JP5107504B2 - 薄膜トランジスタ表示板とその製造方法 - Google Patents
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Description
前記ゲート線上にゲート絶縁膜と半導体層を連続積層する段階と、
前記半導体層上に、データ線、ソース電極及びドレーン電極となる下部導電膜と上部導電膜を蒸着する段階と、
前記上部導電膜、前記下部導電膜及び前記半導体層を写真エッチングする段階と、
保護膜を蒸着する段階と、
感光膜を形成し、露光及び現像する段階と、
前記感光膜を用いて前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜をエッチングして、前記ゲート線の外部と接続される端部を露出する第1エッチングを行い、エッチングバック(etch back)工程により薄い厚さを持つ感光膜を除去した後、その感光膜を用いて前記保護膜をエッチングして、前記上部導電膜のうち、画素電極と前記下部導電膜とを接続するための領域である前記上部導電膜の第1部分と、チャンネル領域を含む領域に対応する前記上部導電膜の第2部分と、前記データ線の外部と接続される端部に対応する前記上部導電膜の第3部分と、を露出する第2エッチングを行う段階と、
露出された前記上部導電膜の第1部分、第2部分、第3部分を除去して、前記下部導電膜のうち、それぞれ前記上部導電膜の第1部分、第2部分及び第3部分に対応する第1部分、第2部分及び第3部分を露出する段階と、
前記下部導電膜の第1部分を覆う前記画素電極、第2部分を覆う補助ソース電極及び補助ドレーン電極を形成する段階と、
前記下部導電膜の第2部分のうち、前記補助ソース電極と補助ドレーン電極の間の前記下部導電膜を除去して前記半導体層の一部を露出することで前記チャンネル領域を形成する段階と、
前記半導体層の露出された部分上に間隔材柱を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
前記画素電極を形成する段階で、前記下部導電膜の第1部分と露出された前記ゲート絶縁膜を共に覆い画素電極を形成する。
前記保護膜の写真エッチング段階で、前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記ゲート線の上部膜の一部を露出する。
前記下部導電膜の第3部分と前記ゲート線の下部膜の露出された部分を覆う接触補助部材を形成する段階をさらに含む。
前記上部導電膜はCrからなり、前記下部導電膜はAlまたはAl-Nd合金からなる。
前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の形成段階と前記半導体層の一部の露出段階が共に実施される。
前記半導体層は真性半導体膜と不純物半導体膜を含み、
前記下部導電膜の除去後、前記不純物半導体膜の露出された部分を除去する段階をさらに含む。
前記基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層の上部に形成され、データ線、ソース電極及びドレーン電極となる下部導電膜と上部導電膜と、
前記データ線及び前記ドレーン電極の上に形成され、前記ドレーン電極の下部導電膜を露出する第1接触孔と、前記ソース電極と前記ドレーン電極の間のチャンネル領域を形成する前記半導体層を露出する開口部と、前記データ線の外部と接続される端部の下部導電膜を露出する第2接触孔と、前記ゲート絶縁膜とともに前記ゲート線の外部と接続される端部を露出する第3接触孔と、を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と接触する画素電極と、
前記画素電極と同一層で形成されており、前記開口部で前記データ線の一部であるソース電極と前記ドレーン電極を覆う補助ソース電極及び補助ドレーン電極と、
を含み、
前記補助ソース電極と補助ドレーン電極を用いて、前記補助ソース電極と補助ドレーン電極との間の前記半導体層の一部を露出することで前記チャンネル領域を形成する薄膜トランジスタ表示板を提供する。
前記ソース電極及び前記ドレーン電極の上部を通る前記開口部の境界線が、前記補助ソース電極と前記補助ドレーン電極によって完全に覆われている。
前記半導体層の露出された部分上に形成されている絶縁体をさらに含む。
前記ドレーン電極の上部膜の少なくとも一部の境界が、前記第1接触孔の一部の境界と一致する。
前記画素電極はIZOからなる。
121 ゲート線
124 ゲート電極
140 ゲート絶縁膜
151、154 半導体
161、163、165 抵抗性接触部材
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレーン電極
180 保護膜
181、182、185 接触孔
189 開口部
190 画素電極
81、82 接触補助部材
320 間隔材柱
Claims (22)
- 基板上にゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜と半導体層を連続積層する段階と、
前記半導体層上に、データ線、ソース電極及びドレーン電極となる下部導電膜と上部導電膜を蒸着する段階と、
前記上部導電膜、前記下部導電膜及び前記半導体層を写真エッチングする段階と、
保護膜を蒸着する段階と、
感光膜を形成し、露光及び現像して、前記ゲート線の外部と接続される端部に対応する感光膜を除去し、画素電極と前記下部導電膜とを接続するための領域である前記上部導電膜の第1部分と、チャンネル領域を含む領域に対応する前記上部導電膜の第2部分と、前記データ線の外部と接続される端部に対応する前記上部導電膜の第3部分とに対応する感光膜の厚さを薄くする段階と、
前記感光膜を用いて前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜をエッチングして、前記ゲート線の外部と接続される端部を露出する第1エッチングを行い、エッチングバック(etch back)工程により薄い厚さを持つ感光膜を除去した後、その感光膜を用いて前記保護膜をエッチングして、前記上部導電膜のうち、前記上部導電膜の第1部分、第2部分及び第3部分を露出する第2エッチングを行う段階と、
