JP5242407B2 - 金属ケイ酸塩ハロゲン化物蛍光体およびそれを使用するｌｅｄ照明デバイス - Google Patents

金属ケイ酸塩ハロゲン化物蛍光体およびそれを使用するｌｅｄ照明デバイス Download PDF

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Description

本発明は、蛍光体を水が引き起こす劣化に耐えるようにする酸化物の被覆を有する、いくつかの金属ケイ酸塩ハロゲン化物（ｍｅｔａｌ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｈａｌｉｄｅ）（ハロシリケート（ｈａｌｏｓｉｌｉｃａｔｅ））蛍光体、蛍光体を作る方法、および蛍光体で変更された発光ダイオード（ＬＥＤ）ベースの照明デバイスに関する。
照明用途において、蛍光体を使用して光出力の波長を変更することができる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）照明デバイスは一般にＬＥＤチップ（「ＬＥＤ」）と蛍光体または蛍光体の混合物とからなる。チップは高い光子エネルギーをもつ１次光を放出し、一方、蛍光体は１次光の励起時に低い光子エネルギーをもつ光を放出する。蛍光体を使用して１次光の波長を変更することができる。例えば、いくつかの蛍光体を用いて、紫外（ＵＶ）または青色ＬＥＤの放出を変更して、１次光をより長い波長に変換するように放出経路に沿って蛍光体を配置することによって、他の可視光を生成することができる。青色、緑色、および赤色放出用蛍光体の適切な混合物を使用してＵＶ ＬＥＤ放出を白色光（すなわち白い色度の光）に変更することができる。緑色および赤色放射用蛍光体のある組合せを使用してＬＥＤの青色出力を白色光に変更することができる。黄色放出用蛍光体は青色ＬＥＤまたは青放出蛍光体からの光と組み合わされて白い色度の光を生成することができる。蛍光灯などの他のＵＶまたは青色放出デバイスからの光を同様に蛍光体によって変更することができる。ここで説明された蛍光体は、適切な他の光源に適合された場合、そのような用途で使用することができる。
本発明の蛍光体は、母体結晶としての少なくとも１つのハロシリケート、ケイ酸塩ハロゲン化物とも呼ばれるものと、活性化物質としてのいくつかの遷移金属イオンおよび希土類金属イオンとで構成される。ハロシリケートは、ケイ酸塩群とハロゲン化物イオンの両方が結晶構造を決める要素となっている結晶である。例えば、結晶のＣａ２ＳｉＯ４ＣａＣｌ２（例えば、ブイ．アール．ツァーヤ、ジー．ビザート、アクタ クリスタルグラフィカ Ｂ２７、７４７（１９７１）を参照）、Ｃａ２ＳｉＯ３Ｃｌ２（例えば、エヌ．アイ．ゴロバスティコフおよびブイ．エフ．カザフ、ソビエト フィジックス クリスタログラフィ、２２（５）、５４９（１９７７）を参照）、およびＳｒ２ＬｉＳｉＯ４Ｆ（例えば、エー．アケラおよびディー．ケスラー、ケミストリ オブ マテリアルス ７、１２９９、（１９９５）を参照）は典型的なハロシリケートである。結晶中で、ケイ酸塩群、例えば［Ｓｉ２Ｏ７］６−および［ＳｉＯ４］４−と、ハロゲン化物イオン、例えば、Ｃｌ−またはＦ−は一定の化学量論において化合物を構成し、結晶構造を決定する。対照的に、ケイ酸塩およびハロゲン化物イオンで構成される蛍光体があり、ハロゲン化物イオンがドーパントとして存在し、それは結晶構造を決定しないが、例えば格子の拡大または縮小を引き起こすわずかな変更をもたらすことができる。ドーパントはハロシリケートの主規定イオン（ｍａｊｏｒ ｄｅｆｉｎｉｎｇ ｉｏｎｓ）よりも定量的に少ない。
ＬＥＤ用途への適応性は記述されていないが、いくつかの金属ケイ酸塩ハロゲン化物蛍光体が記述されている。例えば以下を参照されたい。
Figure 0005242407
これらの結晶材料が合成され、それらの結晶構造はＸ線回折によって決定された。いくつかの遷移金属イオンおよび希土類金属イオンをこれらの結晶中に発光活性化物質としてドープすることができる。
いくつかの金属ケイ酸塩ハロゲン化鉱物（非蛍光体）が記述されている。例えば以下を参照されたい。
Figure 0005242407
 これらの結晶を含む蛍光体は報告されていない。
米国特許出願第１１／１４９６４８号 米国特許出願公開第２００４／０１４５２８９号 米国特許出願公開第２００４／０１４５２８８号 米国特許第６９８２５２３号 米国特許第６９３６８５７号 米国特許出願公開第２００４／００１３５５０４号 米国特許仮出願第６０／７４１９８２号 米国特許出願第１１／５２７８３５号
本発明は新規なハロシリケート蛍光体、およびこのハロシリケート蛍光体が使用されたＬＥＤを含む照明デバイスを含む照明装置を提供する。
本発明は、
ａ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）２ＬｉＳｉＯ４Ｘ：Ａ、
ｂ） （ＭｌｘＭ２１−ｘ）５ＳｉＯ４Ｘ６：Ａ、
ｃ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ、
ｄ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５（ＳｉＯ４）２Ｘ２：Ａ、
ｅ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ２Ｏ７Ｘ４：Ａ、
ｆ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１０（Ｓｉ２Ｏ７）３Ｘ２：Ａ、
ｇ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ２Ｏ７Ｘ２：Ａ、
ｈ） Ｍ１６Ｍ２４（Ｓｉ２Ｏ７）３Ｘ２：Ａ、
ｉ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）７Ｓｉ２Ｏ７Ｘ８：Ａ、
ｊ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ３Ｏ８Ｘ２：Ａ、
ｋ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ３Ｏ８Ｘ４：Ａ、
ｌ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｓｉ４Ｏ１２Ｘ８：Ａ、
ｍ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ２Ｏ６Ｘ６：Ａ、
ｎ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１５Ｓｉ６Ｏ１８Ｘ８：Ａ、
ｏ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ４Ｏ１０Ｘ５：Ａ、
ｐ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１０（ＳｉＯ４）３（ＳＯ４）３Ｘ２：Ａ、
ｑ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４（ＳｉＯ４）（ＳＯ４）Ｘ２：Ａ、
ｒ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａ
から選択された化学式を有する蛍光体を提供し、ここで、
Ｍ１およびＭ２は各々別個にＭｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｚｎ２＋、およびＣｄ２＋からなる群から選択された少なくとも１つの金属イオンであり、
ｘは約０．００１から約１までの値であり、
Ｘはイオンの形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｙｂ２＋、Ｍｎ２＋、Ｂｉ３＋、Ｐｂ２＋、Ｃｅ３＋、Ｎｄ３＋、Ｐｒ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、およびＹｂ３＋からなる群から選択された少なくとも１つの活性化物質イオンであり、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）２ＬｉＳｉＯ４Ｘ：Ａを有し、Ｍ１がＳｒ２＋であり、ｘが１であり、Ｘがフッ化物であるか、またはＭ２がＳｒ２＋であり、ｘが０であり、Ｘがフッ化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａを有し、Ｍ１がＣａ２＋であり、ｘが１であり、Ｘが塩化物であるか、またはＭ２がＣａ２＋であり、ｘが０であり、Ｘが塩化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａを有し、Ｍ１がＣａ２＋であり、ｘが１であり、Ｘが塩化物であるか、またはＭ２がＣａ２＋であり、ｘが０であり、Ｘが塩化物である場合、ＡはＥｕ２＋でない。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は前述のような化学式を有し、ここで、
Ｍ１およびＭ２は各々別個にＣａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、またはそれの組合せであり、
Ｘはフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は前述のような化学式を有し、ここで、
Ｍ１はＣａ２＋であり、
Ｍ２はＳｒ２＋、Ｂａ２＋、またはそれの組合せであり、
Ｘはフッ化物、塩化物、またはそれの組合せであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は化学式の
（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ
を有し、ここで、ｘは約０．０１から約１までの値である。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は化学式の
（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａ
を有し、ここで、ｘは約０．０１から約１までの値である。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は化学式の
（ＣａｘＳｒ１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｘはフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は化学式の
（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａ
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｘはフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は化学式の
（ＣａｘＳｒ１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｅｕ２＋は蛍光体の約０．０００１モルから約０．１モルの量である。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は化学式の
（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ｅｕ２＋
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｅｕ２＋は蛍光体の約０．０００１モルから約０．１モルの量である。
本発明は、前述のような本発明の蛍光体と、その蛍光体上の被覆の少なくとも１つの層とを含む被覆された蛍光体をさらに提供し、その層は少なくとも１つの酸化物を含む。いくつかの実施形態では、本発明の被覆された蛍光体は酸化物の少なくとも２つの層を含む被覆を有する。
本発明は、本発明の蛍光体を含む照明デバイスをさらに提供する。いくつかの実施形態では、照明デバイスは、
ａ）少なくとも約３００ｎｍの波長で光を放出する光源と、
ｂ）本発明による少なくとも１つの蛍光体であって、
（１）光源から放出された光の少なくとも一部を吸収することができ、
（２）光源からの吸収された光の一部の色度を変更し、
（３）光源からの吸収された光よりも長波長の光を放出する蛍光体と
を含む。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの蛍光体は少なくとも１つの酸化物を含む被覆をさらに含む。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは白色光を生成する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの光源は発光ダイオード（ＬＥＤ）である。いくつかのそのような実施形態では、ＬＥＤは、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に挟まれた発光層を有する量子井戸構造を含む。
本発明の照明デバイスのいくつかの実施形態では、ｐ型クラッド層はＡｌｑＧａ１−ｑＮから形成され、ここで０＜ｑ＜１であり、ｎ型クラッド層はＡｌｒＧａ１−ｒＮから形成され、ここで０≦ｒ＜１であり、随意に、ｐ型クラッド層はｎ型クラッド層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスのＬＥＤはインジウムと少なくとも１つの量子井戸構造とを含む発光層を含む。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは、随意に、ＩｎＧａＮの少なくとも１つの井戸層とＧａＮの少なくとも１つの障壁層とを含む少なくとも１つの量子井戸構造と、随意に、ＩｎＧａＮの少なくとも１つの井戸層とＡｌＧａＮの少なくとも１つの障壁層とを含む少なくとも１つの量子井戸構造と、随意に、ＡｌＩｎＧａＮの少なくとも１つの井戸層とＡｌＩｎＧａＮの少なくとも１つの障壁層とを含む少なくとも１つの量子井戸構造とをさらに含み、少なくとも１つの障壁層が少なくとも１つの井戸層のバンドギャップ・エネルギーよりも大きいバンドギャップ・エネルギーを有し、随意に、井戸層がせいぜい約１００オングストロームの厚さを有する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの少なくとも１つの蛍光体は、
