JP5107239B2 - 光学記録材料及びシアニン化合物 - Google Patents

Description

本発明は、主として情報をレーザ等による情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳しくは、紫外及び可視領域の波長を有し且つ低エネルギーのレーザ等による高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に使用される光学記録材料及びこれに適する新規なシアニン化合物に関する。

光学記録媒体は、一般に、記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行なわれること等の優れた特徴を有することから、広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ±Ｒ等の追記型の光ディスクでは、記録層の微小面積にレーザを集光させ、光学記録層の性状を変えて記録し、記録部分と未記録部分との反射光量の違いによって再生を行なっている。

光ディスクに代表される光学記録媒体の光学記録層には、光学記録層を形成するのが容易なので、有機系の色素が使用されており、特にシアニン系の化合物が感度が高く、高速化に対応できることから検討されている。

現在、上記の光ディスクにおいては、記録及び再生に用いる半導体レーザの波長は、ＣＤ−Ｒは７５０〜８３０ｎｍであり、ＤＶＤ−Ｒは６２０〜６９０ｎｍであり、また、更に高密度の６００ｎｍ以下の光ディスクも開発されている。これらの光ディスクに対応したペンタメチンシアニン化合物は、例えば、特許文献１〜１１等で報告されている。

しかし、上記のペンタメチンシアニン化合物は、熱分解特性に問題がある。高速記録には熱干渉が小さいことが必要であり、光学記録材料としては、分解温度が低いもの及び熱分解が急峻であるものが適合するが、上記報告の各シアニン化合物は、この点で充分な特性を有しているものではなかった。

特開昭５９−５５７９５号公報 特開平５−１７３２８２号公報 特開平１１−５３７６１号公報 特開平１１−２２７３３１号公報 特開平１１−２７７９０４号公報 特開平１１−３４４９９号公報 特開２０００−１０８５１０号公報 特開２０００−２８９３３５号公報 特表２００１−５０６９３３号公報 特開２００３−２３１３５９号公報 特開２００６−３１２７１０号公報

従って、本発明の目的は、高速の光学記録用途に好適な熱分解挙動を示すシアニン系化合物を含有してなる光学記録材料及び該光学記録材料に好適な新規なシアニン系化合物を提供することにある。

本発明者等は、高速記録に対応できる感度を実現するには熱分解挙動の適正化及び吸収波長の適正化が有効と考え、検討を重ねた結果、特定の分子構造を有するシアニン系化合物が、上記課題を解決し得ることを知見し、本発明に到達した。

本発明は、下記一般式（IV）又は（V）で表されるシアニン化合物を少なくとも一種含有する光学記録材料を提供することで、上記目的を達成したものである。

（式中、環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ ² 、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜３０の有機基あるいは下記一般式（II）、下記一般式（II'）又は下記一般式（II"）で表される基を表し、Ｒ³とＲ⁴は、互いに連結して環構造を形成していてもよい。Ｙ¹及びＹ²は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜３０の有機基又は下記一般式（III）で表される基を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基又はシアノ基を表す。Ａｎ^m-は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは、１又は２を表し、ｐは、電荷を中性に保つ係数を表し、Ｒ ^9' は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１〜５の数である。）

（式中、環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ ² 、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜３０の有機基あるいは下記一般式（II）、下記一般式（II'）又は下記一般式（II"）で表される基を表し、Ｒ ³ とＲ ⁴ は、互いに連結して環構造を形成していてもよい。Ｙ ¹ 及びＹ ² は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜３０の有機基又は下記一般式（III）で表される基を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基又はシアノ基を表す。Ａｎ ^m- は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは、１又は２を表し、ｐは、電荷を中性に保つ係数を表す。）

（上記一般式（II）において、ＥとＧの間の結合は二重結合又は三重結合であり、Ｅは炭素原子を表し、Ｇは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｒ⁵は水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基、を表し、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ⁵とＲ⁷は結合してナフタレン環又はアントラセン環を形成してもよい。上記一般式（II’）において、Ｅ’とＧ’の間の結合は二重結合であり、Ｅ’は炭素原子を表し、Ｇ’は、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、Ｅ’及びＧ’を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環又はヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、これらＥ’及びＧ’を含む環は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。上記一般式（II”）において、Ｅ”とＧ”の間の結合は二重結合であり、Ｅ”は炭素原子を表し、Ｇ”は、炭素原子を表し、Ｅ”及びＧ”を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、Ｒ⁹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ｎは１〜５を表す。）

