JP4496238B2 - 不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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Description
電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子を用いたメモリセルを配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの所定のメモリセル群に対する書き込み又は消去データを保持する第1のデータラッチと、
前記所定のメモリセル群に対する書き込み又は消去時の参照データを保持する第2のデータラッチとを有し、
前記第1のデータラッチのデータに基づいて前記所定のメモリセル群に対する選択的な書き込み又は消去動作が行われ、かつ前記第2のデータラッチの参照データに基づいて前記書き込み又は消去動作に伴う書き込み又は消去ディスターブに対する補償動作が行われることを特徴とする。
電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子を用いたメモリセルを配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの書き込み又は読み出しデータを保持するための第1及び第2のデータラッチとを備え、
前記メモリセルアレイの所定のメモリセル群の一部に対する書き込みデータを前記第1のデータラッチに保持し、
前記所定のメモリセル群の残部の既書き込みデータを読み出して前記第2のデータラッチに保持し、
前記所定のメモリセル群について一括消去の後、前記第1及び第2のデータラッチのデータに基づいて、前記所定のメモリセル群に書き込みが行われるようにしたことを特徴とする。
図10は、第1の書き込み方式における書き込み電圧波形を示している。この方式では、選択メモリセルに対して、所定パルス幅Tsetの書き込み(セット)パルス電圧Vsetを与えた後、その書き込み動作で弱書き込みモードとなってディスターブを受ける隣接非選択メモリセルに対して、補償のためのパルス幅Twreset(Twreset>Tset)の弱消去パルス電圧Vwresetを与える。この補償用の弱消去パルス電圧Vwrestは、書き込み電圧Vsetより勿論低く、通常の消去パルス電圧Vresetよりも低い。
図12は、第1の消去方式の消去電圧波形を示している。この方式では、選択メモリセルに対して、所定パルス幅Tresetの消去(リセット)パルス電圧Vresetを与えた後、その消去動作で弱消去モードとなってディスターブを受ける隣接非選択メモリセルに対して、無用な抵抗値変動の全部又は一部を補償するための、パルス幅Twset(Treset>Twset)の弱書き込みパルス電圧Vwsetを与える。この補償用の弱書き込みパルス電圧Vwsetは、書き込み電圧Vsetより勿論低く、通常の消去パルス電圧Vresetよりも低い。
先の第1の書き込み方式に対して、書込み(セット)パルス印加と、補償のための弱消去パルス印加の順序を逆にすることができる。即ち、図10の書き込み動作波形に対して、図14の書き込み動作波形を用いる。書き込みに先立って、第2のデータラッチ19のデータに基づいて、書き込みで受けるべきディスターブを補償する弱消去を行う(パルス電圧Vwrest,パルス幅twrest)。その後、第1のデータラッチ16のデータに従って書き込みを行う(パルス電圧Vset,パルス幅tset)。
先の第1の消去方式に対して、消去(リセット)パルス印加と、補償のための弱書き込みパルス印加の順序を逆にすることができる。即ち、図12の消去動作波形に対して、図15の消去動作波形を用いる。消去に先立って、第2のデータラッチ19のデータに基づいて、消去動作で受けるべきディスターブを補償する弱書き込みを行う(パルス電圧Vwset,パルス幅twset)。その後、第1のデータラッチ16のデータに従って消去を行う(パルス電圧Vreset,パルス幅treset)。
あるページのメモリセル群に対して、データの上書き行う場合等において、上書き用の1ページデータと、セルアレイから読み出したデータとの照合を利用して、1ページ内で無用な書き込み/消去を行わないよう、書き込み或いは消去禁止の制御を行うことが可能である。これにより無用な書き込み/消去ディスターブを抑制することができる。
1ページのデータを論理的には偶数番地と奇数番地とに分けて書き込みを行う場合に、例えば偶数番地が先に書かれ、後に奇数番地が書かれるとすると、後の奇数番地書き込みにより、既に書かれている偶数番地データがディスターブを受ける。
Claims (5)
- 電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子を用いたメモリセルを互いに交差する配線の交差部に配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの所定のメモリセル群に対する書き込み又は消去データを保持する第1のデータラッチと、
前記所定のメモリセル群と隣接し前記所定のメモリセル群に対する書き込み又は消去時に前記所定のメモリセル群が接続された選択配線とそれに隣接する非選択配線との容量結合によりディスターブを受ける、前記選択配線に隣接する非選択配線に接続された非選択メモリセルについて補償のための弱消去又は弱書き込みを行うデータを保持する第2のデータラッチとを有し、
前記第1のデータラッチのデータに基づいて前記所定のメモリセル群に対する選択的な書き込み又は消去動作が行われ、かつ前記第2のデータラッチに格納されたデータに基づいて前記書き込み又は消去動作に伴う書き込み又は消去ディスターブに対する補償動作が行われる
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 第1のデータラッチのデータに基づく書き込み又は消去の後に、前記第2のデータラッチのデータに基づいて前記非選択メモリセルに対する補償のための弱消去又は弱書き込みが行われる
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリ装置。 - 第1のデータラッチのデータに基づく書き込み又は消去に先立って、前記第2のデータラッチのデータに基づいて前記非選択メモリセルに対する補償のための弱消去又は弱書き込みが行われる
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第2のデータラッチは、前記所定のメモリセル群に現に書かれているデータを読み出して保持するものであり、
前記第1のデータラッチの書き込み又は消去データに基づく前記所定のメモリセル群に対する書き込み又は消去動作について、前記第2のデータラッチの読み出しデータとの照合により、追加書き込み及び追加消去となるビットに対してそれぞれ書き込み禁止及び消去禁止とする動作制御が行われる
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセルアレイは、互いに交差する行方向配線及び列方向配線を有し、前記メモリセルは、行方向配線と列方向配線の各交差部に可変抵抗素子と整流素子とを積層して構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
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