JP6316436B2 - 水素発生電極、および人工光合成モジュール - Google Patents
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Description
本発明は、光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュールに用いられる水素発生電極、および、この水素発生電極を含む人工光合成モジュールに関する。
従来、再生可能なエネルギーである太陽光エネルギーを利用する形態の１つとして、太陽電池に使用される光電変換材料を用いて、この光電変換材料で得られる起電力を利用して、電解水溶液を分解して酸素と水素を製造する装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、受光面とその裏面を有する光電変換部と、光電変換部の裏面側に設けられ、かつ電解水溶液に浸漬可能に設けられた第１電解用電極と、光電変換部の裏面側に設けられ、かつ電解水溶液に浸漬可能に設けられた第２電解用電極と、切換部とを備え、第１電解用電極および第２電解用電極は、光電変換部が受光することより生じる起電力により電解液を電気分解しそれぞれ第１気体および第２気体を発生させることができるように設けられ、切換部は、光電変換部が受光することにより生じる起電力を第１外部回路へ出力させる回路と、光電変換部が受光することにより生じる起電力を第１電解用電極および第２電解用電極に出力させる回路とを切り換える太陽電池一体型気体製造装置が記載されている。第１電解用電極および第２電解用電極のうち、一方は、電解水溶液から水素を発生させる水素発生部であり、他方は、電解水溶液から酸素を発生させる酸素発生部である。特許文献１には、光電変換部としてＣＩＧＳ（Copper indium gallium (di)selenide）等を用いてｐｎ接合を形成したものが挙げられている。
特許文献１の太陽電池一体型気体製造装置では、電解水溶液に浸漬させるのは第１電解用電極と第２電解用電極であり、ｐｎ接合を有する光電変換部を電解水溶液中に浸漬させていない。しかしながら、第１電解用電極とｐｎ接合を有する光電変換部を電解水溶液中に浸漬して長時間駆動させると、光電変換部内部に気泡が形成され、その気泡が巨大化することで光電変換部を破壊してしまい、耐久性が低下してしまうという問題点がある。
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、水素発生のためにｐｎ接合を有するものを用いた場合でも、耐久性が優れた水素発生電極を提供することにある。
また、本発明の目的は、上記水素発生電極を含む人工光合成モジュールを提供することにもある。
また、本発明の目的は、上記水素発生電極を含む人工光合成モジュールを提供することにもある。
上記目的を達成するために、本発明は、光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュール用の水素発生電極であって、導電層と、導電層上に設けられた、ｐｎ接合を有する無機半導体層と、無機半導体層を覆う機能層とを有し、機能層は、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下であることを特徴とする水素発生電極を提供するものである。
機能層の厚みをｔとし、無機半導体層の表面におけるピークトゥバレー値をＰＶとするとき、ＰＶ≦ｔであることが好ましい。
例えば、機能層が電解水溶液と接する。
また、例えば、機能層がアモルファスＩＴＯ（tin-doped indium oxide）で構成されている。例えば、機能層は、複数層構成とすることができ、アモルファスＩＴＯ層と、無機層および有機層のうち少なくとも１層とを有し、アモルファスＩＴＯ層が無機半導体層の反対側に配置されている。
無機半導体層は、ＣＩＧＳ化合物半導体、ＣＺＴＳ（Copper zinc tin sulfide）化合物半導体、またはＣＧＳｅ（copper gallium selenides）化合物半導体を含むことが好ましい。
機能層は、表面に助触媒として白金が担持されている構成とすることもできる。
また、本発明は、上記水素発生電極と、酸素発生電極とを有する、人工光合成モジュールも提供するものである。
例えば、機能層が電解水溶液と接する。
また、例えば、機能層がアモルファスＩＴＯ（tin-doped indium oxide）で構成されている。例えば、機能層は、複数層構成とすることができ、アモルファスＩＴＯ層と、無機層および有機層のうち少なくとも１層とを有し、アモルファスＩＴＯ層が無機半導体層の反対側に配置されている。
無機半導体層は、ＣＩＧＳ化合物半導体、ＣＺＴＳ（Copper zinc tin sulfide）化合物半導体、またはＣＧＳｅ（copper gallium selenides）化合物半導体を含むことが好ましい。
機能層は、表面に助触媒として白金が担持されている構成とすることもできる。
また、本発明は、上記水素発生電極と、酸素発生電極とを有する、人工光合成モジュールも提供するものである。
本発明によれば、光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュールに好適な、耐久性が優れた水素発生電極を得ることができる。
また、本発明によれば、上記水素発生電極を含む人工光合成モジュールを得ることもできる。
また、本発明によれば、上記水素発生電極を含む人工光合成モジュールを得ることもできる。
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の水素発生電極を詳細に説明する。
なお、本発明において、数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、ｘが数値Ａ〜数値Ｂとは、ｘの範囲は数値Ａと数値Ｂを含む範囲であり、数学記号で示せばＡ≦ｘ≦Ｂである。
図１は、本発明の実施形態の水素発生電極の構成を示す模式的断面図であり、図２は図１に示す水素発生電極の要部拡大図である。
水素発生電極１０は、絶縁基板１２上に形成されるものであり、導電層１４と、無機半導体層１６と、機能層１８とを有する。水素発生の際には、水素発生電極１０を電解水溶液に接して水素を発生させる。
なお、本発明において、数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、ｘが数値Ａ〜数値Ｂとは、ｘの範囲は数値Ａと数値Ｂを含む範囲であり、数学記号で示せばＡ≦ｘ≦Ｂである。
図１は、本発明の実施形態の水素発生電極の構成を示す模式的断面図であり、図２は図１に示す水素発生電極の要部拡大図である。
水素発生電極１０は、絶縁基板１２上に形成されるものであり、導電層１４と、無機半導体層１６と、機能層１８とを有する。水素発生の際には、水素発生電極１０を電解水溶液に接して水素を発生させる。
絶縁基板１２は、水素発生電極１０を支持するものであり、電気絶縁性を有するもので構成される。絶縁基板１２は、特に限定されるものではないが、例えば、ソーダライムガラス基板（以下、ＳＬＧ基板という）またはセラミックス基板を用いることができる。また、絶縁基板１２には、金属基板上に絶縁層が形成されたものを用いることができる。ここで、金属基板としては、Ａｌ基板またはＳＵＳ（Steel Use Stainless）基板等の金属基板、またはＡｌと、例えば、ＳＵＳ等の他の金属との複合材料からなる複合Ａｌ基板等の複合金属基板が利用可能である。なお、複合金属基板も金属基板の一種であり、金属基板および複合金属基板をまとめて、単に金属基板ともいう。更には、絶縁基板１２としては、Ａｌ基板等の表面を陽極酸化して形成された絶縁層を有する絶縁膜付金属基板を用いることもできる。絶縁基板１２は、フレキシブルなものであっても、そうでなくてもよい。なお、上述のもの以外に、絶縁基板１２として、例えば、高歪点ガラスおよび無アルカリガラス等のガラス板、またはポリイミド基板を用いることもできる。
絶縁基板１２の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、２０〜２００００μｍ程度あればよく、１００〜１００００μｍが好ましく、１０００〜５０００μｍがより好ましい。なお、ｐ型半導体層２２に、ＣＩＧＳ化合物半導体を含むものを用いる場合には、絶縁基板１２側に、アルカリイオン（例えば、ナトリウム（Ｎａ）イオン：Ｎａ＋）を供給するものがあると、光電変換効率が向上するので、絶縁基板１２の表面１２ａにアルカリイオンを供給するアルカリ供給層を設けておくことが好ましい。なお、ＳＬＧ基板の場合には、アルカリ供給層は不要である。
図１に示す水素発生電極１０では、機能層１８の表面１８ａに助触媒２０が形成（配置）されている。助触媒２０は、例えば、点在するように、島状に形成してもよい。
助触媒２０は、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｎ等により構成される単体、およびそれらを組み合わせた合金、ならびにその酸化物、例えば、ＮｉＯｘおよびＲｕＯ２で形成することができる。また、助触媒２０の粒径は、特に限定されるものではなく、０．５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
なお、助触媒２０の形成方法は、特に限定されるものではなく、塗布焼成法、光電着法、スパッタ法、含浸法等により形成することができる。
