JP2001007420A - 磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサ - Google Patents

磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサ

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JP2001007420A JP11171203A JP17120399A JP2001007420A JP 2001007420 A JP2001007420 A JP 2001007420A JP 11171203 A JP11171203 A JP 11171203A JP 17120399 A JP17120399 A JP 17120399A JP 2001007420 A JP2001007420 A JP 2001007420A
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layer
amorphous
magnetoresistive film
crystalline ferromagnetic
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Eiji Makino
栄治 牧野
Satoshi Ishii
聡 石井
Masafumi Takiguchi
雅史 瀧口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スピンバルブ構成における固定磁性構造部
が、アモルファス磁性層を有する場合において、磁気抵
抗変化率の向上と耐熱性の改善を図る。 【解決手段】 規則系反強磁性層１と、これに接合され
る固定磁性構造部２と、非磁性導電層３と、少なくとも
１層以上の磁性層を有する自由磁性層部４とを有し、固
定磁性構造部２にアモルファス磁性層５を有する磁気抵
抗効果膜であって、そのアモルファス磁性層５と非磁性
導電層３との接合を結晶性強磁性中間層６１を介在させ
る構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果膜お
よび磁気読取りセンサ、いわゆるスピンバルブ膜構成に
よる磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサに
関わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、スピンバルブ膜における、反強磁
性層に接合する固定磁性層としては、一般にｆｃｃ構造
の結晶性強磁性材料のＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ
単層膜が用いられている。ところで、反強磁性層とし
て、規則系反強磁性体を用いるスピンバルブ膜では、規
則化変態のために高温の熱処理が必要とされる。ところ
が、従来のスピンバルブ膜では、この高温の熱処理によ
って磁気抵抗特性の線形応答性が低下し、これと同時に
層間絶縁層結合磁界Ｈｆも増加するという問題があっ
た。規則系反強磁性層を用いるセンサは、特開平６−７
６２４７号公報に開示されている。
【０００３】一方、固定磁性層としてアモルファス磁性
合金を用いた磁気抵抗効果膜が、特開平８−２０３０３
５号公報に開示されている。これは、自由磁性層の軟磁
気特性を向上させることによって低磁界での磁気抵抗変
化率を高め、また耐熱性を向上させるというものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明においては、反
強磁性層として、規則系反強磁性体が用いられ、また、
固定磁性構造部においてアモルファス磁性合金が用いら
れた構造による磁気抵抗効果膜において、その高温熱処
理によっても、充分高い磁気抵抗変化率（以下ＭＲ比と
いう）を確保し、かつ高い耐熱性を得ることができるよ
うにした磁気抵抗効果膜および磁気読取りセンサを提供
するものである。
【０００５】すなわち、本発明においては、スピンバル
ブ型磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜によって感
磁部が構成された磁気読取りセンサであるが、この構成
において、そのスピンバルブ膜における固定磁性構造部
が、アモルファス磁性層を有する場合において、このア
モルファス磁性層と非磁性導電層との接合が、ＭＲ比、
および耐熱性に大きな影響を及ぼすことを究明し、これ
に基づいて、ＭＲ比、および耐熱性の改善を図った磁気
抵抗効果膜と、磁気読取りセンサを提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗効