（式中、Ｒ^a〜Ｒⁱは、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｑは、直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）

また、本発明は、基体上に、上記光学記録材料から形成された光学記録層を有する光学記録媒体を提供することで、上記目的を達成したものである。

また、本発明は、上記一般式（IV）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子であるシアニン化合物を提供するものである。
また、本発明は、上記一般式（V）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子であるシアニン化合物を提供するものである。これらのシアニン化合物は、新規な化合物であり、光学記録材料として特に好適である。

図１は、実施例１において得られた本発明のシアニン化合物（化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩）の¹Ｈ−ＮＭＲチャートを示す。 図２は、実施例２において得られた本発明のシアニン化合物（化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩）の¹Ｈ−ＮＭＲチャートを示す。

以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
先ず、上記一般式（Ｉ）で表されるシアニン化合物について説明する。

上記一般式（Ｉ）中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される炭素原子数１〜３０の有機基としては特に制限を受けず、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ペプタデシル、オクタデシル等のアルキル基；ビニル、１−メチルエテニル、２−メチルエテニル、プロペニル、ブテニル、イソブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ぺンタデセニル、１−フェニルプロペン−３−イル等のアルケニル基；フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、シクロヘキシルフェニル等のアルキルアリール基；ベンジル、フェネチル、２−フェニルプロパン−２−イル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等のアリールアルキル基及びこれらの炭化水素基がエーテル結合、チオエーテル結合で中断されたもの、例えば、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、４−メトキシブチル、２−ブトキシエチル、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、３−メトキシブチル、２−フェノキシエチル、２−メチルチオエチル、２−フェニルチオエチルが挙げられ、更にこれらの基は、アルコキシ基、アルケニル基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。

Ｒ³とＲ⁴とが結合して形成される５〜６員の多重結合を含まない複素環としては、ピロリジン環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、チアゾリジン環、イソチアゾリジン環、オキサゾリジン環、イソオキサゾリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環が挙げられる。また、ベンゼン環と連結して５〜６員環構造を形成する基としては、−ＣＨ₂−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−ＣＨ＝ＣＨ₂−等の炭化水素基、これらの炭化水素基のメチレン基の１つが、Ｏ、Ｓ、ＮＨに置換された基、これらの炭化水素基メチン基が窒素原子に置換された基が挙げられる。

上記、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²の中では、これらの基が炭素原子数１〜８のアルキル基であるシアニン化合物が、製造コストが安く、耐湿熱性が良好なので好ましい。

また、Ｘで表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、Ｘで表される炭素原子数１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロプル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル等が挙げられ、フェニル基、ベンジル基の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のエーテル基、炭素数１〜８のアルコキシ基等が挙げられ、置換基の数や位置は任意である。

上記一般式（I）において、Ａｎ^m-で表されるアニオンとしては、例えば、一価のものとして、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リン酸アニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ジフェニルアミン−４−スルホン酸アニオン、２−アミノ−４−メチル−５−クロロベンゼンスルホン酸アニオン、２−アミノ−５−ニトロベンゼンスルホン酸アニオン、特開２００４−５３７９９号公報に記載されたスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン；オクチルリン酸アニオン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシルリン酸アニオン、フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニルリン酸アニオン、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ第三ブチルフェニル）ホスホン酸アニオン等の有機リン酸系アニオン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミドアニオン、ビスパーフルオロブタンスルホニルイミドアニオン、パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネートアニオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸アニオン等が挙げられ、二価のものとしては、例えば、ベンゼンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン酸アニオン等が挙げられる。また、励起状態にある活性分子を脱励起させる（クエンチングさせる）機能を有するクエンチャーアニオンやシクロペンタジエニル環にカルボキシル基やホスホン酸基、スルホン酸基等のアニオン性基を有するフェロセン、ルテオセン等のメタロセン化合物アニオン等も、必要に応じて用いることができる。

