JP2010016214A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造が容易な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1において、シリコン基板11上に積層体ML1、ML2、ML3をこの順に形成する。積層体ML1には下部選択ゲートLSGを設け、積層体ML3には上部選択ゲートUSGを設ける。また、積層体MLにはZ方向に延びる貫通ホール17を形成し、その内部にシリコンピラーSPを埋設する。下部選択ゲートLSGとシリコンピラーSPとの間、及び上部選択ゲートUSGとシリコンピラーSPとの間には、ゲート絶縁膜GDを設ける。そして、このゲート絶縁膜GDを、ボロンを含有したシリコン窒化物により形成する。
【選択図】図2
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1において、シリコン基板11上に積層体ML1、ML2、ML3をこの順に形成する。積層体ML1には下部選択ゲートLSGを設け、積層体ML3には上部選択ゲートUSGを設ける。また、積層体MLにはZ方向に延びる貫通ホール17を形成し、その内部にシリコンピラーSPを埋設する。下部選択ゲートLSGとシリコンピラーSPとの間、及び上部選択ゲートUSGとシリコンピラーSPとの間には、ゲート絶縁膜GDを設ける。そして、このゲート絶縁膜GDを、ボロンを含有したシリコン窒化物により形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法に関し、特に、基板上に複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法に関する。
従来より、フラッシュメモリ等のLSI(Large Scale Integrated circuit:大規模集積回路)は、シリコン基板の表面に素子を2次元的に集積させることにより作製されてきた。このようなフラッシュメモリの記憶容量を増加させるためには、個々の素子の寸法を小さくして微細化を図るしかないが、近年、その微細化もコスト的、技術的に困難になってきている。微細化を図るためにはフォトリソグラフィ技術の向上が必要であるが、現在のArF液浸露光技術では40nm(ナノメートル)付近のルールが改造限界となっており、より一層の微細化を図るためには、EUV(Extreme UltraViolet:極端紫外線)露光機の導入が必要である。しかし、EUV露光機はコストが極めて高く、現実的ではない。また、仮にEUV露光機を使用して微細化が達成されたとしても、駆動電圧などがスケーリングされない限り、素子間の耐圧などが物理的な限界点を迎えることが予想され、デバイスとしての動作が困難になる可能性が高い。
このような問題を解決するため、素子を3次元的に集積するアイデアが多数提案されている。しかし、一般的な3次元デバイスは、各層毎に少なくとも3回のリソグラフィ工程が必要となるため、3次元化してもコストを低減することは困難であり、むしろ4層以上に積層するとコストの増加を招いてしまう。
この問題に鑑み、本発明者等は、一括加工型3次元積層メモリを提案した(例えば、特許文献1参照。)。この技術においては、シリコン基板上に電極膜と絶縁膜とを交互に積層させて積層体を形成した後、この積層体に貫通ホールを一括加工で形成する。そして、貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成し、貫通ホールの内部にシリコンを埋め込むことにより、シリコンピラーを形成する。これにより、各電極膜とシリコンピラーとの交差部分にメモリセルが形成される。また、上記メモリセルからなる積層体を作製する前後に、導電膜を形成し、これらの導電膜にも貫通ホールを形成し、この貫通ホールの側面上にゲート絶縁膜を形成し、貫通ホールの内部にシリコンピラーを設ける。これにより、シリコンピラーを上層配線又はシリコン基板に接続させるか否かを切替える選択トランジスタが形成される。この一括加工型3次元積層メモリにおいては、各電極膜及び各シリコンピラーの電位を制御することにより、シリコンピラーから電荷蓄積層に電荷を出し入れして情報を記録することができる。この技術によれば、積層体を一括加工して3次元積層メモリを形成することができるため、積層数が増加しても、リソグラフィ工程の回数は増加せず、コストの増加を抑えることができる。
しかしながら、このメモリを作製する際には、貫通ホールの内部にシリコンピラーを埋設するときに、新たに埋設されるシリコンピラーと、貫通ホールの底面に露出しているシリコン基板又は前工程で埋設されたシリコンピラーとの間の電気的なコンタクトを良好にするために、貫通ホールの底面上から自然酸化膜等のシリコン酸化物を除去する必要がある。通常はフッ酸系の薬液を用いて前処理を行う。しかし、貫通ホールの側面上に形成されたゲート絶縁膜がシリコン酸化膜であると、この前処理の際にゲート絶縁膜が剥離されてしまうという問題がある。
このため、前処理によって減厚される分を見込んでゲート絶縁膜を厚目に形成しておくか、又は、前処理前にゲート絶縁膜を覆う保護膜を形成し、前処理後にこの保護膜を剥離する等の対策を講じる必要がある。しかし、このような対策を講じると、プロセスが複雑且つ冗長になる上、貫通ホールの直径を小さくすることが困難になり、微細化を図ることができないという問題がある。