果膜は、規則系反強磁性層と、これに接合される固定磁
性構造部と、非磁性導電層と、少なくとも１層以上の磁
性層を有する自由磁性層部とを有し、固定磁性構造部に
アモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果膜であって、
その固定磁性構造部において結晶性強磁性中間層を設け
て、この結晶性強磁性中間層をアモルファス磁性層と非
磁性導電層との接合部に介在させる構成とする。
【０００７】また、本発明による磁気読取りセンサは、
感磁部を有し、この感磁部が、上述した本発明による磁
気抵抗効果膜を有する構成とする。
【０００８】上述したように、本発明による磁気抵抗効
果膜は、固定磁性構造部において、アモルファス磁性層
を有する構成とするものであるが、そのアモルファス磁
性層と非磁性導電層との接合を結晶性強磁性中間層を介
して接合する構成とすることによって、ＭＲ比、および
耐熱性の改善が図られることを確認した。そして、本発
明による磁気読取りセンサは、その感磁部を、上述の磁
気抵抗効果膜によってを構成することによって、磁気読
取りの感度と耐熱性の向上、したがって、信頼性を向上
させるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１にその一実施形態の一例の概
略断面図を示すように、本発明による磁気抵抗効果膜１
１は、いわゆるスピンバルブ構成を有する、規則系反強
磁性層１と、これに接合される固定磁性構造部２と、非
磁性導電層３と、少なくとも１層以上の磁性層を有する
自由磁性層部４とを有し、その固定磁性構造部２が、ア
モルファス磁性層５を有する磁気抵抗効果膜であり、そ
のアモルファス磁性層５と非磁性導電層３との間に第１
の結晶性強磁性中間層６１を介在させた構成とするもの
である。
【００１０】また、図２に他の一実施形態の一例の概略
断面図を示すように、上述の構成において、更に、その
固定磁性構造部２において、アモルファス磁性層５が、
第２の結晶性強磁性中間層６２を介して規則系反強磁性
層１に接合された構成とする。図２において、図１と対
応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００１１】アモルファス磁性層５は、Ｃｏを含む磁性
合金、例えばＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＺｒＴ
ａ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＴａ，Ｃ
ｏＮｂＴａの少なくとも１つ以上によることができる。
【００１２】また、第１および第２の結晶性強磁性中間
層６１および６２は、ＮｉＦｅ，Ｃｏ，ＣｏＦｅを主成
分例えば９５重量％以上含む結晶性強磁性層によって構
成することができる。
【００１３】また、必要に応じて固定磁性構造部２の、
アモルファス磁性層５と第１の結晶性強磁性中間層６１
との間に非磁性結合層を挿入することができる。
【００１４】規則系反強磁性層は、例えばＰｔＭｎ，Ｎ
ｉＭｎ，ＩｒＭｎ，ＰｄＭｎ，ＰｄＰｔＭｎ，ＲｈＭｎ
の少なくとも１つ以上によって構成することができる。
【００１５】また、アモルファス磁性層と第１の結晶性
強磁性中間層との膜厚比は、１対３とすることが好まし
い。
【００１６】上述した各層の形成は、周知の形成方法、
例えばスパッタリングによって成膜することができる。
【００１７】また、本発明による感磁部を有する磁気読
取りセンサは、図３にその一実施形態の一例の斜視図を
示すように、例えば各種磁気記録媒体に対する再生ヘッ
ド部ＲＨ等として構成することができるものであり、そ
の感磁部３１が、上述した本発明による磁気抵抗効果膜
１１によって構成されるものである。
【００１８】本発明による磁気抵抗効果膜の実施例を説
明するが、本発明は、この実施例に限定されるものでは
ない。 〔実施例１〕この実施例においては、図１に示すよう
に、ガラス基板１２上に、厚さ５ｎｍのＴａによる下地
層１３を形成し、この上に自由磁性層部４として、厚さ
３．８ｎｍのＮｉＦｅによる磁性層４１と、厚さ２．０
ｎｍのＣｏＦｅによる磁性層４２とを形成し、この上
に、厚さ２．５ｎｍのＣｕによる非磁性導電層３を形成
した。そして、この上に、厚さ１．１ｎｍの結晶性Ｃｏ
Ｆｅによる第１の結晶性強磁性中間層６１と、厚さ１．
１ｎｍのＣｏＦｅＺｒによるアモルファス磁性層５によ
る固定磁性構造部２を形成し、この上に厚さ２０ｎｍの
ＰｔＭｎによる規則系反強磁性層１を形成し、その上に
厚さ１０ｎｍのＴａによる表面保護等を行う表面層１４
