JP5497288B2 - フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents

フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5497288B2
JP5497288B2 JP2008335663A JP2008335663A JP5497288B2 JP 5497288 B2 JP5497288 B2 JP 5497288B2 JP 2008335663 A JP2008335663 A JP 2008335663A JP 2008335663 A JP2008335663 A JP 2008335663A JP 5497288 B2 JP5497288 B2 JP 5497288B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
photomask
light
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008335663A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010156880A (ja
JP2010156880A5 (enExample
Inventor
寿幸 鈴木
雅広 橋本
一法 小野
亮 大久保
和也 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2008335663A priority Critical patent/JP5497288B2/ja
Priority to KR1020090131609A priority patent/KR101255414B1/ko
Priority to US12/647,808 priority patent/US8221941B2/en
Priority to DE102009060677A priority patent/DE102009060677A1/de
Priority to TW098145600A priority patent/TWI463247B/zh
Publication of JP2010156880A publication Critical patent/JP2010156880A/ja
Publication of JP2010156880A5 publication Critical patent/JP2010156880A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5497288B2 publication Critical patent/JP5497288B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/405—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their composition, e.g. multilayer masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
JP2008335663A 2008-12-29 2008-12-29 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 Active JP5497288B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008335663A JP5497288B2 (ja) 2008-12-29 2008-12-29 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
KR1020090131609A KR101255414B1 (ko) 2008-12-29 2009-12-28 포토마스크 블랭크의 제조 방법 및 포토마스크의 제조 방법
US12/647,808 US8221941B2 (en) 2008-12-29 2009-12-28 Photomask blank manufacturing method and photomask manufacturing method
DE102009060677A DE102009060677A1 (de) 2008-12-29 2009-12-28 Fertigungsverfahren für Photomaskenrohling und Fertigungsverfahren für Photomaske
TW098145600A TWI463247B (zh) 2008-12-29 2009-12-29 光罩基底之製造方法及光罩之製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008335663A JP5497288B2 (ja) 2008-12-29 2008-12-29 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014043575A Division JP5802294B2 (ja) 2014-03-06 2014-03-06 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010156880A JP2010156880A (ja) 2010-07-15
JP2010156880A5 JP2010156880A5 (enExample) 2012-07-05
JP5497288B2 true JP5497288B2 (ja) 2014-05-21

Family

ID=42285359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008335663A Active JP5497288B2 (ja) 2008-12-29 2008-12-29 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8221941B2 (enExample)
JP (1) JP5497288B2 (enExample)
KR (1) KR101255414B1 (enExample)
DE (1) DE102009060677A1 (enExample)
TW (1) TWI463247B (enExample)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5702920B2 (ja) * 2008-06-25 2015-04-15 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2010217514A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
JP5409298B2 (ja) * 2009-11-26 2014-02-05 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスク並びにそれらの製造方法
CN102834773B (zh) * 2010-04-09 2016-04-06 Hoya株式会社 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模
JP5682493B2 (ja) * 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
JP5644293B2 (ja) 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法
JP5154626B2 (ja) * 2010-09-30 2013-02-27 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP5653888B2 (ja) * 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
EP3048484B1 (en) 2011-11-21 2020-12-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light pattern exposure method
JP5879951B2 (ja) 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク
JP6173733B2 (ja) * 2012-03-23 2017-08-02 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法
JP5596111B2 (ja) * 2012-12-05 2014-09-24 Ｈｏｙａ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5868905B2 (ja) 2013-07-03 2016-02-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクブランク
JP6234898B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
JP5775631B2 (ja) * 2014-08-06 2015-09-09 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
US10551733B2 (en) 2015-03-24 2020-02-04 Hoya Corporation Mask blanks, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6418035B2 (ja) * 2015-03-31 2018-11-07 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP5962811B2 (ja) * 2015-04-22 2016-08-03 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
JP2016095533A (ja) * 2016-01-25 2016-05-26 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
KR102313892B1 (ko) 2016-03-29 2021-10-15 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6683578B2 (ja) * 2016-09-23 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US10983430B2 (en) 2018-02-22 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask assembly and haze acceleration method
TWI782237B (zh) * 2018-11-30 2022-11-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7059234B2 (ja) * 2018-11-30 2022-04-25 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
TWI847949B (zh) * 2018-11-30 2024-07-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7413092B2 (ja) * 2020-03-12 2024-01-15 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
JP7801845B2 (ja) * 2020-09-08 2026-01-19 テクセンドフォトマスク株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2924791B2 (ja) * 1996-06-18 1999-07-26 日本電気株式会社 フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP2001033939A (ja) * 1999-05-19 2001-02-09 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランク若しくはマスクとそれらの製造方法およびそのマスクを用いた露光方法
JP3722029B2 (ja) * 2000-09-12 2005-11-30 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2002229183A (ja) 2000-12-01 2002-08-14 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法
JP4466805B2 (ja) * 2001-03-01 2010-05-26 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
JP4258631B2 (ja) 2002-12-03 2009-04-30 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
KR100805973B1 (ko) * 2002-12-26 2008-02-25 호야 가부시키가이샤 리소그래피 마스크 블랭크
WO2004059384A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-15 Hoya Corporation リソグラフィーマスクブランク
JP4026000B2 (ja) 2003-01-22 2007-12-26 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、反りの低減方法及び膜の耐薬品性の向上方法、並びにフォトマスク
JP2005241693A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法並びにハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP4650608B2 (ja) * 2004-05-18 2011-03-16 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4076989B2 (ja) 2004-10-15 2008-04-16 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP4578960B2 (ja) 2004-12-27 2010-11-10 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2006317665A (ja) 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
KR100617389B1 (ko) 2005-05-16 2006-08-31 주식회사 피케이엘 헤이즈 방지를 위한 위상편이 마스크
JP4958149B2 (ja) * 2006-11-01 2012-06-20 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201030455A (en) 2010-08-16
JP2010156880A (ja) 2010-07-15
DE102009060677A1 (de) 2010-08-19
KR20100080413A (ko) 2010-07-08
TWI463247B (zh) 2014-12-01
US8221941B2 (en) 2012-07-17
US20100167185A1 (en) 2010-07-01
KR101255414B1 (ko) 2013-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5497288B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP5507860B2 (ja) フォトマスクの製造方法
JP5758448B2 (ja) 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク
JP5554239B2 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
JP5690023B2 (ja) マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
JP5642643B2 (ja) フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
JPWO2012086744A1 (ja) マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法
WO2010113474A1 (ja) マスクブランクおよび転写用マスク
JP2013257593A (ja) マスクブランク及びその製造方法並びに転写用マスク
JP4958149B2 (ja) 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法
JP5802294B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP6012984B2 (ja) 転写用マスクの製造方法及びマスクブランクの製造方法
JP5639778B2 (ja) マスクブランク及び転写用マスク並びにそれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120521

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130408

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140306

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5497288

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250