TWI463247B - 光罩基底之製造方法及光罩之製造方法 - Google Patents

光罩基底之製造方法及光罩之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI463247B
TWI463247B TW098145600A TW98145600A TWI463247B TW I463247 B TWI463247 B TW I463247B TW 098145600 A TW098145600 A TW 098145600A TW 98145600 A TW98145600 A TW 98145600A TW I463247 B TWI463247 B TW I463247B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
light
pattern
change
amount
Prior art date
Application number
TW098145600A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201030455A (en
Inventor
鈴木壽幸
橋本雅廣
小野一法
大久保亮
酒井和也
Original Assignee
Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｈｏｙａ股份有限公司 filed Critical Ｈｏｙａ股份有限公司
Publication of TW201030455A publication Critical patent/TW201030455A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI463247B publication Critical patent/TWI463247B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/405—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their composition, e.g. multilayer masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
TW098145600A 2008-12-29 2009-12-29 光罩基底之製造方法及光罩之製造方法 TWI463247B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008335663A JP5497288B2 (ja) 2008-12-29 2008-12-29 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201030455A TW201030455A (en) 2010-08-16
TWI463247B true TWI463247B (zh) 2014-12-01

Family

ID=42285359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098145600A TWI463247B (zh) 2008-12-29 2009-12-29 光罩基底之製造方法及光罩之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8221941B2 (enExample)
JP (1) JP5497288B2 (enExample)
KR (1) KR101255414B1 (enExample)
DE (1) DE102009060677A1 (enExample)
TW (1) TWI463247B (enExample)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5702920B2 (ja) * 2008-06-25 2015-04-15 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2010217514A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
JP5409298B2 (ja) * 2009-11-26 2014-02-05 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスク並びにそれらの製造方法
CN102834773B (zh) * 2010-04-09 2016-04-06 Hoya株式会社 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模
JP5682493B2 (ja) * 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
JP5644293B2 (ja) 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法
JP5154626B2 (ja) * 2010-09-30 2013-02-27 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP5653888B2 (ja) * 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
EP3048484B1 (en) 2011-11-21 2020-12-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light pattern exposure method
JP5879951B2 (ja) 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク
JP6173733B2 (ja) * 2012-03-23 2017-08-02 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法
JP5596111B2 (ja) * 2012-12-05 2014-09-24 Ｈｏｙａ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5868905B2 (ja) 2013-07-03 2016-02-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクブランク
JP6234898B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
JP5775631B2 (ja) * 2014-08-06 2015-09-09 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
US10551733B2 (en) 2015-03-24 2020-02-04 Hoya Corporation Mask blanks, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6418035B2 (ja) * 2015-03-31 2018-11-07 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP5962811B2 (ja) * 2015-04-22 2016-08-03 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
JP2016095533A (ja) * 2016-01-25 2016-05-26 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
KR102313892B1 (ko) 2016-03-29 2021-10-15 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6683578B2 (ja) * 2016-09-23 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US10983430B2 (en) 2018-02-22 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask assembly and haze acceleration method
TWI782237B (zh) * 2018-11-30 2022-11-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7059234B2 (ja) * 2018-11-30 2022-04-25 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
TWI847949B (zh) * 2018-11-30 2024-07-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7413092B2 (ja) * 2020-03-12 2024-01-15 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
JP7801845B2 (ja) * 2020-09-08 2026-01-19 テクセンドフォトマスク株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH103162A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Nec Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP2001033939A (ja) * 1999-05-19 2001-02-09 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランク若しくはマスクとそれらの製造方法およびそのマスクを用いた露光方法
US20020058186A1 (en) * 2000-09-12 2002-05-16 Hoya Corporation Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2002229183A (ja) * 2000-12-01 2002-08-14 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法
JP2004199035A (ja) * 2002-12-03 2004-07-15 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
US20050250018A1 (en) * 2002-12-26 2005-11-10 Masao Ushida Lithography mask blank
US20050260505A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of photomask blank and photomask
US20060257752A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Pkl Co., Ltd. Phase shift mask for preventing haze
JP2008116570A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4466805B2 (ja) * 2001-03-01 2010-05-26 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
KR100805973B1 (ko) * 2002-12-26 2008-02-25 호야 가부시키가이샤 리소그래피 마스크 블랭크
JP4026000B2 (ja) 2003-01-22 2007-12-26 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、反りの低減方法及び膜の耐薬品性の向上方法、並びにフォトマスク
JP2005241693A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法並びにハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP4076989B2 (ja) 2004-10-15 2008-04-16 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP4578960B2 (ja) 2004-12-27 2010-11-10 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2006317665A (ja) 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH103162A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Nec Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP2001033939A (ja) * 1999-05-19 2001-02-09 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランク若しくはマスクとそれらの製造方法およびそのマスクを用いた露光方法
US20020058186A1 (en) * 2000-09-12 2002-05-16 Hoya Corporation Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2002229183A (ja) * 2000-12-01 2002-08-14 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法
JP2004199035A (ja) * 2002-12-03 2004-07-15 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
US20050250018A1 (en) * 2002-12-26 2005-11-10 Masao Ushida Lithography mask blank
US20050260505A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of photomask blank and photomask
US20060257752A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Pkl Co., Ltd. Phase shift mask for preventing haze
JP2008116570A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201030455A (en) 2010-08-16
JP2010156880A (ja) 2010-07-15
DE102009060677A1 (de) 2010-08-19
JP5497288B2 (ja) 2014-05-21
KR20100080413A (ko) 2010-07-08
US8221941B2 (en) 2012-07-17
US20100167185A1 (en) 2010-07-01
KR101255414B1 (ko) 2013-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI463247B (zh) 光罩基底之製造方法及光罩之製造方法
TWI467316B (zh) 光罩之製造方法
JP5758448B2 (ja) 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク
JP5554239B2 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
KR101709381B1 (ko) 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 및 패턴 노광 방법
TWI538010B (zh) 光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法與光罩基底及轉印用光罩
JP5642643B2 (ja) フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
JP2015121801A (ja) マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
JP6927177B2 (ja) 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク
JP6012984B2 (ja) 転写用マスクの製造方法及びマスクブランクの製造方法
JP5802294B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法