Ｍ１およびＭ２が各々別個にＣａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、またはそれの組合せであり、
Ｘがフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
ＡがＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである化学式を有する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの少なくとも１つの蛍光体は、
Ｍ１がＣａ２＋であり、
Ｍ２がＳｒ２＋、Ｂａ２＋、またはそれの組合せであり、
Ｘがフッ化物、塩化物、またはそれの組合せであり、
ＡがＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである化学式を有する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの少なくとも１つの蛍光体は化学式の
（ＣａｘＳｒ１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｘはフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの少なくとも１つの蛍光体は化学式の
（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａ
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｘはフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの少なくとも１つの蛍光体は化学式の
（ＣａｘＳｒ１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｅｕ２＋は蛍光体の約０．０００１モルから約０．１モルの量である。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの少なくとも１つの蛍光体は化学式の
（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ｅｕ２＋
を有し、ここで、
ｘは約０．０１から約１までの値であり、
Ｅｕ２＋は蛍光体の約０．０００１モルから約０．１モルの量である。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは化学式（Ｉ）の
ＣａＳｉＯ３（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｙ （Ｉ）
を有する少なくとも１つの追加の蛍光体をさらに含み、ここで、
Ｒεは、Ｅｕ２＋およびＭｎ２＋からなる群から選択された少なくとも１つの活性化物質イオンであり、
Ｙはイオンまたは原子の形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンであるかまたは存在しない。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは化学式（ＩＩ）の
ＣａＳｉＯ３（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ− （ＩＩ）
からなる少なくとも１つの追加の蛍光体をさらに含み、追加の蛍光体は青色光を放出する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは化学式（ＩＩＩ）の
ＣａＳｉＯ３（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ− （ＩＩＩ）
からなる少なくとも１つの追加の蛍光体をさらに含み、追加の蛍光体は赤色光を放出する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは少なくとも２つの追加の蛍光体をさらに含み、
１つの蛍光体は化学式（ＩＩ）の
ＣａＳｉＯ３（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ− （ＩＩ）
を含み、第２の蛍光体は化学式（ＩＩＩ）の
ＣａＳｉＯ３（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ− （ＩＩＩ）
を含む。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは白色光を放出する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは、
ａ）少なくとも約３００ｎｍの波長で光を放出する光源であって、発光ダイオード（ＬＥＤ）である光源と、
ｂ）本発明の少なくとも１つの蛍光体であって、
（１）光源から放出された光の少なくとも一部を吸収することができ、
（２）光源からの吸収された光の一部の色度を変更し、
（３）光源からの吸収された光よりも長波長の光を放出し、
（４）随意に、少なくとも１つの酸化物を含む被覆の少なくとも１つの層をさらに含む蛍光体と
を含み、照明デバイスは白色光を生成する。
本明細書で使用されるとき、「活性化物質」は、活性化物質が一部である蛍光体からの光放出の波長を決定するイオンを指す。
本明細書で使用されるとき、「被覆」、「酸化物被覆（ｏｘｉｄｅ ｃｏａｔｉｎｇ）」、または「酸化物の被覆（ｃｏａｔｉｎｇ ｏｆ ｏｘｉｄｅ）」は、（ａ）少なくとも１つの酸化物（例えば、アモルファスまたは結晶性）を含み、（ｂ）光学上識別可能な埋込み粒子がなく、（ｃ）約１６時間から約１００時間の間約８５℃および約８５％相対湿度にさらした後、蛍光体の当初の光学性能の約８０％を維持する被覆などの、水に対する相対的保護を与えるのに十分に完全である被覆または外層を指す。そのような被覆は、被覆前駆物質（ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）（すなわち前駆体（ａｎｔｅｃｅｄｅｎｔ）または先行要素（ｐｒｅｄｅｃｅｓｓｏｒ））の材料から生じるものまたは蛍光体粒子などの他の要素および化合物を含むことができる。したがって、本明細書で使用されるとき、「酸化物」は、多くの場合被覆の原材料である金属または半導体のカチオンと酸素とを含むような材料を指す。
本明細書で使用されるとき、「粒子」は蛍光体の個々の結晶を指す。
本明細書で使用されるとき、「グレーン」は、蛍光体粒子の凝集（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｉｏｎ）、凝結（ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）、多結晶、または多形体を指し、粒子は粉末の蛍光体粒子と比較して容易に分離されない。
実質的な気相を含むプロセスに対して本明細書で説明される温度は、反応物それ自体ではなく、当該の炉または他の反応容器のものである。
本明細書で使用されるとき、「白色光」は当技術分野でよく知られている国際照明委員会（ＣＩＥ）１９３１ダイアグラムのいくつかの色度座標の光を指す。
本発明は、特に、
（ａ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）２ＬｉＳｉＯ４Ｘ：Ａ、
（ｂ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５ＳｉＯ４Ｘ６：Ａ、
（ｃ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ、
（ｄ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５（ＳｉＯ４）２Ｘ２：Ａ、
（ｅ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ２Ｏ７Ｘ４：Ａ、
（ｆ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１０（Ｓｉ２Ｏ７）３Ｘ２：Ａ、
（ｇ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ２Ｏ７Ｘ２：Ａ、
（ｈ） Ｍ１６Ｍ２４（Ｓｉ２Ｏ７）３Ｘ２：Ａ、
（ｉ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）７Ｓｉ２Ｏ７Ｘ８：Ａ、
（ｊ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ３Ｏ８Ｘ２：Ａ、
（ｋ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ３Ｏ８Ｘ４：Ａ、
（ｌ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｓｉ４Ｏ１２Ｘ８：Ａ、
（ｍ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ２Ｏ６Ｘ６：Ａ、
（ｎ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１５Ｓｉ６Ｏ１８Ｘ８：Ａ、
（ｏ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ４Ｏ１０Ｘ５：Ａ、
（ｐ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１０（ＳｉＯ４）３（ＳＯ４）３Ｘ２：Ａ、
（ｑ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４（ＳｉＯ４）（ＳＯ４）Ｘ２：Ａ、
（ｒ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａ
から選択された化学式による蛍光体を提供し、ここで、
Ｍ１およびＭ２は各々別個にＭｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｚｎ２＋、およびＣｄ２＋からなる群から選択された少なくとも１つの金属イオンであり、
ｘは約０．００１から約１までの値であり、
Ｘはイオンの形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｙｂ２＋、Ｍｎ２＋、Ｂｉ３＋、Ｐｂ２＋、Ｃｅ３＋、Ｎｄ３＋、Ｐｒ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、およびＹｂ３＋からなる群から選択された少なくとも１つの活性化物質であり、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）２ＬｉＳｉＯ４Ｘ：Ａを有し、Ｍ１がＳｒ２＋であり、ｘが１であり、Ｘがフッ化物であるか、またはＭ２がＳｒ２＋であり、ｘが０であり、Ｘがフッ化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａを有し、Ｍ１がＣａ２＋であり、ｘが１であり、Ｘが塩化物であるか、またはＭ２がＣａ２＋であり、ｘが０であり、Ｘが塩化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａを有し、Ｍ１がＣａ２＋であり、ｘが１であり、Ｘが塩化物であるか、またはＭ２がＣａ２＋であり、ｘが０であり、Ｘが塩化物である場合、ＡはＥｕ２＋でない。
いくつかの実施形態では、活性化物質イオンは、母体結晶格子中の金属ストロンチウム、バリウム、またはカルシウムの一部（例えば、限定はしないが約１％から約１０％まで）と置き換わることができる。いくつかの実施形態では、活性化物質イオンは、母体結晶格子中の金属ストロンチウム、バリウム、またはカルシウムの約４％と置き換わることができる。
いくつかの実施形態では、活性化物質がＥｕ２＋を含んでいる場合、少なくとも１つの追加の活性化物質イオンが蛍光体の蛍光機能（例えば、放出波長もしくは帯域幅、または両方）を変更するのに有効な量だけ存在することを除いてＡと同じであるＡ’はＡと入れ替わることができる。
いくつかの実施形態では、活性化物質がＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、またはそれの組合せを含んでいる場合、少なくとも１つの追加の活性化物質イオンが、蛍光体の蛍光機能（例えば、放出波長もしくは帯域幅、または両方）を変更するのに有効な量だけ存在することを除いてＡと同じであるＡ”はＡと入れ替わることができる。
いくつかの実施形態では、活性化物質がＥｕ２＋、Ｐｂ２＋、Ｍｎ２＋、Ｂｉ３＋、Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、またはそれの組合せを含んでいる場合、少なくとも１つの追加の活性化物質イオンが、蛍光体の蛍光機能（例えば、放出波長もしくは帯域幅、または両方）を変更するのに有効な量だけ存在することを除いてＡと同じであるＡ＊はＡと入れ替わることができる。
本発明の蛍光体のいくつかの実施形態では、Ａは約０．００１％から約１０％までのモル百分率を有する。いくつかの実施形態では、Ａのモル百分率の範囲は、下の終点（それを含めてまたは除いて）、約０．００１％、約０．０１％、約０．０２％、約０．０５％、約０．１％、約０．２％、約０．５％、約１％、約２％、約３％、約４％、および約５％モルのうちの１つからであり、上の終点（それを含めてまたは除いて）、約０．０１％、約０．０２％、約０．０５％、約０．１％、約０．２％、約０．５％、約１％、約２％、約３％、約４％、約５％および約１０％モルのうちの１つからである。例えば、この範囲は約０．０１％から約５％モルまでとすることができる。Ａは実際には蛍光体の主（ｐｒｉｍａｒｙ）（すなわち、主（ｐｒｉｎｃｉｐａｌ）または主（ｍａｉｎ））金属成分と置き換わることができ、それにもかかわらず、主金属成分は、相対的な量で記載された場合、組み合わせられた主金属が化学式の量において欠けたＡを付属しているように存在しているかのように、規格化されて記載されることが当業者なら理解されよう。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体の放出ピークは、放出源が約４４０ｎｍ±１００ｎｍまたは約４００ｎｍ±１００ｎｍで照明される場合に測定される。いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体の放出範囲は、例えば、限定はしないが、下の終点（それを含めてまたは除いて）、約３００ｎｍ、約３０１ｎｍ、約３０２ｎｍ、約３０３ｎｍ、および１ｎｍずつの増加で約７９９ｎｍまでの各々のうちの１つからであり、上の終点（それを含めてまたは除いて）、約８００ｎｍ、約７９９ｎｍ、約７９８ｎｍ、約７９７ｎｍ、および１ｎｍずつの減少で約３８１ｎｍまでの各々のうちの１つからである。いくつかの実施形態では、放出範囲の下の終点は、例えば、限定はしないが、約４００ｎｍ、約４０１ｎｍ、約４０２ｎｍ、および１ｎｍずつの増加で約７９９ｎｍまでの各々である。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体の励起ピーク範囲は、例えば、限定はしないが、下の終点（それを含めてまたは除いて）、約２００ｎｍ、約２０１ｎｍ、約２０２ｎｍ、約２０３ｎｍ、および１ｎｍずつの増加で約５４９ｎｍまでの各々のうちの１つからであり、上の終点（それを含めてまたは除いて）、約５５０ｎｍ、約５４９ｎｍ、約５４８ｎｍ、約５４７ｎｍ、および１ｎｍずつの減少で約２０１ｎｍまでの各々のうちの１つからである。