助触媒２０は、機能層１８の表面１８ａに設けることが好ましいが、十分な水素ガスの生成が可能である場合には、設けなくてもよい。
助触媒２０は、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｎ等により構成される単体、およびそれらを組み合わせた合金、ならびにその酸化物、例えば、ＮｉＯｘおよびＲｕＯ２で形成することができる。また、助触媒２０の粒径は、特に限定されるものではなく、０．５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
なお、助触媒２０の形成方法は、特に限定されるものではなく、塗布焼成法、光電着法、スパッタ法、含浸法等により形成することができる。
助触媒２０は、機能層１８の表面１８ａに設けることが好ましいが、十分な水素ガスの生成が可能である場合には、設けなくてもよい。
導電層１４は、無機半導体層１６に電圧を印加するものである。導電層１４は、導電性を有していれば、特に限定されるものではないが、例えば、Ｍｏ、ＣｒおよびＷ等の金属、またはこれらを組み合わせたものにより構成される。この導電層１４は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。この中で、導電層１４は、Ｍｏで構成することが好ましい。導電層１４の膜厚は、一般的に、その厚みが８００ｎｍ程度であるが、導電層１４は厚みが４００ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
無機半導体層１６は、起電力を発生するものである。無機半導体層１６は、ｐ型半導体層２２とｎ型半導体層２４とを有し、ｐ型半導体層２２は、ｎ型半導体層２４との界面でｐｎ接合を形成する。
無機半導体層１６では、機能層１８およびｎ型半導体層２４を透過して到達した光を吸収して、ｐ側に正孔を、ｎ側に電子を生じさせる層である。ｐ型半導体層２２は、光電変換機能を有する。ｐ型半導体層２２では、ｐｎ接合で生じた正孔をｐ型半導体層２２から導電層１４側に移動させ、ｐｎ接合で生じた電子をｎ型半導体層２４から機能層１８側に移動させる。ｐ型半導体層２２の膜厚は、好ましくは０．５〜３．０μｍであり、１．０〜２．０μｍが特に好ましい。
無機半導体層１６では、機能層１８およびｎ型半導体層２４を透過して到達した光を吸収して、ｐ側に正孔を、ｎ側に電子を生じさせる層である。ｐ型半導体層２２は、光電変換機能を有する。ｐ型半導体層２２では、ｐｎ接合で生じた正孔をｐ型半導体層２２から導電層１４側に移動させ、ｐｎ接合で生じた電子をｎ型半導体層２４から機能層１８側に移動させる。ｐ型半導体層２２の膜厚は、好ましくは０．５〜３．０μｍであり、１．０〜２．０μｍが特に好ましい。
ｐ型半導体層２２は、例えば、カルコパイライト結晶構造を有するＣＩＧＳ化合物半導体またはＣｕ２ＺｎＳｎＳ４等のＣＺＴＳ化合物半導体で構成されるのが好ましい。ＣＩＧＳ化合物半導体層は、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）のみならず、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、ＣｕＧａＳｅ２（ＣＧＳ）等で構成してもよい。
なお、ＣＩＧＳ層の形成方法としては、１）多源蒸着法、２）セレン化法、３）スパッタ法、４）ハイブリッドスパッタ法、および５）メカノケミカルプロセス法等が知られている。
その他のＣＩＧＳ層の形成方法としては、スクリーン印刷法、近接昇華法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、およびスプレー法（ウェット成膜法）等が挙げられる。例えば、スクリーン印刷法（ウェット成膜法）、スプレー法（ウェット成膜法）または分子線エピタキシー法（ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法）等で、１１族元素、１３族元素、および１６族元素を含む微粒子膜を基板上に形成し、熱分解処理（この際、１６族元素雰囲気での熱分解処理でもよい）を実施する等により、所望の組成の結晶を得ることができる（特開平９−７４０６５号公報、特開平９−７４２１３号公報等）。
なお、ＣＩＧＳ層の形成方法としては、１）多源蒸着法、２）セレン化法、３）スパッタ法、４）ハイブリッドスパッタ法、および５）メカノケミカルプロセス法等が知られている。
その他のＣＩＧＳ層の形成方法としては、スクリーン印刷法、近接昇華法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、およびスプレー法（ウェット成膜法）等が挙げられる。例えば、スクリーン印刷法（ウェット成膜法）、スプレー法（ウェット成膜法）または分子線エピタキシー法（ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法）等で、１１族元素、１３族元素、および１６族元素を含む微粒子膜を基板上に形成し、熱分解処理（この際、１６族元素雰囲気での熱分解処理でもよい）を実施する等により、所望の組成の結晶を得ることができる（特開平９−７４０６５号公報、特開平９−７４２１３号公報等）。
ｎ型半導体層２４は、機能層１８に入射した光をｐ型半導体層２２まで透過させるために形成されたものである。
ｎ型半導体層２４は、例えば、ＣｄＳ、ＺｎＳ，Ｚｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＺｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＳｎＳ，Ｓｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＳｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＩｎＳ，Ｉｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＩｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）等の、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｉｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属硫化物を含むもので形成される。ｎ型半導体層２４の膜厚は、１０ｎｍ〜２μｍが好ましく、１５〜２００ｎｍがより好ましい。ｎ型半導体層２４の形成には、例えば、化学浴析出法（以下、ＣＢＤ法という）により形成される。
なお、ｎ型半導体層２４と機能層１８との間には、例えば、窓層を設けてもよい。この窓層は、例えば、厚み１０ｎｍ程度のＺｎＯ層で構成される。
ｎ型半導体層２４は、例えば、ＣｄＳ、ＺｎＳ，Ｚｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＺｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＳｎＳ，Ｓｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＳｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＩｎＳ，Ｉｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＩｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）等の、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｉｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属硫化物を含むもので形成される。ｎ型半導体層２４の膜厚は、１０ｎｍ〜２μｍが好ましく、１５〜２００ｎｍがより好ましい。ｎ型半導体層２４の形成には、例えば、化学浴析出法（以下、ＣＢＤ法という）により形成される。
なお、ｎ型半導体層２４と機能層１８との間には、例えば、窓層を設けてもよい。この窓層は、例えば、厚み１０ｎｍ程度のＺｎＯ層で構成される。
機能層１８は、無機半導体層１６内部への水分侵入を防ぎ、無機半導体層１６内部での気泡形成を抑制するものである。機能層１８には、透明性、耐水性、遮水性および導電性が要求される。機能層１８により、水素発生電極１０の耐久性が向上する。
機能層１８は、無機半導体層１６を覆うように形成されている。無機半導体層１６を覆うとは、被覆率が１００％であることが好ましい。しかしながら、被覆率が最低でも８０％あれば、無機半導体層１６を覆うという。被覆率は、例えば、機能層１８表面をＸ線光電子分光法で複数個所、測定し、その測定結果の内で無機半導体層１６の元素が検出される頻度を基に求めることができる。
機能層１８は、無機半導体層１６を覆うように形成されている。無機半導体層１６を覆うとは、被覆率が１００％であることが好ましい。しかしながら、被覆率が最低でも８０％あれば、無機半導体層１６を覆うという。被覆率は、例えば、機能層１８表面をＸ線光電子分光法で複数個所、測定し、その測定結果の内で無機半導体層１６の元素が検出される頻度を基に求めることができる。
