JP2008192267A5

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Publication number: JP2008192267A5
Application number: JP2007028168A
Authority: JP
Filing date: 2007-02-07
Publication date: 2010-07-29
Anticipated expiration: 2027-02-07

Claims

再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに記憶されているビットデータが変化して発生するビットエラーの予防方法であって、
前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データが、ホストシステムによって読み出される際に、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる判定工程と、
読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す書き込み工程と、
を含み、
前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、
前記判定工程は、
前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す工程と、
読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる比較値判定工程と、
を含み、
前記書き込み工程は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項１に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記ホストシステムの読み出し要求に応じて、前記記憶データを一時記憶データとして一時記憶部に記憶する工程、
を含み、
前記比較値判定工程は、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べ、
前記書き込み工程は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項２に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べる工程と、
前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記一時記憶データのエラーを訂正する工程と、
を含み、
前記書き込み工程は、エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、
前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項４に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、
前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出しを行う工程、
を含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項７に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項７または請求項８に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記読み出しを行う工程が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とするビットエラーの予防方法。
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。
再書き込み可能な不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段によって読み出される前記記憶データが、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる判定手段と、
読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す書き込み手段と、
を備え、
前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、
前記判定手段は、
前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す手段と、
読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる比較値判定手段と、
を含み、
前記書き込み手段は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。
請求項１１に記載の情報処理装置であって、さらに、
前記読み出し手段の読み出し要求に応じて、一時記憶データとして前記記憶データを一時的に記憶する一時記憶部、
を備え、
前記比較値判定手段は、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べ、
前記書き込み手段は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。
請求項１２に記載の情報処理装置であって、さらに、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べ、前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記一時記憶データのエラーを訂正するエラー訂正部、
を備え、
前記書き込み手段は、エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。
請求項１１ないし請求項１３のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、
前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とする情報処理装置。
請求項１４に記載の情報処理装置であって、
前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、
前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とする情報処理装置。
請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする情報処理装置。
請求項１１ないし請求項１６のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記読み出し手段は、所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出すことを特徴とする情報処理装置。
請求項１７に記載の情報処理装置であって、
前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とする情報処理装置。
請求項１７または請求項１８に記載の情報処理装置であって、
前記読み出し手段が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とする情報処理装置。
請求項１１ないし請求項１９のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とする情報処理装置。