本発明は、酸化物被覆を有する本発明の蛍光体をさらに提供する。いくつかの実施形態では、被覆された蛍光体は、（１）本発明の蛍光体と、（２）少なくとも１つの層を含む被覆とを含み、その層は少なくとも１つの酸化物を含む。被覆の層により、蛍光体は、非被覆された蛍光体と比較して、水が引き起こす劣化に比較的良好に耐えるようになる。すなわち、被覆の層は水によって刺激される劣化（その全ての形態で）に対する蛍光体の耐性を向上させ、例えば、限定はしないが、被覆された蛍光体は約１００時間の間約８５℃および約８５％相対湿度にさらされた後、当初の光学性能の約８０％を維持する。
いくつかの実施形態では、本発明の被覆された蛍光体の被覆の酸化物は、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、ケイ酸アルミニウム、Ａｌ８ＢＳｉ３Ｏ１９（ＯＨ）、Ｂ２Ａｌ２（ＳｉＯ４）２（ＯＨ）、ＺｎＡｌ２Ｏ４、Ａｌ２ＳｉＯ５、Ａｌ４（ＳｉＯ４）３、ＺｒＳｉＯ４、またはそれの組合せである。いくつかの実施形態では、酸化物は酸化チタン、酸化アルミニウム、または酸化ケイ素である。
いくつかの実施形態では、本発明の光ルミネセンス蛍光体の被覆された蛍光体の被覆は少なくとも２層を有する。いくつかの実施形態では、各層は、別個に、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、およびそれの組合せから選ばれた酸化物を含む。いくつかの実施形態では、被覆の１つの層は酸化チタンを含む。
いくつかの実施形態では、本発明の光ルミネセンス蛍光体の被覆された蛍光体の被覆は連続的である。
いくつかの実施形態では、本発明の被覆の酸化物層は、主として（例えば、≧約６０％）、１つのタイプの酸化物（金属または半導体成分によって決定されるような）、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、または酸化ケイ素の層を含む。いくつかの実施形態では、本発明の被覆は、主として１つのタイプの酸化物である２つ以上の層を含む。例えば、この層は、２つ以上の酸化チタン、酸化アルミニウム、または酸化ケイ素で別々に製作することができる。いくつかの実施形態では、本発明の被覆のある層は酸化ケイ素であり、別の層は酸化チタンまたは酸化アルミニウムである。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体の被覆は、１つのタイプの酸化物、例えば酸化チタンの単層とすることができ、または、被覆は多層とすることができ、すなわち１つより多い層または少なくとも２つの層を含み、その層は互いに無関係に異なるタイプの酸化物または酸化物の組合せを含み、例えば、ある層は酸化アルミニウムを含むことができ、別の層は酸化ケイ素を含むことができる。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体の被覆は実質的に透明とすることができ（有用な蛍光が保持されるように）、一般に約０．１ミクロンと約３．０ミクロンとの間の厚さ、または約０．０５ミクロンと約０．５０ミクロンとの間の厚さである。薄すぎる被覆（例えば、少なくとも約０．００５ミクロン（５ｎｍ）未満の厚さ）は、水分に対する不浸透性が不十分になる傾向があり、すなわち、被覆が蛍光体を水分から保護しなくなり、それによって蛍光体が劣化し、光ルミネセンスを失う。厚すぎる被覆（例えば、約３．０ミクロンよりも大きい厚さ）は透明性が減少する傾向があり、被覆された蛍光体の輝度が低減される。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体の被覆によって与えられる保護の量は、約８５℃および約８５％の湿度である期間の間保持される当初の放出強度の量によって測定することができる。いくつかの実施形態では、被覆された蛍光体は、少なくとも約３０分、少なくとも約１時間、または少なくとも約２時間の間これらの状態にさらされたとき、少なくとも約４０％、少なくとも約４５％、少なくとも約５０％、少なくとも約５５％、少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％の光ルミネッセンスを保持する。いくつかの実施形態では、被覆された蛍光体は、少なくとも約４時間、少なくとも約８時間、少なくとも約１２時間、少なくとも約１６時間、少なくとも約２４時間、少なくとも約４８時間、または少なくとも約９６時間の間これらの状態にさらされたとき、当初の放射強度の少なくとも約４０％、少なくとも約４５％、少なくとも約５０％、少なくとも約５５％、少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、または少なくとも約８０％を保持する。
さらに、本発明によって、本発明の蛍光体を酸化物被覆で被覆する方法が提供され、この方法は、（ａ）本発明の蛍光体を提供することと、（ｂ）被覆されていない場合よりも水が引き起こす劣化に蛍光体を比較的良好に耐えるようにする被覆の少なくとも１つの層を生成するために蛍光体を酸化物前駆物質と水にさらすこととを含む。被覆の方法は蛍光体の粒子およびグレーンを被覆する。
いくつかの実施形態では、蛍光体粒子（および／またはグレーン）は、全ての面が被覆操作の期間中に被覆気体または液体に実質的に等しくさらされる（すなわち、蛍光体粒子の表面の大部分、例えば約≧５０％がさらされる）ように、蛍光体粒子（および／またはグレーン）を撹拌するかまたは懸濁させることによって被覆される。例えば、限定はしないが、粒子は流動床中で懸濁させるか、または液体中で撹拌するかまたはかき混ぜることができる。粒子を流動体化するために使用されるガスは、粒子を被覆するために使用される気体を含むことができる。例えば、限定はしないが、ガスは不活性ガス担体（すなわち、通常の環境下で反応しないガス）および被覆用気体を含むことができる。搬送ガスは、被覆で使用する気体を搬送するために、主に（ｐｒｅｄｏｍｉｎａｔｅｌｙ）（すなわち、主に（ｐｒｉｎｃｉｐａｌｌｙ）、大部分または主に（ｐｒｉｍａｒｉｌｙ）、例えば、≧約６０％）液体または固体の形態の前駆物質の容器を通過することができる。容器および接続経路は十分な蒸気圧を維持するために必要に応じて加熱することができる。
２つ以上の酸化物前駆物質が同じ被覆層を形成するのに使用される場合、搬送ガスは別個の前駆物質の容器を別々に通過し、反応容器の被覆反応チャンバより前でまたはその中で混合することができる。別個の容器を通る相対的搬送ガス流量は、蒸気圧または実験的被覆結果を考慮して所望の量の前駆物質を運ぶように調節することができる。水蒸気は、適宜に、同様に加減された量で同様に反応容器に運ばれる。液体媒介の被覆方法では、いくつもの調合法を使用して液体中に多数の前駆物質を混合することができる。
気相および／または液相で生じる加水分解により被覆を遂行して表面酸化物を形成することができる。前者の例は化学蒸着法（ＣＶＤ）であり、後者の例はゾルゲルプロセスである。
気相堆積反応（すなわち、加水分解堆積反応）では、被覆されていない蛍光体粒子を搬送ガスによって反応チャンバ中で浮遊させて、その粒子を実質的に単一の粒子として分散させることができる（例えば、９５パーセントを超える（＞９５％）粒子が、群集、凝集、または凝結しない）。チャンバを加熱して、反応物に適切な温度（例えば、いくつかの実施では、約２００℃）を与えることができる。次に、気相の被覆前駆物質材料がチャンバに導入される。この温度条件下で、前駆物質の少なくとも一部（例えば約２０％）が加水分解的に分解されて蛍光体粒子の表面に酸化物層を形成し、それによって、蛍光体粒子をマイクロカプセル化する。本発明で使用することができる典型的な加水分解は以下の通りである。
ＴｉＣｌ４＋２Ｈ２Ｏ→ＴｉＯ２＋４ＨＣｌ
液相堆積（すなわち、加水分解堆積反応）では、被覆されていない蛍光体粉末（蛍光体粒子および／またはグレーンを含む）は、被覆前駆物質を含む不活性流動性媒体（すなわち、化学的に反応する能力が制限された媒体）に懸濁させることができる。粒子が十分に分散して懸濁液を形成し、凝集を形成する可能性がほとんどないように粉末は撹拌される。本明細書で使用されるとき、「懸濁液」はある物質（すなわち、分散される媒体）が別の物質（すなわち、分散媒体）内で細かく分散するコロイド状混合物を指す。次に、少量の水を懸濁液に加えて加水分解を開始することができる。必要ならば、反応は温度の上昇、例えば約７０℃によって加速される。加水分解は蛍光体粒子の表面に酸化物被覆の形成をもたらす。例えば、以下の反応はＳＣＳ粒子上への被覆ＳｉＯ２に使用することができる。
Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４＋２Ｈ２Ｏ→ＳｉＯ２＋４Ｃ２Ｈ５ＯＨ
いくつかの実施形態では、蛍光体を被覆する方法は加水分解堆積反応を含み、加水分解堆積反応は有用な蛍光（被覆のないバージョンの約８０％以上の光学性能を有する）を保持するために選択された温度で（所与の蛍光体を考慮して）行われる。気相堆積の温度は例えば約２５℃から約４００℃までとすることができる。その温度は、例えば、少なくとも２５℃、少なくとも約５０℃、少なくとも約７５℃、少なくとも約１００℃、少なくとも約１５０℃、または少なくとも約２００℃とすることができる。その温度は、例えば、高くても約４００℃、高くても約３００℃、高くても約２７５℃、高くても約２５０℃、高くても約２２５℃、または高くても約２００℃とすることができる。液相堆積の温度は、反応物と、溶媒と、温度への蛍光体の安定性とに応じて、例えば約２５℃から約９０℃までとすることができる。その温度は、例えば、少なくとも２５℃、少なくとも約３０℃、少なくとも約３５℃、少なくとも約４０℃、少なくとも約４５℃、少なくとも約５０℃、少なくとも約５５℃、少なくとも約６０℃、少なくとも約６５℃、または少なくとも約７０℃とすることができる。その温度は、例えば、高くても約９０℃、高くても約８５℃、高くても約８０℃、高くても約７５℃、高くても約７０℃、高くても約６５℃、高くても約６０℃、高くても約５５℃、または高くても約５０℃とすることができる。その温度は、当然、操作圧力における溶媒の沸点より低い。
本発明の被覆された蛍光体の被覆に有用な酸化物は、例えば、限定はしないが、酸化チタン（例えばＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（例えばＡｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（例えばＺｒＯ２）、酸化スズ（例えばＳｎＯ２）、酸化ホウ素（例えばＢ２Ｏ３）、酸化ケイ素（例えばＳｉＯ２）、酸化亜鉛（例えばＺｎＯ）、酸化ゲルマニウム（例えばＧｅＯ２）、酸化タンタル（例えばＴａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（例えばＮｂ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（例えばＨｆＯ２）、酸化ガリウム（例えばＧａ２Ｏ３）などである。さらに、本発明の被覆された蛍光体の被覆に有用な酸化物は、１つよりも多いタイプのカチオンで形成された酸化物、例えば、ケイ酸アルミニウム［例えば、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２またはムライト形態のものなど］、Ａｌ８ＢＳｉ３Ｏ１９（ＯＨ）［例えば、デュモルチエライト形態のものなど］、Ｂ２Ａｌ２（ＳｉＯ４）２（ＯＨ）［例えば、ユークレース形態のものなど］、ＺｎＡｌ２Ｏ４［例えば、亜鉛尖晶石形態のものなど］、Ａｌ２ＳｉＯ５［例えば、ケイセン石形態のものなど］、ＺｒＳｉＯ４［例えば、ジルコン形態のものなど］などである。いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体を被覆する方法で使用するために、加水分解的に酸化物を生成する揮発性または適度に可溶性の前駆物質が使用される。そのような前駆物質は当技術分野で知られている。
揮発性前駆物質は、例えば、限定はしないが、ハロゲン化金属（例えば四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）および四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４））、アルキル化金属（例えばトリメチルアルミニウム、（Ａｌ（ＣＨ３）３））、トリメチルホウ素（Ｂ（ＣＨ３）３）、テトラメチルゲルマニウム、Ｇｅ（ＣＨ３）４、およびテトラエチルジルコニウム、Ｚｒ（Ｃ２Ｈ５）４、混合ハロ（ｈａｌｏ）（すなわちフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ素、またはアスタチンを含む）、および金属のアルキル誘導体（例えばジメチルアルミニウム塩化物、ジエチルジクロルシラン）、金属または半導体アルコキシド（例えばチタン（ＩＶ）メトキシドおよびテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ））を含む。蒸気水を用いて、これらの化合物を加水分解してそれぞれの酸化物を生成することができる。本明細書で使用されるとき、「ハロゲン化金属」は、イオン結合または原子価結合される化学元素の周期表のＶＩＩ族元素の金属カチオンおよびアニオンを指す。本明細書で使用されるとき、「アルキル化金属」は、例えば、メチル、ジエチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ノニル、およびデシルなどの少なくとも１つのＣ１からＣ１６の直線基または分岐基を含む金属カチオンおよびアニオンを指す。本明細書で使用されるとき、「アルキル」は非分岐（すなわち、直鎖）または分岐（すなわち、非直鎖）の飽和炭化水素基を指す。実例のアルキル基は、限定はしないが、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、プロピル（例えばｎ−プロピルおよびイソプロピル）、ブチル（例えばｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル）、ペンチル（例えばｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル）などを含む。本発明のいくつかの実施形態では、アルキル基は、約１個から約１０個まで、約２個から約８個まで、約３個から約６個まで、約１個から約８個まで、約１個から約６個まで、約１個から約４個まで、約１個から約３個までの炭素原子を、または約１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、または１０個の炭素原子を含む。本明細書で使用されるとき、「アルコキシド」はアルキル−Ｏ−基を指し、アルキルは先に定義されている。