機能層１８は、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である。なかでも、３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下が好ましく、１．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、材料特性の点から、１×１０−８ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上の場合が多い。
水蒸気透過度は、機能層１８単体で測定した値であり、モコン法により測定することができる。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の樹脂フィルムに機能層１８を形成し、この状態で、モコン法により水蒸気透過度を測定することができる。
機能層１８は、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）を超えると、無機半導体層１６内部への水分侵入を十分に防ぐことができない。なお、機能層１８は、例えば、アモルファスＩＴＯで形成される。
なお、上記モコン法による測定方法としては、雰囲気温度４０℃で相対湿度９０％の条件下において、水蒸気透過試験機ＡＱＵＡＴＲＡＮ２（ＭＯＣＯＮ社製）を用いて測定を行う。
水蒸気透過度は、機能層１８単体で測定した値であり、モコン法により測定することができる。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の樹脂フィルムに機能層１８を形成し、この状態で、モコン法により水蒸気透過度を測定することができる。
機能層１８は、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）を超えると、無機半導体層１６内部への水分侵入を十分に防ぐことができない。なお、機能層１８は、例えば、アモルファスＩＴＯで形成される。
なお、上記モコン法による測定方法としては、雰囲気温度４０℃で相対湿度９０％の条件下において、水蒸気透過試験機ＡＱＵＡＴＲＡＮ２（ＭＯＣＯＮ社製）を用いて測定を行う。
機能層１８の厚みｔについては、以下のようにすることで、無機半導体層１６を確実に被覆できるため好ましい。ここで、図２に示すように、無機半導体層１６の断面において、表面１６ａ側の谷の部分をＶとし、山の部分をＰとするとき、谷の部分Ｖと山の部分Ｐとの距離をピークトゥバレー値といい、ピークトゥバレー値をＰＶと表す。図２に示すように、谷の部分Ｖは、ｎ型半導体層２４の表面２４ａで最も絶縁基板１２の表面１２ａに近いところである。山の部分Ｐは、ｎ型半導体層２４の表面２４ａで絶縁基板１２の表面１２ａから最も離れたところである。
山の部分Ｐおよび谷の部分Ｖは、例えば、無機半導体層１６の断面のＳＥＭ像から求めることができる。
機能層１８について、ＰＶ≦ｔとすることで、すなわち、機能層１８の厚みｔをピークトゥバレー値以上とすることで、無機半導体層１６を確実に被覆することができる。すなわち、被覆率が１００％である。
機能層１８の厚みｔは、無機半導体層１６の谷の部分Ｖから表面１８ａまでの距離のことである。例えば、ＰＶが５００ｎｍであれば、機能層１８の厚みｔは５００ｎｍ以上であることが好ましい。
山の部分Ｐおよび谷の部分Ｖは、例えば、無機半導体層１６の断面のＳＥＭ像から求めることができる。
機能層１８について、ＰＶ≦ｔとすることで、すなわち、機能層１８の厚みｔをピークトゥバレー値以上とすることで、無機半導体層１６を確実に被覆することができる。すなわち、被覆率が１００％である。
機能層１８の厚みｔは、無機半導体層１６の谷の部分Ｖから表面１８ａまでの距離のことである。例えば、ＰＶが５００ｎｍであれば、機能層１８の厚みｔは５００ｎｍ以上であることが好ましい。
機能層１８は、例えば、アモルファスＩＴＯ層単層で形成されることに限定されるものではなく、複数層であってもよい。例えば、図３（ａ）に示す水素発生電極１０ａのように、機能層１８を２層構造としてもよい。この場合、機能層１８は、無機層２６とアモルファスＩＴＯ層２８とで構成される。無機層２６が無機半導体層１６側に配置され、アモルファスＩＴＯ層２８は無機半導体層１６の反対側（無機層２６の無機半導体層１６側とは反対側の表面）に配置される。
なお、図３（ａ）に示す水素発生電極１０ａにおいて、図１に示す水素発生電極１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
なお、図３（ａ）に示す水素発生電極１０ａにおいて、図１に示す水素発生電極１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図３（ａ）に示す水素発生電極１０ａでは、無機層２６とアモルファスＩＴＯ層２８との機能層１８としたが、これに限定されるものではなく、無機層２６に代えて有機層を配置してもよい。さらには、図３（ｂ）に示すように、機能層１８を、有機層２７ａと無機層２７ｂとアモルファスＩＴＯ層２８とで構成してもよい。この場合、有機層２７ａが無機半導体層１６側に配置され、この有機層２７ａ上に無機層２７ｂとアモルファスＩＴＯ層２８が積層される。有機層２７ａと無機層２７ｂとの順序は逆でもよい。
なお、無機層２６および無機層２７ｂは、例えば、ＺｎＯで形成される。有機層２７ａは、例えば、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリパラフェニレンビニレン等で形成される。
なお、無機層２６および無機層２７ｂは、例えば、ＺｎＯで形成される。有機層２７ａは、例えば、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリパラフェニレンビニレン等で形成される。
水素発生電極１０では、上述の機能層１８を設けることで、無機半導体層１６内部への水分侵入を防ぐことができ、無機半導体層１６内部での気泡形成が抑制される。これにより、無機半導体層１６の破壊が抑制され、水素発生電極１０の耐久性を向上させることができる。
水素発生電極１０は、光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュールに用いられる。
以下、図１に示す水素発生電極１０を用いた人工光合成モジュールについて説明する。
図４は、本発明の実施形態の水素発生電極を用いた人工光合成モジュールの構成を示す模式的断面図である。
なお、図４に示す人工光合成モジュール３０において、図１に示す水素発生電極１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
以下、図１に示す水素発生電極１０を用いた人工光合成モジュールについて説明する。
図４は、本発明の実施形態の水素発生電極を用いた人工光合成モジュールの構成を示す模式的断面図である。
なお、図４に示す人工光合成モジュール３０において、図１に示す水素発生電極１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
人工光合成モジュール３０は、容器３２内に隔壁３４により水素用電解室３６と酸素用電解室３８とが並んで配置されている。容器３２内に電解水溶液ＡＱが供給される。電解水溶液ＡＱを容器３２内に供給するために配管、ポンプ等が必要であるが、これらの図示は省略している。
容器３２は、人工光合成モジュール３０の外殻を構成するものであり、電解水溶液ＡＱが漏れることなく内部に保持することができ、かつ外部からの光Ｌを内部に透過させることができれば、その構成は特に限定されるものではない。
容器３２は、人工光合成モジュール３０の外殻を構成するものであり、電解水溶液ＡＱが漏れることなく内部に保持することができ、かつ外部からの光Ｌを内部に透過させることができれば、その構成は特に限定されるものではない。
ここで、電解水溶液ＡＱとは、例えば、Ｈ２Ｏを主成分とする液体であり、蒸留水であってもよく、水を溶媒とし溶質を含む水溶液であってもよい。水の場合、例えば、電解質を含む水溶液である電解液であってもよく、冷却塔等で用いられる冷却水であってもよい。電解液の場合、例えば、電解質を含む水溶液であり、例えば、強アルカリ（ＫＯＨ）、ポリマー電解質（ナフィオン（登録商標））、Ｈ２ＳＯ４を含む電解液、硫酸ナトリウム電解液、リン酸カリウム緩衝液等である。
隔壁３４は、水素用電解室３６で生成された水素ガスと、酸素用電解室３８で生成された酸素ガスとが混合されないように隔離するためのものである。このため、隔壁３４は、上述の隔離機能を有するものであれば、その構成は、特に限定されるものではない。
なお、隔壁３４は、水素用電解室３６内での水素の生成によって増加した水酸イオン（ｐＨも増加）と酸素用電解室３８内での酸素の生成によって増加した水素イオン（ｐＨは減少）とが中和するように、水酸イオンおよび水素イオンを通過させるために、容器３２内を、水素用電解室３６と酸素用電解室３８と分離するためのものであってもよい。この場合、隔壁３４は、例えば、イオン透過性、かつガス非透過性を有するもので構成される。具体的には、例えば、イオン交換膜、セラミックフィルタ、多孔質ガラス等により構成される。隔壁３４の厚みは、特に限定されるものではなく、１０〜１０００μｍであることが好ましい。