本発明の目的は、製造が容易な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に設けられ、それぞれ複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層された積層体と、前記基板と前記積層体との間及び前記積層体の上方のうち少なくとも一方に設けられ、導電膜からなる選択ゲートと、前記積層体及び前記選択ゲートに形成され前記絶縁膜及び前記電極膜の積層方向に延びる貫通ホールの内部に埋設され、シリコンからなるシリコンピラーと、前記電極膜と前記シリコンピラーとの間に設けられた電荷蓄積層と、前記選択ゲートと前記シリコンピラーとの間に設けられたゲート絶縁膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、ボロンを含有したシリコン窒化物により形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
本発明の他の一態様によれば、シリコン基板上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第1の積層体を形成する工程と、前記第1の積層体に、積層方向に延び前記シリコン基板まで到達する第1の貫通ホールを形成する工程と、前記第1の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、前記第1の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、前記第1の積層体上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層させて第2の積層体を形成する工程と、前記第2の積層体における前記第1の貫通ホールの直上域に、積層方向に延びる第2の貫通ホールを形成する工程と、前記第2の貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記第2の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の一態様によれば、基板上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層させて第1の積層体を形成する工程と、前記第1の積層体に積層方向に延びる第1の貫通ホールを形成する工程と、前記第1の貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記第1の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、前記第1の積層体上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第2の積層体を形成する工程と、前記第2の積層体における前記第1の貫通ホールの直上域に、積層方向に延び前記第1の積層体まで到達する第2の貫通ホールを形成する工程と、前記第2の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、前記第2の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の一態様によれば、シリコン基板上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第1の積層体を形成する工程と、前記第1の積層体に、積層方向に延び前記シリコン基板まで到達する第1の貫通ホールを形成する工程と、前記第1の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、前記第1の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、前記第1の積層体上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層させて第2の積層体を形成する工程と、前記第2の積層体における前記第1の貫通ホールの直上域に、積層方向に延びる第2の貫通ホールを形成する工程と、前記第2の貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記第2の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、前記第2の積層体上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第3の積層体を形成する工程と、前記第3の積層体における前記第2の貫通ホールの直上域に、積層方向に延び前記第2の積層体まで到達する第3の貫通ホールを形成する工程と、前記第3の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第3の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、前記第3の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、製造が容易な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を実現することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する斜視図であり、
図2は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する断面図であり、
図3は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の1本のメモリストリングを例示する斜視図である。
なお、図1及び図3においては、図を見易くするために、導電部分のみを示し、絶縁部分は図示を省略している。また、図1においては、シリコン基板11(図2参照)におけるセルソースCS以外の部分も図示を省略している。
図1は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する斜視図であり、
