JP5204825B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置(以降、適宜「本発明装置1」と称す)の一構成例を図1に示す。尚、図1において、従来の半導体記憶装置と共通する部分については、共通の符号を付して説明する。図1に示すように、本発明装置は、1R型メモリセル(図2の符号14aを参照)をマトリクス状に配列したメモリセルアレイ15aの周辺に、ビット線デコーダ16、ワード線デコーダ17、制御回路20、書き換え電圧印加回路22a、リフォーミング電圧印加回路22b、読み出し回路23、及び、ライトカウンタ30を備えて構成される。
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置(以降、適宜「本発明装置2」と称す)の一構成例を図10に示す。尚、図10において、従来の半導体記憶装置、又は図1の本発明装置1と共通する部分については、共通の符号を付して説明する。
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置(以降、適宜「本発明装置3」と称す)の一構成例を図13に示す。尚、図13において、従来の半導体記憶装置、又は図1の本発明装置1と共通する部分については、共通の符号を付して説明する。
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置(以降、適宜「本発明装置4」と称す)の一構成例を図16に示す。尚、図16において、従来の半導体記憶装置、又は図1の本発明装置1と共通する部分については、共通の符号を付して説明する。
上述の実施形態では、メモリセルアレイ15が1R型のメモリセルをマトリクス状に配列してなる半導体記憶装置について本発明を適用したが、本発明はメモリセルの構造によりその適用が制限されるものではない。メモリセルアレイが1T1R型のメモリセルからなる場合の例を以下に示す。
以下に、本発明の別実施形態について説明する。
12: 可変抵抗素子
13: 選択トランジスタ
14a,14b: メモリセル
15a,15b: メモリセルアレイ
16,26: ビット線デコーダ
17,27: ワード線デコーダ
18: アドレス線
19: データ線
20: 制御回路
21: 制御信号線
22: 電圧印加回路
22a: 書き換え電圧印加回路
22b: リフォーミング電圧印加回路
23: 読み出し回路
24: ECC回路
25: ソース線デコーダ
30: ライトカウンタ
31: エラーカウンタ
32: リフォーミングカウンタ
101: 可変抵抗素子の上部電極
102: 可変抵抗体
103: 可変抵抗素子の下部電極
BL1〜BLm: ビット線
BLs: 選択ビット線
BLu: 非選択ビット線
M0: 選択メモリセル
M1: 第1非選択メモリセル
M2: 第2非選択メモリセル
M3: 第3非選択メモリセル
SL1〜SLn: ソース線
SLs: 選択ソース線
SLu: 非選択ソース線
Te: 消去期間
Tread: 読み出し期間
Tree: 消去リフォーミング期間
Trew: 書き込みリフォーミング期間
Trewup: 書き込みリフォーミングにおけるパルスの立ち上がり期間
Trewdw: 書き込みリフォーミングにおけるパルスの立ち下がり期間
Tw: 書き込み期間
Vb: メモリセルアレイバイアス電圧
Vcc: 電源電圧
Vrewrt: 書き込みリフォーミングの電圧
Vrerst: 消去リフォーミングの電圧
Vrst: 消去電圧
Vr: 読み出し電圧
Vss: 接地電圧
Vwrt: 書き込み電圧
Vww: 書き込み時に選択ワード線に印加されるゲート電圧
Vwr: 消去時に選択ワード線に印加されるゲート電圧
Vrewr:書き込みリフォーミング時に選択ワード線に印加されるゲート電圧
Vreww:消去リフォーミング時に選択ワード線に印加されるゲート電圧
WL1〜WLn: ワード線
WLs: 選択ワード線
WLu: 非選択ワード線
Claims (20)
- 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧印加回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、を備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記リフォーミング電圧パルスの少なくとも一つは、当該リフォーミング電圧パルスが対応付けられている前記書き換え電圧パルスよりもパルス印加時間が長く、且つピーク電圧の絶対値が小さい長パルスリフォーミング電圧パルスであることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記長パルスリフォーミング電圧パルスは、当該長パルスリフォーミング電圧パルスが対応付けられている前記書き換え電圧パルスよりもパルスの立ち上がり時間または立ち下がり時間が長いことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧印加回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、を備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記リフォーミング電圧パルスの少なくとも一つは、当該リフォーミング電圧パルスが対応付けられている前記書き換え電圧パルスよりもパルス印加時間が長く、且つパルスの立ち上がり時間または立ち下がり時間が長い長パルスリフォーミング電圧パルスであることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記長パルスリフォーミング電圧パルスは、そのピーク電圧に至るまでの印加電圧の絶対値が時間と共に階段状に上昇するか、又は、そのピーク電圧からの印加電圧の絶対値が時間と共に階段状に減少するパルスであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧印加回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、を備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記リフォーミング電圧パルスの少なくとも一つは、当該リフォーミング電圧パルスが対応付けられている前記書き換え電圧パルスよりもパルス印加時間が長い長パルスリフォーミング電圧パルスであり、