上記のクエンチャーアニオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）又は下記式（Ｃ）で表されるもの、特開昭６０−２３４８９２号公報、特開平５−４３８１４号公報、特開平５−３０５７７０号公報、特開平６−２３９０２８号公報、特開平９−３０９８８６号公報、特開平９−３２３４７８号公報、特開平１０−４５７６７号公報、特開平１１−２０８１１８号公報、特開２０００−１６８２３７号公報、特開２００２−２０１３７３号公報、特開２００２−２０６０６１号公報、特開２００５−２９７４０７号公報、特公平７−９６３３４号公報、国際公開９８／２９２５７号公報等に記載されたようなアニオンが挙げられる。

（式中、Ｍは、上記一般式（III）と同じであり、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は−ＳＯ₂−Ｊ基を表し、Ｊは、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリジノ基又はモルフォリノ基を表し、ａ及びｂは、それぞれ独立に、０〜４の数を表す。また、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、各々独立にアルキル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基又はハロゲン化フェニル基を表す。）

上記一般式（II）におけるＲ⁵〜Ｒ⁸で表されるハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基、及び上記一般式（III）におけるＲ^a〜Ｒⁱで表される炭素原子数１〜４のアルキル基としては、上記一般式（Ｉ）におけるＸとして例示した基が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−Ｏ−で置換された基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、２−メトキシエチル等が挙げられ、該アルキル基中のメチレン基が−ＣＯ−で置換された基としては、アセチル、１−カルボニルエチル、アセチルメチル、１−カルボニルプロピル、２−オキソブチル、２−アセチルエチル、１−カルボニルイソプロピル等が挙げられる。

上記一般式（II）において、Ｒ⁵〜Ｒ⁸で表されるハロゲン原子としては、上記一般式（Ｉ）におけるＸとして例示した基が挙げられ、Ｒ⁵で表されるハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、２−プロポキシ、ブトキシ、２−ブトキシ、第３ブトキシ、第二ブトキシ、クロロメトキシ、ジクロロメトキシ、トリクロロメトキシ、エトキシ、−プロポキシ、ブトキシ、２−ブトキシ、第３ブトキシが挙げられる。
Ｒ⁶とＲ⁸とが連結して形成する環構造としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロピラン環、ピペリジン環、ピペラジン環、ピロリジン環、モルフォリン環、チオモルフォリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、イソオキサゾリジン環、イソチアゾリジン環等が挙げられ、これらの環は他の環と縮合されていたり、置換されていたりしてもよい。

上記一般式（II’）及び（II”）において、ヘテロ原子を含んでもよい５員環としては、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、イミダゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環等が挙げられ、ヘテロ原子を含んでもよい６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピペラジン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピラジン環、ピロン環、ピロリジン環等が挙げられる。

上記一般式（II”）において、Ｒ⁹で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロプル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、２−クロロメチル、３−クロロメチル、ブロモメチル、トリフルオロメチル等が挙げられ、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、２−プロポキシ、ブトキシ、２−ブトキシ、第３ブトキシ、第二ブトキシ、クロロメトキシ、ジクロロメトキシ、トリクロロメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、２−ブトキシ、第３ブトキシが挙げられる。

上記一般式(III)において、Ｑで表される置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基としては、メチレン、エチレン、プロピレン、メチルエチレン、ブチレン、１−メチルプロピレン、２−メチルプロピレン、１，２−ジメチルプロピレン、１，３−ジメチルプロピレン、１−メチルブチレン、２−メチルブチレン、３−メチルブチレン、４−メチルブチレン、２，４−ジメチルブチレン、１，３−ジメチルブチレン、ペンチレン、へキシレン、ヘプチレン、オクチレン、エタン−１，１−ジイル、プロパン−２，２−ジイル等が挙げられ、該アルキレン基中のメチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換された基としては、メチレンオキシ、エチレンオキシ、オキシメチレン、チオメチレン、カルボニルメチレン、カルボニルオキシメチレン、メチレンカルボニルオキシ、スルホニルメチレン、アミノメチレン、アセチルアミノ、エチレンカルボキシアミド、エタンイミドイル、エテニレン、プロペニレン等が挙げられる。