図2は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する断面図であり、
図3は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の1本のメモリストリングを例示する斜視図である。
なお、図1及び図3においては、図を見易くするために、導電部分のみを示し、絶縁部分は図示を省略している。また、図1においては、シリコン基板11(図2参照)におけるセルソースCS以外の部分も図示を省略している。
本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の特徴は、セレクトゲートトランジスタのゲート絶縁膜が、ボロン(B)を含有したシリコン窒化物(SiN)によって形成されていることである。
先ず、不揮発性半導体記憶装置におけるセレクトゲートトランジスタ及びゲート絶縁膜の位置及び機能を明らかにするために、不揮発性半導体記憶装置の全体構成について説明する。
先ず、不揮発性半導体記憶装置におけるセレクトゲートトランジスタ及びゲート絶縁膜の位置及び機能を明らかにするために、不揮発性半導体記憶装置の全体構成について説明する。
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置1(以下、単に「装置1」ともいう)においては、例えば単結晶シリコンからなるシリコン基板11が設けられている。シリコン基板11の上層部分における所望の位置には、素子分離(図示せず)が形成されている。また、矩形のメモリアレイ領域には、不純物が導入されて半導体領域が形成されており、セルソースCSとなっている。
シリコン基板11上におけるセルソースCSの直上域には、例えばシリコン酸化物(SiO2)からなる絶縁膜12が設けられており、その上には、例えば非晶質シリコンからなる下部選択ゲートLSGが設けられており、その上には、例えばシリコン酸化物からなる絶縁膜13が設けられている。絶縁膜12、下部選択ゲートLSG及び絶縁膜13により、積層体ML1が構成されている。
積層体ML1の上方には、例えばシリコン酸化物からなる複数の絶縁膜14(図2参照)と例えば非晶質シリコンからなる複数の電極膜WLとが交互に積層された積層体ML2が形成されている。電極膜WLはワード線として機能する。また、絶縁膜14は電極膜WLの上下及び相互間に設けられており、電極膜WL同士を絶縁する層間絶縁膜として機能する。従って、電極膜WLの層数をn(nは自然数)とすると、絶縁膜14の層数は(n+1)である。電極膜WLの層数nは任意であるが、本実施形態においては、nは4である。
そして、積層体ML2上には、例えばシリコン酸化物からなる絶縁膜15が設けられており、その上には、上部選択ゲートUSGが設けられており、その上には、例えばシリコン酸化物からなる絶縁膜16が設けられている。絶縁膜15、上部選択ゲートUSG及び絶縁膜16により、積層体ML3が構成されている。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。この座標系においては、シリコン基板11の上面に平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向及びY方向とし、X方向及びY方向の双方に対して直交する方向、すなわち、絶縁膜14及び電極膜WLの積層方向をZ方向とする。
電極膜WLは、上層に配置された電極膜WLほどX方向における長さが短くなっており、上方(+Z方向)から見て、各電極膜WLは、それより下方に配置された電極膜WL、下部選択ゲートLSG及びセルソースCSの内側に配置されている。また、上部選択ゲートUSGは最上層の電極膜WLの内側に配置されている。これにより、積層体MLの端部は階段状となっている。積層体MLから見て±X方向及び±Y方向の領域には、層間絶縁膜(図示せず)が設けられている。
このように、シリコン基板11上には、積層体ML1、積層体ML2、積層体ML3がこの順に積層されている。従って、下部選択ゲートLSGはシリコン基板11と積層体ML2との間に設けられ、上部選択ゲートUSGは積層体ML2の上方に設けられている。積層体ML1、積層体ML2及び積層体ML3(以下、総称して「積層体ML」ともいう)は、Y方向に沿って複数組設けられている。
上部選択ゲートUSGは、例えば非晶質シリコンからなる1枚の導電膜がY方向に沿って分断されて形成されたものであり、X方向に延びる複数本の配線状の導電部材となっている。これに対して、電極膜WL及び下部選択ゲートLSGは、各積層体ML内では分断されておらず、それぞれがXY平面に平行な1枚の導電膜となっている。また、セルソースCSも分断されておらず、複数の積層体MLの直下域をつなぐように、XY平面に平行な1枚の層状の導電領域となっている。
そして、積層体MLには、積層方向(Z方向)に延びる複数本の貫通ホール17が形成されている。各貫通ホール17は積層体ML全体を貫いている。すなわち、貫通ホール17は、積層体ML1を構成する絶縁膜12、下部選択ゲートLSG及び絶縁膜13、積層体ML2を構成する絶縁膜14及び電極膜WL、並びに、積層体ML3を構成する絶縁膜15、上部選択ゲートUSG及び絶縁膜16を、Z方向から見て同じ位置において、それぞれ貫いている。また、貫通ホール17は、例えばX方向及びY方向に沿ってマトリクス状に配列されており、その配列周期は、X方向及びY方向のそれぞれにおいて一定である。
各貫通ホール17の内部には、シリコンピラーSPが埋設されている。シリコンピラーSPは、不純物がドープされた半導体、例えば、多結晶シリコン又は非晶質シリコンによって形成されている。シリコンピラーSPの形状は、Z方向に延びる柱形であり、例えば円柱形である。また、シリコンピラーSPは積層体MLの積層方向全長にわたって設けられており、その下端部はセルソースCSに接続されている。