可溶性前駆物質は、例えば、金属または半導体アルコキシド（例えば、チタン（ＩＶ）メトキシドおよびジルコニウム（ＩＶ）ブトキシド）を含む。そのような化合物は加水分解によって酸化物を形成することができる。
本発明は、本発明の少なくとも１つの蛍光体を含む照明デバイスをさらに提供する。いくつかのそのような実施形態では、照明デバイスはさらに光源を含む。本明細書で使用されるとき、「光源」は、本発明の蛍光体以外のＩＩＩ−Ｖ族半導体量子井戸をベースとする発光ダイオードまたは蛍光体を指す。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは白色ＬＥＤランプである。いくつかのそのような実施形態では、白色ＬＥＤランプはＬＥＤと２つ以上の蛍光体とを含み、青色光または近紫外光でポンプされる。本明細書で使用されるとき、「近紫外光」は約３５０ｎｍから約４２０ｎｍまでの波長範囲を有する光を指す。いくつかのそのような実施形態では、白色ＬＥＤランプは少なくとも約８４の高いＣＲＩ、少なくとも約９０％の高い効率、および少なくとも約１０００００時間の長い寿命を提供する。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは、少なくとも２５０ｎｍの波長を有する光を放出する少なくとも１つのＬＥＤと、本明細書で説明される化学式を有する本発明の少なくとも１つの蛍光体とを含み、蛍光体はＬＥＤとデバイスの光出力部との間に配置される。
いくつかのそのような実施形態では、照明デバイスは少なくとも１つの追加の蛍光体をさらに含むことができる。追加の蛍光体は所望の色度の達成を援助することができる。追加の蛍光体は米国特許出願第１１／１４９６４８号（ワイ．ティアン）に開示されているような化学式、すなわち、化学式（Ｉ）の
［（ＢｖＳｉＯ３）ｘ（Ｍｖ２ＳｉＯ３）ｙ（Ｔｖ２（ＳｉＯ３）３）ｚ］ｍ（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｘ （Ｉ）
を有することができ、ここで、ｘ、ｙおよびｚは各々ｘ＋ｙ＋ｚ＝１になるような任意の値であり、Ｂｖは少なくとも１つの２価のアルカリ土類金属イオンであり、Ｍｖは少なくとも１つの１価のアルカリ金属イオンであり、Ｔｖは少なくとも１つの３価の金属イオンであり、ＲεはＥｕ２＋イオンおよびＭｎ２＋イオンから選択された少なくとも１つの活性化物質であり、Ｘはイオンまたは原子の形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンであり、ｍは１または０であり、但し、ｍが１であり、ホスト有効ルミネセンスに有効なケイ酸の量を与える場合、ｎは３よりも大きく、またはｍ＝０の場合、ｎは１である。本明細書で使用されるとき、「有効ルミネセンス」は、約４０％よりも高い量子効率をもつ放出可視光（約４００ｎｍから約７５０ｎｍの範囲の波長）を指す。
本発明の蛍光体と共に使用することができる他の追加の蛍光体は、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋（ＹＡＧ）、Ｌｕ３Ｇａ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｌａ３Ｉｎ２（ＡｌＯ４）３：Ｃｅ３＋、Ｃａ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、Ｓｒ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ３＋、ＢａＹＳｉＡｌＯ１２：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋、ＳｒＣａＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ：Ｅｕ２＋、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ：Ｅｕ２＋、ＳｒＳｉＡｌ２Ｏ３Ｎ２：Ｅｕ２＋、Ｂａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｌａ２Ｏ３・１１Ａｌ２Ｏ３：Ｍｎ２＋、Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、（ＣａＭ）（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ２＋，Ｔｂ３＋，Ｙｂ３＋、ＹＢＯ３：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕ２＋、ＢａＣａＳｉ７Ｎ１０：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）２Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｃｅ３＋、（ＢａＳｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、およびＣａＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ２＋を含む。
本発明の照明デバイスのいくつかの実施形態では、蛍光体は光源とデバイスの光出力部との間に配置される。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの光源は、例えば、量子井戸構造を備える発光層をもつ窒化ガリウムベースのＬＥＤを含むことができる。いくつかの実施形態では、光源は、ＬＥＤまたは蛍光体からの光を導くように配置された反射器を含むことができる。いくつかの実施形態では、蛍光体は、ＬＥＤの表面上にまたはそこから離して配置することができる。いくつかの実施形態では、光源は蛍光体をカプセル化する半透明の材料をさらに含むことができ、随意に、ＬＥＤの放出光の一部（例えば、限定はしないが、約３０％）が光出力部から出てくる。
照明デバイスで使用される場合、本発明の蛍光体は、例えば約２５０ｎｍから約５００ｎｍまたは約３００ｎｍから約４２０ｎｍの波長範囲で放出する半導体光源（例えばＬＥＤ）などの１次光源からの光によって、あるいは例えば約２５０ｎｍから約５００ｎｍまたは約３００ｎｍから約４２０ｎｍの波長範囲で放出する追加の蛍光体からの放出などの２次光源からの光によって励起することができることを認識されよう。励起光が２次である場合、本発明の蛍光体に関して、励起誘導光が適切な光源光となる。本発明の蛍光体を使用するデバイスは、例えば、限定はしないが、本発明の蛍光体によって生成された光をデバイス（例えば１次光源など）の内部に導くのではなく、そのような光を光出力部に導く例えば誘電体ミラーなどのミラーを含むことができる。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの半導体光源（例えばＬＥＤチップ）は、少なくとも約２５０ｎｍ、少なくとも約２５５ｎｍ、少なくとも約２６０ｎｍなど、約１ｎｍずつの増加で少なくとも約５００ｎｍまでの光を放出する。半導体光源は、いくつかの実施形態では、高くても約５００ｎｍ、高くても約４９５ｎｍ、高くても約４９０ｎｍなど、約１ｎｍずつの増加で高くても約３００ｎｍまでの光を放出する。
いくつかの実施形態では、本発明の蛍光体は、固着剤、凝固剤、分散剤（すなわち、光散乱材料）、充填剤などを用いて本発明の照明デバイス中に分散することができる。固着剤は、例えば、限定はしないが、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂などの光硬化重合体、ガラス、石英などとすることができる。本発明の蛍光体は当技術分野で知られている方法によって固着剤中に分散することができる。例えば、いくつかの実施形態では、蛍光体は、溶媒中に懸濁されたか、溶解されたか、または部分的に溶解された重合体を備えた溶媒中に懸濁することができ、それによりスラリーを形成し、次に、スラリーを照明デバイス上に分散し、そこから溶媒を蒸発することができる。いくつかの実施形態では、蛍光体は、例えば樹脂に対して予備硬化された前駆物質などの液体中に懸濁してスラリーを形成し、次に、スラリーを照明デバイス上に分散し、そこで重合体（樹脂）を硬化することができる。硬化は、例えば、熱、ＵＶ、または前駆物質と混合された硬化剤（例えば遊離基開始剤など）によることができる。本明細書で使用されるとき、「硬化（ｃｕｒｅ）」または「硬化（ｃｕｒｉｎｇ）」は、多くの場合、物質またはそれの混合物の安定性または有用性を改善するために、物質またはそれの混合物を重合するかまたは固化することを指すか、それに関係するか、またはそれのプロセスである。
いくつかの実施形態では、照明デバイス中に蛍光体を分散させるのに使用される固着剤は熱で液化することができ、それによってスラリーが形成され、次に、スラリーは照明デバイス上に分散され、その場で固化することができる。分散剤は、例えば、限定はしないが、酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素などを含む。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスは、励起エネルギーを生成するかまたは別のシステムを励起して本発明の蛍光体に励起エネルギーを供給するために、ＬＥＤなどの半導体光源を含む。本発明を使用するデバイスは、例えば、限定はしないが、白色光生成用照明デバイス、藍色光生成用照明デバイス、青色光生成用照明デバイス、緑色光生成用照明デバイス、黄色光生成用照明デバイス、オレンジ色光生成用照明デバイス、ピンク色光生成用照明デバイス、赤色光生成用照明デバイス、または本発明の光ルミネセンス蛍光体の色度ベクトルと少なくとも１つの第２の光源の色度ベクトルとの間の合成色度ベクトルによって定められた出力色度をもつ照明デバイスを含むことができる。車両用のヘッドライトまたは他のナビゲーション灯を本発明の照明デバイスで製作することができる。照明デバイスは、携帯電話および携帯情報端末（ＰＤＡ）などの小さい電子デバイス用の出力表示器とすることができる。本発明の照明デバイスは、携帯電話、ＰＤＡ、およびラップトップ・コンピュータ用の液晶表示器のバックライトとすることもできる。適切な電力供給が与えられれば、室内照明を本発明のデバイスに基づいて行うことができる。本発明の照明デバイスの温感（すなわち、黄色／赤色の色度の量）は、本発明の蛍光体からの光と第２の光源（本発明の第２の光ルミネセンス蛍光体を含めて）からの光の比を選択することによって調整することができる。
本発明で使用するための適切な半導体光源は、本発明の蛍光体を励起する光を、または異なる蛍光体を励起し、次に本発明の蛍光体を励起する光を生成するものも含む。そのような半導体光源は、例えば、限定はしないが、ＧａＮ（窒化ガリウム）型半導体光源、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｎ型半導体光源（ＩｎｉＡｌｊＧａｋＮ、ここでｉ＋ｊ＋ｋ＝約１、ｉ、ｊ、およびｋの２つ以上が０）、ＢＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＢＡｌＧａＮ、およびＢＩｎＡｌＧａＮ光源などとすることができる。半導体光源（例えば半導体チップ）は、例えばＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ量子井戸構造（化学元素の周期表の元素を組み合わせる、例えば、ＩＩＩ族からの元素をＶ族からの元素と、またはＩＩ族からの元素をＶＩ族からの元素と組み合わせる化合物を含む構造を意味する）に基づくことができる。いくつかの実施形態では、青色光または近紫外光放出用半導体光源が使用される。
いくつかの実施形態では、本発明の照明デバイスの半導体光源は、少なくとも２つの異なる蛍光体を有し、１つの母材中に蛍光体を一緒に分散させる代わりに層として蛍光体を重ね合わせて蛍光体を別々に分散させる。そのような層化を使用して、複数の色変換プロセスを介して最終光放出色を得ることができる。例えば、光放出プロセスは、本発明の第１の蛍光体による半導体光源の光放出の吸収と、第１の蛍光体による光放出と、第２の蛍光体による第１の蛍光体の光放出の吸収と、第２の蛍光体による光放出とである。いくつかの実施形態では、第２の蛍光体は本発明の蛍光体である。いくつかの実施形態では、第２の蛍光体は本発明の蛍光体ではない。
図４は、半導体光源の例示的な層状構造を示す。半導体光源は、例えばサファイア基板などの基板Ｓｂを含む。例えば、バッファ層Ｂ、ｎ型接触層ＮＣｔ、ｎ型クラッド層ＮＣｄ、多重量子井戸活性層ＭＱＷ、ｐ型クラッド層ＰＣｄ、およびｐ型接触層ＰＣｔが、窒化物半導体層としてその順で形成される。これらの層は、例えば有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって基板Ｓｂ上に形成することができる。その後、光透明電極ＬｔＥがｐ型接触層ＰＣｔの全表面上に形成され、ｐ電極ＰＥＩが光透明電極ＬｔＥの一部の上に形成され、ｎ電極ＮＥＩがｎ型接触層ＮＣｔの一部の上に形成される。これらの層は、例えばスパッタまたは真空蒸着によって形成することができる。
