JP5163965B2 - マイクロ電子工学装置のための電子部品、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、マイクロ電子工学装置用電子部品、および電子部品の形成方法を指向する。こうした方法の或る特定の実施形態には、下地層を工作物の上に堆積するステップと、導電層をその下地層の上に形成するステップと、が含まれる。この方法ではさらに続けて、誘電層を導電層の上に堆積するステップを行ってもよい。この下地層の材料は、誘電層の誘電率を、その下地層が導電層の下に無い場合に較べて高めるようなものである。例えば下地層により、誘電材料を導電層の上に堆積した後にあらためて高温焼き鈍し工程にかけ
なくとも、別の方法で非晶質誘電層を結晶化させる構造やそのほかの特性を薄膜積層に与え得る。本方法の実施例のいくつかでは、あらためての高温焼き鈍し工程を使わないようにできるので、高誘電率を持つ誘電層をつくるにあたって非常に役立つであろう。
図1は、本発明の実施形態のひとつにかかる、DRAM装置のキャパシタを形成する段階における、工作物 10 の一部を描いた断面図である。この段階では、工作物 10 には、ゲート酸化物領域 14 およびソース/ドレイン拡散領域 22 を有する基板 12 が含まれている。工作物 10 はさらに、ゲート酸化物領域 14 および/もしくは拡散領域 22 と関連した複数のゲート積層 30 および 31 を含む。ゲート積層 30 およびゲート積層 31 には、酸化物層 32 と、不純物添加をしたポリシリコン層 34 と、珪化物領域 36 と、絶縁キャップ 38 とが含まれる。各ゲート積層はさらに、誘電性側壁スペーサー 39 を含む。図1に示した実施例では、ゲート積層 30 および対応する拡散領域 22 が、メモリセル用のアクセストランジスタをかたちづくっている。ゲート積層 30 中の不純物添加をしたポリシリコン層 34 は、より具体的には、メモリ装置のワード線である。工作物 10 はさらに、隣接する対となったゲート積層 30 とゲート積層 31 の間に導電性プラグ 40 を、隣接するゲート積層 30 同士の間に導電性プラグ 42 を、それぞれ含む。
は一般に含む。例えば誘電層 74 は、酸化タンタル(Ta2O5)を含むのが好ましい。こういった酸化タンタルの誘電層 74 は、およそ300℃から450℃での気相蒸着法を用いて、第一の導電層 72 上に堆積できる。本発明のいくつかの実施形態にかかる或る態様として、第一の導電層 72 の下方に下地層 60 が無ければ、誘電層 74 が通常、焼き鈍すことなしには所望されるおよそ40から50という誘電率を持たない、ということがある。例えば、誘電層 74 は、第一の導電層 72 のその反対側の面に下地層 60 が接していないような状態で第一の導電層 72 の上に堆積される場合には、誘電率が40未満となるような非晶質構造を有し得るが、下地層 60 が第一の導電層 72 のその反対側の面に接しているような場合には、誘電層 74 を堆積した後に結晶化するためにあらためて高温工程にかけなくとも、誘電率が40を切らないような結晶構造を、誘電層 74は有し得る。この場合、誘電層 74 の材料自体もしくは堆積後工程自体が、誘電率を高める作用をもたらすというわけではなくて、下地層 60 と、第一の導電層 72 および/もしくは誘電層 74 との組み合わせこそ
が、誘電層 74 に高誘電率を与えているのである。
の参照番号は、類似の構成要素を指す。この実施例では、下地層 60 もしくは上塗材は、スペーサーをつくるようにエッチングを施され(spacer-etched)て、下地層 60 の一部が水平面から除去されている。その結果、下地層 60 が側壁 54 を蔽う。下地層 60 がスペーサー 39 の一部を蔽ってもかまわない。図5を参照すると、下地層 60 をエッチングした後に、複数のキャパシタ 70a および他の部品が、図1および図2に関して上述したものと同様の工程を以ってつくられる。つまり図5に示したキャパシタ群 70a から期待できる効果も、図2のキャパシタ群 70 について上述したものと同様である。
図6は、典型的なプロセッサを用いたシステム 102 の模式図である。システム 102 は、上述した実施形態に応じて製造されたキャパシタもしくは他の電子部品を含有するDRAM装置 108 を含んでいる。プロセッサを用いたシステム 102 (コンピュータシステムなど)は一般に中央処理装置(CPU) 112 を含み、このCPU 112 は、一個以上の入出力装置 104 および 106 と、バス 118 を介して通信する。CPU 112 として使用できるものとしては、マイクロプロセッサ、もしくは他の適切な種類のプロセッサがある。また、このコンピュータシステムには、リードオンリーメモリ装置(ROM) 110 を含めることができ、さらには、フロッピーディスクドライブ 114 、CPU 112 とバス 118 を介して通信するCD-ROMドライブ 116 、DVD装置、もしくは他の周辺機器を含めてもかまわない。DRAM装置 108 は、積層型キャパシタを有するのが好ましく、この積層型キャパシタには、図1から図5に関して上述したような、下地層と、下地層の上の第一の導電層と、第一の導電層の上の誘電層と、誘電層の上の第二の導電層と、が含まれる。
