JP5628840B2 - 水素生成デバイス - Google Patents
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Description
透明基板と、
前記透明基板上に配置された透明導電層及び前記透明導電層上に配置された光触媒層によって形成された光触媒電極と、
前記透明導電層と電気的に接続された対極と、
前記光触媒電極と前記対極との間に設けられた、水を含む電解液層と、
前記電解液層を、前記光触媒電極と接する第1電解液層と、前記対極と接する第2電解液層とに分割するセパレータと、
前記第1電解液層に接続された、前記第1電解液層の内部で発生した酸素ガス又は水素ガスを取り出すための第1ガス取出口と、
前記第2電解液層に接続された、前記第2電解液層の内部で発生した水素ガス又は酸素ガスを取り出すための第2ガス取出口と、
を備え、
前記光触媒電極と前記対極とは、前記光触媒層の表面と前記対極の表面とが向かい合うように配置されており、
前記セパレータは、前記電解液層中の電解質の透過を可能とし、且つ、前記電解液層中の水素ガス及び酸素ガスの透過を抑制する、
水素生成デバイスを提供する。
本発明の実施の形態1の水素生成デバイスについて、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施の形態の水素生成デバイスの構成を示す概略図である。図2は、水素生成デバイスに固定支持部材として設けられた第1突起物を、光の照射方向からの視点で示した図である。
本発明の実施の形態2の水素生成デバイスについて、図3及び図4を用いて説明する。図3は、本実施の形態の水素生成デバイスの構成を示す概略図である。図4は、水素生成デバイスに固定支持部材として設けられた多孔質部材を、光の照射方向からの視点で示した図である。
本発明の実施の形態3の水素生成デバイスについて、図5及び図6を用いて説明する。図5は、本実施の形態の水素生成デバイスの構成を示す概略図である。図6は、水素生成デバイスに固定支持部材として設けられた枠体を、光の照射方向からの視点で示した図である。
本発明の実施の形態4の水素生成デバイスについて、図7及び図8を用いて説明する。図7は、本実施の形態の水素生成デバイスの構成を示す概略図である。図8は、本実施の形態の水素生成デバイスにおいて、光触媒層を構成する第1のn型半導体層及び第2のn型半導体層の接合前のバンド構造を示す模式図である。
本発明の実施の形態5の水素生成デバイスについて、図9及び図10を用いて説明する。図9は、本実施の形態の水素生成デバイスの構成を示す概略図である。図10は、本実施の形態の水素生成デバイスにおいて、光触媒層を構成する第1のp型半導体層及び第2のp型半導体層の接合前のバンド構造を示す模式図である。
本発明の実施の形態6の水素生成デバイスについて、図11を用いて説明する。図11は、本実施の形態の水素生成デバイスの構成を示す概略図である。
本発明の実施例について、具体的に説明する。実施例として、図12に示した水素生成デバイス700を用いた。この水素生成デバイス700は、固定支持部材(第1突起部12a及び第2突起部12b)が設けられていない点を除き、実施の形態6で説明した水素生成デバイス600と同様の構成を有していた。ただし、導線10には、得られた光電流を測定するための電流計26が接続されていた。
比較例として、図13に示す水素生成デバイス800を作製した。この水素生成デバイス800では、透明導電層2と光触媒層3とによって構成された光触媒電極4を、透明導電層2と対極8とを対向させる向きで、且つ、セパレータ6の表面上に設置した。さらに、光触媒電極4の下部には、電解液中のプロトン移動のための隙間(縦10mm×横30mm)を設けた。
Claims (14)
- 透明基板と、
前記透明基板上に配置された透明導電層及び前記透明導電層上に配置された光触媒層によって形成された光触媒電極と、
前記透明導電層と電気的に接続された対極と、
前記光触媒電極と前記対極との間に設けられた、水を含む電解液層と、
前記電解液層を、前記光触媒電極と接する第1電解液層と、前記対極と接する第2電解液層とに分割するセパレータと、
前記第1電解液層に接続された、前記第1電解液層の内部で発生した酸素ガス又は水素ガスを取り出すための第1ガス取出口と、
前記第2電解液層に接続された、前記第2電解液層の内部で発生した水素ガス又は酸素ガスを取り出すための第2ガス取出口と、
を備え、
前記光触媒電極と前記対極とは、前記光触媒層の表面と前記対極の表面とが向かい合うように配置されており、