バッファ層Ｂは例えばＡｌＮで形成することができ、ｎ型接触層ＮＣｔは例えばＧａＮで形成することができる。
ｎ型クラッド層ＮＣｄは、例えば０≦ｒ＜１としてＡｌｒＧａ１−ｒＮで形成することができ、ｐ型クラッド層ＰＣｄは、例えば０＜ｑ＜１としてＡｌｑＧａ１−ｑＮで形成することができ、ｐ型接触層ＰＣｔは、例えば０≦ｓ＜１およびｓ＜ｑとしてＡｌｓＧａ１−ｓＮで形成することができる。ｐ型クラッド層ＰＣｄのバンドギャップはｎ型クラッド層ＮＣｄのバンドギャップよりも大きくされる。ｎ型クラッド層ＮＣｄおよびｐ型クラッド層ＰＣｄは各々単一組成の構造を有することができ、または超格子構造を設けるために、厚さが約１００オングストローム以下であり、組成が互いに異なる前述の窒化物半導体層が互いの上に積み重ねられるような構造を有することができる。層厚が約１００オングストローム以下である場合、層中に亀裂または結晶欠陥が発生するのを防ぐことができる。
多重量子井戸活性層ＭＱＷは、複数（すなわち、少なくとも２つ）のＩｎＧａＮ井戸層と複数のＧａＮ障壁層とによって構成することができる。井戸層および障壁層の厚さは、超格子構造を構成するように、約１００オングストローム以下、例えば約６０オングストロームから約７０オングストロームなどの厚さを有することができる。ＩｎＧａＮの結晶は他のアルミニウム含有窒化物半導体、例えばＡｌＧａＮなどよりも柔らかいので、活性層ＭＱＷを構成する層中にＩｎＧａＮを使用すると、積み重ねられた窒化物半導体層の全てが亀裂を生じにくいという利点を与えることができる。多重量子井戸活性層ＭＱＷは複数のＩｎＧａＮ井戸層と複数のＡｌＧａＮ障壁層とによって構成することもできる。または、多重量子井戸活性層ＭＱＷは、複数のＡｌＩｎＧａＮ井戸層と複数のＡｌＩｎＧａＮ障壁層とによって構成することができる。この場合、障壁層のバンドギャップ・エネルギーは井戸層のバンドギャップ・エネルギーより大きくすることができる。
いくつかの実施形態では、本発明の光源は、多重量子井戸活性層ＭＱＷから基板Ｓｂ側に、例えばｎ型接触層ＮＣｔのバッファ層Ｂ側に反射層を含む。反射層は、基板Ｓｂ上に積み重ねられた多重量子井戸活性層ＭＱＷから遠い（すなわち、ある距離をおいて）基板Ｓｂの表面上に設けることもできる。反射層は、活性層ＭＱＷから放出された光に対して最大反射率を有することができ、例えばアルミニウムで形成することができ、または薄いＧａＮ層の多層構造を有することができる。反射層を設けると、活性層ＭＱＷから放出された光が反射層から反射できるようになり、活性層ＭＱＷから放出された光の内部吸収を低減させることができ、上方（すなわち、デバイスから外に出る、または外部に向けておよび基板から離れる方向）への光出力の量を増加させることができ、光源用マウントへの光の入射を低減して劣化を防ぐことができる。
ＬＥＤと蛍光体とによって構成された本発明の照明デバイスのいくつかの例示的な構造が図１〜３に示される。図１は、リード線２によって電力供給されるＬＥＤチップ１（すなわち、１次光源）と、ＬＥＤチップと最終光出力部６との間に固定された蛍光体含有材料４とを有する発光デバイス１０を示す。反射器３は光出力を集中させるように働くことができる。透明な外囲器５はＬＥＤチップおよび蛍光体を環境から分離し、かつ／またはレンズを提供することができる。図２は、リード線２’によって電力供給されるＬＥＤチップ１’と、ＬＥＤチップと最終光出力部６’との間に固定された、この場合反射器３’の上にある蛍光体含有材料４’とを有する発光デバイス１０’を示す。反射器と、ＬＥＤチップから離れている蛍光体含有材料の場所とが最終光出力を集中させるように働くことができる。透明な外囲器５’はＬＥＤチップおよび蛍光体を環境から分離し、かつ／またはレンズを提供することができる。図３の照明デバイス２０は多数のＬＥＤチップ１１、リード線１２、蛍光体含有材料１４、および透明な外囲器１５を有する。
リード線２、２’、１２は厚いリード線枠によって支持された細線を含むことができ、またはリード線は自立電極を含み、リード線枠を省くことができる。リード線はＬＥＤチップに電流を供給し、したがって、ＬＥＤチップは放射を放出する。
半導体光源からの光が蛍光体との相互作用によって処理されるように、蛍光体を半導体光源（例えばＬＥＤ光源）に関連させるいくつもの方法があることを当業者なら理解されよう。米国特許出願公開第２００４／０１４５２８９号（エージェー オーダーカーク等）および米国特許出願公開第２００４／０１４５２８８号（エージェー オーダーカーク等）は、蛍光体が半導体光源の光出力部から離して配置されている照明デバイスを示している。米国特許第６９８２５２３号（ティー．オダキ）、米国特許第６９３６８５７号（ディー．ドクシー等）、米国特許出願公開第２００４／００１３５５０４号（エイチ．タマキ等）は、限定はしないが、本発明で使用することができる照明デバイスをさらに示している。
半導体光源ベースの白色光デバイスは、例えば、オーディオ・システム、家庭電化製品、計器、医療器具などの表示部分に所定のパターンまたはグラフィック・デザインを表示するための自己放出型表示器で使用することができる。そのような半導体光源ベースの光デバイスは、例えば、限定はしないが、液晶ダイオード（ＬＣＤ）表示器用バックライト、プリンタヘッド、ファクシミリ、複写装置などの光源として使用することもできる。
本発明は、
（ａ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）２ＬｉＳｉＯ４Ｘ：Ａ、
（ｂ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５ＳｉＯ４Ｘ６：Ａ、
（ｃ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ、
（ｄ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５（ＳｉＯ４）２Ｘ２：Ａ、
（ｅ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ２Ｏ７Ｘ４：Ａ、
（ｆ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１０（Ｓｉ２Ｏ７）３Ｘ２：Ａ、
（ｇ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ２Ｏ７Ｘ２：Ａ、
（ｈ） Ｍ１６Ｍ２４（Ｓｉ２Ｏ７）３Ｘ２：Ａ、
（ｉ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）７Ｓｉ２Ｏ７Ｘ８：Ａ、
（ｊ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ３Ｏ８Ｘ２：Ａ、
（ｋ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４Ｓｉ３Ｏ８Ｘ４：Ａ、
（ｌ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｓｉ４Ｏ１２Ｘ８：Ａ、
（ｍ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ２Ｏ６Ｘ６：Ａ、
（ｎ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１５Ｓｉ６Ｏ１８Ｘ８：Ａ、
（ｏ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）５Ｓｉ４Ｏ１０Ｘ５：Ａ、
（ｐ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）１０（ＳｉＯ４）３（ＳＯ４）３Ｘ２：Ａ、
（ｑ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）４（ＳｉＯ４）（ＳＯ４）Ｘ２：Ａ、
（ｒ） （Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａ
から選択された化学式を有する蛍光体を製作する方法も提供し、ここで、
Ｍ１およびＭ２は各々別個にＭｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｚｎ２＋、およびＣｄ２＋からなる群から選択された少なくとも１つの金属イオンであり、
ｘは約０．００１から約１までの値であり、
Ｘはイオンの形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンであり、
ＡはＥｕ２＋、Ｙｂ２＋、Ｍｎ２＋、Ｂｉ３＋、Ｐｂ２＋、Ｃｅ３＋、Ｎｄ３＋、Ｐｒ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｄｙ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｍ３＋、およびＹｂ３＋からなる群から選択された少なくとも１つの活性化物質イオンであり、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）２ＬｉＳｉＯ４Ｘ：Ａを有し、Ｍ１がＳｒ２＋であり、ｘが１であり、Ｘがフッ化物であるか、またはＭ２がＳｒ２＋であり、ｘが０であり、Ｘがフッ化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａを有し、Ｍ１がＣａ２＋であり、ｘが１であり、Ｘが塩化物であるか、またはＭ２がＣａ２＋であり、ｘが０であり、Ｘが塩化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
蛍光体が化学式（Ｍ１ｘＭ２１−ｘ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｘ２：Ａを有し、Ｍ１がＣａ２＋であり、ｘが１であり、Ｘが塩化物であるか、またはＭ２がＣａ２＋であり、ｘが０であり、Ｘが塩化物である場合、ＡはＥｕ２＋でなく、
この方法は、
１）上に示された化学式を有する蛍光体への前駆物質である金属ケイ酸塩を提供するステップと、
２）前述のものから少なくとも１つの活性化物質イオンを提供するステップと、
３）随意に、イオンまたは原子の形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンを提供するステップと、
４）混合物を形成するために、金属ケイ酸塩および活性化物質イオンを、イオンまたは原子の形態である金属ハロゲン化物イオンと混合するステップと、
５）蛍光体を生成するために混合物を加熱するステップとを含む。
蛍光体を製作する方法は、例えば、目標蛍光体の構成成分および／または加熱中にそのような構成成分を生成するように反応する化合物（前駆物質）からなる混合物を加熱することを含む。混合物は、随意に、最終生成物に組み入れられるのに必要なものよりも過剰に一部の金属ハロゲン化物（イオンまたは原子の形態で）を含む。混合は、均質混合物を保証するために粉砕と組み合わされることが可能である。加熱は、約６００℃以上、例えば約８００℃、約９００℃、または約１０００℃などの温度で約１時間以上の期間続けることができる。加熱は混合物の反応を生じさせ、活性化物質含有金属ケイ酸塩ハロゲン化物を生成する。加熱プロセスの一部は、活性化物質が最終生成物中に目標とした酸化状態で確実に存在するように不活性雰囲気または還元雰囲気で行うことができる。本明細書で使用されるとき、「還元」という用語は、電子が原子またはイオンに加えられる（酸素を除くかまたは水素を加えることによるとき）プロセスを指す。本発明の蛍光体を作る方法の加熱ステップの生成物は、過剰金属ハロゲン化物（イオンまたは原子の形態で）を、もし存在すれば、除去するために洗浄される。
本発明の方法のいくつかの実施形態では、生成された混合物は、少なくとも１つの活性化物質酸化物およびイオンまたは原子の形態の少なくとも１つの金属ハロゲン化物に加えて、少なくとも１つの金属ケイ酸塩を形成するために加熱している間に一緒に反応する化合物で構成することができる。
いくつかの実施形態では、本発明の方法は、随意に第１の加熱よりも高温の第２の加熱をさらに含む。いくつかのそのような実施形態では、この方法は、第１の加熱のステップと第２の加熱ステップとの間に粉砕のステップをさらに含む。いくつかのそのような実施形態では、加熱温度の範囲は、例えば、約８００℃、約８０１℃、約８０２℃、約８０３℃など、１℃ずつの増加で約１１９９℃までの下の終点（それを含めてまたは除いて）、および約１２００℃、約１１９９℃、約１１９８℃、約１１９７℃など、１℃ずつの減少で約８０１℃までの上の終点（それを含めてまたは除いて）を有する。
いくつかの実施形態では、本発明の方法は固体溶媒を使用する。いくつかのそのような実施形態では、ハロゲン化物（イオンまたは原子）以外のおよび随意に活性化物質以外の構成成分または前駆物質を加熱して、ハロゲン化物成分を欠いており、随意に活性化物質成分を欠いており、鉱物金属ケイ酸塩を含む前駆物質を形成する。金属ケイ酸塩は、目標温度で液体を形成するように選択された金属ハロゲン化物（イオンまたは原子）と混合される（例えば粉砕によって）。混合物は、蛍光体を得るために目標温度（ある範囲とすることができる、すなわち目標温度範囲）で加熱される。金属ハロゲン化物（イオンまたは原子）は溶媒として働き、ハロゲン化物源を提供する。いくつかのそのような実施形態では、第１の加熱ステップの加熱温度の範囲は、例えば、約９００℃、約９０１℃、約９０２℃、約９０３℃など、１℃ずつの増加で約１２９９℃までの下の終点（それを含めてまたは除いて）、および約１３００℃、約１２９９℃、約１２９８℃、約１２９７℃など、１℃ずつの減少で約９０１℃までの上の終点（それを含めてまたは除いて）を有する。いくつかのそのような実施形態では、目標温度の範囲は、例えば、約８００℃、約８０１℃、約８０２℃、約８０３℃など、１℃ずつの増加で約１１９９℃までの下の終点（それを含めてまたは除いて）、および約１２００℃、約１１９９℃、約１１９８℃、約１１９７℃など、１℃ずつの減少で約８０１℃までの上の終点（それを含めてまたは除いて）を有する。得られた金属ケイ酸塩ハロゲン化物は、多くの場合、金属ハロゲン化物（イオンまたは原子）が在る状態でさえ粉末Ｘ線回折によって同定することができる。有用な金属ハロゲン化物（イオンまたは原子）は、例えば、ＣａＣｌ２、ＳｒＣｌ２、ＢａＣｌ２、ＣａＢｒ２、ＳｒＢｒ２、ＢａＢｒ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＭｇＣｌ２、ＭｇＢｒ２、ＭｇＦ２、またはそれの混合物などを含む。