を形成した。すなわち、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦ
ｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＣｏＦｅＺｒ／ＰｔＭｎ／Ｔａの
構成とした。そして、これら各層の形成は、スパッタリ
ングによった。
【００１９】この実施例１の磁気抵抗効果膜による同一
試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５℃、３
１０℃および３２５℃の熱処理を行い各熱処理後におい
て、磁気抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆとを測
定した結果を、図４Ａおよび図５Ａにそれぞれ■印でプ
ロットして示した。
【００２０】〔実施例２〕実施例１における固定磁性構
造部２を構成したＣｏＦｅＺｒによるアモルファス磁性
層５に換えて厚さ１．１ｎｍのＣｏＺｒＴａによるアモ
ルファス磁性層５を用いて構成した。そのほかの構成
は、実施例１と同様の構成とした。すなわち、この実施
例２における構成は、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ
／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＣｏＺｒＴａ／ＰｔＭｎ／Ｔａの構
成とした。
【００２１】この実施例２の磁気抵抗効果膜において、
同一試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５
℃、３１０℃および３２５℃の熱処理を行い各熱処理後
において、磁気抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆ
とを測定した結果を、図４Ｂおよび図５Ｂにそれぞれ■
印でプロットして示した。
【００２２】〔実施例３〕実施例１における固定磁性構
造部２を構成したＣｏＦｅＺｒによるアモルファス磁性
層５に換えて厚さ１．１ｎｍのＣｏＦｅＢによるアモル
ファス磁性層５を用いて構成した。そのほかの構成は、
実施例１と同様の構成とした。すなわち、この実施例２
における構成は、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃ
ｕ／ＣｏＦｅ／ＣｏＦｅＢ／ＰｔＭｎ／Ｔａの構成とし
た。
【００２３】この実施例３の磁気抵抗効果膜において、
同一試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５
℃、３１０℃の熱処理を行い各熱処理後において、磁気
抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆとを測定した結
果を、図４Ｃおよび図５Ｃにそれぞれ■印でプロットし
て示した。
【００２４】〔比較例１〕実施例１における構成におい
て、固定磁性構造部２を、厚さ２．２ｎｍのＣｏＦｅの
みによって構成したほかは、実施例１と同様の構成とし
た。すなわち、この比較例１における構成は、基板／Ｔ
ａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＰｔＭｎ／
Ｔａの構成とした。
【００２５】この比較例１の磁気抵抗効果膜において、
同一試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５
℃、３１０℃の熱処理を行い各熱処理後において、磁気
抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆとを測定した結
果を、図４Ａ〜Ｃおよび図５Ａ〜Ｃにそれぞれ○印でプ
ロットして示した。
【００２６】〔比較例２〕実施例１における固定磁性構
造部２を構成した第１の結晶性強磁性中間層６１を排除
した構成とした。すなわち、この比較例２における構成
は、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ
Ｚｒ／ＰｔＭｎ／Ｔａの構成とした。
【００２７】この比較例２の磁気抵抗効果膜において、
同一試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５
℃、３１０℃および３２５℃の熱処理を行い各熱処理後
において、磁気抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆ
とを測定した結果を、図４Ａおよび図５Ａにそれぞれ□
印でプロットして示した。
【００２８】〔比較例３〕実施例２における固定磁性構
造部２を構成した第１の結晶性強磁性中間層６１を排除