なお、隔壁３４は、水素用電解室３６内での水素の生成によって増加した水酸イオン（ｐＨも増加）と酸素用電解室３８内での酸素の生成によって増加した水素イオン（ｐＨは減少）とが中和するように、水酸イオンおよび水素イオンを通過させるために、容器３２内を、水素用電解室３６と酸素用電解室３８と分離するためのものであってもよい。この場合、隔壁３４は、例えば、イオン透過性、かつガス非透過性を有するもので構成される。具体的には、例えば、イオン交換膜、セラミックフィルタ、多孔質ガラス等により構成される。隔壁３４の厚みは、特に限定されるものではなく、１０〜１０００μｍであることが好ましい。
人工光合成モジュール３０では、平面状の絶縁基板１２上に、例えば、２つの光電変換ユニット４０と水素ガス生成部４２と酸素ガス生成部４４とが形成されており、これらは方向Ｍに電気的に直列に接続されている。
水素用電解室３６に光電変換ユニット４０と水素ガス生成部４２が配置され、酸素用電解室３８に光電変換ユニット４０と酸素ガス生成部４４が配置されている。
水素用電解室３６に光電変換ユニット４０と水素ガス生成部４２が配置され、酸素用電解室３８に光電変換ユニット４０と酸素ガス生成部４４が配置されている。
光電変換ユニット４０は、光を受光して電力を発生させ水素ガス生成部４２で水素ガスを発生させるための電力および酸素ガス生成部４４で酸素ガスを発生させるための電力を供給するためのものである。
光電変換ユニット４０は、絶縁基板１２側から順に、導電層１４、ｐ型半導体層２２、ｎ型半導体層２４、透明電極層５０および保護膜５２が積層されて構成されており、太陽電池に用いられる光電変換素子と同様の構成を有する。
光電変換ユニット４０では、上述のようにｐ型半導体層２２とｎ型半導体層２４で無機半導体層１６が構成され、ｐ型半導体層２２とｎ型半導体層２４の界面においてｐｎ接合が形成されている。
無機半導体層１６は、保護膜５２および透明電極層５０を透過して到達した光を吸収して、ｐ側に正孔を、ｎ側に電子を生じさせる層である。ｐ型半導体層２２は、光電変換機能を有する。ｐ型半導体層２２では、ｐｎ接合で生じた正孔をｐ型半導体層２２から導電層１４側に移動させ、ｐｎ接合で生じた電子をｎ型半導体層２４から透明電極層５０側に移動させる。ｐ型半導体層２２の膜厚は、好ましくは０．５〜３．０μｍであり、１．０〜２．０μｍが特に好ましい。
光電変換ユニット４０は、絶縁基板１２側から順に、導電層１４、ｐ型半導体層２２、ｎ型半導体層２４、透明電極層５０および保護膜５２が積層されて構成されており、太陽電池に用いられる光電変換素子と同様の構成を有する。
光電変換ユニット４０では、上述のようにｐ型半導体層２２とｎ型半導体層２４で無機半導体層１６が構成され、ｐ型半導体層２２とｎ型半導体層２４の界面においてｐｎ接合が形成されている。
無機半導体層１６は、保護膜５２および透明電極層５０を透過して到達した光を吸収して、ｐ側に正孔を、ｎ側に電子を生じさせる層である。ｐ型半導体層２２は、光電変換機能を有する。ｐ型半導体層２２では、ｐｎ接合で生じた正孔をｐ型半導体層２２から導電層１４側に移動させ、ｐｎ接合で生じた電子をｎ型半導体層２４から透明電極層５０側に移動させる。ｐ型半導体層２２の膜厚は、好ましくは０．５〜３．０μｍであり、１．０〜２．０μｍが特に好ましい。
２つの光電変換ユニット４０が方向Ｍに直列に接続されているが、水素ガスおよび酸素ガスを発生させることができる起電力を得ることができれば、その数は限定されるものではなく、１つでも、２つ以上であってもよい。複数の光電変換ユニットを直列に接続する方が高い電圧を得ることができるため、複数の光電変換ユニットを直列接続することが好ましい。
光電変換ユニット４０間に、ｎ型半導体層２４およびｐ型半導体層２２を貫き導電層１４の表面に達する開口溝Ｐ２が方向Ｍにおいて分離溝Ｐ１の形成位置とは異なる位置に形成されている。開口溝Ｐ２に隔壁３４が設けられている。
光電変換ユニット４０間に、ｎ型半導体層２４およびｐ型半導体層２２を貫き導電層１４の表面に達する開口溝Ｐ２が方向Ｍにおいて分離溝Ｐ１の形成位置とは異なる位置に形成されている。開口溝Ｐ２に隔壁３４が設けられている。
人工光合成モジュール３０では、光電変換ユニット４０に、保護膜５２側から光Ｌが入射されると、この光Ｌが、保護膜５２、各透明電極層５０および各ｎ型半導体層２４を通過し、各ｐ型半導体層２２で起電力が発生し、例えば、透明電極層５０から導電層１４に向かう電流（正孔の移動）が発生する。このため、人工光合成モジュール３０では、水素ガス生成部４２が負極（電気分解のカソード）となり、酸素ガス生成部４４が正極（電気分解のアノード）になる。
なお、人工光合成モジュール３０における生成ガスの種類（極性）は、光電変換ユニットの構成および人工光合成モジュール３０構成等に応じて適宜変わるものである。
なお、人工光合成モジュール３０における生成ガスの種類（極性）は、光電変換ユニットの構成および人工光合成モジュール３０構成等に応じて適宜変わるものである。
保護膜５２は、弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および絶縁性を兼ね備えるものである。
保護膜５２は、透光性を有し、光電変換ユニット４０を保護するため、具体的には、水素用電解室３６内の水素ガス生成領域以外の部分、酸素用電解室３８内の酸素ガス発生領域以外の部分を覆うように設けられるものである。具体的には、保護膜５２は、透明電極層５０の全面および水素発生電極１０の側面を覆うものである。
保護膜５２は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３またはＧａ２Ｏ３等により構成される。また、保護膜５２の厚みは、特に限定されるものではなく、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
なお、保護膜５２の形成方法は、特に限定されるものではなく、ＲＦ（radio frequency）スパッタ法、ＤＣ（Direct Current）リアクティブスパッタ法およびＭＯＣＶＤ法等により形成することができる。
また、保護膜５２は、例えば、絶縁性エポキシ樹脂、絶縁性シリコーン樹脂、絶縁性フッ素樹脂等により構成できる。この場合、保護膜５２の厚みは、特に限定されるものではなく、２〜１０００μｍが好ましい。
保護膜５２は、透光性を有し、光電変換ユニット４０を保護するため、具体的には、水素用電解室３６内の水素ガス生成領域以外の部分、酸素用電解室３８内の酸素ガス発生領域以外の部分を覆うように設けられるものである。具体的には、保護膜５２は、透明電極層５０の全面および水素発生電極１０の側面を覆うものである。
保護膜５２は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３またはＧａ２Ｏ３等により構成される。また、保護膜５２の厚みは、特に限定されるものではなく、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
なお、保護膜５２の形成方法は、特に限定されるものではなく、ＲＦ（radio frequency）スパッタ法、ＤＣ（Direct Current）リアクティブスパッタ法およびＭＯＣＶＤ法等により形成することができる。
また、保護膜５２は、例えば、絶縁性エポキシ樹脂、絶縁性シリコーン樹脂、絶縁性フッ素樹脂等により構成できる。この場合、保護膜５２の厚みは、特に限定されるものではなく、２〜１０００μｍが好ましい。
水素ガス生成部４２は、上述の水素発生電極１０で構成されており、側面が保護膜５２で覆われている。このため、その詳細な説明は省略する。水素発生電極１０は、電解水溶液ＡＱ中に浸漬され、機能層１８は電解水溶液ＡＱに接する。なお、水素発生電極１０の側面の保護膜５２により、電解水溶液ＡＱとの接触による短絡が防止される。
水素ガス生成部４２では、水分子からイオン化した水素イオン（プロトン）Ｈ＋に電子を供給して水素分子、すなわち、水素ガスを発生させる（２Ｈ＋＋２ｅ− ―＞Ｈ２）ものである。機能層１８の表面１８ａが水素ガス生成領域として機能する。
水素ガス生成部４２では、水分子からイオン化した水素イオン（プロトン）Ｈ＋に電子を供給して水素分子、すなわち、水素ガスを発生させる（２Ｈ＋＋２ｅ− ―＞Ｈ２）ものである。機能層１８の表面１８ａが水素ガス生成領域として機能する。
酸素ガス生成部４４は、右側の光電変換ユニット４０の導電層１４の延長部分の領域６０で構成され、この領域６０が酸素ガスの発生領域となる。
具体的には、光電変換ユニット４０の導電層１４の延長部分の領域６０は、水分子からイオン化した水酸イオンＯＨ−から電子を取り出して酸素分子、すなわち、酸素ガスを発生させる（２ＯＨ− ―＞Ｈ２Ｏ＋Ｏ２／２＋２ｅ−）酸素ガス生成部４４であり、表面６０ａがガス生成領域として機能する。
導電層１４の領域６０の表面６０ａには、酸素生成用の助触媒（図示せず）を形成してもよく、この場合、助触媒は、例えば、点在するように島状に形成してもよい。
酸素生成用の助触媒は、例えば、ＩｒＯ２、ＣｏＯｘ等により構成される。また、酸素生成用の助触媒の粒径は、特に限定されるものではなく、０．５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。なお、酸素生成用の助触媒の形成方法は、特に限定されるものではなく、塗布焼成法、浸漬法、含浸法、スパッタ法および蒸着法等により形成することができる。
具体的には、光電変換ユニット４０の導電層１４の延長部分の領域６０は、水分子からイオン化した水酸イオンＯＨ−から電子を取り出して酸素分子、すなわち、酸素ガスを発生させる（２ＯＨ− ―＞Ｈ２Ｏ＋Ｏ２／２＋２ｅ−）酸素ガス生成部４４であり、表面６０ａがガス生成領域として機能する。
