JP5422530B2 - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体記憶装置を例示する斜視図であり、
図2は、本実施形態に係る半導体記憶装置を例示する断面図であり、
図3は、図2に示す選択ゲート電極の近傍を例示する断面図である。
なお、図1においては、図を見やすくするために、導電部分のみを図示し、絶縁部分は図示を省略している。
本実施形態に係る半導体記憶装置は、積層型の不揮発性記憶装置である。
図4乃至図11は、本実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法を例示する工程断面図であり、
図12(a)〜(c)、図13(a)〜(c)、図14(a)〜(c)は、本実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法を例示する工程断面図であり、選択ゲート電極の近傍を示す。
なお、図4〜図11は図2と同じ断面を示し、図12〜図14は図3と同じ断面を示す。
本実施形態においては、図13(b)に示す工程において、貫通ホール41の内面と貫通ホール42の内面との境界に段差43を形成している。これにより、図13(c)に示す工程において、シリコン膜34を形成したときに、シリコン膜34の形状が段差43を反映した形状となり、段差43を覆う部分34sの上面が上方を向く。このため、図14(a)及び(c)に示すイオン注入工程において、シリコン膜34の部分34sに対する不純物の注入効率が向上する。これにより、シリコン膜34の部分34sにおける不純物濃度が高くなる。
図15(a)〜(c)は、本実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法を例示する工程断面図であり、選択ゲート電極の近傍を示す。
先ず、前述の第1の実施形態において説明した方法のうち、図4〜図11に示す工程を実施する。
図16は、本実施形態に係る半導体記憶装置における選択ゲート電極の近傍を例示する断面図である。
図16に示すように、本実施形態に係る半導体記憶装置3においては、段差43が貫通ホール41の内面に形成されている。これにより、貫通ホール41における段差43よりも上方の部分は、段差43よりも下方の部分よりも太くなっている。また、シリコン膜34における段差43を覆う部分34sにおける不純物濃度は、シリコン膜34における部分34s以外の部分における不純物濃度よりも高い。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
図17(a)〜(c)及び図18(a)〜(c)は、本実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法を例示する工程断面図であり、選択ゲート電極の近傍を示す。
先ず、前述の第1の実施形態において説明した方法のうち、図4〜図11に示す工程を実施する。
例えば、ゲート絶縁膜28の膜構成をメモリ膜24の膜構成と同じとし、ゲート絶縁膜28及びメモリ膜24を同じ工程で形成してもよい。
Claims (9)
- それぞれ複数の第1絶縁膜及び第1電極膜が交互に積層され、前記第1絶縁膜及び前記第1電極膜の積層方向に延びる第1貫通ホールが形成された積層体と、
前記積層体上に設けられ、前記積層方向に延び前記第1貫通ホールに連通された第2貫通ホールが形成された第2電極膜と、
前記第2電極膜上に設けられ、前記積層方向に延び前記第2貫通ホールに連通された第3貫通ホールが形成された第2絶縁膜と、
前記第1乃至第3の貫通ホールの内面上に設けられた半導体膜と、
前記第1電極膜と前記半導体膜との間に設けられたメモリ膜と、
前記第2電極膜と前記半導体膜との間に設けられたゲート絶縁膜と、
を備え、
前記第2貫通ホールの内面と前記第3貫通ホールの内面との境界には、前記第3貫通ホールが前記第2貫通ホールよりも太くなるような段差が形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - それぞれ複数の第1絶縁膜及び第1電極膜が交互に積層され、前記第1絶縁膜及び前記第1電極膜の積層方向に延びる第1貫通ホールが形成された積層体と、
前記積層体上に設けられ、前記積層方向に延び前記第1貫通ホールに連通された第2貫通ホールが形成された第2電極膜と、
前記第2電極膜上に設けられ、前記積層方向に延び前記第2貫通ホールに連通された第3貫通ホールが形成された第2絶縁膜と、
前記第1乃至第3の貫通ホールの内面上に設けられた半導体膜と、
前記第1電極膜と前記半導体膜との間に設けられたメモリ膜と、
前記第2電極膜と前記半導体膜との間に設けられたゲート絶縁膜と、
を備え、
前記第2貫通ホールの内面には、上側が下側よりも太くなるような段差が形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記半導体膜における前記段差を覆う部分の不純物濃度は、前記半導体膜における前記段差を覆う部分以外の部分の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリ膜の膜構成が前記ゲート絶縁膜の膜構成と同じであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- それぞれ複数の第1絶縁膜及び第1電極膜を交互に積層することにより、積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記第1絶縁膜及び前記第1電極膜の積層方向に延びる第1貫通ホールを形成する工程と、
前記第1貫通ホールの内面上にメモリ膜を形成する工程と、
前記メモリ膜上に第1半導体膜を形成する工程と、
前記積層体上に第2電極膜を形成する工程と、
前記第2電極膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜に、前記積層方向に延びる第3貫通ホールを形成する工程と、
前記第3貫通ホールの内面上にスペーサー膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜及び前記スペーサー膜をマスクとしてエッチングを施すことにより、前記第2電極膜に前記積層方向に延びる第2貫通ホールを形成する工程と、
前記スペーサー膜を除去する工程と、
前記第2貫通ホール及び前記第3貫通ホールの内面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第2半導体膜を形成する工程と、
前記第2半導体膜に対して不純物を注入する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - それぞれ複数の第1絶縁膜及び第1電極膜を交互に積層することにより、積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記第1絶縁膜及び前記第1電極膜の積層方向に延びる第1貫通ホールを形成する工程と、
前記第1貫通ホールの内面上にメモリ膜を形成する工程と、
前記メモリ膜上に第1半導体膜を形成する工程と、
前記積層体上に第2電極膜を形成する工程と、
前記第2電極膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜に、前記積層方向に延びる第3貫通ホールを形成する工程と、
前記第2絶縁膜をマスクとしてエッチングを施すことにより、前記第2電極膜に前記積層方向に延びる第2貫通ホールを形成する工程と、
前記第3貫通ホールを拡大する工程と、
前記第2貫通ホール及び前記第3貫通ホールの内面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第2半導体膜を形成する工程と、
前記第2半導体膜に対して不純物を注入する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - それぞれ複数の第1絶縁膜及び第1電極膜を交互に積層することにより、積層体を形成する工程と、
前記積層体に、前記第1絶縁膜及び前記第1電極膜の積層方向に延びる第1貫通ホールを形成する工程と、
前記第1貫通ホールの内面上にメモリ膜を形成する工程と、
前記メモリ膜上に第1半導体膜を形成する工程と、
前記積層体上に第2電極膜を形成する工程と、
前記第2電極膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜に、前記積層方向に延びる第3貫通ホールを形成する工程と、
前記第2絶縁膜をマスクとしてエッチングを施すことにより、前記第2電極膜の上部に凹部を形成する工程と、
前記第3貫通ホールを拡大する工程と、
前記第3貫通ホールが拡大された前記第2絶縁膜をマスクとしてエッチングを施すことにより、前記積層方向に延び内面に上側が下側よりも太くなるような段差が形成された第2貫通ホールを形成する工程と、
前記第2貫通ホール及び前記第3貫通ホールの内面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第2半導体膜を形成する工程と、
前記第2半導体膜に対して不純物を注入する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第3貫通ホールの拡大は、ウェット処理によって行うことを特徴とする請求項6または7に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記不純物を注入する工程は、
前記積層方向から不純物を注入する工程と、
前記積層方向に対して傾斜した方向から不純物を注入する工程と、
を有することを特徴とする請求項5〜8のいずれか1つに記載の半導体記憶装置の製造方法。
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