また、積層体ML3上には絶縁膜18が設けられており、絶縁膜18上にはY方向に延びる複数本のビット配線BLが設けられている。ビット配線BLは、金属、例えば、タングステン(W)、アルミニウム(Al)又は銅(Cu)によって形成されている。なお、本明細書において「金属」というときは、純金属の他に合金も含むものとする。各ビット配線BLは、Y方向に沿って配列された各列のシリコンピラーSPの直上域を通過するように配設されており、絶縁膜18に形成されたビアホール18aを介して、シリコンピラーSPの上端部に接続されている。これにより、シリコンピラーSPは、Y方向に延びる列ごとに、異なるビット配線BLに接続されている。すなわち、各シリコンピラーSPは、ビット配線BLとセルソースCSとの間に接続されている。
更に、ビット配線BLが配置されている領域の−X方向側には、X方向に延びる複数本の上部選択ゲート配線USLが設けられている。上部選択ゲート配線USLは、金属、例えば、タングステン、アルミニウム又は銅によって形成されている。上部選択ゲート配線USLの本数は、上部選択ゲートUSGの本数と同じであり、各上部選択ゲート配線USLが各ビア20を介して各上部選択ゲートUSGに接続されている。
更にまた、ビット配線BLが配置されている領域の+X方向側には、積層体MLごとに、X方向に延びる複数本のワード配線WLL、X方向に延びる1本の下部選択ゲート配線LSL、及びX方向に延びる1本のセルソース配線CSLが設けられている。ワード配線WLL、下部選択ゲート配線LSL、及びセルソース配線CSLは、金属、例えば、タングステン、アルミニウム又は銅によって形成されている。1つの積層体MLに対応するワード配線WLLの本数は、ワード線である電極膜WLの数と同じであり、各ワード配線WLLはビア21を介して各電極膜WLに接続されている。また、下部選択ゲート配線LSLはビア22を介して下部選択ゲートLSGに接続されており、セルソース配線CSLはコンタクト23を介してセルソースCSに接続されている。ビア21、22及びコンタクト23は、それらが接続される電極膜WLの直上域であって、それより上層の電極膜WLから見て+X方向側に外れた領域に形成されている。
ビット配線BL、上部選択ゲート配線USL、ワード配線WLL、下部選択ゲート配線LSL及びセルソース配線CSLは、Z方向における位置、厚さ、材料が同一であり、例えば、1枚の金属膜がパターニングされて形成されたものである。各配線間は、層間絶縁膜(図示せず)によって絶縁されている。
図2に示すように、シリコンピラーSPにおける積層体ML2内に位置する部分(以下、「シリコンピラーの中央部」ともいう)と貫通ホール17の側面との間の円筒状の空間には、ONO膜(Oxide Nitride Oxide film:酸化物−窒化物−酸化物膜)24が設けられている。ONO膜24においては、外側、すなわち、電極膜WL側から順に、絶縁層25、電荷蓄積層26、絶縁層27がこの順に積層されている。絶縁層25は絶縁膜14及び電極膜WLに接しており、絶縁層27はシリコンピラーSPに接している。絶縁層25及び27は、例えばシリコン酸化物(SiO2)からなり、電荷蓄積層26は、例えばシリコン窒化物(SiN)からなる。
これにより、シリコンピラーSPの中央部がチャネルとして機能し、電極膜WLがコントロールゲートとして機能することにより、シリコンピラーSPと電極膜WLとの交差部分に、SGT(Surrounding Gate Transistor:サラウンディングゲートトランジスタ)が形成される。SGTとは、チャネルの周囲をゲート電極が取り囲んだ構造のトランジスタである。そして、電荷蓄積層26に電荷が蓄積されているか否かを情報とすることにより、このSGTがメモリセルとして機能する。
この結果、図3に示すように、1本のシリコンピラーSP及びその周囲には、電極膜WLと同数のメモリセルがZ方向に一列に配列され、1本のメモリストリングが構成される。また、装置1においては、複数本のシリコンピラーSPがX方向及びY方向に沿ってマトリクス状に配列されていることにより、複数のメモリセルが、X方向、Y方向、Z方向に沿って、3次元的に配列される。
一方、シリコンピラーSPにおける積層体ML1内に位置する部分(以下、シリコンピラーの下部」ともいう)と貫通ホール17の側面との間の円筒状の空間には、ゲート絶縁膜GDが設けられている。これにより、積層体ML1内には、シリコンピラーSPの下部をチャネルとし、下部選択ゲートLSGをゲートとした下部選択トランジスタLSTが構成される。下部選択トランジスタLSTも、上述のメモリセルと同様に、SGTである。
更に、シリコンピラーSPにおける積層体ML3内に位置する部分(以下、「シリコンピラーの上部」ともいう)と貫通ホール17の側面との間の円筒状の空間にも、ゲート絶縁膜GDが設けられている。これにより、積層体ML3内には、シリコンピラーSPの上部をチャネルとし、上部選択ゲートUSGをゲートとした上部選択トランジスタUSTが構成される。上部選択トランジスタUSTもSGTである。なお、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTは、メモリセルとしては機能せず、シリコンピラーSPを選択する役割を果たす。
更にまた、装置1においては、ビット配線BLを介してシリコンピラーSPの上端部に電位を印加するドライバ回路、セルソース配線CSL、コンタクト23及びセルソースCSを介してシリコンピラーSPの下端部に電位を印加するドライバ回路、上部選択ゲート配線USL及びビア20を介して上部選択ゲートUSGに電位を印加するドライバ回路、下部選択ゲート配線LSL及びビア22を介して下部選択ゲートLSGに電位を印加するドライバ回路、ワード配線WLL及びビア21を介して各ワード線WLに電位を印加するドライバ回路(いずれも図示せず)が設けられている。これらのドライバ回路が形成されている回路領域には、Pウエル及びNウエル(図示せず)が形成されており、これらのウエル内にはトランジスタ等の素子が形成されている。