導電層１４の領域６０の表面６０ａには、酸素生成用の助触媒（図示せず）を形成してもよく、この場合、助触媒は、例えば、点在するように島状に形成してもよい。
酸素生成用の助触媒は、例えば、ＩｒＯ２、ＣｏＯｘ等により構成される。また、酸素生成用の助触媒の粒径は、特に限定されるものではなく、０．５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。なお、酸素生成用の助触媒の形成方法は、特に限定されるものではなく、塗布焼成法、浸漬法、含浸法、スパッタ法および蒸着法等により形成することができる。
上述のように、光電変換ユニット４０は光電変換素子として機能するものであり、ｐ型半導体層２２とｎ型半導体層２４を有する。ｐ型半導体層２２およびｎ型半導体層２４は、上述の通りであるため、その詳細な説明は省略する。
なお、ｐ型半導体層２２を形成する無機半導体の吸収波長は、光電変換可能な波長域であれば、特に限定されるものではない。吸収波長としては、太陽光等の波長域、特に、可視波長域から赤外波長域を含んでいればよいが、その吸収波長端は８００ｎｍ以上、すなわち、赤外波長域までを含んでいることが好ましい。その理由は、できるだけ多くの太陽光エネルギーを利用できるからである。一方、吸収波長端が長波長化することは、すなわち、バンドギャップが小さくなることに相当し、これは水分解をアシストするための起電力が低下することが予想でき、その結果、水分解のために、光電変換ユニット４０を直列接続する接続数を増すことが予想できるので、吸収端が長ければ長い方がよいというわけでもない。
なお、ｐ型半導体層２２を形成する無機半導体の吸収波長は、光電変換可能な波長域であれば、特に限定されるものではない。吸収波長としては、太陽光等の波長域、特に、可視波長域から赤外波長域を含んでいればよいが、その吸収波長端は８００ｎｍ以上、すなわち、赤外波長域までを含んでいることが好ましい。その理由は、できるだけ多くの太陽光エネルギーを利用できるからである。一方、吸収波長端が長波長化することは、すなわち、バンドギャップが小さくなることに相当し、これは水分解をアシストするための起電力が低下することが予想でき、その結果、水分解のために、光電変換ユニット４０を直列接続する接続数を増すことが予想できるので、吸収端が長ければ長い方がよいというわけでもない。
透明電極層５０は、透光性を有し、光をｐ型半導体層２２に取り込み、かつ導電層１４と対になって、ｐ型半導体層２２で生成された正孔および電子を移動させる（電流が流れる）電極として機能すると共に、２つの光電変換ユニット４０を直列接続するための透明導電膜として機能するものである。
透明電極層５０は、例えばＡｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ等がドープされたＺｎＯ、またはＩＴＯにより構成される。透明電極層５０は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極の厚みは、特に限定されるものではなく、０．３〜１μｍが好ましい。
なお、透明電極の形成方法は、特に限定されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の気相成膜法または塗布法により形成することが好ましい。
透明電極層５０は、例えばＡｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ等がドープされたＺｎＯ、またはＩＴＯにより構成される。透明電極層５０は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極の厚みは、特に限定されるものではなく、０．３〜１μｍが好ましい。
なお、透明電極の形成方法は、特に限定されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の気相成膜法または塗布法により形成することが好ましい。
なお、光電変換ユニット４０の透明電極層５０と水素発生電極１０の機能層１８とは、組成が同じ方が、光電変換ユニット４０と水素発生電極１０を同時に製造することができるため好ましい。この場合、光電変換ユニット４０の透明電極層５０と水素発生電極１０の機能層１８は、いずれもアモルファスＩＴＯで構成される。
すなわち、ｐ型半導体層２２上に、ｎ型半導体層２４を積層した後、導電層１４の表面に達する開口溝Ｐ２をレーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより形成し、ｎ型半導体層２４上に、かつ開口溝Ｐ２を埋めるように透明電極層５０を構成する透明導電膜を形成し、その後、各開口溝Ｐ２内の透明導電膜の図中右側部分をスクライブにより除去して導電層１４の表面に達する、少し小さい開口溝Ｐ２を再度形成し、隣接する光電変換ユニット４０の導電層１４と透明電極層５０とを直接接続する導電膜として残すことにより、隣接する光電変換ユニット４０を直列接続するための導電膜を形成することができる。
すなわち、ｐ型半導体層２２上に、ｎ型半導体層２４を積層した後、導電層１４の表面に達する開口溝Ｐ２をレーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより形成し、ｎ型半導体層２４上に、かつ開口溝Ｐ２を埋めるように透明電極層５０を構成する透明導電膜を形成し、その後、各開口溝Ｐ２内の透明導電膜の図中右側部分をスクライブにより除去して導電層１４の表面に達する、少し小さい開口溝Ｐ２を再度形成し、隣接する光電変換ユニット４０の導電層１４と透明電極層５０とを直接接続する導電膜として残すことにより、隣接する光電変換ユニット４０を直列接続するための導電膜を形成することができる。
次に、人工光合成モジュール３０の製造方法について説明する。
なお、人工光合成モジュール３０の製造方法は、以下に示す製造方法に限定されるものではない。
まず、例えば、絶縁基板１２となるソーダライムガラス基板を用意する。
次に、絶縁基板１２の表面に導電層１４となる、例えば、Ｍｏ膜等をスパッタ法により形成する。
次に、例えば、レーザースクライブ法を用いて、Ｍｏ膜の所定位置をスクライブして、絶縁基板１２の幅方向に伸びた分離溝Ｐ１を形成する。これにより、分離溝Ｐ１により互いに分離された導電層１４が形成される。
なお、人工光合成モジュール３０の製造方法は、以下に示す製造方法に限定されるものではない。
まず、例えば、絶縁基板１２となるソーダライムガラス基板を用意する。
次に、絶縁基板１２の表面に導電層１４となる、例えば、Ｍｏ膜等をスパッタ法により形成する。
次に、例えば、レーザースクライブ法を用いて、Ｍｏ膜の所定位置をスクライブして、絶縁基板１２の幅方向に伸びた分離溝Ｐ１を形成する。これにより、分離溝Ｐ１により互いに分離された導電層１４が形成される。
次に、導電層１４を覆い、かつ分離溝Ｐ１を埋めるように、ｐ型半導体層２２として、例えば、ＣＩＧＳ膜を形成する。このＣＩＧＳ膜は、前述のいずれか成膜方法により、形成される。
次に、ｐ型半導体層２２上にｎ型半導体層２４となる、例えば、ＣｄＳ層をＣＢＤ（chemical bath deposition）法により形成する。
次に、方向Ｍにおいて、分離溝Ｐ１の形成位置とは異なる位置に、絶縁基板１２の幅方向に伸び、かつｎ型半導体層２４からｐ型半導体層２２を経て導電層１４の表面１４ａに達する２つの開口溝Ｐ２を形成する。この場合、スクライブ方法としては、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いることができる。
次に、ｐ型半導体層２２上にｎ型半導体層２４となる、例えば、ＣｄＳ層をＣＢＤ（chemical bath deposition）法により形成する。
次に、方向Ｍにおいて、分離溝Ｐ１の形成位置とは異なる位置に、絶縁基板１２の幅方向に伸び、かつｎ型半導体層２４からｐ型半導体層２２を経て導電層１４の表面１４ａに達する２つの開口溝Ｐ２を形成する。この場合、スクライブ方法としては、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いることができる。
次に、絶縁基板１２の幅方向に伸び、かつｎ型半導体層２４上に、開口溝Ｐ２を埋めるように、透明電極層５０となる、例えば、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｂ等が添加されたＺｎＯ層を、スパッタ法または塗布法により形成する。
次に、開口溝Ｐ２内のＺｎＯ層の一部を残すようにして除去し、導電層１４の表面に達する２つの少し幅の狭い開口溝Ｐ２を再び形成する。これにより、３つの積層体が形成される。１つは水素発生電極１０になり、残りの２つは光電変換ユニット４０になる。スクライブ方法としては、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いることができる。
次に、開口溝Ｐ２内のＺｎＯ層の一部を残すようにして除去し、導電層１４の表面に達する２つの少し幅の狭い開口溝Ｐ２を再び形成する。これにより、３つの積層体が形成される。１つは水素発生電極１０になり、残りの２つは光電変換ユニット４０になる。スクライブ方法としては、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いることができる。