前記長パルスリフォーミング電圧パルスは、そのピーク電圧に至るまでの印加電圧の絶対値が時間と共に階段状に上昇するか、又は、そのピーク電圧からの印加電圧の絶対値が時間と共に階段状に減少するパルスであることを特徴とする半導体記憶装置。 - ECC回路を備え、
エラーカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記エラーカウンタの夫々は、
前記メモリセルアレイ内の当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに記憶された情報の読み出しにおいて、前記ECC回路が誤り訂正を行った回数を記憶し、
前記エラーカウンタの値が所定の第1設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧印加回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、
ECC回路と、を備え、
エラーカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記エラーカウンタの夫々は、
前記メモリセルアレイ内の当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに記憶された情報の読み出しにおいて、前記ECC回路が誤り訂正を行った回数を記憶し、
前記エラーカウンタの値が所定の第1設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする半導体記憶装置。 - エラーカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記エラーカウンタの夫々は、
前記メモリセルアレイ内の当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記電流電圧特性が所定の第1設定範囲外であると前記読み出し回路が検出した回数を記憶し、
前記エラーカウンタの値が所定の第1設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧印加回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、を備え、
エラーカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記エラーカウンタの夫々は、
前記メモリセルアレイ内の当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルの前記可変抵抗素子の前記電流電圧特性が所定の第1設定範囲外であると前記読み出し回路が検出した回数を記憶し、
前記エラーカウンタの値が所定の第1設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする半導体記憶装置。 - エラーカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記エラーカウンタの夫々は、
前記書き換え電圧パルスの印加時において、前記メモリセルアレイ内の当該エラーカウンタと関連付けられた書き換え対象の前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流量が所定の第2設定範囲外であると前記読み出し回路が検出した回数を記憶し、
前記エラーカウンタの値が所定の第1設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、を備え、
エラーカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記エラーカウンタの夫々は、
前記書き換え電圧パルスの印加時において、前記メモリセルアレイ内の当該エラーカウンタと関連付けられた書き換え対象の前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流量が所定の第2設定範囲外であると前記読み出し回路が検出した回数を記憶し、
前記エラーカウンタの値が所定の第1設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該エラーカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記メモリセルアレイ内の前記可変抵抗素子の前記電流電圧特性が、所定の第1設定範囲外であると前記読み出し回路が検出した場合、
前記リフォーミング電圧印加回路が、
前記電流電圧特性が前記第1設定範囲外の当該可変抵抗素子を含む前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記書き換え電圧パルスの印加時において、書き換え対象の前記可変抵抗素子のうち少なくとも1つに流れる電流量が、所定の第2設定範囲外であると前記読み出し回路が検出した場合、
前記リフォーミング電圧印加回路が、
