JP5152734B2 - 磁気多層膜 - Google Patents

磁気多層膜 Download PDF

Info

Publication number
JP5152734B2
JP5152734B2 JP2011226908A JP2011226908A JP5152734B2 JP 5152734 B2 JP5152734 B2 JP 5152734B2 JP 2011226908 A JP2011226908 A JP 2011226908A JP 2011226908 A JP2011226908 A JP 2011226908A JP 5152734 B2 JP5152734 B2 JP 5152734B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mgo
layer
tmr element
multilayer film
tunnel barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011226908A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012054577A (ja
Inventor
新治 湯浅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
National Institute of Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Japan Science and Technology Agency
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
National Institute of Japan Science and Technology Agency
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34975880&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP5152734(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Japan Science and Technology Agency, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST, National Institute of Japan Science and Technology Agency filed Critical Japan Science and Technology Agency
Priority to JP2011226908A priority Critical patent/JP5152734B2/ja
Publication of JP2012054577A publication Critical patent/JP2012054577A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5152734B2 publication Critical patent/JP5152734B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F10/132—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing cobalt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
    • H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

本発明は、磁気多層膜および磁気多層膜の製造方法に関する。
MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）は、現在広く用いられている記憶素子であるＤＲＡＭに代わる大容量向け記憶素子であり、かつ、高速な不揮発性メモリとして広く研究開発が行われており、例えば、4MbitのMRAMがサンプル出荷されたという実績がある。
図８は、ＭＲＡＭの心臓部であるトンネル磁気抵抗素子（以下、「ＴＭＲ素子」と称する）の構造と、その動作原理を示す図である。図８（Ａ）に示すように、ＴＭＲ素子においては、酸化物からなるトンネル障壁（以下、「バリア層」とも称する）の両側を強磁性金属からなる第１及び第２の２つの電極により挟んだトンネル構造を有している。トンネル障壁層としては、アモルファスのＡｌ−Ｏ層が用いられている（非特許文献１参照）。図８（Ａ）に示すように、第１の強磁性電極と第２の強磁性電極との磁化の向きが平行な平行磁化の場合には、トンネル構造の界面における法線方向に関する素子の電気抵抗が小さくなる。一方、図８（Ｂ）に示すように、第１の強磁性電極と第２の強磁性電極との磁化の向きが平行な反平行磁化の場合には、トンネル構造の界面における法線方向に関する素子の電気抵抗が大きくなる。この抵抗値は、一般的な状態では変化せず、抵抗値が高いか低いかに基づいて情報“１”、“０”として記憶される。平行磁化と反平行磁化とは不揮発に記憶されるため、不揮発性メモリの基本素子として用いることができる。
図９は、ＭＲＡＭの基本構造例を示す図であり、図９（Ａ）はＭＲＡＭの斜視図であり、図９（Ｂ）は模式的な回路構成図であり、図９（Ｃ）は、構造例を示す断面図である。図９（Ａ）に示すように、ＭＲＡＭにおいてはワード線ＷＬとビット線ＢＬとが交差するように配置され、交差部にＭＲＡＭセルが配置されている。図９（Ｂ）に示すように、ワード線とビット線との交差部に配置されたＭＲＡＭセルは、ＴＭＲ素子と、このＴＭＲ素子と直列接続されたＭＯＳＦＥＴとを有しており、負荷抵抗として機能するＴＭＲ素子の抵抗値をＭＯＳＦＥＴにより読み取ることにより、記憶情報を読み出すことができる。尚、情報の書き換えは、例えば、ＴＭＲ素子への磁場の印加により行うことができる。図９（Ｃ）に示すように、ＭＲＡＭメモリセルは、ｐ型Ｓｉ基板１０１内に形成されたソース領域１０５とドレイン領域１０３と、その間に画定されるチャネル領域に対して形成されたゲート電極１１１とを有するＭＯＳＦＥＴ１００と、ＴＭＲ素子１１７とを有している。ソース領域１０５は接地（ＧＮＤ）され、ドレインは、ＴＭＲ素子を介してビット線ＢＬに接続されている。ワード線ＷＬはゲート電極１１１に対して図示しない領域において接続されている。
以上に説明したように、不揮発性メモリＭＲＡＭは、１つのＭＯＳＦＥＴ１００とＴＭＲ素子１１７とにより１つのメモリセルを形成することができるため、高集積化に適したメモリ素子ということができる。
D.Wang, et al.:Science294 (2001) 1488.
現状の技術を用いることにより６４Ｍｂｉｔ程度のＭＲＡＭを実現する見通しは立っているが、それ以上の高集積化のためには、ＭＲＡＭの心臓部であるＴＭＲ素子の特性を向上させる必要がある。特に、ＴＭＲ素子の出力電圧を向上させるには、磁気抵抗の増大と電圧特性の改善の両方が必要である。図１０は、アモルファスＡｌ−Ｏをトンネル障壁とした従来型ＴＭＲ素子の磁気抵抗のバイアス電圧による変化を示す図である（Ｌ１）。図１０に示すように、従来型ＴＭＲ素子においては、磁気抵抗が小さく、特に電圧を印加することにより磁気抵抗が急激に小さくなる傾向がみられる。このような特性では、動作マージンを考慮した出力電圧が小さすぎるため、実際の記憶素子に用いるのが難しい。より具体的には、現状のＴＭＲ素子の磁気抵抗は約70％と低く、また出力電圧も200 ｍＶ以下と低いため、ＤＲＡＭの出力電圧に比べて実質的に半分であり、集積度を上げるに従い信号がノイズに埋もれて読み出せなくなってしまうという問題があった。
本発明は、ＴＭＲ素子における出力電圧を大きくすることを目的とする。さらに、大きな磁気抵抗により、安定に動作する記憶装置を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、トンネル障壁層と、該トンネル障壁層の第１面側に形成されたＢＣＣ構造を有する第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたＢＣＣ構造を有する第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備え、前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層により形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子が提供される。
また、ＭｇＯ（００１）からなるトンネル障壁層と、該トンネル障壁層の第１面側に形成されたＦｅ（００１）からなる第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたＦｅ（００１）からなる第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造であって、前記ＭｇＯ層が、単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層により形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子が提供される。前記ＭｇＯ（００１）層の伝導帯下端と前記Ｆｅ（００１）層のフェルミエネルギーの間の不連続値（トンネル障壁高さ）を、欠陥のない完全な単結晶における理想的な値よりも低くしたことを特徴とする。上記構成を用いると、磁気抵抗が増大しＴＭＲ素子の出力電圧を大きくすることができた。１つのトランジスタの負荷として上記磁気抵抗素子を用いると、不揮発性の記憶素子を形成することができた。
本発明の他の観点によれば、基板を準備する工程と、該基板上に第１のＦｅ（００１）層を堆積する工程と、前記第１のＦｅ（００１）層上に電子ビーム蒸着法により単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）からなるトンネル障壁層を高真空下において堆積する工程と、該トンネル障壁層上に第２のＦｅ（００１）層を形成する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法が提供される。