そして、本実施形態においては、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTに設けられたゲート絶縁膜GDが、ボロンを含有したシリコン窒化物によって形成されている。ゲート絶縁膜GDにおけるボロンの含有率は、例えば、10原子%である。
また、シリコンピラーSPにおけるゲート絶縁膜GDに接する領域には、ゲート絶縁膜GDからボロンが拡散しており、導電型がP型となっている。すなわち、シリコンピラーSPにおける少なくともゲート絶縁膜GDに接する領域にはボロンが含有されており、シリコンピラーSPにおけるボロン濃度は、ゲート絶縁膜GDから遠ざかるにつれて低くなっている。
本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置1においては、ビット線BLを選択することにより、メモリセルのX座標を選択し、上部選択ゲートUSGを選択して上部選択トランジスタUSTを導通状態又は非導通状態とすることにより、メモリセルのY座標を選択し、ワード線としての電極膜WLを選択することにより、メモリセルのZ座標を選択する。そして、選択されたメモリセルの電荷蓄積層26に電子を注入することにより、情報を記憶する。また、このメモリセルを通過するシリコンピラーSPにセンス電流を流すことにより、このメモリセルに記憶された情報を読み出す。
次に、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。
図4(a)乃至(c)、図5(a)乃至(c)、並びに図6乃至図9は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法を例示する工程断面図である。
図4(a)乃至(c)、図5(a)乃至(c)、並びに図6乃至図9は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法を例示する工程断面図である。
先ず、図4(a)に示すように、シリコン基板11の上層部分における所望の位置に素子分離膜(図示せず)を形成する。そして、メモリアレイ領域に不純物を導入し、セルソースCSを形成する。一方、回路領域(図示せず)にはPウエル及びNウエル等を形成し、各ドライバ回路を構成するトランジスタのソース・ドレインを形成する。次に、これらのトランジスタのゲートを形成する。
次に、シリコン基板11上に絶縁膜12を堆積させ、平坦化する。その後、非晶質シリコンを例えば200nmの厚さに堆積させて導電膜からなる下部選択ゲートLSGを形成し、その上に層間膜となる絶縁膜13を形成する。これにより、絶縁膜12、下部選択ゲートLSG及び絶縁膜13からなる積層体ML1が形成される。
次に、図4(b)に示すように、リソグラフィ及びエッチングを行うことにより、積層体ML1に、Z方向(積層方向)に延びシリコン基板11のセルソースCSまで到達する貫通ホール17aを形成する。このとき、複数個の貫通ホール17aを、Z方向から見てマトリクス状に配列されるように、同時に形成する。この貫通ホール17aは、後の工程で下部選択トランジスタLSTを形成するためのホールである。なお、このとき、貫通ホール17aの底面上には、シリコン基板11のセルソースCSが一旦露出するが、この露出面上には自然酸化膜等のシリコン酸化物30が不可避的に生成される。
次に、図4(c)に示すように、積層体M1上の全面に、ボロン(B)を含有したシリコン窒化物(SiN)を堆積させて、ボロン含有シリコン窒化膜31を成膜する。このとき、ボロン含有シリコン窒化膜31の厚さは例えば5nmとし、ボロンの含有量は例えば10原子%とする。ボロン含有シリコン窒化膜31は、積層体M1の上面上の他に、貫通ホール17aの底面上及び側面上にも成膜される。
次に、図5(a)に示すように、例えばRIE(Reactive Ion Etching:反応性イオンエッチング)を行って、積層体ML1の上面上及び貫通ホール17aの底面上に形成されたボロン含有シリコン窒化膜31を除去する。このとき、貫通ホール17aの側面上にはボロン含有シリコン窒化膜31が残留し、ゲート絶縁膜GDとなる。
次に、図5(b)に示すように、貫通ホール17aの底面にフッ化水素を接触させる。例えば、希フッ酸によるウェットエッチングを行う。これにより、貫通ホール17aの底面上から自然酸化膜等のシリコン酸化物30が除去され、貫通ホール17aの底面にシリコン基板11のセルソースCSが露出する。
次に、図5(c)に示すように、貫通ホール17aの内部に非晶質シリコンを埋め込む。これにより、貫通ホール17a内にシリコンピラーSPの下部が形成される。これにより、ボロン含有シリコン窒化膜31をゲート絶縁膜GDとする下部選択トランジスタLSTが形成される。
次に、図6に示すように、積層体ML1上に絶縁膜14及び電極膜WLを交互に積層させて、積層体ML2を形成する。例えば、シリコン酸化物からなる5層の絶縁膜14と、非晶質シリコンからなる4層の電極膜WLとを交互に成膜する。次に、積層体ML2上にフォトレジスト膜(図示せず)を形成して矩形状にパターニングする。そして、このフォトレジスト膜をマスクとしてRIEを行い、各1層の絶縁膜14及び電極膜WLをパターニングする工程と、このフォトレジスト膜をアッシングしてその外形を一回り小さくする(スリミングする)工程と、を交互に繰り返して、積層体ML2の端部を階段状に加工する。