前記電流量が前記第2設定範囲外の当該可変抵抗素子を含む前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記リフォーミング電圧パルスの印加回数を記憶するリフォーミングカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記リフォーミングカウンタの値が所定の第2設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該リフォーミングカウンタと関連付けられた全ての前記メモリセルを含む前記サブメモリセルアレイ内の全ての前記メモリセル、或いは前記メモリセルアレイ内の全ての前記メモリセルに対して、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜13の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 可変抵抗体の両端に電極を担持し、当該両端の電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記電極間の電流電圧特性で規定される抵抗状態が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の一の抵抗状態を情報の記憶に用いる可変抵抗素子を備えてなる半導体記憶装置において、
前記可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記各メモリセルに印加される電圧を制御することにより、前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルの中から一または複数のメモリ動作対象の前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された書き換え対象の前記メモリセルに対して、前記可変抵抗素子の前記各抵抗状態を異なる状態に遷移させる書き換え電圧パルスを生成し、前記メモリセル選択回路を介して印加する書き換え電圧印加回路と、
前記書き換え電圧パルスの何れとも異なるリフォーミング電圧パルスを前記書き換え電圧パルスを複数回印加後の前記メモリセルに印加し、前記可変抵抗素子の少なくとも一つの前記抵抗状態に対して初期抵抗状態からの変動を修復するリフォーミング電圧印加回路と、
前記メモリセルの前記可変抵抗素子に流れる電流を検知する読み出し回路と、を備え、
前記リフォーミング電圧パルスの印加回数を記憶するリフォーミングカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記リフォーミング電圧印加回路は、
前記メモリセル選択回路により選択されたリフォーミング対象の前記メモリセルに対して、前記書き換え電圧パルスの何れか一つに対応する前記リフォーミング電圧パルスを少なくとも一つ生成して、前記メモリセル選択回路を介して印加し、
前記リフォーミングカウンタの値が所定の第2設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該リフォーミングカウンタと関連付けられた全ての前記メモリセルを含む前記サブメモリセルアレイ内の全ての前記メモリセル、或いは前記メモリセルアレイ内の全ての前記メモリセルに対して、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記リフォーミング電圧パルスの少なくとも一つは、当該リフォーミング電圧パルスが対応付けられている前記書き換え電圧パルスよりもパルス印加時間が長い長パルスリフォーミング電圧パルスであることを特徴とする請求項7、9、11及び15の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記書き換え電圧印加回路が、前記可変抵抗素子の前記抵抗状態を高抵抗状態から低抵抗状態に遷移させる第1書き換え電圧パルス、及び、前記可変抵抗素子の前記抵抗状態を前記低抵抗状態から前記高抵抗状態に遷移させる第2書き換え電圧パルスの何れか一方の電圧パルスを、前記メモリセル選択回路を介して、書き換え対象の前記メモリセルに印加し、
前記リフォーミング電圧印加回路が、前記第1書き換え電圧パルスに対応する前記リフォーミング電圧パルスである第1リフォーミング電圧パルス、又は、前記第2書き換え電圧パルスに対応する前記リフォーミング電圧パルスである第2リフォーミング電圧パルスのうち少なくとも何れか一方の電圧パルスを、リフォーミング対象の前記メモリセルに印加することを特徴とする請求項1〜16の何れか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記書き換え電圧印加回路により前記メモリセル選択回路を介して印加される前記書き換え電圧の印加回数を記憶するライトカウンタを、前記メモリセルアレイの行または列毎に、或いは前記メモリセルアレイを分割してなるサブメモリセルアレイ毎に、又は、前記メモリセルアレイ毎に備え、
前記ライトカウンタの値が所定の第3設定値に達した場合、前記リフォーミング電圧印加回路が、当該ライトカウンタと関連付けられた前記メモリセルに、前記メモリセル選択回路を介して前記リフォーミング電圧パルスを印加することを特徴とする請求項1〜17の何れか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記可変抵抗体が、遷移金属の酸化物または酸窒化物を含んでなることを特徴とする請求項1〜18の何れか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記可変抵抗体が、Hf、Ta、Ti、Co、Ni、Cuの中から選択される遷移金属の酸化物または酸窒化物を含んでなることを特徴とする請求項19に記載の半導体記憶装置。
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