前記セパレータは、前記電解液層中の電解質の透過を可能とし、且つ、前記電解液層中の水素ガス及び酸素ガスの透過を抑制し、
前記透明基板側から光を前記光触媒層に照射した場合の光の照射効率は、前記光触媒層側から光を前記光触媒層に照射した場合の光の照射効率よりも低い、
水素生成デバイス。 - 前記透明基板、前記光触媒電極、前記電解液層、前記セパレータ及び前記対極を一体として保持する外枠をさらに備えた、請求項1に記載の水素生成デバイス。
- 前記セパレータの位置を固定し、且つ、前記セパレータを支持する固定支持部材をさらに備え、
前記固定支持部材は、前記セパレータが、前記光触媒層の表面及び前記対極の表面と、所定の間隔を隔てて且つ平行に配置されるように、前記セパレータを固定及び支持する、請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 前記固定支持部材が、前記光触媒層の表面に設けられた第1突起物及び前記対極の表面に設けられた第2突起物であり、
前記第1突起物及び前記第2突起物は、前記セパレータを間に挟んで互いに一致する位置に設けられている、
請求項3に記載の水素生成デバイス。 - 前記透明基板、前記光触媒電極、前記電解液層、前記セパレータ及び前記対極を一体として保持する外枠をさらに備え、
前記固定支持部材が、前記光触媒層と前記セパレータとの間及び前記対極と前記セパレータとの間から選ばれる少なくとも何れか一方の位置に設けられ、且つ、前記外枠に保持された多孔質部材である、
請求項3に記載の水素生成デバイス。 - 前記透明基板、前記光触媒電極、前記電解液層、前記セパレータ及び前記対極を一体として保持する外枠をさらに備え、
前記固定支持部材が、前記光触媒層と前記セパレータとの間及び前記対極と前記セパレータとの間から選ばれる少なくとも何れか一方の位置に設けられ、且つ、前記外枠に保持された枠体である、
請求項3に記載の水素生成デバイス。 - 前記対極の形状は、平板、貫通孔を有する平板又は切れ込みが設けられた平板である、請求項1に記載の水素生成デバイス。
- 前記光触媒層が、前記透明導電層側から順に配置された第1のn型半導体層及び第2のn型半導体層によって形成されており、
真空準位を基準として、
(I)前記第2のn型半導体層における伝導帯及び価電子帯のバンドエッジ準位が、それぞれ、前記第1のn型半導体層における伝導帯及び価電子帯のバンドエッジ準位よりも大きく、且つ、
(II)前記第1のn型半導体層のフェルミ準位が、前記第2のn型半導体層のフェルミ準位よりも大きい、請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 前記光触媒層が、前記透明導電層側から順に配置された第1のp型半導体層及び第2のp型半導体層によって形成されており、
真空準位を基準として、
(I)前記第2のp型半導体層における伝導帯及び価電子帯のバンドエッジ準位が、それぞれ、前記第1のp型半導体層における伝導帯及び価電子帯のバンドエッジ準位よりも小さく、且つ、
(II)前記第1のp型半導体層のフェルミ準位が、前記第2のp型半導体層のフェルミ準位よりも小さい、
請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 前記透明導電層と前記対極との電気的な接続経路上に設けられた、バイアス電圧を印加するための電源装置をさらに備えた、
請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 受光面側から、前記透明基板、前記光触媒電極、前記第1電解液層、前記セパレータ、前記第2電解液層、前記対極の順に配置され、
前記第1電解液層は前記光触媒電極と接し、前記第2電解液層は前記対極と接する、
請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 前記対極の表面は光を反射する、
請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 光触媒として機能する半導体材料からなる前記光触媒層が、その表面が露出して前記第1電解液層と接触するように設けられている、
請求項1に記載の水素生成デバイス。 - 光触媒として機能する半導体材料からなる前記光触媒層の前記第1電解液層側の表面は、前記第1電解液層、前記固定支持部材、および前記第1電解液層のシール材のみに接している、
請求項3に記載の水素生成デバイス。
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