した構成とした。すなわち、この比較例３における構成
は、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＺｒ
Ｔａ／ＰｔＭｎ／Ｔａの構成とした。
【００２９】この比較例３の磁気抵抗効果膜において、
同一試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５
℃、３１０℃および３２５℃の熱処理を行い各熱処理後
において、磁気抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆ
とを測定した結果を、図４Ｂおよび図５Ｂにそれぞれ□
印でプロットして示した。
【００３０】〔比較例４〕実施例３における固定磁性構
造部２を構成した第１の結晶性強磁性中間層６１を排除
した構成とした。すなわち、この比較例４における構成
は、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ
Ｂ／ＰｔＭｎ／Ｔａの構成とした。
【００３１】この比較例４の磁気抵抗効果膜において、
同一試料に関して、順次２６５℃、２８０℃、２９５
℃、３１０℃の熱処理を行い各熱処理後において、磁気
抵抗変化率ＭＲ比と、層間結合磁界Ｈｆとを測定した結
果を、図４Ｃおよび図５Ｃにそれぞれ□印でプロットし
て示した。
【００３２】尚、ＭＲの測定においては、３２５℃の熱
処理に関しては、測定を行わなかった。図４および図５
より明らかなように、固定磁性構造部２おいて、アモル
ファス磁性層５を設けない比較例１においては、２６５
℃程度もしくはそれより低い温度の熱処理では８％程度
の高いＭＲ比と、１０〔Ｏｅ〕以下の低いＨｆを示して
いるが、熱処理温度の上昇とともにＭＲ比が著しく低下
し、Ｈｆが急激に増加し６０〔Ｏｅ〕という高い値を示
す。
【００３３】また、比較例２〜４の、結晶性強磁性中間
層を設けていない磁気抵抗効果膜は、３００℃程度の高
温熱処理においても、ＭＲ比およびＨｆに関して急激な
変化がみられず、耐熱性にすぐれているものの、ＭＲ比
が、４．５％、３．３％、７％という低い値を示す。
【００３４】これに対し、固定磁性構造部２のアモルフ
ァス磁性層５と非磁性導電層３との間にＣｏＦｅによる
第１の結晶性強磁性中間層６１を接合した本発明構成に
よるときは、３００℃程度の高温熱処理においても、Ｍ
Ｒ比の顕著な現象がみられず、また、Ｈｆの急激な増加
も観察されなかった。すなわち、本発明による磁気抵抗
効果膜は、耐熱性にすぐれていることが分かる。そし
て、このときのＭＲ比は、６．５％，６．８％および
７．８％程度を示し、結晶性強磁性中間層６１を設けて
いない比較例２〜３に比して高いＭＲ比を示している。
すなわち、本発明による磁気抵抗効果膜は、耐熱性にす
ぐれ、同時に高いＭＲ比を得ることができる。
【００３５】〔実施例４〕実施例３の構成において、そ
の固定磁性構造部２を構成する、ＣｏＦｅによる結晶性
強磁性中間層６１と、ＣｏＦｅＢによるアモルファス磁
性層５との各厚さの比を、４：０、３：１、２：２、
１：３および０：４（すなわち、結晶性強磁性中間層な
し）に変化させたときの、ＭＲ比と、Ｈｆに係わるそれ
ぞれの熱処理温度依存性を測定した結果を、図６および
図７に示す。図６および図７において、●印は、２６５
℃の場合、■印は２８０℃の場合、黒塗り△印は、２９
５℃の場合、○印は、３１０℃の場合のそれぞれの測定
結果をプロットしたものである。図６および図７から、
その結晶性強磁性中間層とアモルファス磁性層の厚さの
比を選定することによって、ＭＲ比およびＨｆの温度依
存性を制御することができることが分かり、その厚さの
比が、３．１程度において、熱処理温度が２６５℃〜２
９５℃において、ＭＲ比が約８％という高い値を示し、
Ｈｆも２９５℃程度までは、低い値を示している。
【００３６】〔実施例５〕この実施例においては、図２
にその概略断面図を示した構成とした場合で、この場
合、その固定磁性構造部２を、第１の結晶性強磁性中間
層６１とアモルファス磁性層５と第２の結晶性強磁性中
間層６２とによる構成とした場合で、第１の結晶性強磁
性中間層６１を結晶性ＣｏＦｅ層によって、アモルファ
ス磁性層５をＣｏＦｅＢ層によって、第２の結晶性強磁
性中間層６２を結晶性ＮｉＦｅ層による構成とし、他の
構成は実施例１と同様の構成とした場合である。すなわ
ち基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／
ＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ／ＰｔＭｎ／Ｔａの構成とした。
【００３７】そして、この構成において、第１の結晶性