次に、リソグラフィ及びエッチングを行うことにより、積層体ML2における貫通ホール17aの直上域に、Z方向に延び積層体ML1まで到達する貫通ホール17bを形成する。このとき、貫通ホール17bは貫通ホール17aに連通される。その後、全面に、絶縁層25、電荷蓄積層26及び絶縁層27をこの順に成膜し、ONO膜24を形成する。ONO膜24は、積層体ML2の上面上の他に、貫通ホール17bの底面上及び側面上にも形成される。
次に、図7に示すように、積層体ML2の上面上及び貫通ホール17bの底面上からONO膜24を除去する。これにより、貫通ホール17bの側面上のみに、電荷蓄積層26を含むONO膜24が形成される。そして、貫通ホール17bの内部に非晶質シリコンを埋め込むことにより、シリコンピラーSPの中央部を形成する。これにより、シリコンピラーSPと電極膜WLとの交差部分にSGTが形成され、これがメモリセルとなる。なお、このとき、シリコンピラーSPの中央部は、シリコンピラーSPの下部と接触する。
次に、図8に示すように、積層体ML2上に、例えばシリコン酸化物からなる絶縁膜15を形成し、厚さが例えば200nmの非晶質シリコンからなる上部選択ゲートUSGを形成し、例えばシリコン酸化物からなる絶縁膜16を形成する。これにより、絶縁膜15、上部選択ゲートUSG及び絶縁膜16からなる積層体ML3が形成される。
そして、リソグラフィ及びエッチングを行うことにより、積層体ML3における貫通ホール17bの直上域に、Z方向に延び積層体ML2まで到達する貫通ホール17cを形成する。このとき、貫通ホール17cは貫通ホール17bに連通される。すなわち、貫通ホール17a、17b、17cは相互に連通され、Z方向に連続した貫通ホール17となる。また、貫通ホール17cの底面上には、シリコンピラーSPの中央部が一旦露出するが、この露出面上には自然酸化膜等のシリコン酸化物30が不可避的に生成される。
次に、ボロン(B)を含有したシリコン窒化物(SiN)を堆積させて、全面に厚さが例えば5nmであり、ボロン含有量が例えば10原子%であるボロン含有シリコン窒化膜31を成膜する。その後、例えばRIEにより積層体ML3の上面上及び貫通ホール17cの底面上に形成されたボロン含有シリコン窒化膜31を除去する。これにより、貫通ホール17cの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜GDが形成される。
次に、図9に示すように、貫通ホール17cの底面にフッ化水素を接触させる。例えば、希フッ酸によるウェットエッチングを行う。これにより、貫通ホール17cの底面上から自然酸化膜等のシリコン酸化物30が除去され、貫通ホール17cの底面にシリコンピラーSPの中央部が露出する。
次に、図2に示すように、貫通ホール17cの内部に非晶質シリコンを埋め込む。これにより、貫通ホール17c内にシリコンピラーSPの上部が形成される。この結果、ボロン含有シリコン窒化膜31をゲート絶縁膜GDとする上部選択トランジスタUSTが形成される。なお、シリコンピラーSPの上部は、シリコンピラーSPの中央部と接触する。これにより、シリコンピラーSPの下部、中央部、上部が一体的に連結され、Z方向に延びるシリコンピラーSPが形成される。次に、積層体ML3上に絶縁膜18を形成する。
次に、図1に示すように、絶縁膜18(図2参照)内にビア20、21、22及びコンタクト23を形成する。次に、全面に金属膜を形成し、パターニングすることにより、ビット配線BL、上部選択ゲート配線USL、ワード配線WLL、下部選択ゲート配線LSL及びセルソース配線CSLを形成する。これにより、不揮発性半導体記憶装置1が製造される。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
背景技術の項で説明したように、前述の特許文献1に記載された不揮発性半導体記憶装置においては、トランジスタのゲート絶縁膜をシリコン酸化物(SiO2)により形成している。このため、フッ化水素を用いて貫通ホールの底面上からシリコン酸化物を除去すると、同時にゲート絶縁膜も除去されてしまう。このため、フッ化水素処理前に保護膜を形成する等の対策が必要となる。
背景技術の項で説明したように、前述の特許文献1に記載された不揮発性半導体記憶装置においては、トランジスタのゲート絶縁膜をシリコン酸化物(SiO2)により形成している。このため、フッ化水素を用いて貫通ホールの底面上からシリコン酸化物を除去すると、同時にゲート絶縁膜も除去されてしまう。このため、フッ化水素処理前に保護膜を形成する等の対策が必要となる。
これに対して、本実施形態においては、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTのゲート絶縁膜GDをボロン含有シリコン窒化物により形成している。シリコン窒化物(SiN)はフッ化水素に対して耐性を持つため、図5(b)及び図9に示す工程において、フッ化水素を用いてシリコン酸化物30を除去しても、ゲート絶縁膜GDが剥離されてしまうことがない。従って、フッ化水素処理によって減厚される分を見込んでゲート絶縁膜を厚目に形成したり、フッ化水素処理前に保護膜を形成する等の対策を講じる必要がない。この結果、装置1の製造プロセスが複雑化、冗長化することがなく、装置1の製造が容易且つ低コストになる。また、貫通ホールの直径を小さくすることができるため、微細化を図ることが容易になる。
また、ゲート絶縁膜GDを通常のシリコン窒化物(SiN)、すなわち、ボロンを含有していないシリコン窒化物により形成すると、フッ化水素による剥離は抑制できるものの、シリコン窒化物にはチャージトラップとなる準位が多く存在するため、装置1の動作に伴ってゲート絶縁膜中に電荷が蓄積されてしまい、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTの閾値が変動してしまう。