［実施例］
以下の実施例は当業者に本発明の製作および使用の方法の完全な開示および説明を提供するために提出され、発明者が発明と見なすものの範囲を限定するものではなく、以下の実験が全てであるかまたは行われた唯一の実験であることを示すものではない。使用される数値（例えば量、温度など）に対する精度を保証するために努力がなされたが、いくらかの実験誤差および偏差が考慮されるべきである。特に示さない限り、部は重量部であり、分子量は平均分子量であり、温度は摂氏度である。
（Ｃａ，Ｓｒ）３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋の作製
Ｅｕ２Ｏ３（０．６６ｇ）、ＳｉＯ２（１５．０２ｇ）、ＣａＣＯ３（４５．０ｇ）、およびＳｒＣＯ３（７．３８ｇ）の原料粉末がミリングジャー中で混合され粉砕された。次に、混合粉末は空気雰囲気中で約１０００℃で約５時間焼成された。焼成粉末は冷却され粉砕された。次に、ＣａＣｌ２（２０ｇ）が乳鉢／乳棒中で焼成粉末に加えられ混合された。次に、得られた粉末は、約７００℃で、形成ガス（５％Ｈ２／Ｎ２）中で、約３時間焼成された。次に、第２の焼成粉末はＣａＣｌ２（１０ｇ）と混合され、次に約７００℃で、形成ガス（５％Ｈ２／Ｎ２）中で、約３時間焼成された。蛍光励起スペクトルおよび放出スペクトルが図５に示される。Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターン（図６）は、蛍光体がＣａ３ＳｉＯ４Ｃｌ２の構造を有することを示している。
（Ｃａ，Ｓｒ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋の作製
実施例１の最終生成物（約５ｇ）がＭｇＣｌ２（２ｇ）と混合され、約８００℃で、形成ガス中で、約１０時間焼成された。蛍光体生成物は脱イオン水で３回洗浄され、次に、約１００℃で約１０時間乾燥された。蛍光体の蛍光励起スペクトルおよび放出スペクトルが図６に示される。蛍光体のＸＲＤパターンが図７に示される。
（Ｃａ，Ｓｒ）３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋をもつ白色ＬＥＤランプの作製
蛍光体混合物は、約０．３ｇのＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ−（赤色放出）、約０．３ｇのＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ−（青色放出）、および約０．６ｇの実施例１で作製された蛍光体（緑色放出）を混合することによって製作された。混合の後、約０．０４ｇの蛍光体混合物が約０．２ｇのシリコーン樹脂に加えられ混合されて、約２０ｗｔ％の蛍光体混合物を含むスラリーが与えられた。一方、反射器に取り付けられた４１０ｎｍ放出ＬＥＤチップは透明なシリコーン樹脂の層で被覆された。シリコーン層が硬化処理された後、スラリーがＬＥＤ上の硬化したシリコーンの層の上に塗布され、次に、１５０℃で約９時間硬化処理されて、図２に示されたようにＬＥＤチップから離れている蛍光体スラリーの層をＬＥＤランプに設けた。図９は、蛍光体混合物で製作されたＬＥＤランプの放出スペクトルを示す。ＬＥＤランプは、色度座標のｘ＝０．３１６７、ｙ＝０．３４７７、ＣＣＴ＝６１９７Ｋ、およびＲａ＝０．８３によって特徴づけられる。
（Ｃａ，Ｓｒ）８（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋をもつＬＥＤランプの作製
蛍光体混合物が、約０．３ｇのＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ−（赤色放出）、約０．３ｇのＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ−（青色放出）、および実施例２で作製された約０．５ｇの（Ｃａ，Ｓｒ）８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋（緑色放出）を混合することによって製作され、１：１．６：１のＲ：Ｇ：Ｂ比をもつ蛍光体混合物がもたらされた。混合の後、約０．０４ｇの蛍光体混合物が約０．２ｇのシリコーン樹脂と混合されて、約２０ｗｔ％の混合物を含むスラリーが与えられた。一方、反射器に取り付けられた４１０ｎｍ放出ＬＥＤチップは透明なシリコーン樹脂の層で被覆された。シリコーン層が硬化処理された後、蛍光体スラリーがＬＥＤ上の硬化したシリコーンの層の上に塗布され、次に、１５０℃で約９時間硬化処理されて、図２に示されたようにチップから離れている蛍光体スラリーの層をＬＥＤランプに設けた。図１０は、蛍光体混合物で製作されたＬＥＤランプの放出スペクトルを示す。ＬＥＤランプは、色度座標のｘ＝０．２６９２、ｙ＝０．３２９４、ＣＣＴ＝９２６４Ｋ、およびＲａ＝０．６９によって特徴づけられる。
酸化物被覆された蛍光体の作製
実施例１または２の蛍光体生成物などの本発明の蛍光体は、懸濁液を形成するために、約１００グラムの蛍光体を、約３４グラムのテトラエトキシシランを含む約３４０グラムの２−プロパノール中に懸濁させることによって酸化物被覆で被覆することができる。次に、懸濁液は約１０分間超音波処理される。次に、ｐＨ＝８．０（水酸化アンモニウムで調節された）の水（約２４グラム）が懸濁液に加えられる。次に、懸濁液は約１６時間保温され撹拌される。次に、固体が濾過され、約５０℃で約４時間乾燥される。得られた粉末は約１５０℃でＮ２ガス下で約１時間焼成されて被覆された蛍光体が提供される。次に、被覆された蛍光体は安定性試験として約８５℃および約８５％相対湿度に保持することがある。被覆された蛍光体の試験サンプルの蛍光放出は様々な時間で測定することができる。被覆された蛍光体の蛍光放出は、試験サンプルを励起するためのキセノンランプ（約４６０ｎｍで）および放出を検出するための光電子倍増管を使用して、ＳＰＥＸ−１６８０蛍光計（ＩＳＡ社、エジソン、ニュージャージー州）を使用して測定することができる。
本出願は、２００５年１２月２日に出願された米国特許仮出願第６０／７４１９８２号、および２００６年９月２７日に出願された米国特許出願第１１／５２７８３５号の優先権の利益を主張するものであり、それらは各々参照によりそっくりそのまま本明細書に組み込まれる。
特許および特許出願を含むがそれらに限定されない、本明細書に引用された出版物および参考文献は、それら全体として引用された全部分において、個々の出版物または参考文献を各々詳細に個別に指し示して、完全に記載されているものとして参照により本明細書に組み込まれているかのように、参照により本明細書に組み込まれる。本出願が優先権を主張するいずれの特許出願も、出版物および参考文献に対して先に記載したように参照により本明細書に組み込まれる。
本発明がいくつかの実施形態に重点を置いて説明されたが、実施形態の変更を使用することができ、本明細書で詳細に説明されたようなもの以外に本発明を実施することができるものであることが当業者には明らかであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義されるような本発明の趣旨および範囲内に含まれる全ての変更を含む。
本発明で使用することができる発光デバイスを示す図である。 本発明で使用することができる発光デバイスを示す図である。 本発明で使用することができる発光デバイスを示す図である。 本発明で使用することができるＬＥＤを示す図である。 本発明の蛍光体の実施例１の場合の放出／励起スペクトルを示す図である。 本発明の蛍光体の実施例１の場合のＸ線回折を示す図である。 本発明の蛍光体の実施例２の場合の放出／励起スペクトルを示す図である。 本発明の蛍光体の実施例２の場合のＸ線回折を示す図である。 実施例３の場合の本発明の蛍光体混合物で製作されたＬＥＤランプの放出スペクトルを示す図である。 実施例４の場合の本発明の蛍光体混合物で製作されたＬＥＤランプの放出スペクトルを示す図である。

Claims (19)

  1. （ＣａｘＳｒ１−ｘ）３ＳｉＯ４Ｘ２：Ａ
    の化学式を有し、
    ｘが０．０１から１であり、
    Ｘがフッ化物、塩化物、臭化物、またはそれの組合せであり、
    ＡがＥｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｅ３＋、またはそれの組合せである、蛍光体。
  2. Ｘが塩化物であり、ＡがＥｕ ２＋ である、また、 Ｅｕ２＋が前記蛍光体の０．０００１モルから０．１モルである、請求項１に記載の蛍光体。
  3. ａ）請求項１に記載の蛍光体と、
    ｂ）前記蛍光体上の被覆の少なくとも１つの層であって、少なくとも１つの酸化物を含む層と
    を含む被覆された蛍光体。
  4. 前記被覆が少なくとも２層を含む、請求項３に記載の被覆された蛍光体。
  5. ａ）少なくとも３００ｎｍの波長で光を放出する光源と、
    ｂ）請求項１に記載の少なくとも１つの蛍光体であって、
    （１）前記光源から放出された前記光の少なくとも一部を吸収することができ、
    （２）前記光源からの前記吸収された光の一部の色度を変更し、
    （３）前記光源からの前記吸収された光よりも長波長の光を放出する、
    前記蛍光体と
    を含む照明デバイス。
  6. 白色光を生成する、請求項５に記載の照明デバイス。
  7. 前記光源が発光ダイオード（ＬＥＤ）である、請求項５に記載の照明デバイス。
  8. 前記ＬＥＤがｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に挟まれた発光層を有する量子井戸構造を含む、請求項７に記載の照明デバイス。
  9. 前記ｐ型クラッド層がＡｌｑＧａ１−ｑＮで形成され、ここで、０＜ｑ＜１であり、
    前記ｎ型クラッド層がＡｌｒＧａ１−ｒＮで形成され、ここで、０≦ｒ＜１であり、
    随意に、前記ｐ型クラッド層が前記ｎ型クラッド層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する、請求項８に記載の照明デバイス。
  10. 前記ＬＥＤが、インジウムと少なくとも１つの量子井戸構造とを含む発光層を含む、請求項９に記載の照明デバイス。
  11. 随意に、少なくとも１つの量子井戸構造がＩｎＧａＮの少なくとも１つの井戸層とＧａＮの少なくとも１つの障壁層とを含み、
    随意に、少なくとも１つの量子井戸構造がＩｎＧａＮの少なくとも１つの井戸層とＡｌＧａＮの少なくとも１つの障壁層とを含み、
    随意に、少なくとも１つの量子井戸構造がＡｌＩｎＧａＮの少なくとも１つの井戸層とＡｌＩｎＧａＮの少なくとも１つの障壁層とを含み、
    少なくとも１つの障壁層が少なくとも１つの井戸層のバンドギャップ・エネルギーよりも大きいバンドギャップ・エネルギーを有し、随意に、前記井戸層がせいぜい１００オングストロームの厚さを有する、請求項１０に記載の照明デバイス。
  12. Ｘが塩化物であり、ＡがＥｕ ２＋ である、また、
    Ｅｕ２＋が前記蛍光体の０．０００１モルから０．１モルである、請求項５に記載の照明デバイス。
  13. 化学式（Ｉ）の
    ＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｙ （Ｉ）
    を有する少なくとも１つの追加の蛍光体をさらに含み、
    ＲεがＥｕ２＋およびＭｎ２＋からなる群から選択された少なくとも１つの活性化物質イオンであり、
    Ｙがイオンまたは原子の形態の少なくとも１つのハロゲン化物イオンであるかまたは存在しない、請求項１２に記載の照明デバイス。
  14. 前記少なくとも１つの追加の蛍光体が化学式（ＩＩ）の
    ＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ− （ＩＩ）
    を含み、前記追加の蛍光体が青色光を放出する、請求項１３に記載の照明デバイス。
  15. 前記少なくとも１つの追加の蛍光体が化学式（ＩＩＩ）の
    ＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ− （ＩＩＩ）
    を含み、前記追加の蛍光体が赤色光を放出する、請求項１３に記載の照明デバイス。
  16. 少なくとも２つの追加の蛍光体をさらに含み、
    １つの蛍光体が化学式（ＩＩ）の
    ＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ− （ＩＩ）
    を含み、
    第２の蛍光体が化学式（ＩＩＩ）の
    ＣａＳｉＯ３・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ− （ＩＩＩ）
    を含む、請求項１２に記載の照明デバイス。
  17. 白色光を放出する、請求項１６に記載の照明デバイス。
  18. 前記蛍光体が少なくとも１つの酸化物を含む被覆の少なくとも１つの層をさらに含む、請求項５に記載の照明デバイス。
  19. 白色光を生成する、請求項１８に記載の照明デバイス。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
AU2007248756A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Carol Lenk Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
CA2645353A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-15 Superbulbs, Inc. Plastic led bulb
BRPI0710966A2 (pt) 2006-05-02 2012-02-28 Superbulbs, Inc projeto de remoção de calor para bulbos de led
KR101497104B1 (ko) * 2006-10-03 2015-02-27 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 ｌｅｄ 조명 디바이스