強磁性中間層６１（ＣｏＦｅ）と、アモルファス磁性層
５（ＣｏＦｅＢ）と、第２の結晶性強磁性中間層６２
（ＮｉＦｅ）の各厚さの比を、２：１：１、１：２：
１、１：１：２および４：０：０（第１の結晶性強磁性
中間層６１のみとした場合）について、熱処理温度に対
するＭＲ比とＨｆとの測定結果を図８および図９に示
す。図８および図９において、■印はその厚さの比を
２：１：１とした場合、◆印は１：２：１とした場合、
黒塗り△印は１：１：２とした場合、○印は４：０：０
とした場合である。
【００３８】このように、第２の結晶性強磁性中間層６
２を設ける場合においても、耐熱性の向上が図られる。
【００３９】上述したように、本発明による磁気抵抗効
果膜は、ＭＲ比を高めつつ、且つ耐熱性の向上が図られ
る。
【００４０】また、本発明による磁気抵抗効果膜１１の
他の実施形態としては、その固定磁性構造部２にあっ
て、そのアモルファス磁性層５と結晶性強磁性中間層６
１あるいは６２との間に非磁性結合層としての例えばＲ
ｕ層を挿入し、両者の磁化を分離する構成とすることも
できる。すなわち例えば、上述した実施例１の構成に適
用する場合においては、基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦ
ｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＺｒ／ＰｔＭｎ／
Ｔａの構成とすることができる。
【００４１】尚、本発明による磁気抵抗効果膜１１は、
上述した実施形態および実施例に限られるものではな
い。例えば上述した各例においては、基板１２を自由磁
性層部４側に配置した場合であるが、言うまでもなく、
基板１２を規則系反強磁性層側に配置した構成とするこ
ともできる。
【００４２】そして、上述したように、本発明による磁
気抵抗効果膜は、ＭＲ比を高めつつ、且つ耐熱性の向上
が図られることから、この磁気抵抗効果膜を、磁気読取
りセンサ例えば磁気記録媒体に対する再生ヘッド等にお
ける感磁部として構成するときは、高い再生感度を得る
ことができる。
【００４３】本発明による磁気読取りセンサの一実施形
態の一例を図３を参照して説明する。この例において
は、本発明による磁気読取りセンサ、すなわち磁気抵抗
効果型の再生ヘッド部ＲＨと、誘導型薄膜記録ヘッド部
ＷＨとを有する記録再生ヘッドを構成する複合構成とし
た場合例示しているが、再生ヘッドのみによる構成とす
ることもできる。
【００４４】図３に示す例においては、磁性体による基
板１２上に、これが導電性を有する場合は、絶縁層３２
を介して本発明による磁気抵抗効果膜１１による感磁部
３１が形成される。この感磁部３１の両端には電極３３
が被着され、この上に更に絶縁層３２を介して磁性体基
板３４が接合されてスピンバルブ型の磁気抵抗効果型再
生ヘッド部ＲＨが構成される。
【００４５】磁性体基板４４上には、これが導電性を有
する場合は、同様に例えば絶縁層３２を介して、磁性層
による下層磁気コア３５が形成され、この上に例えば絶
縁層を介して薄膜コイル３６が形成され、更にこの上に
絶縁層３２を介して磁性層による上層磁気コア３７が形
成される。両磁気コア３５および３７の前方端は、所要
の厚さの非磁性層を介して対向させて磁気ギャップｇが
形成される。また、上層磁気コア３７は、その後方にお
いて、薄膜コイル３２の中心部において、下層磁気コア
３５と磁気的に結合され、下層磁気コア３５と上層磁気
コア３７によって磁気ギャップｇが形成された閉磁路が
形成されて、誘導型の薄膜記録ヘッド部ＷＨが構成され
る。
【００４６】感磁部３１と、磁気ギャップｇとは、磁気
記録とその読み取りを行う磁気記録媒体（図示せず）と
の対接ないしは対向面に臨んで形成される。
【００４７】この本発明による磁気読取りセンサ、この
例では磁気ヘッド、特に再生ヘッドは、上述したＭＲ比
が高く、耐熱性にすぐれた磁気抵抗効果膜１１によって
感磁部３１が構成が構成されることから、再生感度にす
ぐれ、またヘッドの作製時、あるいはその後の使用状態
等における高温下においても安定した再生特性を有する
ヘッドを構成することができる。
【００４８】尚、上述した例では、薄膜記録磁気ヘッド
が一体化された複合ヘッドを構成した場合であるが、再
生ヘッド単独による構成とすることもできるし、また、
再生ヘッド部ＲＨの構造も上述した例に限られるもので
はなく、更に、磁気記録媒体に対する再生ヘッドに限ら
れるものではなく、種々の磁気検出がなされる磁気読取
りセンサに適用することができる。
【００４９】
【発明の効果】上述したように、本発明による磁気抵抗
効果膜は、固定磁性構造部にアモルファス磁性層が設け
られる構成とする場合の、磁気抵抗変化率ＭＲ比が低下