また、単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）からなる基板を準備する第１工程と、該基板上に第１のＦｅ（００１）層を堆積し、次いで、表面を平坦にするためのアニールを行う第２工程と、前記第１のＦｅ（００１）層上に電子ビーム蒸着法により単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）からなるトンネル障壁層を高真空下において堆積する第３工程と、該トンネル障壁層上に第２のＦｅ（００１）層を形成する第４工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法が提供される。尚、前記第１工程と第２工程との間に、単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）からなるシード層を成長する工程を有していても良い。また、前記ＭｇＯ層を、ＭｇＯｘのｘ値を調整済みのターゲットを用いて堆積しても良い。この際、前記ＭｇＯを形成する工程中に、ＭｇＯｘのｘ値を調整しても良い。
本発明のさらに別の観点によれば、ＭｇＯ（００１）からなるトンネル障壁層と、該トンネル障壁層の第１面側に形成されたアモルファス磁性合金からなる第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたアモルファス磁性合金からなる第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備え、前記ＭｇＯ（００１）層の伝導帯下端と前記アモルファス磁性合金からなる第１又は第２の強磁性体層とのフェルミ準位の間の不連続値（トンネル障壁の高さ）を、欠陥のない完全な単結晶における理想的な値よりも低くしたことを特徴とする磁気抵抗素子が提供される。
本発明によれば、従来のＴＭＲ素子に比べて大きな磁気抵抗を得ることができ、ＴＭＲ素子の出力電圧を大きくすることができ、かつＴＭＲ素子の抵抗値をＭＲＡＭに最適な低抵抗にすることができる。従って、ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭの高集積化が容易になるという利点がある。
本発明の第１の実施の形態によるＴＭＲ素子の構造（図１（Ｂ））と、強磁性体金属であるＦｅ（００１）のエネルギーバンド構造を示す図であり、波数空間の［００１］方向に対するＥ−ＥＦの関係を示す図（図１（Ａ））である。 図２（Ａ）から図２（Ｄ）までは、本発明の実施の形態によるＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）構造を有する磁気抵抗素子（以下、「Ｆｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子」と称する。）の製造工程を模式的に示す図である。 図３（Ａ）は、Ｆｅ（００１）下部電極（第１電極）のＲＨＥＥＤイメージを示す図であり、図３（Ｂ）は、この際のＭｇＯ（００１）バリア層のＲＨＥＥＤイメージを示す図である。 ＭｇＯ蒸着時における成膜チャンバ中の四重極Ｍａｓｓスペクトルの観測結果を示す図である。 ＭｇＯ蒸着中の酸素分圧の膜堆積速度依存を示す図である。 Ｆｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子の典型的な磁気抵抗曲線を示す図である。 図７（Ａ）は、室温におけるＭＲ比のバイアス電圧依存性を示す図である。図７（Ｂ）は、ＴＭＲ素子の出力電圧Ｖｏｕｔは（＝バイアス電圧×（Ｒａｐ−Ｒｐ）／Ｒａｐ）を示す図である。 ＴＭＲ素子の構造と、その動作原理を示す図である。 ＭＲＡＭの基本構造例を示す図であり、図９（Ａ）はＭＲＡＭの斜視図であり、図９（Ｂ）は模式的な回路構成図であり、図９（Ｃ）は、構造例を示す断面図である。 アモルファスＡｌ−Ｏをトンネル障壁とした従来型ＴＭＲ素子の磁気抵抗のバイアス電圧による変化を示す図である。 本発明の実施の形態の変形例によるＴＭＲ素子の素子構造を示す図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
本明細書において、ＭｇＯは立方晶（ＮａＣｌ型構造）であるため、（００１）面、（１００）面、（０１０）面は全て等価である。ここでは、膜面に垂直な方向をｚ軸とすることにより、膜面を（００１）と統一的に記述している。また、本明細書において、電極層の結晶構造であるＢＣＣ構造とは体心立方晶のことである。より具体的には、化学的秩序のないＢＣＣ構造、いわゆるＡ２型構造、および化学的秩序のあるＢＣＣ構造、例えばＢ２型構造やＬ２１構造、などのことを意味し、これらのＢＣＣ構造の結晶格子が僅かに歪んだものも含まれる。
本明細書において用いた欠陥のない完全な単結晶における「理想的な値」との用語は、紫外線光電子分光の実験から推測した値である（参考文献：W. Wulfhekel, et al.: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 509.）。このような状態では、酸素欠損や格子欠陥がほとんど無い理想的な単結晶ＭｇＯのトンネル障壁の高さの上限値と言うことができるため、理想的な値という用語を用いた。
発明の実施の形態について説明する前に、発明者の行った考察について説明を行う。ＴＭＲ素子の磁気抵抗（ＭＲ）比は、以下の式で表される。
ΔＲ／Ｒｐ＝（Ｒａｐ−Ｒｐ）／Ｒｐ
ここで、Ｒｐ及びＲａｐは、２つの電極の磁化が平行と反平行の場合のトンネル接合抵抗である。Ｊｕｌｌｉｒｅの公式によれば、低バイアス電圧におけるＭＲ比は、以下のように表される。
ＭＲ比＝（Ｒａｐ−Ｒｐ）／Ｒｐ＝２Ｐ１Ｐ２／（１−Ｐ１Ｐ２）であり、
Ｐα＝（Ｄα↑（ＥＦ）−Ｄα↓（ＥＦ））／（Ｄα↑（ＥＦ）＋Ｄα↓（ＥＦ）、α＝１，２ （１）
と表される。
ここで、Ｐαは、電極のスピン分極率であり、Ｄα↑（ＥＦ）とＤα↓（ＥＦ）とは、それぞれ、多数スピンバンドと少数スピンバンドのフェルミエネルギー（ＥＦ）における状態密度（Ｄｅｎｓｉｔｙｏｆ ｓｔａｔｅ：ＤＯＳ）である。強磁性遷移金属及び合金のスピンの偏極はおおよそ０.５以下であるため、Ｊｕｌｌｉｒｅの公式によれば、最も高い推定ＭＲ比として約７０％が予測される。
ＴＭＲ素子をアモルファスのＡｌ−Ｏのトンネル障壁と多結晶電極とを用いて作製すると、室温でのＭＲ比として約７０％という値が得られているが、ＤＲＡＭ並の出力電圧である２００ｍＶを得るのは難しく、上述のようにＭＲＡＭ実現の対する問題点となっている。
発明者は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単結晶（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯをトンネル障壁として用いたＴＭＲ素子を成長するアプローチを試みている。従来のアモルファスのＡｌ−Ｏ障壁とは異なり、酸化マグネシウムは結晶（原子が規則正しく配列した物質）であるため、電子が散乱されず、電子のコヒーレント状態がトンネル過程において保存されることが予測される。図１は、本実施の形態によるＴＭＲ素子構造（図１（Ｂ））と、強磁性体金属であるＦｅ（００１）のエネルギーバンド構造を示す図であり、波数空間の［００１］方向に対するＥ−ＥＦの関係を示す図（図１（Ａ））である。図１（Ｂ）に示すように、本実施の形態によるＴＭＲ素子構造は、第１のＦｅ（００１）層１と、第２のＦｅ（００１）層５と、これらの間に挟まれた単結晶ＭｇＯｘ（００１）層あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層３と、を有して構成されている。上記Ｊｕｌｌｉｒｅのモデルによれば、伝導電子の運動量がトンネル過程において保存されるとすると、ＭｇＯを透過するトンネル電流はトンネル障壁に垂直な方向（接合界面に対する法線方向）の波数ベクトルｋＺを有する電子が支配的になる。図１（Ａ）に示す［００１］（Γ−Ｈ）方向におけるＦｅのエネルギーバンド図によれば、フェルミ準位ＥＦにおける状態密度（ＤＯＳ）は、多数スピンと少数スピンのサブバンドがフェルミ準位ＥＦにおいて状態を有しているため、それほど高い偏極率を示さない。しかしながら、電子のコヒーレント状態がトンネル過程において保存される場合には、障壁に垂直な軸に関して完全に対称な波動関数を有する伝導電子のみが障壁領域における状態と接続し、有限のトンネル確率を持つことになる。Ｆｅ（００１）電極のΔ１バンドが前記のような完全に対称な波動関数を有する。図１（Ａ）に示すように、多数スピンΔ１バンド（実線）がフェルミ準位ＥＦに状態を有するが、少数スピンΔ１バンド（破線）はフェルミ準位ＥＦに状態を有しない。このようなＦｅΔ１バンドのハーフメタル的な特徴により、非常に高いＭＲ比がコヒーレントなスピン偏極トンネルにおいて得られる可能性がある。エピタキシャル（単結晶あるいは（００１）配向多結晶）のＴＭＲ素子は、トンネル過程中における電子の散乱が抑制されるため、上記のようなコヒーレントなトンネルを実現するためには理想的であると考えられる。
以下、本発明の第１の実施の形態による磁気抵抗素子及びその製造方法について図面を参照しつつ説明を行う。図２（Ａ）から図２（Ｄ）までは、本発明の実施の形態によるＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）構造を有する磁気抵抗素子（以下、「Ｆｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子」と称する。）の製造工程を模式的に示す図である。Ｆｅ（００１）は、ＢＣＣ構造を有する強磁性体である。まず、単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）により、単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１の表面のモフォロジーを改善するため、ＭｇＯ（００１）シード層１５を成長する。連続して、図１（Ｂ）に示すように、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空下（２×１０−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。尚、電子線蒸着における条件は、加速電圧が８ｋＶであり、成長速度が０．０２ｎｍ／秒、成長温度が室温（約２９３Ｋ）、電子線蒸着のソース材料としては化学量論的組成のＭｇＯ（ＭｇとＯとの比が１：１）を用い、ソースと基板との距離を４０ｃｍとし、最高到達真空度が１×１０−８Ｐａ、Ｏ２分圧が１×１０−６Ｐａである。尚、化学量論的組成のＭｇＯ（ＭｇとＯとの比が１：１）の代わりに、Ｏ欠損を有するソースを使用することも可能である。
図３（Ａ）は、この際のＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７のＲＨＥＥＤイメージを示す図である。図３（Ａ）に示すように、Ｆｅ（００１）下部電極（第１電極）１７は良好な結晶性と平坦性を有していることを示している。次いで、図２（Ｃ）に示すように、２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際も、ＭｇＯの電子ビーム蒸着法を用いた。図３（Ｂ）は、この際のＭｇＯ（００１）バリア層２１のＲＨＥＥＤイメージを示す図である。図３（Ｂ）に示すように、ＭｇＯ（００１）バリア層２１も良好な結晶性と平坦性を有していることを示している。