次に、積層体の外面および側面と、２つの開口溝Ｐ２の底面の導電層１４の表面に保護膜５２となる、例えば、ＳｉＯ２膜をＲＦスパッタ法で形成する。
次に、２つの積層体の間で、開口溝Ｐ２に相当する位置に再度、溝を形成し、この溝に隔壁３４を設ける。
次に、光電変換ユニット４０のＺｎＯ層を、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いて剥離し、露出したｎ型半導体層２４の表面２４ａに、機能層１８として、例えば、アモルファスＩＴＯ層を、パターニングマスクを用いたスパッタ法により形成する。
次に、機能層１８の表面１８ａに、例えば、光電着法にて水素生成用の助触媒２０となる、例えば、Ｐｔ助触媒を担持させる。これにより、水素発生電極１０が形成されて、水素ガス生成部４２が形成される。
次に、２つの積層体の間で、開口溝Ｐ２に相当する位置に再度、溝を形成し、この溝に隔壁３４を設ける。
次に、光電変換ユニット４０のＺｎＯ層を、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いて剥離し、露出したｎ型半導体層２４の表面２４ａに、機能層１８として、例えば、アモルファスＩＴＯ層を、パターニングマスクを用いたスパッタ法により形成する。
次に、機能層１８の表面１８ａに、例えば、光電着法にて水素生成用の助触媒２０となる、例えば、Ｐｔ助触媒を担持させる。これにより、水素発生電極１０が形成されて、水素ガス生成部４２が形成される。
次に、光電変換ユニット４０の導電層１４の延長部分の領域６０上の堆積物を、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いて取り除き、領域６０を露出させる。これにより、酸素ガス生成部４４が形成される。
絶縁基板１２と略同じ大きさの容器３２を用意し、この容器３２内に、光電変換ユニット４０、水素ガス生成部４２および酸素ガス生成部４４が形成された絶縁基板１２を収納する。これにより、隔壁３４で水素用電解室３６および酸素用電解室３８が形成される。このようにして、人工光合成モジュール３０を製造することができる。
人工光合成モジュール３０は、上述の水素発生電極１０を用いているため、水素ガス生成部４２が電解水溶液ＡＱに浸漬された状態でも、長期にわたり安定して水素を発生させることができる。
絶縁基板１２と略同じ大きさの容器３２を用意し、この容器３２内に、光電変換ユニット４０、水素ガス生成部４２および酸素ガス生成部４４が形成された絶縁基板１２を収納する。これにより、隔壁３４で水素用電解室３６および酸素用電解室３８が形成される。このようにして、人工光合成モジュール３０を製造することができる。
人工光合成モジュール３０は、上述の水素発生電極１０を用いているため、水素ガス生成部４２が電解水溶液ＡＱに浸漬された状態でも、長期にわたり安定して水素を発生させることができる。
図１に示す水素発生電極１０を用いた人工光合成モジュールの他の態様について説明する。
図６は、本発明の実施形態の水素発生電極を用いた人工光合成モジュールの他の態様の構成を示す模式的断面図である。
なお、図６に示す人工光合成モジュール３００において、図１に示す水素発生電極１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図６は、本発明の実施形態の水素発生電極を用いた人工光合成モジュールの他の態様の構成を示す模式的断面図である。
なお、図６に示す人工光合成モジュール３００において、図１に示す水素発生電極１０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
人工光合成モジュール３００では、容器３２内に隔壁３４により水素用電解室３６と酸素用電解室３８とが上下に配置されている。容器３２内に電解水溶液ＡＱが供給される。電解水溶液ＡＱを容器３２内に供給するために配管、ポンプ等が必要であるが、これらの図示は省略している。
人工光合成モジュール３００は、いわゆるタンデム型モジュールであり、入射される光Ｌの光路に沿って（図６中、上下方向）、光Ｌが入射される側から、酸素発生電極１００と水素発生電極１０とがこの順で配置されている。人工光合成モジュール３００は、酸素発生電極１００を通過した光が水素発生電極１０にて吸収される形態であり、光の有効利用の点で優れる。
人工光合成モジュール３００は、いわゆるタンデム型モジュールであり、入射される光Ｌの光路に沿って（図６中、上下方向）、光Ｌが入射される側から、酸素発生電極１００と水素発生電極１０とがこの順で配置されている。人工光合成モジュール３００は、酸素発生電極１００を通過した光が水素発生電極１０にて吸収される形態であり、光の有効利用の点で優れる。
酸素発生電極１００は、水素発生電極１０の導電層１４と導線１１０を介して電気的に接続されている。なお、導線１１０は、電解水溶液ＡＱとの接触を避けるため、図示しない被覆層により被覆されている。
酸素発生電極１００は、光Ｌが入射される側から、透明基板１０２と、透明電極層１０４と、酸素発生光触媒層１０６とをこの順で有する。
透明基板１０２としては、ガラス基板や透明樹脂フィルムなどの公知の透明基板が使用される。
透明電極層１０４の構成は、上述した透明電極層５０と同じであり、水素発生電極１０の導電層１４と導線１１０を介して接続している。透明電極層１０４を構成する材料としては、透過率と抵抗値を重視する場合はＩＴＯが好ましく、酸およびアルカリへの耐性を重視する場合はＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）が好ましい。
酸素発生光触媒層１０６を構成する光触媒としては、公知の光触媒を使用でき、例えばＳｎＮｂ2Ｏ6、ＷＯ3、ＴｉＯ2、ＮａＴａＯ3、ＳｒＴａＯ2Ｎ、ＣａＴａＯ2Ｎ、ＧａＮとＺｎＯの固溶体、ＢｉＶＯ4、ＢａＮｂＯ2Ｎ、ＢａＴａＯ2Ｎ、Ｔａ3Ｎ5、ＬａＴｉＯ2Ｎ、ＴａＯＮ等が挙げられる。中でも、ＷＯ3、ＢｉＶＯ4、ＢａＮｂＯ2Ｎ、ＢａＴａＯ2Ｎ、Ｔａ3Ｎ5、ＬａＴｉＯ2Ｎ、ＴａＯＮがより好ましく、ＷＯ3、ＢａＴａＯ2Ｎ、ＢｉＶＯ4が特に好ましい。
なお、酸素発生光触媒層１０６の表面には、助触媒が担持されていてもよい。助触媒の例としては、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化イリジウム、酸化ルテニウム等が挙げられる。これらの酸化物は水酸基を有してもよい。また、２種以上の助触媒が担持されていてもよい。
酸素発生電極１００は、光Ｌが入射される側から、透明基板１０２と、透明電極層１０４と、酸素発生光触媒層１０６とをこの順で有する。
透明基板１０２としては、ガラス基板や透明樹脂フィルムなどの公知の透明基板が使用される。
透明電極層１０４の構成は、上述した透明電極層５０と同じであり、水素発生電極１０の導電層１４と導線１１０を介して接続している。透明電極層１０４を構成する材料としては、透過率と抵抗値を重視する場合はＩＴＯが好ましく、酸およびアルカリへの耐性を重視する場合はＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）が好ましい。
酸素発生光触媒層１０６を構成する光触媒としては、公知の光触媒を使用でき、例えばＳｎＮｂ2Ｏ6、ＷＯ3、ＴｉＯ2、ＮａＴａＯ3、ＳｒＴａＯ2Ｎ、ＣａＴａＯ2Ｎ、ＧａＮとＺｎＯの固溶体、ＢｉＶＯ4、ＢａＮｂＯ2Ｎ、ＢａＴａＯ2Ｎ、Ｔａ3Ｎ5、ＬａＴｉＯ2Ｎ、ＴａＯＮ等が挙げられる。中でも、ＷＯ3、ＢｉＶＯ4、ＢａＮｂＯ2Ｎ、ＢａＴａＯ2Ｎ、Ｔａ3Ｎ5、ＬａＴｉＯ2Ｎ、ＴａＯＮがより好ましく、ＷＯ3、ＢａＴａＯ2Ｎ、ＢｉＶＯ4が特に好ましい。
なお、酸素発生光触媒層１０６の表面には、助触媒が担持されていてもよい。助触媒の例としては、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化イリジウム、酸化ルテニウム等が挙げられる。これらの酸化物は水酸基を有してもよい。また、２種以上の助触媒が担持されていてもよい。
人工光合成モジュール３００では、酸素発生電極１００側から光Ｌが入射されると、この光Ｌの一部が吸収され、酸素発生電極１００中で電荷分離を誘起する。分離した電荷の内、正孔は水から電子を奪って酸素を発生させ、電子は透明電極層１０４に集められる。一方、酸素発生電極１００によって吸収されなかった光は、無機半導体層１６で電荷分離を誘起する。分離した電荷の内、電子は機能層１８に到達し、機能層１８表面の助触媒上で水素を発生させる。正孔は導電層１４に集められる。酸素発生電極の透明電極層１０４と導電層１４は導線１１０で接続しているため、正孔と電子は滞留することなく再結合するため、光Ｌを照射している間、連続的に酸素と水素が発生し続けることになる。
人工光合成モジュール３００では、水素発生電極１０は電気分解の陰極（カソード）と同様の作用を有するため、光カソードとも呼ばれる。酸素発生電極１００は電気分解の陽極（アノード）と同様の作用を有するため光アノードとも呼ばれる。
人工光合成モジュール３００では、水素発生電極１０は電気分解の陰極（カソード）と同様の作用を有するため、光カソードとも呼ばれる。酸素発生電極１００は電気分解の陽極（アノード）と同様の作用を有するため光アノードとも呼ばれる。