するという不都合を改善し、また、固定磁性構造部に、
結晶性強磁性の単層構成における耐熱性の問題を改善す
ることができる。したがって、熱処理プロセスの自由度
が大となり、作り込み制御性が容易となり、熱処理によ
るＭＲ比の低下が妨げられることから、磁気読取りセン
サにおける高出力化が図られる。また、熱処理による層
間結合磁界Ｈｆの著しい増加を回避できることから、バ
イアスポイントの制御性が向上する。
【００５０】また、本発明による磁気抵抗効果膜におい
て、規則系反強磁性層とアモルファス磁性層との間に第
２の結晶性強磁性中間層を設ける構造とするときは、こ
の瀬及びの結晶性強磁性中間層の材料選定によってアモ
ルファス磁性層と規則系反強磁性層とに大きな結合磁界
による安定した動作が得られる。
【００５１】したがって、本発明による磁気抵抗効果膜
によって感磁部を構成した本発明による磁気読取りセン
サは、感度と安定性にすぐれた信頼性の高い磁気読取り
センサを構成することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気抵抗効果膜の一例の概略断面
図である。
【図２】本発明による磁気抵抗効果膜の他の例の概略断
面図である。
【図３】本発明による磁気読取りセンサの一例の概略斜
視図である。
【図４】Ａ〜Ｃは、磁気抵抗効果膜の熱処理温度に対す
る磁気抵抗変化率（ＭＲ比）の測定結果を示す図であ
る。
【図５】Ａ〜Ｃは、磁気抵抗効果膜の熱処理温度に対す
る層間結合磁界（Ｈｆ）の測定結果を示す図である。
【図６】固定磁性構造部における、結晶性強磁性中間層
（ＣｏＦｅ層）とアモルファス磁性層（ＣｏＦｅＢ層）
との膜厚比とＭＲ比との関係の温度依存性を測定した結
果を示す図である。
【図７】固定磁性構造部における、結晶性強磁性中間層
（ＣｏＦｅ層）とアモルファス磁性層（ＣｏＦｅＢ層）
との膜厚比とＨｆとの関係の温度依存性を測定した結果
を示す図である。
【図８】磁気抵抗効果膜の熱処理温度とＭＲ比の、固定
磁性構造部における、第１の結晶性強磁性中間層とアモ
ルファス磁性層と第２の結晶性強磁性中間層との膜厚比
をパラメータとする測定結果を示す図である。
【図９】磁気抵抗効果膜の熱処理温度とＨｆの、固定磁
性構造部における、第１の結晶性強磁性中間層とアモル
ファス磁性層と第２の結晶性強磁性中間層との膜厚比を
パラメータとする測定結果を示す図である。
【符号の説明】
１・・・規則系反強磁性層、２・・・固定磁性構造部、
３・・・非磁性導電層、４・・・自由磁性層部、５・・
・アモルファス磁性層、１１・・・磁気抵抗効果膜、１
２・・・基板、１３・・・下地層、１４・・・表面層、
３０，３４・・・磁性体基板、３１・・・感磁部、３２
・・・絶縁層、３３・・・電極、３５・・・下層磁気コ
ア、３６・・・薄膜コイル、３７・・・上層磁気コア、
４１，４２・・・磁性層、６１・・・第１の結晶性強磁
性中間層、６２・・・第２の結晶性強磁性中間層、ＲＨ
・・・再生ヘッド部、ＷＨ・・・記録ヘッド部、ｇ・・
・磁気ギャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀧口 雅史 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AB05 AC04 AD55 AD56 AD63 AD65

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 規則系反強磁性層と、これに接合される
    固定磁性構造部と、非磁性導電層と、少なくとも１層以
    上の磁性層を有する自由磁性層部とを有し、上記固定磁
    性構造部にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果膜
    であって、 上記アモルファス磁性層と上記非磁性導電層との間に第
    １の結晶性強磁性中間層を介在させて接合されて成るこ
    とを特徴とする磁気抵抗効果膜。
  2. 【請求項２】 上記固定磁性構造部のアモルファス磁性
    層が、第２の結晶性強磁性中間層を介して上記規則系反
    強磁性層に接合されたことを特徴とする請求項１に記載
    の磁気抵抗効果膜。
  3. 【請求項３】 上記アモルファス磁性層が、Ｃｏを含む
    磁性合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気
    抵抗効果膜。
  4. 【請求項４】 上記アモルファス磁性層が、ＣｏＦｅ
    Ｂ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＺｒＮｂ，Ｃｏ
    Ｎｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＴａ，ＣｏＮｂＴａの少なくとも
    １つ以上によることを特徴とする請求項１に記載の磁気
    抵抗効果膜。
  5. 【請求項５】 上記第１の結晶性強磁性中間層が、Ｎｉ
    Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｏＦｅを主成分とする強磁性層によるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果膜。
  6. 【請求項６】 上記第２の結晶性強磁性中間層が、Ｎｉ
    Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｏＦｅを主成分とする虚磁性層によるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果膜。
  7. 【請求項７】 上記固定磁性構造部の、上記アモルファ
    ス磁性層と上記結晶性強磁性中間層との間に非磁性結合
    層を挿入したことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵
    抗効果膜。
  8. 【請求項８】 上記固定磁性構造部の、上記アモルファ
    ス磁性層と上記結晶性強磁性中間層との間に非磁性結合
    層を挿入したことを特徴とする請求項２に記載の磁気抵
    抗効果膜。
  9. 【請求項９】 上記規則系反強磁性層が、ＰｔＭｎ，Ｎ
    ｉＭｎ，ＩｒＭｎ，ＰｄＭｎ，ＰｄＰｔＭｎ，ＲｈＭｎ
    の少なくとも１つ以上によることを特徴とする請求項１
    に記載の磁気抵抗効果膜。
  10. 【請求項１０】 感磁部を有する磁気読取りセンサであ
    って、 該感磁部が、規則系反強磁性層と、これに接合される固
    定磁性構造部と、非磁性導電層と、少なくとも１層以上
    の磁性層を有する自由磁性層部とを有し、上記固定磁性
    構造部にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果膜を
    有して成り、 上記アモルファス磁性層と上記非磁性導電層との間に第
    １の結晶性強磁性中間層を介在させて接合されたことを
    特徴とする磁気読取りセンサ。
  11. 【請求項１１】 上記固定磁性構造部のアモルファス磁
    性層が、第２の結晶性強磁性中間層を介して上記規則系
    反強磁性層に接合されることを特徴とする請求項１０に
    記載の磁気読取りセンサ。
  12. 【請求項１２】 上記アモルファス磁性層が、Ｃｏを含
    む磁性合金であることを特徴とする請求項１０に記載の
    磁気読取りセンサ。
  13. 【請求項１３】 上記アモルファス磁性層は、ＣｏＦｅ
    Ｂ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＺｒＮｂ，Ｃｏ
    Ｎｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＴａ，ＣｏＮｂＴａの少なくとも
    １つ以上によることを特徴とする請求項１０に記載の磁
    気読取りセンサ。
  14. 【請求項１４】 上記第１の結晶性強磁性中間層が、Ｎ
    ｉＦｅ，Ｃｏ，ＣｏＦｅを主成分とする強磁性層による
    ことを特徴とする請求項１０に記載の磁気読取りセン
    サ。
  15. 【請求項１５】 上記第２の結晶性強磁性中間層が、Ｎ
    ｉＦｅ，Ｃｏ，ＣｏＦｅを主成分とする強磁性層による
    ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気読取りセン
    サ。
  16. 【請求項１６】 上記固定磁性構造部の、上記アモルフ
    ァス磁性層と上記結晶性強磁性中間層との間に非磁性結
    合層を挿入したことを特徴とする請求項１０に記載の磁
    気読取りセンサ。
  17. 【請求項１７】 上記固定磁性構造部の、上記アモルフ
    ァス磁性層と上記結晶性強磁性中間層との間に非磁性結
    合層を挿入したことを特徴とする請求項１１に記載の磁
    気読取りセンサ。
  18. 【請求項１８】 上記規則系反強磁性層が、ＰｔＭｎ，
    ＮｉＭｎ，ＩｒＭｎ，ＰｄＭｎ，ＰｄＰｔＭｎ，ＲｈＭ
    ｎの少なくとも１つ以上によることを特徴とする請求項
    １０に記載の磁気読取りセンサ。。
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