TWI463247B - 光罩基底之製造方法及光罩之製造方法 - Google Patents

光罩基底之製造方法及光罩之製造方法 Download PDF

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5702920B2 (ja) * 2008-06-25 2015-04-15 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2010217514A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
JP5409298B2 (ja) * 2009-11-26 2014-02-05 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスク並びにそれらの製造方法
WO2011125337A1 (ja) * 2010-04-09 2011-10-13 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク
JP5682493B2 (ja) * 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
JP5644293B2 (ja) 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法
JP5154626B2 (ja) 2010-09-30 2013-02-27 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP5653888B2 (ja) * 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
EP2594994B1 (en) 2011-11-21 2016-05-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light pattern exposure method
JP5879951B2 (ja) 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク
JP6173733B2 (ja) * 2012-03-23 2017-08-02 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク及びこれらの製造方法
JP5596111B2 (ja) * 2012-12-05 2014-09-24 Ｈｏｙａ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5868905B2 (ja) * 2013-07-03 2016-02-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクブランク
JP6234898B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
JP5775631B2 (ja) * 2014-08-06 2015-09-09 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
KR102564650B1 (ko) * 2015-03-24 2023-08-08 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
JP6418035B2 (ja) * 2015-03-31 2018-11-07 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP5962811B2 (ja) * 2015-04-22 2016-08-03 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
JP2016095533A (ja) * 2016-01-25 2016-05-26 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
SG11201807932XA (en) 2016-03-29 2018-10-30 Hoya Corp Mask blank, method for manufacturing mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6683578B2 (ja) * 2016-09-23 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US10983430B2 (en) 2018-02-22 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask assembly and haze acceleration method
TWI782237B (zh) * 2018-11-30 2022-11-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7059234B2 (ja) * 2018-11-30 2022-04-25 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
TWI816568B (zh) * 2018-11-30 2023-09-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7413092B2 (ja) * 2020-03-12 2024-01-15 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
EP4212956A4 (en) * 2020-09-08 2024-10-23 Toppan Photomask Co., Ltd. PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH103162A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Nec Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP2001033939A (ja) * 1999-05-19 2001-02-09 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランク若しくはマスクとそれらの製造方法およびそのマスクを用いた露光方法
US20020058186A1 (en) * 2000-09-12 2002-05-16 Hoya Corporation Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2002229183A (ja) * 2000-12-01 2002-08-14 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法
JP2004199035A (ja) * 2002-12-03 2004-07-15 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
US20050250018A1 (en) * 2002-12-26 2005-11-10 Masao Ushida Lithography mask blank
US20050260505A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of photomask blank and photomask
US20060257752A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Pkl Co., Ltd. Phase shift mask for preventing haze
JP2008116570A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4466805B2 (ja) * 2001-03-01 2010-05-26 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
KR100805973B1 (ko) * 2002-12-26 2008-02-25 호야 가부시키가이샤 리소그래피 마스크 블랭크
JP4026000B2 (ja) 2003-01-22 2007-12-26 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、反りの低減方法及び膜の耐薬品性の向上方法、並びにフォトマスク
JP2005241693A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法並びにハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP4076989B2 (ja) 2004-10-15 2008-04-16 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP4578960B2 (ja) 2004-12-27 2010-11-10 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2006317665A (ja) 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH103162A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Nec Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP2001033939A (ja) * 1999-05-19 2001-02-09 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランク若しくはマスクとそれらの製造方法およびそのマスクを用いた露光方法
US20020058186A1 (en) * 2000-09-12 2002-05-16 Hoya Corporation Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2002229183A (ja) * 2000-12-01 2002-08-14 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランク及びその製造方法
JP2004199035A (ja) * 2002-12-03 2004-07-15 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
US20050250018A1 (en) * 2002-12-26 2005-11-10 Masao Ushida Lithography mask blank
US20050260505A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of photomask blank and photomask
US20060257752A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Pkl Co., Ltd. Phase shift mask for preventing haze
JP2008116570A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法

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KR101255414B1 (ko) 2013-04-17

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