Claims (38)
- マイクロ電子工学装置用電子部品を形成する方法であって、
工作物の上に下地層を堆積するステップと、
前記下地層の上に導電層を形成するステップと、
前記導電層の上に誘電層を堆積するステップと
を含み、ここで、
前記下地層によって、少なくとも部分的に結晶化することにより前記誘電層の誘電率が、前記下地層が前記導電層の下に無い場合に較べて大きくなり、
前記下地層は、εSi x O y で表されεはハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)である珪酸塩を含み、前記誘電層は、酸化タンタル(Ta2O5)を含む、
ことを特徴とする、方法。 - 前記下地層が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)を含み、
前記導電層が、ルテニウム(Ru)を含む、
ことを特徴とする、請求項1記載の方法。 - 前記導電層が、ルテニウム(Ru)を含む、
ことを特徴とする、請求項1記載の方法。 - 前記下地層が、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)を含み、
前記導電層が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項1記載の方法。 - マイクロ電子工学装置用電子部品を形成する方法であって、
工作物の上に下地層を堆積するステップと、
前記下地層の上に導電層を形成するステップと、
前記導電層の上に誘電層を堆積するステップと
を含み、ここで、
前記誘電層が前記導電層の上に形成された後に前記誘電層を別工程で温度上昇に曝すことなく、前記下地層によって、前記誘電層の誘電率が、前記下地層が前記導電層の下に無い場合に較べて大きくなり、
前記下地層が、酸化物、またはSiO 2 を除く珪酸塩を含み、
前記誘電層が、酸化タンタル(Ta2O5)を含む
ことを特徴とする、方法。 - 前記下地層が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)を含む、請求項5記載の方法。
- 前記誘電層を前記導電層の上に堆積した後に、300℃を超える環境に曝露することなく、前記誘電層の誘電率が40よりも大きくなる、請求項1記載の方法。
- 前記下地層の上に形成された前記導電層が、第一の導電層を含み、そして、
前記誘電層が前記第一の導電層上に堆積された後に、別の工程として前記誘電層を温度を上げて焼き鈍すことなく、第二の導電層を前記誘電層の上に堆積するステップ
をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 前記下地層の上に形成された前記導電層が、第一の導電層を含み、そして、
前記誘電層が前記第一の導電層上に堆積された後に、別の工程として前記誘電層を温度を上げて結晶化することなく、第二の導電層を前記誘電層の上に堆積するステップ
をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 前記第一の導電層が、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、白金ロジウム(PtRh)、白金イリジウム(PtIr)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)、イリジウム(Ir)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、およびタングステン(W)、ならびに、それらの酸化物、窒化物、珪化物、もしくは炭化物、
のうちの一種以上を含み、
前記第二の導電層が、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、白金の合金、窒化タングステン(WNx、WN、もしくはW2N)、タングステン(W)、ならびに/あるいは、窒化チタン(TiN)、のうちの一種以上を含む
ことを特徴とする、請求項9記載の方法。 - マイクロ電子工学装置のためのキャパシタの形成方法であって、
キャパシタ領域を有する工作物を用意するステップと、
εSi x O y で表されεはハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)である珪酸塩を含む下地層を、前記キャパシタ領域の少なくとも一部の上に堆積するステップと、
第一の導電層を、前記下地層の上に形成することで、第一の電極を前記キャパシタ領域内につくるステップと、
酸化タンタル(Ta2O5)を含む誘電層を、前記キャパシタ領域内で前記第一の導電層の上に堆積して、前記下地層により、前記第一の導電層の上の前記誘電層の誘電率が、前記下地層が前記第一の導電層の下に無い場合に較べて高くなる、というステップと、
第二の導電層を、前記酸化タンタル層の上に形成することで、第二の電極をつくるステップと
を含む、方法。 - 前記下地層が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)、を含み、