US20080185600A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 World Properties, Inc. Phosphor particles with plural coatings for LEDs
JP5222600B2 (ja) * 2007-04-05 2013-06-26 株式会社小糸製作所 蛍光体
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
JP5360857B2 (ja) * 2007-05-17 2013-12-04 Ｎｅｃライティング株式会社 緑色発光蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子
WO2009045438A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Superbulbs, Inc. Glass led light bulbs
US7915627B2 (en) * 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8415695B2 (en) 2007-10-24 2013-04-09 Switch Bulb Company, Inc. Diffuser for LED light sources
DE102007053285A1 (de) * 2007-11-08 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung von beschichteten Leuchtstoffen
JP5369295B2 (ja) * 2007-11-08 2013-12-18 住友金属鉱山株式会社 表面被覆ストロンチウムシリケート蛍光体粒子及びその製造方法並びに該蛍光体粒子を具備する発光ダイオード
DE102007053770A1 (de) * 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Beschichtete Leuchtstoffpartikel mit Brechungsindex-Anpassung
CN101878280B (zh) * 2007-11-30 2013-05-01 日亚化学工业株式会社 荧光体及使用其的发光装置以及荧光体的制造方法
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
WO2009119548A1 (ja) * 2008-03-26 2009-10-01 株式会社村田製作所 無線ｉｃデバイス
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
KR20100070731A (ko) * 2008-12-18 2010-06-28 삼성전자주식회사 할로실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자
JP4873024B2 (ja) * 2009-02-23 2012-02-08 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP5310087B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP5326777B2 (ja) * 2009-04-27 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法
FI20095967A (fi) * 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
JP5840499B2 (ja) 2009-12-21 2016-01-06 株式会社小糸製作所 蛍光体および発光装置
US8593062B2 (en) 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
CN102906219B (zh) * 2010-06-18 2014-05-21 海洋王照明科技股份有限公司 卤硅酸盐发光材料及其制备方法和应用
CN103068952A (zh) * 2010-08-26 2013-04-24 默克专利有限公司 硅酸盐基无机发光材料
TW201226530A (en) * 2010-12-20 2012-07-01 Univ Nat Chiao Tung Yellow phosphor having oxyapatite structure, preparation method and white light-emitting diode thereof
USD762918S1 (en) 2014-05-21 2016-08-02 II Stephen Travis Fitzwater Cordless decorative lamp for interchangeable bases
KR101503797B1 (ko) * 2011-02-28 2015-03-19 성균관대학교산학협력단 염소-함유 실리케이트계 형광체의 알칼리 처리를 이용하여 제조된 형광체 분말 및 그의 제조 방법
KR101388189B1 (ko) * 2011-02-28 2014-04-24 성균관대학교산학협력단 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조 방법
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
KR101356962B1 (ko) * 2011-10-17 2014-02-04 한국과학기술원 산화물계 녹색 형광체 및 그의 제조방법 및 이를 이용한 백색 ｌｅｄ
CN102492418A (zh) * 2011-12-12 2012-06-13 苏州大学 一种适于近紫外光激发的绿色荧光粉及其制备方法
KR101471129B1 (ko) * 2012-09-03 2014-12-11 성균관대학교산학협력단 녹색 형광체 및 이의 제조 방법
CN103013504B (zh) * 2012-12-14 2014-12-03 陕西科技大学 白光LED 用单一基质Ca2SiO3Cl2: xTb3+荧光粉的制备方法
CN103074055B (zh) * 2013-01-24 2015-07-29 陕西科技大学 一种白光led用全色荧光粉及其制备方法
KR101434459B1 (ko) * 2013-08-20 2014-08-26 한국화학연구원 신규한 근자외선 여기용 브로모실리케이트계 형광체
JP6195117B2 (ja) 2013-12-03 2017-09-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 酸塩化物蛍光体、発光装置、照明装置、及び車両
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
US9890328B2 (en) 2014-12-12 2018-02-13 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
US9537061B2 (en) * 2014-12-12 2017-01-03 General Electric Company Phosphor compositions and lighting apparatus thereof
JP2018526471A (ja) * 2015-06-23 2018-09-13 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 蛍光体組成物およびその照明装置
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
CN105238397B (zh) * 2015-11-02 2017-10-13 吉林大学 一种基于Pb2+离子的紫外上转换发光材料
JP6414190B2 (ja) * 2016-03-28 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 蛍光体の製造方法
US10663121B2 (en) * 2016-03-30 2020-05-26 Sony Corporation Light-emitting device, light source unit, and projection display apparatus
US9605199B1 (en) * 2016-03-31 2017-03-28 General Electric Company Oxy-bromide phosphors and uses thereof
CN110938427A (zh) * 2019-11-29 2020-03-31 湖北大学 稀土金属掺杂的碱土金属硅酸盐材料及其制备方法、应用和发光装置
CN112788807B (zh) * 2020-12-30 2022-09-13 宁波升谱光电股份有限公司 农业病虫害防治用集成式led光源制备装置及其方法
CN116120924B (zh) * 2023-02-28 2023-07-18 常熟理工学院 Eu2+激活的绿发光荧光粉及其制备方法、应用

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB864343A (en) 1956-07-06 1961-04-06 Ass Elect Ind Improvements in luminescent materials
GB1087655A (en) 1965-04-14 1967-10-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to luminescent materials
DE10028266A1 (de) 2000-06-09 2001-12-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Hocheffizienter Leuchtstoff
US3790490A (en) 1971-03-03 1974-02-05 Gen Electric Europium and manganese activated strontium chlorosilicate phosphor
GB1414381A (en) 1973-01-01 1975-11-19 Gen Electric Co Ltd Luminescent materials
JPS57166529A (en) 1981-04-07 1982-10-14 Omron Tateisi Electronics Co Method and device for measuring temperature
US5140163A (en) * 1987-08-17 1992-08-18 Agfa-Gevaert, N.V. Reproduction of X-ray images with photostimulable phosphor
KR100315106B1 (ko) * 1994-07-26 2002-02-19 김순택 표시소자
EP0856202A2 (en) 1996-06-11 1998-08-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
WO1998037165A1 (en) * 1997-02-24 1998-08-27 Superior Micropowders Llc Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
EP0907970B1 (de) 1997-03-03 2007-11-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
US5958591A (en) 1997-06-30 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electroluminescent phosphor particles encapsulated with an aluminum oxide based multiple oxide coating
US6278135B1 (en) 1998-02-06 2001-08-21 General Electric Company Green-light emitting phosphors and light sources using the same
US6255670B1 (en) 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
WO2000002261A1 (de) 1998-06-30 2000-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Lichtquelle zur erzeugung sichtbaren lichts
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
WO2000019546A1 (en) 1998-09-28 2000-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
US6373188B1 (en) 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
TW498102B (en) 1998-12-28 2002-08-11 Futaba Denshi Kogyo Kk A process for preparing GaN fluorescent substance
US6212213B1 (en) 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US6273589B1 (en) 1999-01-29 2001-08-14 Agilent Technologies, Inc. Solid state illumination source utilizing dichroic reflectors
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6155699A (en) 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