図２（Ｄ）に示すように、ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に、室温で厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２５をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２５は、上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。
上記電子ビームによるＭｇＯ蒸着は、１０−９Ｔｏｒｒの超高真空状態で成膜を行った。この方法では、例えばガラス基板上に３００ｎｍの成膜を行った場合でも、無色透明であり、良好な結晶膜が形成されていることがわかる。図４は、ＭｇＯ成長時における成膜チャンバ内の四重極Ｍａｓｓスペクトルの観測結果を示す図である。図４に示すように、ＯのスペクトルＰ１とＯ２のスペクトルＰ２とに関する分圧が高いことがわかる。図５は、ＭｇＯ蒸着中の酸素分圧の膜堆積速度依存を示す図である。図５に示すように、酸素分圧自体がかなり高いこと、堆積速度とともに酸素分圧も高くなること、などは、ＭｇＯの堆積時におけるＭｇＯからの酸素の離脱を示唆するものであり、離脱した酸素は真空ポンプによって成膜装置の外に排気されることから、ＭｇＯｘ（０．９＜ｘ＜１）のように酸素欠損が生じている可能性がある。酸素欠損が生じるとＭｇＯトンネル障壁の高さが低くなると考えられ（例えば、0.10〜0.85ｅＶ、より詳細には0.2〜0.5ｅＶの範囲内）、これにより、トンネル電流が増加するものと考えられる。尚、一般的なＡｌ−Ｏトンネル障壁の場合、Ｆｅ（００１）との間のトンネル障壁の高さは、０．７〜２．５ｅＶと考えられる。これに対して、ＭｇＯ結晶は理想的なトンネル障壁の高さは３．６ｅＶであり、実験値としては０．９〜３．７ｅＶの値が得られている。本実施の形態による方法を用いると、０．３ｅＶ程度のトンネル障壁の高さが推定され、トンネル障壁の低抵抗化が可能であることがわかる。但し、その他の要因、例えば前述のコヒーレントなトンネルの影響も関連している可能性がある。尚、酸素欠損に基づくＭｇＯｘのｘの値としては、０．９８＜ｘ＜１、より好ましくは０．９９＜ｘ＜１程度であり、Ｍｇ単体のようなものは含まれず、ＭｇＯの特性が基本的には維持される範囲である。
尚、上記、トンネル障壁の高さφは、ＴＭＲ素子の電気伝導特性（トンネル電流密度Ｊとバイアス電圧Ｖの関係）を、ＷＫＢ近似に基づいたＳｉｍｍｏｎｓの公式（非特許文献 J. G. Simmons: J. Appl. Phys. 34, pp.1793-1803 (1963).の（２０）式）に当てはまるように最小自乗法でフィッティングすることによって求めた。この際、電子の有効質量として、自由電子の質量（ｍ＝９．１１×１０−３１ｋｇ）を用いてフィッティングを行った。Ｊ−Ｖ特性に非線形性が現れる程度のバイアス電圧Ｖ（通常５００ｍＶ〜１０００ｍＶ程度）まで印加すれば、Ｓｉｍｍｏｎｓの式を用いてＪ−Ｖ特性をフィッティングすることにより、トンネル障壁の高さφとトンネル障壁の有効厚さΔｓを同時に決定することが出来る。
ここで、トンネル障壁の有効厚さΔｓは、ＴＭＲ素子の断面透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真から求めた実際のＭｇＯ（００１）トンネル障壁層の厚さ（ｔＭｇＯ）よりも、約０．５ｎｍほど薄い値となった。これは、ＭｇＯ（００１）層とＦｅやＣｏを主成分とする合金層の界面に生じる鏡像ポテンシャルの効果によって、トンネル障壁の有効厚さΔｓが実際のＭｇＯ（００１）層の厚さよりも薄くなった結果である。
尚、断面ＴＥＭ写真を用いてｔＭｇＯを正確に求めることができる場合は、以下に述べるような手法で、より簡便にトンネル障壁の高さφを見積もることが出来る。すなわち、ＴＭＲ素子に印加するバイアス電圧Ｖが低い（通常、１００ｍＶ以下）場合、トンネル電流密度Ｊはバイアス電圧Ｖに比例し、Ｊ−Ｖ特性は線形関係となる。このような低バイアス電圧の領域では、Ｓｉｍｍｏｎｓの式は、式（２）のように記述できる。
Ｊ＝[(２ｍφ)1/2／Δｓ](ｅ／ｈ)2×ｅｘｐ［−(４πΔｓ／ｈ)×(２ｍφ)1/2］×Ｖ （２）
ここで、ｍは自由電子の質量（９．１１×１０−３１ｋｇ）、ｅは素電荷（１．６０×１０−１９Ｃ）、ｈはプランク定数（６．６３×１０−３４Ｊ・ｓ）である。また、トンネル障壁の有効厚さΔｓは、Δｓ≒ｔＭｇＯ−０．５ｎｍである。ＴＭＲ素子の低バイアス電圧領域のＪ−Ｖ特性を（２）式にフィッティングすれば、トンネル障壁の高さφを簡便かつ正確に見積もることが出来る。
図６は、上記の方法により製造したＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子の典型的な磁気抵抗曲線を示す図である。測定温度２０ＫにおいてＭＲ比１４６％であり、測定温度２９３ＫにおいてＭＲ比は８８％であった。この値は、現在までに室温において得られた最も高いＭＲ比である。このような高いＭＲ比は、Ｆｅ（００１）電極のスピン分極率によって説明することはできず、むしろ、コヒーレントなスピン偏極トンネリングに関連すると考えられる。１６０個のＴＭＲ素子を試作した結果、ＭＲ比とトンネル抵抗値とに関するばらつきは、２０％以内であった。ＴＭＲ素子の歩留まりも実験室段階で９０％以上であった。このような高い値は、本アプローチの有効性を示唆している。ＴＭＲ素子の抵抗−エリア積（ＲＡ）は、数ｋΩμｍ２であり、この値は、ＭＲＡＭに適した値である。
図７（ａ）は、室温におけるＭＲ比のバイアス電圧依存性を示す図である。図７（ａ）に示すように、ＭＲ比のバイアス電圧依存性はかなり低いことがわかる。非対称な特性を示すが、ＭＲ比が半減する電圧Ｖhalfは１２５０ｍＶという非常に高い値が得られている。尚、従来のＡｌ−Ｏ系におけるＭＲ比の半減する電圧Ｖhalfは３００〜６００ｍＶである。図７（ｂ）に、ＴＭＲ素子の出力電圧Ｖoutは（＝バイアス電圧×（Ｒａｐ−Ｒｐ）／Ｒａｐ）を示す。出力電圧Ｖoutの最大値は順バイアスにおいて３８０ｍＶの値が得られている。この値は、Ａｌ−Ｏバリアの場合の値（２００ｍＶ弱）の約２倍の値である。このように、ＭＲ比と出力電圧との両方で高い値が得られたことは、本実施の形態による技術の有効性を示している。
尚、上記実施の形態においては、ＢＣＣのＦｅ（００１）を用いたが、代わりにＢＣＣのＦｅ系合金、例えば、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金を用いることもできる。或いは電極層とＭｇＯ（００１）層との間に、１原子層又は数原子層程度の厚さのＣｏ、Ｎｉなどを挿入しても良い。
次に、本発明の第２の実施の形態による磁気抵抗素子及びその製造方法について説明を行う。本実施の形態によるＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子の製造方法では、まずスパッタリング法などによりＭｇＯ（００１）を多結晶またはアモルファス状態で堆積し、その後にアニール処理を行うことにより（００１）結晶面が配向した多結晶または単結晶化する点を特徴とする。スパッタリング条件は、例えば。温度が室温（２９３Ｋ）であり、ターゲットとしては２インチφのＭｇＯを用い、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングを行った。加速電力は２００Ｗであり、成長速度は０．００８ｎｍ／ｓである。この条件で堆積したＭｇＯはアモルファス状態であるため、室温から３００℃まで温度を上昇させ、３００℃において一定時間保持をすることにより、結晶化されたＭｇＯを得ることが出来る。
尚、Ｏ欠損の導入方法としては、成長時にＯ欠損が生じる条件で成長を行う方法、Ｏ欠損を後から導入する方法、Ｏ欠損のある状態から例えば酸素プラズマ処理又は自然酸化などにより酸化を行ってある程度のＯ欠陥まで調整する方法のいずれを用いても良い。
以上、本実施の形態による磁気抵抗素子技術によれば、スパッタリング法を用いてアモルファスＭｇＯを堆積した後にアニール処理により結晶化するため、それほど大がかりな装置が必要ないという利点がある。
次に、本発明の実施の形態の変形例による磁気抵抗素子について図面を参照しつつ説明を行う。図１１は、本発明の実施の形態の変形例によるＴＭＲ素子の構造を示す図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。図１１に示すように、本実施の形態による磁気抵抗素子は、上記実施の形態による磁気抵抗素子と同様に、単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。アモルファス強磁性合金は、例えば蒸着法或いはスパッタリング法を用いて形成可能である。得られた特性等は第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。
尚、アモルファス磁性合金については、例えば、FeCoB、FeCoBSi、FeCoBP、FeZr、CoZrなどを用いることもできる。また、素子を作製した後にアニール処理を施すと電極層のアモルファス磁性合金が部分的あるいは全体的に結晶化する場合があるが、これによってＭＲ比が大きく劣化することはない。したがって、このように結晶化したアモルファス磁性合金を電極層に用いても構わない。
以上、本実施の形態による磁気抵抗素子について説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。その他、種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者に自明であろう。例えば、ＭｇＯ層に酸素欠陥を導入する代わりに、例えばＣａやＳｒをドーピングすることでトンネル障壁の高さを調整する方法を用いても良い。また、ＭｇＯ層の堆積方法として、電子ビーム蒸着法又はスパッタリング法を例にして説明したが、その他の堆積法も適用可能であることは言うまでもない。また、高真空との用語は、例えば酸素を導入しない場合において、概ね１０−６Ｐａ以下の値を指し、一方、酸素を積極的に導入する場合でも、１０−４Ｐａ程度の値を指す。
ＭＲＡＭの出力電圧値が従来の約２倍に向上し、ギガビット級の超高集積ＭＲＡＭに適する。
１…第１のＦｅ（００１）層、５…第２のＦｅ（００１）層、３…単結晶ＭｇＯｘ（００１）層あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）層。