前記第一の導電層が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項11記載の方法。 - 前記下地層が、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)を含み、
前記第一の導電層が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項11記載の方法。 - 前記下地層が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)を含む、請求項11記載の方法。
- 前記誘電層を前記第一の導電層の上に堆積した後に、前記誘電層を300℃を超える環境に曝すことなくして、前記誘電層の誘電率が40よりも大きい、請求項11記載の方法。
- マイクロ電子工学工作物のための電子部品の形成方法であって、
珪酸塩または酸化物を含み、任意の元素をεとしたとき前記珪酸塩は、εSi x O y で表され、前記酸化物はεAl x O y である上塗材を、前記工作物の一部の上に堆積するステップと、
導電層を、前記上塗材の上に形成するステップと、
誘電層を、前記導電層の上に堆積するステップと
を含み、ここで、
酸化タンタル(Ta2O5)を含む前記誘電層を前記導電層の上に堆積した後に、前記誘電層を300℃を超える環境に曝すことなくして、前記上塗材が前記導電層の下に在る場合の前記誘電層の誘電率が、前記上塗材が前記導電の下に無い場合に較べて高くなる
ことを特徴とする、方法。 - 前記上塗材が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)、を含み、
前記導電層が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項16記載の方法。 - 前記上塗材が、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)を含み、
前記導電層が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項16記載の方法。 - 前記誘電層を前記導電層の上に堆積した後に、前記誘電層を300℃を超える環境に曝すことなくして、前記誘電層の誘電率が40よりも大きい、請求項5記載の方法。
- マイクロ電子工学工作物内にキャパシタを形成する方法であって、
側壁の有る凹みを具えた工作物を用意するステップと、
珪酸ハフニウム(HfSixOy)、酸化ハフニウムアルミニウム(HfAlxOy)、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)、および酸化ジルコニウムアルミニウム(ZrAlxOy)、のうちの少なくとも一つを含む上塗材を堆積して、前記凹みの前記側壁を少なくとも部分的に蔽うステップと、
ルテニウム(Ru)を含む第一の導電層を、前記凹み内にて前記上塗材の上に形成することで、第一の電極をつくるステップと、
誘電層を、前記凹み内にて前記第一の導電層の上に堆積して、前記上塗材により、別の工程として少なくとも部分的に結晶化させ前記誘電層を300℃を超える温度で加熱することなく、前記誘電層の誘電率が40以上となる、というステップと、
第二の導電層を、前記誘電層の上に形成することで、第二の電極をつくるステップと
を含む、方法。 - 前記誘電層が、酸化タンタル(Ta2O5)を含む
ことを特徴とする、請求項20記載の方法。 - 前記誘電層を前記第一の導電層の上に堆積した後に、前記誘電層を300℃を超える環境に曝すことなくして、前記誘電層の誘電率が50となる、請求項20記載の方法。
- マイクロ電子工学装置のための部品であって、
第一の側部および前記第一の側部に対向する第二の側部を有する、導電性素子と、
前記導電性素子の前記第一の側部に接触するとともに、酸化タンタル(Ta2O5)を含む誘電層と、
前記導電性素子の前記第二の側部の少なくとも一部に接触する、上塗材と
を含み、ここで、
前記上塗材がεSi x O y で表されεはハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)である珪酸塩を含むとともに、前記上塗材は、前記誘電層の誘電率を、前記上塗材が前記導電性素子の前記第二の側部に接触しない場合と較べて高めるように構成されている
ことを特徴とする、部品。 - 前記上塗材が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)を含み、
前記導電性素子が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項23記載の部品。 - 前記上塗材が、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)を含み、
前記導電性素子が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項23記載の部品。 - 前記上塗材が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)を含む、請求項23記載の部品。