上記一般式（Ｉ）における環Ａ及び環Ｂで表されるベンゼン環及びナフタレン環、Ｘで表されるフェニル基及びベンジル基、並びに上記一般式（III）におけるＱで表される炭素原子数１〜８のアルキレン基の置換基としては、以下のものが挙げられる。
上記置換基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、シクロペンチル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、ビシクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル等のアルキル基；メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ等のアルコキシ基；メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ、イソブチルチオ、アミルチオ、イソアミルチオ、第三アミルチオ、ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ヘプチルチオ、イソヘプチルチオ、第三ヘプチルチオ、ｎ−オクチルチオ、イソオクチルチオ、第三オクチルチオ、２−エチルヘキシルチオ等のアルキルチオ基；ビニル、１−メチルエテニル、２−メチルエテニル、２−プロペニル、１−メチル−３−プロペニル、３−ブテニル、１−メチル−３−ブテニル、イソブテニル、３−ペンテニル、４−ヘキセニル、シクロヘキセニル、ビシクロヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ぺンタデセニル、エイコセニル、トリコセニル等のアルケニル基；ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等のアリールアルキル基；フェニル、ナフチル等のアリール基；フェノキシ、ナフチルオキシ等のアリールオキシ基；フェニルチオ、ナフチルチオ等のアリールチオ基；ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピペリジル、ピラニル、ピラゾリル、トリアジル、ピロリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾリル、インドリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル等の複素環基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；アセチル、２−クロロアセチル、プロピオニル、オクタノイル、アクリロイル、メタクリロイル、フェニルカルボニル（ベンゾイル）、フタロイル、４−トリフルオロメチルベンゾイル、ピバロイル、サリチロイル、オキザロイル、ステアロイル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル、カルバモイル等のアシル基；アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基；アミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、２−エチルヘキシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ、クロロフェニルアミノ、トルイジノ、アニシジノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ，ナフチルアミノ、２−ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ、ホルミルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ等の置換アミノ基；スルホンアミド基、スルホニル基、カルボキシル基、シアノ基、スルホ基、水酸基、ニトロ基、メルカプト基、トリアルキルシリル基、イミド基、カルバモイル基、スルホンアミド基等が挙げられ、これらの基は更に置換されていてもよい。また、カルボキシル基及びスルホ基は無機塩基又は有機塩基と塩、錯体又は複合体を形成していてもよい。

本発明の光学記録材料に用いられるシアニン化合物としては、製造コストが低く、モル吸光係数が大きく、本発明の効果が顕著であるので、下記一般式（IV）又は（V）で表される化合物が好ましい。

（式中、環Ａ、環Ｂ、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹、Ｙ²、Ｘ、Ａｎ^m-及びｐは、上記一般式（I）と同じであり、Ｒ^9'は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１〜５の数である。）

（式中、環Ａ、環Ｂ、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹、Ｙ²、Ｘ、Ａｎ^m-及びｐは、上記一般式（I）と同じである。）

上記一般式（IV）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子であるシアニン化合物及び上記一般式（V）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子であるシアニン化合物が、光学記録材料として特に好ましい。

上記一般式（I）で表されるシアニン化合物の好ましい具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜４５が挙げられる。尚、以下の例示では、アニオンを省いたシアニンカチオンで示している。本発明に係るシアニン化合物において、ポリメチン鎖は共鳴構造をとっていてもよい。