これに対して、本実施形態においては、ゲート絶縁膜GDを構成するシリコン窒化膜にボロンを含有させている。ボロンを含有させたシリコン窒化物は、通常のシリコン窒化物と比較してチャージトラップとなる準位が少ないため、装置1の動作に伴ってゲート絶縁膜GDにトラップされる電荷が少なく、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTの閾値の変動が少ない。これにより、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTの動作を安定させることができる。
以下、シリコン窒化物にボロンを含有させるとチャージトラップが減少する現象について説明する。
シリコン窒化膜のボロン濃度とチャージトラップ能力との関係を調査するために、ボロン濃度を相互に異ならせたシリコン窒化物によって電荷蓄積層を形成したMONOSを作製し、その書込特性を評価した。書込電圧を印加する時間は100μsecとした。
図10は、横軸に書込動作時に電荷蓄積層に印加される電界強度をとり、縦軸に閾値の差をとって、電荷蓄積層を構成するシリコン窒化膜のボロン濃度が書込特性に及ぼす影響を例示するグラフ図である。
シリコン窒化膜のボロン濃度とチャージトラップ能力との関係を調査するために、ボロン濃度を相互に異ならせたシリコン窒化物によって電荷蓄積層を形成したMONOSを作製し、その書込特性を評価した。書込電圧を印加する時間は100μsecとした。
図10は、横軸に書込動作時に電荷蓄積層に印加される電界強度をとり、縦軸に閾値の差をとって、電荷蓄積層を構成するシリコン窒化膜のボロン濃度が書込特性に及ぼす影響を例示するグラフ図である。
図10に示すように、電荷蓄積層を構成するシリコン窒化物のボロン濃度が高いほど、同じ書込電圧を印加しても電荷蓄積層に電荷が蓄積されている場合と蓄積されていない場合との間のMONOSの閾値の差が小さく、書込特性が低下した。このことから、ボロンを添加したシリコン窒化物は、ボロンを添加していないシリコン窒化物よりも、チャージトラップ能力が低いことがわかる。
なお、実際に選択トランジスタのゲート絶縁膜をシリコン窒化物により形成した場合に、10MV/cm以上の電界を印加することはないが、それよりも低い電界であっても、ストレスによる閾値シフトが懸念される。これに対して、チャージトラップ能力が低いボロン添加シリコン窒化物によってゲート絶縁膜を形成することにより、選択トランジスタの閾値変動を抑制することができる。
更に、ゲート絶縁膜GDを、ボロンを含有していない通常のシリコン窒化物によって形成した場合には、シリコンピラーSPに不純物を導入することが困難である。例えば、イオン・インプランテーションによってシリコンピラーSPの下部に不純物を導入しようとしても、チャネル方向において不純物濃度が大きくばらついてしまい、均一に導入することが困難である。
これに対して、本実施形態においては、ゲート絶縁膜GD中に含有しているボロンの一部が、シリコンピラーSP中に拡散するため、イオン・インプランテーション等を行わなくても、シリコンピラーSPにおけるゲート絶縁膜GDに接する領域の導電型がP型となる。これにより、シリコンピラーSPの下部及び上部において、チャネル方向(Z方向)に均一に不純物を導入することができる。この結果、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTの閾値を正側にシフトさせることができる。このため、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、製造が容易であると共に、下部選択トランジスタLST及び上部選択トランジスタUSTの閾値制御が容易である。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。例えば、前述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、前述の実施形態においては、積層体ML2の下方及び上方にそれぞれ下部選択ゲートLSG及び上部選択ゲートUSGを設ける例を示したが、いずれか一方の選択ゲートのみを設けてもよい。
1 不揮発性半導体記憶装置、11 シリコン基板、12、13、14、15、16、18 絶縁膜、17、17a、17b、17c 貫通ホール、18a ビアホール、20、21、22 ビア、23 コンタクト、24 ONO膜、25 絶縁層、26 電荷蓄積層、27 絶縁層、30 シリコン酸化物、31 ボロン含有シリコン窒化膜、BL ビット配線、CS セルソース、CSL セルソース配線、GD ゲート絶縁膜、LSG 下部選択ゲート、LSL 下部選択ゲート配線、LST 下部選択トランジスタ、ML、ML1、ML2、ML3 積層体、SP シリコンピラー、USG 上部選択ゲート、USL 上部選択ゲート配線、UST 上部選択トランジスタ、WL 電極膜、WLL ワード配線
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、それぞれ複数の絶縁膜及び電極膜が交互に積層された積層体と、
前記基板と前記積層体との間及び前記積層体の上方のうち少なくとも一方に設けられ、導電膜からなる選択ゲートと、
前記積層体及び前記選択ゲートに形成され前記絶縁膜及び前記電極膜の積層方向に延びる貫通ホールの内部に埋設され、シリコンからなるシリコンピラーと、
前記電極膜と前記シリコンピラーとの間に設けられた電荷蓄積層と、
前記選択ゲートと前記シリコンピラーとの間に設けられたゲート絶縁膜と、
を備え、
