JP2008192267A - ビットエラーの予防方法、情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュメモリ4からホストシステム2によって読み出された一時記憶データが、ビットエラーに関連する閾値を超えているか否かを調べ、閾値を超えている場合に、読み出した一時記憶データをフラッシュメモリ4に書き戻す。一時記憶データにエラーがあればエラー訂正部6によってエラーを訂正して書き戻す。閾値は、たとえば、読み出し回数、ビットエラー数、ビットエラーの累積発生回数を含む。リードディスターブによるビットエラーの予防に好適であり、経時的に変化したビットデータを回復させることができ、ビットエラーの発生を未然に防止してフラッシュメモリ4の信頼性を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
ホストシステム2は、情報処理装置1の全体制御を行う中枢処理部であり、演算部、制御部、記憶部、入出力部などで構成されている。具体的には、情報処理装置1には、CPUやROM、モニター、操作ボタンなどが備えられており、ホストシステム2によってこれらが制御されている。たとえば、ユーザが操作する操作ボタンからの指示を受けて、フラッシュメモリ4に記憶されているゲーム等のアプリケーションプログラムを読み出す処理や、読み出されるアプリケーションプログラムに基づいてモニターに動画等を表示する処理を実行する。
メモリコントローラ3は、ホストシステム2からの要求に応じてフラッシュメモリ4に記憶されているデータの読み出し等の処理を行う処理部である。つまり、メモリコントローラ3は、ホストシステム2とフラッシュメモリ4とに対するインターフェース機能を有し、ホストシステム2との間でコマンドやデータの入出力処理を行う。また、ホストシステム2のコマンドにより、あるいは自装置の機能に基づいてフラッシュメモリ4からデータの読み出し、フラッシュメモリ4へのデータの書き込み等の処理を行う。
不揮発性半導体メモリ4は、書き換え可能な不揮発性メモリであり、たとえば、フラッシュメモリが該当する。フラッシュメモリ4には、たとえば、NOR型フラッシュメモリやNAND型フラッシュメモリがある。なかでも本発明は、NAND型フラッシュメモリに好適であるため、以下、フラッシュメモリ4はNAND型フラッシュメモリとして説明するが、その型までは限定はしない。
次に、上記構成の情報処理装置1におけるビットエラーの予防について具体的に説明する。なお、ビットエラーの予防とは、ビットエラーの発生そのものを未然に防ぐことだけでなく、発生したビットエラーを修復して、エラーがあった記憶データを回復し、システムの暴走等、重大なトラブルを未然に防ぐことも含む。
2 ホストシステム
4 フラッシュメモリ
5 一時記憶部
6 エラー訂正部
7 記憶領域
8 冗長領域
Claims (20)
- 再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに記憶されているビットデータが変化して発生するビットエラーの予防方法であって、
前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データが、ホストシステムによって読み出される際に、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる工程と、
読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す工程と、
を含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項1に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、
前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す工程と、
読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる工程と、
前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す工程と、
を含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項2に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記ホストシステムの読み出し要求に応じて、前記記憶データを一時記憶データとして一時記憶部に記憶する工程と、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べる工程と、
前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す工程と、
を含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項3に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、エラー訂正部が前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べる工程と、
前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記エラー訂正部が、前記一時記憶データのエラーを訂正する工程と、
を含み、
エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項2ないし請求項4のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出しを行う工程、
を含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項6に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項6または請求項7に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記読み出しを行う工程が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 請求項1ないし請求項8のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。 - 再書き込み可能な不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出す読み出し手段と、
を備え、
前記読み出し手段によって読み出される前記記憶データが、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる手段と、
読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項10に記載の情報処理装置であって、
前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、
前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す手段と、
読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる手段と、
前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項11に記載の情報処理装置であって、
前記読み出し手段の読み出し要求に応じて、一時記憶データとして前記記憶データを一時的に記憶する一時記憶部、
を備え、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べる手段と、
前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項12に記載の情報処理装置であって、
前記一時記憶データのエラーを訂正するエラー訂正部、
を備え、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記エラー訂正部が、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べる手段と、
前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記エラー訂正部が、前記一時記憶データのエラーを訂正する手段と、
を備え、
エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。 - 請求項11ないし請求項13のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、
前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項14に記載の情報処理装置であって、
前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、
前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項11ないし請求項15のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする情報処理装置。 - 請求項10ないし請求項16のいずれかに記載の情報処理装置であって、
所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出しを行う手段、
を備えることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項17に記載の情報処理装置であって、
前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とする情報処理装置。 - 請求項17または請求項18に記載の情報処理装置であって、
前記読み出しを行う手段が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とする情報処理装置。 - 請求項10ないし請求項19のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とする情報処理装置。
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