なお、本発明の人工光合成モジュールは、動作電位整合の点で、水素発生電極中の無機半導体層に含まれるｐ型半導体層がＣＩＧＳ、ＣＺＴＳ、または、ＣＧＳｅで構成され、酸素発生電極中の酸素発生光触媒層がＷＯ3、ＢｉＶＯ4、ＢａＴａＯ2Ｎ、Ｔａ3Ｎ5、ＬａＴｉＯ2Ｎ、またはＴａＯＮで構成される形態が好ましい。さらに、水素発生電極中の無機半導体層に含まれるｐ型半導体層がＣＩＧＳ、ＣＺＴＳ、または、ＣＧＳｅで構成され、酸素発生電極中の酸素発生光触媒層がＷＯ3、ＢａＴａＯ2Ｎ、または、ＢｉＶＯ4で構成される形態がより好ましい。
なお、本発明の人工光合成モジュールは図６の態様に限定されず、本発明の水素発生電極と、酸素発生電極とが、直接または補助電源を介して接続されたモジュールであればよい。
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の水素発生電極について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
以下、本発明の水素発生電極の効果について詳細に説明する。
本実施例においては、本発明の効果を確認するために、以下に示す実施例１および比較例１〜３の水素発生電極を作製した。
実施例１および比較例１〜３の水素発生電極を、２４時間駆動させた後の水素発生電極表面に発生した欠陥について、単位面積（１ｃｍ２）当りの個数評価を行った。これら個別の評価結果、およびこれらを元にした判定結果を下記表１に示す。
判定基準は、欠陥の発生個数が「０」であれば「Ａ」とし、それ以外であれば「Ｂ」とした。
なお、２４時間駆動は、疑似太陽光を水素発生電極に照射し、ポテンショスタットを用いた３電極系で評価を行った。２４時間駆動の駆動条件を以下に示す。
本実施例においては、本発明の効果を確認するために、以下に示す実施例１および比較例１〜３の水素発生電極を作製した。
実施例１および比較例１〜３の水素発生電極を、２４時間駆動させた後の水素発生電極表面に発生した欠陥について、単位面積（１ｃｍ２）当りの個数評価を行った。これら個別の評価結果、およびこれらを元にした判定結果を下記表１に示す。
判定基準は、欠陥の発生個数が「０」であれば「Ａ」とし、それ以外であれば「Ｂ」とした。
なお、２４時間駆動は、疑似太陽光を水素発生電極に照射し、ポテンショスタットを用いた３電極系で評価を行った。２４時間駆動の駆動条件を以下に示す。
光源：ソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５Ｇ） 三永電機製作所製 ＸＥＳ−７０Ｓ１
電解水溶液：０．１Ｍ Ｎａ２ＳＯ４ ｐＨ９．５
電気化学測定置：ポテンショスタット 北斗電工製 ＨＺ−５０００
参照電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ電極
対極：白金ワイヤー
作用極：水素発生電極
駆動電位：０Ｖ ｖｓ．ＲＨＥ（可逆水素電極）
以下、実施例１および比較例１〜３について説明する。
電解水溶液：０．１Ｍ Ｎａ２ＳＯ４ ｐＨ９．５
電気化学測定置：ポテンショスタット 北斗電工製 ＨＺ−５０００
参照電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ電極
対極：白金ワイヤー
作用極：水素発生電極
駆動電位：０Ｖ ｖｓ．ＲＨＥ（可逆水素電極）
以下、実施例１および比較例１〜３について説明する。
（実施例１）
実施例１の水素発生電極は、図１に示す水素発生電極１０と同じ構成である。各部の構成は以下の通りである。実施例１の水素発生電極は、導電層に導線を接続した後、露出している部分をエポキシ樹脂で覆って絶縁した。
＜水素発生電極の構成＞
絶縁基板：ソーダライムガラス、１ｍｍ厚
導電層：Ｍｏ、５００ｎｍ厚
無機半導体層（ピークトゥバレー値（ＰＶ）：４７０ｎｍ）
ｐ型半導体層：ＣＩＧＳ、１５００ｎｍ厚
ｎ型半導体層：ＣｄＳ、５０ｎｍ厚
機能層：アモルファスＩＴＯ、６００ｎｍ厚
（水蒸気透過度：１．２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））
助触媒：Ｐｔ
なお、ピークトゥバレー値は、水素発生電極の形成後、その一部を切断し、断面ＳＥＭ像を得る。そして、断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を用いて、山の部分と谷の部分を求めて得た。
導電層はスパッタ法で形成し、ｐ型半導体層は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法）で形成し、ｎ型半導体層はＣＢＤ法で形成し、機能層はスパッタ法で形成した。助触媒は光電着法にて形成した。
水蒸気透過度については、ＰＥＴフィルムに機能層を形成し、この状態でモコン法により測定した。
実施例１の水素発生電極は、図１に示す水素発生電極１０と同じ構成である。各部の構成は以下の通りである。実施例１の水素発生電極は、導電層に導線を接続した後、露出している部分をエポキシ樹脂で覆って絶縁した。
＜水素発生電極の構成＞
絶縁基板：ソーダライムガラス、１ｍｍ厚
導電層：Ｍｏ、５００ｎｍ厚
無機半導体層（ピークトゥバレー値（ＰＶ）：４７０ｎｍ）
ｐ型半導体層：ＣＩＧＳ、１５００ｎｍ厚
ｎ型半導体層：ＣｄＳ、５０ｎｍ厚
機能層：アモルファスＩＴＯ、６００ｎｍ厚
（水蒸気透過度：１．２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））
助触媒：Ｐｔ
なお、ピークトゥバレー値は、水素発生電極の形成後、その一部を切断し、断面ＳＥＭ像を得る。そして、断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像を用いて、山の部分と谷の部分を求めて得た。
導電層はスパッタ法で形成し、ｐ型半導体層は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法）で形成し、ｎ型半導体層はＣＢＤ法で形成し、機能層はスパッタ法で形成した。助触媒は光電着法にて形成した。
水蒸気透過度については、ＰＥＴフィルムに機能層を形成し、この状態でモコン法により測定した。
（比較例１）
実施例１に比して、機能層が形成されていないこと以外は実施例１と同じ構成である。比較例１では、機能層が形成されていないため、下記表１の機能層の欄、層厚みの欄、機能層の被覆率の欄、および水蒸気透過度の欄には「−」と記した。
なお、比較例１において、水素発生電極の製造方法は、機能層を形成しない点以外、実施例１と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
（比較例２）
実施例１に比して、機能層の構成が異なる以外は実施例１と同じ構成である。
機能層：アモルファスＩＴＯ、６０ｎｍ厚（水蒸気透過度：４．８ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））
なお、比較例２において、水素発生電極の製造方法、および水蒸気透過度の測定方法は、実施例１と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
（比較例３）
実施例１に比して、機能層の構成が異なる以外は実施例１と同じ構成である。
機能層：結晶ＩＴＯ、６００ｎｍ厚（水蒸気透過度：８．１ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））
なお、比較例３において、水素発生電極の製造方法、および水蒸気透過度の測定方法は、実施例１と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
実施例１に比して、機能層が形成されていないこと以外は実施例１と同じ構成である。比較例１では、機能層が形成されていないため、下記表１の機能層の欄、層厚みの欄、機能層の被覆率の欄、および水蒸気透過度の欄には「−」と記した。
なお、比較例１において、水素発生電極の製造方法は、機能層を形成しない点以外、実施例１と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
（比較例２）
実施例１に比して、機能層の構成が異なる以外は実施例１と同じ構成である。
機能層：アモルファスＩＴＯ、６０ｎｍ厚（水蒸気透過度：４．８ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））
なお、比較例２において、水素発生電極の製造方法、および水蒸気透過度の測定方法は、実施例１と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
（比較例３）
実施例１に比して、機能層の構成が異なる以外は実施例１と同じ構成である。
機能層：結晶ＩＴＯ、６００ｎｍ厚（水蒸気透過度：８．１ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））
なお、比較例３において、水素発生電極の製造方法、および水蒸気透過度の測定方法は、実施例１と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
実施例１では、２４時間駆動後の水素発生電極表面に欠陥は発生しておらず、単位面積当たりの発生欠陥個数は「０個／ｃｍ２」であった。実施例１では、機能層が無機半導体膜内部への水分侵入を防いだことで、膜内部で気泡が発生しない結果となった。
一方、比較例１では、２４時間駆動後の水素発生電極表面に多数の欠陥が発生しており、単位面積当たりの発生個数は「１１２個／ｃｍ２」であった。