前記ゲート絶縁膜は、ボロンを含有したシリコン窒化物により形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記シリコンピラーにおけるボロン濃度は、前記ゲート絶縁膜から遠ざかるにつれて低くなっていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- シリコン基板上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第1の積層体を形成する工程と、
前記第1の積層体に、積層方向に延び前記シリコン基板まで到達する第1の貫通ホールを形成する工程と、
前記第1の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、
前記第1の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
前記第1の積層体上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層させて第2の積層体を形成する工程と、
前記第2の積層体における前記第1の貫通ホールの直上域に、積層方向に延びる第2の貫通ホールを形成する工程と、
前記第2の貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記第2の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 基板上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層させて第1の積層体を形成する工程と、
前記第1の積層体に積層方向に延びる第1の貫通ホールを形成する工程と、
前記第1の貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記第1の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
前記第1の積層体上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第2の積層体を形成する工程と、
前記第2の積層体における前記第1の貫通ホールの直上域に、積層方向に延び前記第1の積層体まで到達する第2の貫通ホールを形成する工程と、
前記第2の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、
前記第2の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - シリコン基板上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第1の積層体を形成する工程と、
前記第1の積層体に、積層方向に延び前記シリコン基板まで到達する第1の貫通ホールを形成する工程と、
前記第1の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、
前記第1の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
前記第1の積層体上にそれぞれ複数の絶縁膜及び電極膜を交互に積層させて第2の積層体を形成する工程と、
前記第2の積層体における前記第1の貫通ホールの直上域に、積層方向に延びる第2の貫通ホールを形成する工程と、
前記第2の貫通ホールの側面上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記第2の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
前記第2の積層体上に、絶縁膜、導電膜、絶縁膜をこの順に積層させて第3の積層体を形成する工程と、
前記第3の積層体における前記第2の貫通ホールの直上域に、積層方向に延び前記第2の積層体まで到達する第3の貫通ホールを形成する工程と、
前記第3の貫通ホールの側面上に、ボロンを含有したシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の貫通ホールの底面にフッ化水素を接触させる工程と、
前記第3の貫通ホールの内部にシリコンを埋め込む工程と、
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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JP2008175408A JP2010016214A (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012023091A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
KR101153010B1 (ko) | 2010-09-22 | 2012-06-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150041537A (ko) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
US9887273B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-02-06 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device |
CN110211962A (zh) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置 |
-
2008
- 2008-07-04 JP JP2008175408A patent/JP2010016214A/ja active Pending
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