- 前記誘電層を前記導電性素子の上に堆積した後に、前記誘電層を300℃を超える環境に曝すことなくして、前記誘電層の誘電率が40を超える、請求項23記載の部品。
- 前記導電性素子が、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、白金ロジウム(PtRh)、白金イリジウム(PtIr)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)、イリジウム(Ir)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、ニオブ
(Nb)、タングステン(W)、ならびに、それらの酸化物、窒化物、珪化物、もしくは炭化物、のうちの一種以上を含む
ことを特徴とする、請求項23記載の部品。 - マイクロ電子工学装置のためのキャパシタであって、
珪酸ハフニウム(HfSi x O y )、酸化ハフニウムアルミニウム(HfAl x O y )、珪酸ジルコニウム(ZrSi x O y )、酸化ジルコニウムアルミニウム(ZrAl x O y )、のうちの少なくとも一つを含む珪酸塩を含む上塗材と、
前記上塗材に接触する第一の電極と、
前記第一の電極に接触する第一の側部、および、前記第一の側部に対向する第二の側部を有するとともに、酸化タンタル(Ta2O5)を含む誘電性スペーサーと、
前記誘電性スペーサーの前記第二の側部に接触する、第二の電極と
を含み、ここで、
前記上塗材によって、前記誘電性スペーサーの誘電率が、前記上塗材が前記第一の電極に接触していない場合に較べて高くなる
ことを特徴とする、キャパシタ。 - 前記上塗材が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)を含み、
前記第一の電極が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項29記載のキャパシタ。 - 前記上塗材が、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)を含み、
前記第一の電極が、ルテニウム(Ru)を含む
ことを特徴とする、請求項29記載のキャパシタ。 - 前記上塗材が、酸化ハフニウムアルミニウム(HfAl x O y )、を含む、請求項29記載のキャパシタ。
- 前記誘電性スペーサーを前記第一の電極の上に堆積した後に、前記誘電性スペーサーを300℃を超える環境に曝すことなくして、前記誘電性スペーサーの誘電率が40を超える、請求項29記載のキャパシタ。
- 前記上塗材が、珪酸ハフニウム(HfSixOy)、珪酸ジルコニウム(ZrSixOy)のうちの一種以上を含み、
前記第一の電極が、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、白金ロジウム(PtRh)、白金イリジウム(PtIr)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)、イリジウム(Ir)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タングステン(W)、ならびに/あるいは、それらの酸化物、窒化物、珪化物、もしくは炭化物、のうちの一種以上を含む
ことを特徴とする、請求項29記載のキャパシタ。 - プロセッサと、
前記プロセッサに動作可能なように結合した、メモリ装置と
を含むシステムであって、
前記メモリ装置が、
珪酸塩または酸化物からなり、前記珪酸塩はεSi x O y で表され、前記酸化物はεAl x O y で表され、前記εはハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)である上塗材と、
前記上塗材と接触する、第一の電極と、
前記第一の電極に接触する第一の側部、および、前記第一の側部に対向する第二の側部を有する、誘電性スペーサーと、
酸化タンタル(Ta2O5)を含む前記誘電性スペーサーの前記第二の側部に接触する、第二の電極と、
を含むキャパシタ構造体を備え、
前記上塗材によって、前記誘電性スペーサーの誘電率が、前記上塗材が前記第一の電極に接触していない場合に較べて高くなる
ことを特徴とする、システム。 - 前記誘電層は、第二の誘電率に部分的に結晶化されている、
ことを特徴とする請求項5記載の方法。 - 前記導電層が、ルテニウム(Ru)を含み、
前記誘電層は、酸化タンタル(Ta 2 O 5 )を含む、
ことを特徴とする請求項5記載の方法。 - 前記下地層を堆積するステップは、珪酸ハフニウム(HfSi x O y )、酸化ハフニウムアルミニウム(HfAl x O y )、珪酸ジルコニウム(ZrSi x O y )、酸化ジルコニウムアルミニウム(ZrAl x O y )、のうちの少なくとも一つを含む前記下地層を堆積するステップからなる、
ことを特徴とする請求項5記載の方法。
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