図５（ａ）に２４時間駆動後の実施例１の水素発生電極表面を示し、（ｂ）に２４時間駆動後の比較例１の水素発生電極表面を示す。図５（ａ）、（ｂ）から、実施例１と比較例１の水素発生電極の表面の違いは明らかである。なお、図５（ａ）、（ｂ）は、いずれも光学顕微鏡にて得られたものである。
一方、比較例１では、２４時間駆動後の水素発生電極表面に多数の欠陥が発生しており、単位面積当たりの発生個数は「１１２個／ｃｍ２」であった。
図５（ａ）に２４時間駆動後の実施例１の水素発生電極表面を示し、（ｂ）に２４時間駆動後の比較例１の水素発生電極表面を示す。図５（ａ）、（ｂ）から、実施例１と比較例１の水素発生電極の表面の違いは明らかである。なお、図５（ａ）、（ｂ）は、いずれも光学顕微鏡にて得られたものである。
比較例２では、２４時間駆動後の水素発生電極表面に無数の欠陥が発生しており、単位面積当たりの発生欠陥個数は「２１個／ｃｍ２」であった。機能層を形成したにもかかわらず、欠陥が発生した原因については、ｐｎ接合を有する無機半導体膜の表面の一部が機能層で被覆されず水分が侵入してしまったためであると考えられる。
比較例３では、２４時間駆動後の水素発生電極表面に複数の欠陥が発生しており、単位面積当たりの発生欠陥個数は「４個／ｃｍ２」であった。機能層を形成したにもかかわらず、欠陥が発生した原因については、機能層の厚みが無機半導体膜のＰＶよりも厚いため被覆は完全になされていたが、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）よりも大きいために、僅かな水分が侵入してしまったためであると考えられる。
比較例３では、２４時間駆動後の水素発生電極表面に複数の欠陥が発生しており、単位面積当たりの発生欠陥個数は「４個／ｃｍ２」であった。機能層を形成したにもかかわらず、欠陥が発生した原因については、機能層の厚みが無機半導体膜のＰＶよりも厚いため被覆は完全になされていたが、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）よりも大きいために、僅かな水分が侵入してしまったためであると考えられる。
（実施例２）
（酸素発生電極の作製）
硝酸ビスマス５水和物１．０ｇとヨウ化ナトリウム３．０ｇとを、ｐＨ１．７の硝酸５０ｍｌで溶かした溶液を用意した。この溶液に、エタノール２０ｍｌに０．５ｇの１，４-ベンゾキノンを溶かした溶液を混合し、超音波をかけて溶解させた。得られた溶液を電着用の容器（３電極系のセル）に入れ、作用極に透明電極付き基板、参照極にＡｇ/ＡｇＣｌ（４Ｍ ＫＣｌ）、対極に白金ワイヤーをセットした。作用極を、参照極に対して−０．１〜−０．３Ｖの電位範囲を保ちながら１０分間電着を行った。電着したものを乾燥することでＢｉＯＩ薄膜電極を得た。
次に、ＢｉＯＩ薄膜電極をビス（アセチルアセトナト）バナジルのジメチルスルホキシド溶液（濃度０．２Ｍ）に浸漬した後、４５０℃で焼成した。焼成後、膜表面に残留した酸化バナジウムを１．０Ｍの水酸化ナトリウム水溶液に３０分間浸漬することにより除去した。以上により、透明電極にＢｉＶＯ４層を設置した酸素発生電極を作製した。
（酸素発生電極の作製）
硝酸ビスマス５水和物１．０ｇとヨウ化ナトリウム３．０ｇとを、ｐＨ１．７の硝酸５０ｍｌで溶かした溶液を用意した。この溶液に、エタノール２０ｍｌに０．５ｇの１，４-ベンゾキノンを溶かした溶液を混合し、超音波をかけて溶解させた。得られた溶液を電着用の容器（３電極系のセル）に入れ、作用極に透明電極付き基板、参照極にＡｇ/ＡｇＣｌ（４Ｍ ＫＣｌ）、対極に白金ワイヤーをセットした。作用極を、参照極に対して−０．１〜−０．３Ｖの電位範囲を保ちながら１０分間電着を行った。電着したものを乾燥することでＢｉＯＩ薄膜電極を得た。
次に、ＢｉＯＩ薄膜電極をビス（アセチルアセトナト）バナジルのジメチルスルホキシド溶液（濃度０．２Ｍ）に浸漬した後、４５０℃で焼成した。焼成後、膜表面に残留した酸化バナジウムを１．０Ｍの水酸化ナトリウム水溶液に３０分間浸漬することにより除去した。以上により、透明電極にＢｉＶＯ４層を設置した酸素発生電極を作製した。
（人工光合成モジュールの作製）
硫酸ナトリウム７１ｇ、リン酸水素ナトリウム３５．５ｇ、リン酸水素二ナトリウム３０ｇを純水に溶解して総量を１リットルとしたものを電解液として用いた。実施例１で作製した水素発生電極を受光面積１．０ｃｍ２の大きさの正方形にカットしたものを下部電極とし、上記で作製した酸素発生電極を受光面積１．０ｃｍ２の正方形にカットしたものを上部電極とし、上部電極と下部電極を電流計に接続した。上記電解液の入った光照射セル中に上部電極と下部電極を１ｃｍの間隔で対向するように埋没（浸漬）させた（図６参照）。このとき、上部電極の酸素発生面は下側、下部電極の水素発生面は上側である。マグネチックスターラーで電解液を撹拌しながら擬似太陽光を照射した。両電極からガスの発生が認められ、光照射開始から３秒後に酸素発生電極と水素発生電極との間を流れる電流は１．２ｍＡであった。
硫酸ナトリウム７１ｇ、リン酸水素ナトリウム３５．５ｇ、リン酸水素二ナトリウム３０ｇを純水に溶解して総量を１リットルとしたものを電解液として用いた。実施例１で作製した水素発生電極を受光面積１．０ｃｍ２の大きさの正方形にカットしたものを下部電極とし、上記で作製した酸素発生電極を受光面積１．０ｃｍ２の正方形にカットしたものを上部電極とし、上部電極と下部電極を電流計に接続した。上記電解液の入った光照射セル中に上部電極と下部電極を１ｃｍの間隔で対向するように埋没（浸漬）させた（図６参照）。このとき、上部電極の酸素発生面は下側、下部電極の水素発生面は上側である。マグネチックスターラーで電解液を撹拌しながら擬似太陽光を照射した。両電極からガスの発生が認められ、光照射開始から３秒後に酸素発生電極と水素発生電極との間を流れる電流は１．２ｍＡであった。
１０ 水素発生電極
１２ 絶縁基板
１４ 導電層
１６ 無機半導体層
１８ 機能層
２０ 助触媒
２２ ｐ型半導体層
２４ ｎ型半導体層
２６、２７ｂ 無機層
２７ａ 有機層
２７ｂ 無機層
２８ アモルファスＩＴＯ層
３０，３００ 人工光合成モジュール
３２ 容器
３４ 隔壁
３６ 水素用電解室
３８ 酸素用電解室
４０ 光電変換ユニット
４２ 水素ガス生成部
４４ 酸素ガス生成部
１００ 酸素発生電極
１０２ 透明基板
１０４ 透明電極膜
１０６ 酸素発生光触媒層
１１０ 導線
１２ 絶縁基板
１４ 導電層
１６ 無機半導体層
１８ 機能層
２０ 助触媒
２２ ｐ型半導体層
２４ ｎ型半導体層
２６、２７ｂ 無機層
２７ａ 有機層
２７ｂ 無機層
２８ アモルファスＩＴＯ層
３０，３００ 人工光合成モジュール
３２ 容器
３４ 隔壁
３６ 水素用電解室
３８ 酸素用電解室
４０ 光電変換ユニット
４２ 水素ガス生成部
４４ 酸素ガス生成部
１００ 酸素発生電極
１０２ 透明基板
１０４ 透明電極膜
１０６ 酸素発生光触媒層
１１０ 導線
Claims (9)
- 光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュール用の水素発生電極であって、
導電層と、
前記導電層上に設けられた、ｐｎ接合を有する無機半導体層と、
前記無機半導体層を覆う機能層とを有し、
前記機能層は、アモルファスＩＴＯで構成されており、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下であり、前記電解水溶液と接することを特徴とする水素発生電極。 - 光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュール用の水素発生電極であって、
導電層と、
前記導電層上に設けられた、ｐｎ接合を有する無機半導体層と、
前記無機半導体層を覆う機能層とを有し、
前記機能層は、複数層構成であり、アモルファスＩＴＯ層と、無機層および有機層のうち少なくとも１層とを有し、前記アモルファスＩＴＯ層が前記無機半導体層の反対側に配置されており、かつ前記機能層は、水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下であり、前記機能層の前記アモルファスＩＴＯ層が前記電解水溶液と接することを特徴とする水素発生電極。 - 前記機能層は、前記導電層側から、前記有機層、前記無機層および前記アモルファスＩＴＯ層の順で配置されている請求項２に記載の水素発生電極。
- 前記機能層の厚みをｔとし、前記無機半導体層の表面におけるピークトゥバレー値をＰＶとするとき、ＰＶ≦ｔである請求項１〜３のいずれか１項に記載の水素発生電極。
- 前記無機半導体層はＣＩＧＳ化合物半導体を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の水素発生電極。
- 前記無機半導体層はＣＺＴＳ化合物半導体を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の水素発生電極。
- 前記無機半導体層はＣＧＳｅ化合物半導体を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の水素発生電極。
- 前記機能層は、表面に助触媒として白金が担持されている請求項１〜７のいずれか１項に記載の水素発生電極。
- 請求項１〜８のいずれか１項に記載の水素発生電極と、酸素発生電極とを有する、人工光合成モジュール。
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