Claims (6)

  1. 基板と、前記基板上に形成されたＣｏ、ＦｅおよびＢを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上に（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有する磁気多層膜であって、
    前記強磁性体層が結晶化していることを特徴とする磁気多層膜。
  2. 前記磁性合金が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＳｉおよびＦｅＣｏＢＰのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の磁気多層膜。
  3. 基板と、前記基板上に形成されたＣｏ、ＦｅおよびＢを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上に（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有する磁気多層膜であって、
    前記強磁性体層が全体的に結晶化していることを特徴とする磁気多層膜。
  4. 前記磁性合金が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＳｉおよびＦｅＣｏＢＰのいずれかであることを特徴とする請求項３記載の磁気多層膜。
  5. 基板側から順に、Ｃｏ、ＦｅおよびＢを含む磁性合金からなる強磁性体層、（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層、およびＣｏ、ＦｅおよびＢを含む磁性合金からなる強磁性体層を有する磁気多層膜であって、
    前記２つの強磁性体層はいずれも全体的に結晶化していることを特徴とする磁気多層膜。
  6. 前記磁性合金が、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＳｉおよびＦｅＣｏＢＰのいずれかであることを特徴とする請求項５記載の磁気多層膜。
JP2011226908A 2004-03-12 2011-10-14 磁気多層膜 Active JP5152734B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011226908A JP5152734B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気多層膜

