자주식회사 | 멀티-스트리밍을 지원하는 스토리지 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 제어 방법 |
US10915400B1 (en) * | 2019-11-08 | 2021-02-09 | Micron Technology, Inc. | Dynamic over provisioning allocation for purposed blocks |
US11056211B1 (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-06 | Western Digital Technologies, Inc. | Apparatus and method for handling temperature dependent failures in a memory device |
JP6852207B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-03-31 | キヤノン株式会社 | ストレージ制御装置、情報処理方法及びプログラム |
KR20220101264A (ko) * | 2021-01-11 | 2022-07-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
DE102021102777A1 (de) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Infineon Technologies Ag | Verarbeitung von in einem speicher gespeicherter daten |
US11790974B2 (en) | 2021-11-17 | 2023-10-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for refresh compliance |
TW202324112A (zh) | 2021-12-09 | 2023-06-16 | 韓商愛思開海力士有限公司 | 用以動態管理儲存裝置中的主機讀取運作及讀取刷新運作的方法、儲存裝置及其記錄媒體 |
JP2023088017A (ja) | 2021-12-14 | 2023-06-26 | キオクシア株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
US20230195351A1 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Automatic deletion in a persistent storage device |
US12019899B2 (en) * | 2022-03-03 | 2024-06-25 | Western Digital Technologies, Inc. | Data relocation with protection for open relocation destination blocks |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06110793A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5828862A (en) * | 1994-05-04 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Game programming flash memory cartridge system including a programmer and a reprogrammable cartridge |
JP3450071B2 (ja) * | 1994-12-19 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | Pcカード |
JP3176019B2 (ja) * | 1995-04-05 | 2001-06-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム |
JP3641066B2 (ja) | 1995-05-30 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | フラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータのデータ書換え方法 |
US5715193A (en) * | 1996-05-23 | 1998-02-03 | Micron Quantum Devices, Inc. | Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks |
JP3450625B2 (ja) | 1997-02-10 | 2003-09-29 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置とその動作方法 |
JP2002150783A (ja) | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびそのメモリセルトランジスタのしきい値の変化を判別する方法 |
GB0123415D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Method of writing data to non-volatile memory |
US6751766B2 (en) * | 2002-05-20 | 2004-06-15 | Sandisk Corporation | Increasing the effectiveness of error correction codes and operating multi-level memory systems by using information about the quality of the stored data |
JP4256198B2 (ja) | 2003-04-22 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | データ記憶システム |
US7173852B2 (en) * | 2003-10-03 | 2007-02-06 | Sandisk Corporation | Corrected data storage and handling methods |
KR100645058B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 데이터 신뢰성을 향상시킬 수 있는 메모리 관리 기법 |
US7315917B2 (en) * | 2005-01-20 | 2008-01-01 | Sandisk Corporation | Scheduling of housekeeping operations in flash memory systems |
US7814263B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-10-12 | Sandisk Il Ltd. | Erase history-based flash writing method |
KR20090014036A (ko) * | 2007-08-03 | 2009-02-06 | 삼성전자주식회사 | 읽기 디스터번스로 인한 에러를 방지하는 메모리 시스템 및그 방법 |
EP2077559B1 (en) * | 2007-12-27 | 2012-11-07 | Hagiwara Solutions Co., Ltd. | Refresh method of a flash memory |
-
2008
- 2008-07-04 EP EP08012119A patent/EP2077559B1/en active Active
- 2008-10-02 JP JP2008257302A patent/JP5567263B2/ja active Active
- 2008-10-02 JP JP2008257293A patent/JP4377950B2/ja active Active
- 2008-10-02 JP JP2008257305A patent/JP4377951B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-24 US US12/343,749 patent/US20090172267A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10831395B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-11-10 | Toshiba Memory Corporation | Memory system, control method, and control device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2077559A3 (en) | 2011-07-20 |
EP2077559A2 (en) | 2009-07-08 |
JP2009223876A (ja) | 2009-10-01 |
JP2009224013A (ja) | 2009-10-01 |
US20090172267A1 (en) | 2009-07-02 |
JP5567263B2 (ja) | 2014-08-06 |
JP4377951B2 (ja) | 2009-12-02 |
JP2009224012A (ja) | 2009-10-01 |
EP2077559B1 (en) | 2012-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4377950B2 (ja) | メモリの管理方法 | |
US7663933B2 (en) | Memory controller | |
KR101122485B1 (ko) | 메모리 시스템 | |
US7330995B2 (en) | Nonvolatile memory apparatus which prevents destruction of write data caused by power shutdown during a writing process | |
US9043564B2 (en) | Memory system with fixed and variable pointers | |
TWI660356B (zh) | 資料儲存裝置及其操作方法 | |
US9747173B2 (en) | Data storage devices and data maintenance methods | |
JP2008198310A (ja) | ビットエラーの修復方法および情報処理装置 | |
JP2007094921A (ja) | メモリカードとその制御方法 | |
TWI508068B (zh) | 管理快閃記憶體中所儲存之資料的方法,及相關的記憶裝置與控制器 | |
JP2004030849A (ja) | データの一部書き換え機能を有する半導体不揮発性メモリ | |
US11656790B2 (en) | Memory system, memory controller, and operation method of memory system | |
JP7291640B2 (ja) | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のリフレッシュ方法 | |
US20230195367A1 (en) | Memory system, memory controller, and operation method of memory system | |
US11495319B2 (en) | Memory system, memory controller, and method for operating memory system performing integrity check operation on target code when voltage drop is detected | |
JP2009211202A (ja) | メモリシステム | |
JP4304167B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4377950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |