JP2008198310A - ビットエラーの修復方法および情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュメモリ4から読み出される一時記憶データのエラーをチェックするエラー訂正機能を備える。エラーが発見されると、そのエラー情報は、レジスタ9に一時記憶された後、適切なタイミングで不揮発性メモリ6に記憶される。電源投入時などの適切なタイミングで、不揮発性メモリ6に記憶されたエラー情報に基づき、エラーが発見された一時記憶データを再度読み出してエラー訂正を行ってフラッシュメモリ4に書き戻す。リードディスターブなどの回復可能なビットエラーを修復することができる。通常の読み出し処理が支障なく実行でき、ユーザに不快感を与えなくて済む。
【選択図】図1
Description
ホストシステム2は、情報処理装置1の全体制御を行う中枢処理部であり、演算部、制御部、記憶部、入出力部などで構成されている。具体的には、情報処理装置1には、CPUやROM、モニター、操作ボタンなどが備えられており、ホストシステム2によってこれらが制御されている。たとえば、ユーザが操作する操作ボタンからの指示を受けて、フラッシュメモリ4に記憶されているゲーム等のプログラムを読み出す処理や、読み出されるゲームプログラムに基づいてモニターにゲームの動画等を表示する処理を実行する。
メモリコントローラ3は、ホストシステム2からの要求に応じてフラッシュメモリ4に記憶されているデータの読み出し等の処理を行う処理部である。つまり、メモリコントローラ3は、ホストシステム2とフラッシュメモリ4とに対するインターフェース機能を有し、ホストシステム2との間でコマンドやデータの入出力処理を行う。また、ホストシステム2から出力されたコマンドにより、あるいは自装置の機能に基づいてフラッシュメモリ4からデータの読み出し、フラッシュメモリ4へのデータの書き込み等の処理を行う。
第1不揮発性半導体メモリ4は書き換え可能な不揮発性半導体メモリであり、たとえば、フラッシュメモリが該当する。フラッシュメモリには、たとえば、NOR型フラッシュメモリやNAND型フラッシュメモリがある。なかでも本発明は、NAND型フラッシュメモリに好適であるため、以下、第1不揮発性半導体メモリ4はNAND型フラッシュメモリとして説明するが、その型までは限定はしない。なお、第1不揮発性半導体メモリ4に書き戻さずに他のメモリに書き戻す場合には、必ずしも第1不揮発性半導体メモリ4は、書き換え可能でなくともよい。
次に、上記構成の情報処理装置1におけるビットエラーの修復について具体的に説明する。
2 ホストシステム
4 第1不揮発性半導体メモリ
5 記憶媒体
6 第2不揮発性半導体メモリ
7 一時記憶部
8 エラー訂正部
9 記憶手段
Claims (8)
- 第1不揮発性半導体メモリに記憶されているビットデータが変化して発生するビットエラーの修復方法であって、
前記第1不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出す際に、前記記憶データにエラーがあるか否かを調べて、エラーがあればエラー訂正を行う工程と、
前記記憶データのエラーに関するエラー情報を第2不揮発性半導体メモリに記憶する工程と、
所定のタイミングにおいて、前記エラー情報に基づいて、前記第1不揮発性半導体メモリからエラー訂正の処理が行われた前記記憶データを読み出し、エラー訂正を行って前記第1不揮発性半導体メモリに書き戻すビットエラー修復工程と、
を含むことを特徴とするビットエラーの修復方法。 - 第1不揮発性半導体メモリに記憶されているビットデータが変化して発生するビットエラーの修復方法であって、
ホストシステムが、前記第1不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出す際に、前記記憶データを一時記憶データとして一時的に記憶する工程と、
前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べて、エラーがあればエラー訂正を行う工程と、
前記一時記憶データのエラーに関するエラー情報を揮発性の記憶手段に一時記憶する工程と、
所定のタイミングにおいて、前記エラー情報を第2不揮発性半導体メモリに記憶する工程と、
所定のタイミングにおいて、前記第2不揮発性半導体メモリに記憶された前記エラー情報に基づいて、前記第1不揮発性半導体メモリから、エラー訂正の処理が行われた前記記憶データを読み出し、エラー訂正を行って前記第1不揮発性半導体メモリに書き戻すビットエラー修復工程と、
を含むことを特徴とするビットエラーの修復方法。 - 請求項1または請求項2に記載のビットエラーの修復方法であって、
前記ビットエラー修復工程が、電源投入時に実行されることを特徴とするビットエラーの修復方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のビットエラーの修復方法であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とするビットエラーの修復方法。 - 第1不揮発性半導体メモリと、
前記第1不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出すホストシステムと、
前記ホストシステムが前記記憶データを読み出す際に、前記記憶データにエラーがあるか否かを調べて、エラーがあればエラー訂正を行うエラー訂正部と、
前記記憶データのエラーに関するエラー情報を記憶する第2不揮発性半導体メモリと、
を備え、
所定のタイミングにおいて、前記エラー情報に基づいて、前記第1不揮発性半導体メモリから、エラー訂正の処理が行われた前記記憶データを読み出し、エラー訂正を行って前記第1不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。 - 第1不揮発性半導体メモリと、
第2不揮発性半導体メモリと、
前記第1不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出すホストシステムと、
前記ホストシステムが前記記憶データを読み出す際に、前記記憶データにエラーがあるか否かを調べ、エラーがあればエラー訂正を行うエラー訂正部と、
前記第1不揮発性半導体メモリと前記ホストシステムとの間に設けられるメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは、
一時記憶データとして前記記憶データを一時的に記憶する一時記憶部と、
前記一時記憶データのエラーに関するエラー情報を一時記憶する揮発性の記憶手段と、
を含み、
前記記憶手段に一時記憶された前記エラー情報が、所定のタイミングにおいて、前記第2不揮発性半導体メモリに記憶され、
所定のタイミングにおいて、前記第2不揮発性半導体メモリに記憶された前記エラー情報に基づいて、前記第1不揮発性半導体メモリから、エラー訂正の処理が行われた前記記憶データを前記一時記憶部に読み出し、エラー訂正を行って前記第1不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。 - 請求項5または請求項6に記載の情報処理装置であって、
ビットエラーの修復が、電源投入時に実行されることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項5ないし請求項7のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とする情報処理装置。
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