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004071186 2004-03-12
JP2004071186 2004-03-12
JP2004313350 2004-10-28
JP2004313350 2004-10-28
JP2011226908A JP5152734B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気多層膜

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008238154A Division JP2009021626A (ja) 2004-03-12 2008-09-17 磁気多層膜及び多層構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012054577A JP2012054577A (ja) 2012-03-15
JP5152734B2 true JP5152734B2 (ja) 2013-02-27

Family

ID=34975880

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006511062A Active JP4082711B2 (ja) 2004-03-12 2005-03-10 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP2008238154A Ceased JP2009021626A (ja) 2004-03-12 2008-09-17 磁気多層膜及び多層構造体
JP2011226906A Active JP4963744B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気抵抗素子
JP2011226908A Active JP5152734B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気多層膜
JP2011226907A Active JP5002788B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
JP2012067089A Active JP5120680B2 (ja) 2004-03-12 2012-03-23 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006511062A Active JP4082711B2 (ja) 2004-03-12 2005-03-10 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP2008238154A Ceased JP2009021626A (ja) 2004-03-12 2008-09-17 磁気多層膜及び多層構造体
JP2011226906A Active JP4963744B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気抵抗素子

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011226907A Active JP5002788B2 (ja) 2004-03-12 2011-10-14 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
JP2012067089A Active JP5120680B2 (ja) 2004-03-12 2012-03-23 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (12) US7884403B2 (ja)
EP (1) EP1737055B1 (ja)
JP (6) JP4082711B2 (ja)
KR (1) KR100867662B1 (ja)
TW (1) TWI334663B (ja)
WO (1) WO2005088745A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10680167B2 (en) 2004-03-12 2020-06-09 Japan Science And Technology Agency Magnetic tunnel junction device