露出された前記上部導電膜の第1部分、第2部分、第3部分を除去して、前記下部導電膜のうち、それぞれ前記上部導電膜の第1部分、第2部分及び第3部分に対応する第1部分、第2部分及び第3部分を露出する段階と、
前記下部導電膜の第1部分を覆う前記画素電極、第2部分を覆う補助ソース電極及び補助ドレーン電極を形成する段階と、
前記下部導電膜の第2部分のうち、前記補助ソース電極と補助ドレーン電極の間の前記下部導電膜を除去して前記半導体層の一部を露出することで前記チャンネル領域を形成する段階と、
前記半導体層の露出された部分上に間隔材柱を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記保護膜の写真エッチング段階で、前記上部導電膜の第1部分とこれに隣接するゲート絶縁膜を共に露出する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階で、前記下部導電膜の第1部分と露出された前記ゲート絶縁膜を共に覆い画素電極を形成する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート線が下部膜と上部膜を含む、請求項3に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記保護膜の写真エッチング段階で、前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記ゲート線の上部膜の一部を露出する、請求項4に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記上部導電膜の除去段階で、前記ゲート線上部膜の露出された部分を共に除去して前記ゲート線下部膜の一部を露出する、請求項5に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記下部導電膜の第3部分と前記ゲート線の下部膜の露出された部分を覆う接触補助部材を形成する段階をさらに含む、請求項6に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート線の上部膜と前記上部導電膜は同一の物質からなる、請求項7に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記上部導電膜はCrからなり、前記下部導電膜はAlまたはAl-Nd合金からなる、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極はIZOで形成される、請
求項9に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の形成段階と前記半導体層の一部の露出段階が共に実施される、請求項10に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極、前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の形成段階と前記半導体層の一部の露出段階が同一のエッチング条件で行われる、請求項11に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記半導体層は真性半導体膜と不純物半導体膜を含み、
前記下部導電膜の除去後、前記不純物半導体膜の露出された部分を除去する段階をさらに含む、請求項1乃至請求項9のうちいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層の上部に形成され、データ線、ソース電極及びドレーン電極となる下部導電膜と上部導電膜と、
前記データ線及び前記ドレーン電極の上に形成され、前記ドレーン電極の下部導電膜を露出する第1接触孔と、前記ソース電極と前記ドレーン電極の間のチャンネル領域を形成する前記半導体層を露出する開口部と、前記データ線の外部と接続される端部の下部導電膜を露出する第2接触孔と、前記ゲート絶縁膜とともに前記ゲート線の外部と接続される端部を露出する第3接触孔と、を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と接触する画素電極と、
前記画素電極と同一層で形成されており、前記開口部で前記データ線の一部であるソース電極と前記ドレーン電極を覆う補助ソース電極及び補助ドレーン電極と、
を含み、
前記補助ソース電極と補助ドレーン電極を用いて、前記補助ソース電極と補助ドレーン電極との間の前記半導体層の一部を露出することで前記チャンネル領域を形成する薄膜トランジスタ表示板。 - 前記半導体層を露出する前記ソース電極及び前記ドレーン電極の前記下部導電膜の境界線が、互いに対向する前記補助ソース電極及び前記補助ドレーン電極の境界線と互いに一致する、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ソース電極及び前記ドレーン電極の上部を通る前記開口部の境界線が、前記補助ソース電極と前記補助ドレーン電極によって完全に覆われている、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1接触孔は、前記ドレーン電極の下部導電膜の一部及び隣接するゲート絶縁膜を露出する、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記半導体層の露出された部分上に形成されている絶縁体をさらに含む、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記絶縁体は液晶表示装置の間隔材柱である、請求項18に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレーン電極の上部膜の少なくとも一部の境界が、前記第1接触孔の一部の境界と一致する、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記下部導電膜はCrからなり、前記上部導電膜はAlまたはAl合金からなる、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記画素電極はIZOからなる、請求項14に記載の薄膜トランジスタ表示板。
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