TW455908B (en) 1999-04-20 2001-09-21 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting system
US6811813B1 (en) 1999-05-19 2004-11-02 Sarnoff Corporation Method of coating micrometer sized inorganic particles
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
AU7617800A (en) 1999-09-27 2001-04-30 Lumileds Lighting U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
JP4350232B2 (ja) 1999-10-05 2009-10-21 株式会社朝日ラバー 蛍光被覆体製造支援方法、及びその製造支援システム
DE19952932C1 (de) 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
RU2214073C2 (ru) 1999-12-30 2003-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Кристаллы и Технологии" Источник белого света
DE10001189A1 (de) 2000-01-14 2001-07-19 Philips Corp Intellectual Pty Flüssigkristallbildschirm mit fluoreszierender Frontplatte
JP4406490B2 (ja) 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
TW480744B (en) 2000-03-14 2002-03-21 Lumileds Lighting Bv Light-emitting diode, lighting device and method of manufacturing same
US6603258B1 (en) 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
US6501100B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
DE10026435A1 (de) 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
JP4695819B2 (ja) 2000-05-29 2011-06-08 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング Ｌｅｄをベースとする白色発光照明ユニット
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
WO2002011173A1 (en) 2000-07-28 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
US6544438B2 (en) 2000-08-02 2003-04-08 Sarnoff Corporation Preparation of high emission efficiency alkaline earth metal thiogallate phosphors
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6417019B1 (en) 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
US6596195B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US6632379B2 (en) 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
FR2826016B1 (fr) 2001-06-13 2004-07-23 Rhodia Elect & Catalysis Compose a base d'un alcalino-terreux, de soufre et d'aluminium, de gallium ou d'indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore
KR20080087049A (ko) 2001-09-03 2008-09-29 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 형광체 층, 반도체발광장치, 반도체발광소자의 제조방법
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
KR100894372B1 (ko) 2001-10-01 2009-04-22 파나소닉 주식회사 반도체 발광소자와 이를 이용한 발광장치
EP1451264A4 (en) 2001-11-14 2007-07-18 Sarnoff Corp RED PHOTOLUMINESCENT PHOSPHORES
EP1433831B1 (en) 2002-03-22 2018-06-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP2003306674A (ja) 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
US20030222268A1 (en) 2002-05-31 2003-12-04 Yocom Perry Niel Light sources having a continuous broad emission wavelength and phosphor compositions useful therefor
TW563261B (en) 2002-06-07 2003-11-21 Solidlite Corp A method and of manufacture for tri-color white LED
US6809471B2 (en) 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
US20050218781A1 (en) 2002-09-09 2005-10-06 Hsing Chen Triple wavelengths light emitting diode
US20050218780A1 (en) 2002-09-09 2005-10-06 Hsing Chen Method for manufacturing a triple wavelengths white LED
EP1413619A1 (en) 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
EP1413618A1 (en) 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US6717353B1 (en) 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US20040145312A1 (en) 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
US7091661B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7245072B2 (en) 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US20040159900A1 (en) 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
US7312560B2 (en) 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US6982523B2 (en) 2003-01-28 2006-01-03 Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho Red light emitting phosphor, its production and light emitting device
KR100511562B1 (ko) 2003-01-29 2005-09-02 한국화학연구원 백색 발광 다이오드 및 능동 발광형 액정 디스플레이에 적용되는 스트론튬실리케이트계 황색 형광체와 이의 제조방법
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
CN1759161A (zh) 2003-03-04 2006-04-12 沙诺夫股份有限公司 粒度选择的高效发绿光磷光体
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US6982045B2 (en) 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP2005272831A (ja) * 2004-02-27 2005-10-06 Sumitomo Chemical Co Ltd ケイ酸塩蛍光体の製造方法
JPWO2005086239A1 (ja) 2004-03-05 2008-01-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
US7573072B2 (en) 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US7586127B2 (en) 2004-03-29 2009-09-08 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting diode
US7488990B2 (en) 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
US7229573B2 (en) 2004-04-20 2007-06-12 Gelcore, Llc Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation
JP2006012770A (ja) * 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
CN100459192C (zh) 2004-06-23 2009-02-04 罗姆股份有限公司 白色发光元件及其制造方法
JP2008506011A (ja) 2004-07-06 2008-02-28 サーノフ コーポレーション 効率的な緑色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体との組合せ
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20060181192A1 (en) 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7390437B2 (en) 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
US7267787B2 (en) 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US7575697B2 (en) 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7311858B2 (en) 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US20060027785A1 (en) 2004-08-04 2006-02-09 Intematix Corporation Novel silicate-based yellow-green phosphors
US20060049414A1 (en) 2004-08-19 2006-03-09 Chandran Ramachandran G Novel oxynitride phosphors
US20070247051A1 (en) 2004-09-07 2007-10-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor, Phosphor Paste and Light-Emitting Device
KR100638619B1 (ko) 2004-09-23 2006-10-26 삼성전기주식회사 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치
US7321191B2 (en) * 2004-11-02 2008-01-22 Lumination Llc Phosphor blends for green traffic signals
US7276183B2 (en) 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
JP5245222B2 (ja) * 2005-08-10 2013-07-24 三菱化学株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
US8277687B2 (en) 2005-08-10 2012-10-02 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting device using same
KR101497104B1 (ko) * 2006-10-03 2015-02-27 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 ｌｅｄ 조명 디바이스

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