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7386530B2 (en) * 2002-12-19 2008-06-10 Mathon Systems, Inc. System and method for managing content including addressability features
JP4581133B2 (ja) * 2004-03-12 2010-11-17 独立行政法人科学技術振興機構 磁気抵抗素子
JP4292128B2 (ja) * 2004-09-07 2009-07-08 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP2006210391A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Japan Science & Technology Agency 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP5077802B2 (ja) 2005-02-16 2012-11-21 日本電気株式会社 積層強磁性構造体、及び、ｍｔｊ素子
JP4877575B2 (ja) 2005-05-19 2012-02-15 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ
JP4444241B2 (ja) 2005-10-19 2010-03-31 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
JP2008283207A (ja) * 2005-10-19 2008-11-20 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
US7479394B2 (en) * 2005-12-22 2009-01-20 Magic Technologies, Inc. MgO/NiFe MTJ for high performance MRAM application
US7851785B2 (en) * 2006-02-08 2010-12-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel transistor with thin read gap for head applications
CN101615653B (zh) * 2006-03-03 2012-07-18 佳能安内华股份有限公司 磁阻效应元件的制造方法以及制造设备
JP2008010509A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子及び磁気ディスク装置
WO2008133107A1 (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Nec Corporation 磁気抵抗素子、ｍｒａｍ、及び磁気センサー
JP5062832B2 (ja) * 2007-12-28 2012-10-31 富士通株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP4703660B2 (ja) * 2008-01-11 2011-06-15 株式会社東芝 スピンｍｏｓ電界効果トランジスタ
JP5351140B2 (ja) * 2008-03-03 2013-11-27 キヤノンアネルバ株式会社 磁気トンネル接合デバイスの製造方法
JP4774082B2 (ja) * 2008-06-23 2011-09-14 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
WO2010023833A1 (ja) * 2008-09-01 2010-03-04 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体
JPWO2010026705A1 (ja) * 2008-09-08 2012-01-26 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体
US20110143460A1 (en) * 2008-09-09 2011-06-16 Canon Anelva Corporation Method of manufacturing magnetoresistance element and storage medium used in the manufacturing method
JP4764466B2 (ja) * 2008-09-25 2011-09-07 株式会社東芝 ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いた磁気抵抗素子、及びスピントランジスタ
JP2010080806A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Canon Anelva Corp 磁気抵抗素子の製造法及びその記憶媒体
JP4774092B2 (ja) * 2008-10-06 2011-09-14 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子およびそれを用いたｍｒａｍ
JP2009044173A (ja) * 2008-10-06 2009-02-26 Canon Anelva Corp 磁性多層膜形成装置
KR101584747B1 (ko) * 2009-01-20 2016-01-13 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자
JP4902686B2 (ja) * 2009-04-06 2012-03-21 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
US8154828B2 (en) * 2009-07-10 2012-04-10 Tdk Corporation Magnetoresistive effect element in CPP-type structure and magnetic disk device
JP4774116B2 (ja) * 2009-08-19 2011-09-14 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子
US8194364B2 (en) * 2009-08-31 2012-06-05 Tdk Corporation Magnetoresistive effect element in CPP-type structure including ferromagnetic layer configured with CoFe system alloy and magnetic disk device therewith
JP2011123923A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置
WO2011149274A2 (ko) * 2010-05-26 2011-12-01 고려대학교 산학협력단 자기적으로 연결되고 수직 자기 이방성을 갖도록 하는 비정질 버퍼층을 가지는 자기 터널 접합 소자
JP5598975B2 (ja) * 2010-09-02 2014-10-01 独立行政法人理化学研究所 スピン注入源およびその製造方法
JP5318137B2 (ja) * 2011-03-22 2013-10-16 株式会社東芝 多層膜の製造方法
US8758909B2 (en) * 2011-04-20 2014-06-24 Alexander Mikhailovich Shukh Scalable magnetoresistive element
TWI415253B (zh) 2011-05-17 2013-11-11 Novatek Microelectronics Corp 光學感測器及其製造方法
KR102130054B1 (ko) * 2012-06-07 2020-07-06 삼성전자주식회사 자기 터널링 접합 시드, 캡핑 및 스페이서 막 물질들
JP2013016820A (ja) * 2012-08-20 2013-01-24 Hitachi Ltd トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
JP5774568B2 (ja) 2012-09-21 2015-09-09 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN104797504B (zh) * 2012-09-21 2018-02-02 德科有限公司 可密封容器的改进
US8995181B2 (en) 2013-03-21 2015-03-31 Daisuke Watanabe Magnetoresistive element
JP5865858B2 (ja) 2013-03-22 2016-02-17 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法
US9123879B2 (en) 2013-09-09 2015-09-01 Masahiko Nakayama Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
US9368717B2 (en) 2013-09-10 2016-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element and method for manufacturing the same
US9231196B2 (en) 2013-09-10 2016-01-05 Kuniaki SUGIURA Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
US9385304B2 (en) 2013-09-10 2016-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic memory and method of manufacturing the same
US8956882B1 (en) 2013-09-12 2015-02-17 Kazuhiro Tomioka Method of manufacturing magnetoresistive element
US9425388B2 (en) 2013-09-12 2016-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic element and method of manufacturing the same
JP6173854B2 (ja) 2013-09-20 2017-08-02 株式会社東芝 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル
US9373781B2 (en) 2013-11-12 2016-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Dual perpendicular magnetic anisotropy magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic random access memory applications
KR102465539B1 (ko) 2015-09-18 2022-11-11 삼성전자주식회사 자기 터널 접합 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그의 형성 방법
US9633678B2 (en) 2015-09-29 2017-04-25 Seagate Technology Llc Data reader with spin filter
KR20170064054A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
JP6826344B2 (ja) * 2017-02-09 2021-02-03 Tdk株式会社 強磁性トンネル接合体の製造方法及び強磁性トンネル接合体
WO2019125954A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-27 Montana State University Large moments in bcc fexcoymnz and other alloy thin films
JP2020155565A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 キオクシア株式会社 磁気記憶装置
US11646143B2 (en) * 2019-05-21 2023-05-09 International Business Machines Corporation Magnetic multi-layers containing MgO sublayers as perpendicularly magnetized magnetic electrodes for magnetic memory technology
CN110246656A (zh) * 2019-07-02 2019-09-17 西华大学 一种多层耦合图形化磁性薄膜及制备和测试方法
CN113130735B (zh) * 2019-12-31 2023-08-04 浙江驰拓科技有限公司 磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法
KR20220125050A (ko) * 2021-03-04 2022-09-14 삼성전자주식회사 자기터널접합 소자, 자기터널접합 소자를 포함하는 메모리 장치, 및 자기터널접합 소자의 제조 방법
US20230084970A1 (en) * 2021-09-10 2023-03-16 Western Digital Technologies, Inc. Tunneling magnetoresistive (tmr) device with improved seed layer

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ZA849070B (en) 1983-12-07 1985-07-31 Energy Conversion Devices Inc Semiconducting multilayered structures and systems and methods for synthesizing the structures and devices incorporating the structures
JPH02101268A (ja) 1988-10-11 1990-04-13 Taisei Corp 制振性を有する構造物
US5506063A (en) * 1990-11-14 1996-04-09 Nec Corporation Soft magnetic film of iron and process of formation thereof
US5239504A (en) * 1991-04-12 1993-08-24 International Business Machines Corporation Magnetostrictive/electrostrictive thin film memory
JPH05144729A (ja) 1991-11-20 1993-06-11 Hitachi Ltd 異種材料成長方法
US5514484A (en) * 1992-11-05 1996-05-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Oriented ferroelectric thin film
JP2924574B2 (ja) * 1993-05-31 1999-07-26 富士ゼロックス株式会社 配向性強誘電体薄膜素子
JPH08181289A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Yasuo Tarui 強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法
US5800635A (en) * 1995-06-15 1998-09-01 Alliedsignal Inc. Method of achieving a controlled step change in the magnetization loop of amorphous alloys
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JP3325478B2 (ja) * 1996-12-27 2002-09-17 ワイケイケイ株式会社 磁気抵抗効果素子および磁気検出器並びにその使用方法
US5945694A (en) * 1997-01-31 1999-08-31 Motorola, Inc. Compound semiconductor device having reduced temperature variability
JPH1197766A (ja) 1997-09-17 1999-04-09 Res Inst Electric Magnetic Alloys 強磁性トンネル接合素子
US20020004595A1 (en) 1997-12-08 2002-01-10 Smithkline Beecham Corporation Process for preparing potassium clavulanate
JP3041273B2 (ja) 1998-07-14 2000-05-15 株式会社日立製作所 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置
EP1097457B1 (de) * 1998-07-15 2003-04-09 Infineon Technologies AG Speicherzellenanordnung, bei der ein elektrischer widerstand eines speicherelements eine information darstellt und durch ein magnetfeld beeinflussbar ist, und verfahren zu deren herstellung
DE50000924D1 (de) 1999-03-19 2003-01-23 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung
US6181537B1 (en) * 1999-03-29 2001-01-30 International Business Machines Corporation Tunnel junction structure with junction layer embedded in amorphous ferromagnetic layers
US6201672B1 (en) * 1999-04-26 2001-03-13 International Business Machines Corporation Spin valve sensor having improved interface between pinning layer and pinned layer structure
JP3220116B2 (ja) 1999-07-06 2001-10-22 株式会社日立製作所 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置
US6219274B1 (en) * 1999-06-08 2001-04-17 Tdk Corporation Ferromagnetic tunnel magnetoresistance effect element and method of producing the same
JP3589346B2 (ja) 1999-06-17 2004-11-17 松下電器産業株式会社 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子
JP2001007420A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Sony Corp 磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサ
US6252750B1 (en) * 1999-07-23 2001-06-26 International Business Machines Corporation Read head with file resettable double antiparallel (AP) pinned spin valve sensor
US6275362B1 (en) * 1999-07-30 2001-08-14 International Business Machines Corporation Magnetic read head having spin valve sensor with improved seed layer for a free layer
US6611405B1 (en) * 1999-09-16 2003-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element and magnetic memory device
JP3434476B2 (ja) 1999-09-29 2003-08-11 秋田県 高密度情報記録媒体及びその媒体の製造方法
WO2001056090A1 (fr) 2000-01-28 2001-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif a magnetoresistance et procede de fabrication de celui-ci, base pour dispositif a magnetoresistance et procede de fabrication de celle-ci, et capteur a magnetoresistance
JP2002020400A (ja) 2000-07-03 2002-01-23 Yakult Honsha Co Ltd 抗活性型ケラチノサイトトランスグルタミナーゼ抗体
JP2002050011A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Nec Corp 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
US6544801B1 (en) * 2000-08-21 2003-04-08 Motorola, Inc. Method of fabricating thermally stable MTJ cell and apparatus
US6767655B2 (en) * 2000-08-21 2004-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magneto-resistive element
JP2002167661A (ja) * 2000-11-30 2002-06-11 Anelva Corp 磁性多層膜作製装置
JP2002270790A (ja) * 2000-12-27 2002-09-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP3607609B2 (ja) * 2000-12-28 2005-01-05 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置
US6771473B2 (en) 2001-01-22 2004-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistive element and method for producing the same
JP2002319722A (ja) 2001-01-22 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗効果素子とその製造方法
JP2002246567A (ja) 2001-02-14 2002-08-30 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ
JP3576111B2 (ja) 2001-03-12 2004-10-13 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子
JP3961777B2 (ja) 2001-03-26 2007-08-22 株式会社東芝 磁気センサー
JP3815601B2 (ja) 2001-09-14 2006-08-30 独立行政法人産業技術総合研究所 トンネル磁気抵抗素子および磁気ランダムアクセスメモリ
JP2002359413A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 強磁性トンネル磁気抵抗素子
JP4304568B2 (ja) * 2002-04-23 2009-07-29 独立行政法人産業技術総合研究所 平坦化トンネル磁気抵抗素子
WO2002099905A1 (fr) 2001-05-31 2002-12-12 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Element de magnetoresistance tunnel
KR100954970B1 (ko) * 2001-10-12 2010-04-29 소니 주식회사 자기 저항 효과 소자, 자기 메모리 소자, 자기 메모리 장치 및 이들의 제조 방법
FR2830971B1 (fr) * 2001-10-12 2004-03-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif magnetoresistif a vanne de spin a performances ameliorees
JP2003124541A (ja) * 2001-10-12 2003-04-25 Nec Corp 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP2003133531A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Fujitsu Ltd 電子装置とその製造方法
JP2003152239A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ
JP3638563B2 (ja) 2002-03-27 2005-04-13 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気メモリ
JP4100025B2 (ja) 2002-04-09 2008-06-11 ソニー株式会社 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
JP2003304012A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd トンネル磁気抵抗効果素子
US6794695B2 (en) * 2002-04-29 2004-09-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magneto resistive storage device having a magnetic field sink layer
JP2004022599A (ja) 2002-06-12 2004-01-22 Sony Corp 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法
JP4352659B2 (ja) 2002-06-25 2009-10-28 ソニー株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP3729159B2 (ja) 2002-06-26 2005-12-21 ソニー株式会社 磁気メモリ装置
JP2004063592A (ja) 2002-07-25 2004-02-26 Sony Corp 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
JP2004071897A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Sony Corp 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
US6621730B1 (en) * 2002-08-27 2003-09-16 Motorola, Inc. Magnetic random access memory having a vertical write line
US6831312B2 (en) * 2002-08-30 2004-12-14 Freescale Semiconductor, Inc. Amorphous alloys for magnetic devices
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US6801451B2 (en) * 2002-09-03 2004-10-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory devices having multiple bits per memory cell
JPWO2004025744A1 (ja) 2002-09-13 2006-01-12 富士通株式会社 感磁素子及びその製造方法、並びにその感磁素子を用いた磁気ヘッド、エンコーダ装置、及び磁気記憶装置
US6838740B2 (en) * 2002-09-27 2005-01-04 Grandis, Inc. Thermally stable magnetic elements utilizing spin transfer and an MRAM device using the magnetic element
JP2004128015A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sony Corp 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
JP2004128229A (ja) * 2002-10-02 2004-04-22 Nec Corp 磁性メモリ及びその製造方法
US6828260B2 (en) * 2002-10-29 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Ultra-violet treatment of a tunnel barrier layer through an overlayer a tunnel junction device
US7192787B2 (en) * 2002-12-10 2007-03-20 International Business Machines Corporation Highly nonlinear magnetic tunnel junctions for dense magnetic random access memories
JP3889710B2 (ja) * 2003-01-23 2007-03-07 三洋電機株式会社 混成集積回路装置
JP3999677B2 (ja) 2003-01-23 2007-10-31 富士通株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JP4050709B2 (ja) * 2003-04-01 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びこの電気光学装置を備えた電子機器
JP2004348777A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Hitachi Ltd 垂直磁気記録媒体および磁気記録装置
US7598555B1 (en) 2003-08-22 2009-10-06 International Business Machines Corporation MgO tunnel barriers and method of formation
US6967366B2 (en) * 2003-08-25 2005-11-22 Freescale Semiconductor, Inc. Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation
US7227728B2 (en) 2003-08-29 2007-06-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for a current-perpendicular-to-plane Giant Magneto-Resistance sensor with embedded composite film
US6911685B2 (en) * 2003-10-10 2005-06-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermally-assisted magnetic memory structures
US6819586B1 (en) 2003-10-24 2004-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermally-assisted magnetic memory structures
US20050110004A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction with improved tunneling magneto-resistance
US7252852B1 (en) * 2003-12-12 2007-08-07 International Business Machines Corporation Mg-Zn oxide tunnel barriers and method of formation
US7149105B2 (en) * 2004-02-24 2006-12-12 Infineon Technologies Ag Magnetic tunnel junctions for MRAM devices
JP4581133B2 (ja) 2004-03-12 2010-11-17 独立行政法人科学技術振興機構 磁気抵抗素子
WO2005088745A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency 磁気抵抗素子及びその製造方法
TW200600282A (en) * 2004-06-30 2006-01-01 Kabo Tool Co A tool sleeve capable of preventing undesirable rolling on a plane
US7270896B2 (en) * 2004-07-02 2007-09-18 International Business Machines Corporation High performance magnetic tunnel barriers with amorphous materials
US7357995B2 (en) * 2004-07-02 2008-04-15 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance
US20060012926A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-19 Parkin Stuart S P Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance
US7408749B2 (en) * 2004-08-23 2008-08-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP GMR/TMR structure providing higher dR
US20070258170A1 (en) * 2004-08-27 2007-11-08 Shinji Yuasa Magnetic Tunnel Junction Device and Method of Manufacturing the Same
JP4292128B2 (ja) 2004-09-07 2009-07-08 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
US7377025B2 (en) * 2004-10-29 2008-05-27 Headway Technologies, Inc. Method of forming an improved AP1 layer for a TMR device
JP4951858B2 (ja) 2005-01-12 2012-06-13 ソニー株式会社 メモリ
US7443639B2 (en) * 2005-04-04 2008-10-28 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions including crystalline and amorphous tunnel barrier materials
US8091209B1 (en) 2005-12-16 2012-01-10 Seagate Technology Llc Magnetic sensing device including a sense enhancing layer
JP2008263031A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置とその製造方法
JP2009124058A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子の面積抵抗の測定方法
JP4774092B2 (ja) 2008-10-06 2011-09-14 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子およびそれを用いたｍｒａｍ
US8183653B2 (en) 2009-07-13 2012-05-22 Seagate Technology Llc Magnetic tunnel junction having coherent tunneling structure

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10680167B2 (en) 2004-03-12 2020-06-09 Japan Science And Technology Agency Magnetic tunnel junction device
US11233193B2 (en) 2004-03-12 2022-01-25 Japan Science And Technology Agency Method of manufacturing a magnetorestive random access memeory (MRAM)
US11737372B2 (en) 2004-03-12 2023-08-22 Godo Kaisha Ip Bridge 1 Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM)
US11968909B2 (en) 2004-03-12 2024-04-23 Godo Kaisha Ip Bridge 1 Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Also Published As

Publication number Publication date
US11968909B2 (en) 2024-04-23
JP5120680B2 (ja) 2013-01-16
KR20060122970A (ko) 2006-11-30
EP1737055A4 (en) 2008-07-30
JP4963744B2 (ja) 2012-06-27
US20160020385A1 (en) 2016-01-21
US20100181632A1 (en) 2010-07-22
TWI334663B (en) 2010-12-11
JP2012039144A (ja) 2012-02-23
JP5002788B2 (ja) 2012-08-15
US20120161262A1 (en) 2012-06-28
US20200259077A1 (en) 2020-08-13
WO2005088745A1 (ja) 2005-09-22
JP2012033957A (ja) 2012-02-16
US10367138B2 (en) 2019-07-30
US20170155042A1 (en) 2017-06-01
US9608198B2 (en) 2017-03-28
JPWO2005088745A1 (ja) 2007-08-09
JP2009021626A (ja) 2009-01-29
US10680167B2 (en) 2020-06-09
US11233193B2 (en) 2022-01-25
US8319263B2 (en) 2012-11-27
US20070195592A1 (en) 2007-08-23
TW200531323A (en) 2005-09-16
US9123463B2 (en) 2015-09-01
US20230363288A1 (en) 2023-11-09
KR100867662B1 (ko) 2008-11-10
EP1737055B1 (en) 2012-01-11
US20220115588A1 (en) 2022-04-14
WO2005088745A8 (ja) 2006-12-07
US20200020851A1 (en) 2020-01-16
US7884403B2 (en) 2011-02-08
EP1737055A1 (en) 2006-12-27
JP2012054577A (ja) 2012-03-15
US8405134B2 (en) 2013-03-26
JP4082711B2 (ja) 2008-04-30
US20230413685A1 (en) 2023-12-21
JP2012151494A (ja) 2012-08-09
US20110031570A1 (en) 2011-02-10
US11737372B2 (en) 2023-08-22
US20130228883A1 (en) 2013-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5152734B2 (ja) 磁気多層膜
KR100875707B1 (ko) 자기저항소자 및 그 제조 방법
JP2006210391A (ja) 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP4581133B2 (ja) 磁気抵抗素子

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120816

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121009

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121126

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5152734

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350