上記の本発明に係る上記一般式（I）で表されるシアニン化合物は、その製造法によって制限を受けるものではない。該シアニン化合物は、例えば、中間体である２−メチルインドール四級塩誘導体２つをＮ，Ｎ’−ジフェニルアミジン等のブリッジ剤と反応することで得られる。またＲ¹基は、中間体である２−メチルインドール四級塩誘導体を得る過程において導入でき、アリールヒドラジン誘導体を出発物質にして、ケトン誘導体によりインドール環を形成する時に導入してもよく、インドール環にハロゲン化メチルベンゼン誘導体を反応させて導入してもよい。Ｙ¹又はＹ²は、アリールアミン誘導体又はインドール環のＮＨと反応するＹ¹−Ｄ（Ｄは塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン基；フェニルスルホニルオキシ、４−メチルフェニルスルホニルオキシ、４−クロロフェニルスルホニルオキシ等のスルホニルオキシ基）により導入できる。本発明に係るシアニン化合物を得る具体的な方法としては、例えば、下記式で表されるルートが挙げられる。

（式中、環Ａ、環Ｂ、Ｒ²〜Ｒ⁴、Ｘ、Ｙ¹、Ｙ²、Ａｎ^m-、ｍ及びｐは、上記一般式(I)と同様であり、Ｈａｌは塩素、臭素又はヨウ素を表す。）

本発明の光学記録材料は、上記シアニン化合物を少なくとも一種含有する。
また、本発明の光学記録媒体は、基体上に、該光学記録材料からなる光学記録層を形成して得られるものである。

本発明の光学記録材料の調製、及び本発明の基体上に、該光学記録材料から形成された光学記録層を有する光学記録媒体を製造する方法については、特に制限を受けない。一般には、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒に、本発明のシアニン化合物及び必要に応じて後述の各種化合物を溶解して溶解して溶液状の光学記録材料を作製し、該光学記録材料を基体上にスピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が用いられ、蒸着法、スパッタリング法等も用いられる。上記有機溶媒を使用する場合、その使用量は、本発明の光学記録材料中における上記シアニン化合物の含有量が０．１〜１０質量％となる量にするのが好ましい。

上記光学記録層は薄膜として形成され、その厚さは、通常、０．００１〜１０μｍが適当であり、好ましくは０．０１〜５μｍの範囲である。

また、本発明の光学記録材料中において、本発明に係るシアニン化合物の含有量は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中、１０〜１００質量％が好ましい。上記光学記録層は、光学記録層中に上記シアニン化合物を５０〜１００質量％含有するように形成されることが好ましく、このようなシアニン化合物含有量の光学記録層を形成するために、本発明の光学記録材料は、上記シアニン化合物を、本発明の光学記録材料に含まれる固形分基準で５０〜１００質量％含有するのがさらに好ましい。

本発明の光学記録材料に含まれる上記固形分は、該光学記録材料から有機溶媒等の固形分以外の成分を除いた成分のことであり、該固形分の含有量は、上記光学記録材料中、０．０１〜１００質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。

本発明の光学記録材料は、本発明に係るシアニン化合物の他に、必要に応じて、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、オキソノール系化合物、スクアリリウム系化合物、インドール化合物、スチリル系化合物、ポルフィン系化合物、アズレニウム系化合物、クロコニックメチン系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、トリアリールメタン系化合物、ジフェニルメタン系化合物、テトラヒドロコリン系化合物、インドフェノール系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、キサンテン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、スピロピラン系化合物、フルオレン系化合物、ローダミン系化合物等の、通常光学記録層に用いられる化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；耐光性付与剤等を含有してもよい。さらに、本発明の光学記録材料は、一重項酸素等のクエンチャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移金属キレート化合物等を含有してもよい。本発明の光学記録材料において、これらの各種化合物は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中、０〜５０質量％の範囲となる量で使用される。

本発明の光学記録材料には、ジイモニウム化合物を含有させてもよい。該ジイモニウム化合物を含有させることにより、本発明の光学記録媒体の経時的な吸光度残存率の低下をより効果的に防ぐことができる。また該イモニウム化合物を含有させる場合の含有量は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中、０〜９９質量％の範囲となる量が好ましく、より好ましくは、５０〜９５質量％である。

このような光学記録層を設層する上記基体の材質は、書き込み（記録）光および読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどの樹脂、ガラスなどが用いられる。また、その形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任意の形状のものを使用できる。

また、上記光学記録層上には、金、銀、アルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法により反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂等により保護層を形成することもできる。

本発明の光学記録材料は、記録、再生に半導体レーザを用いる光学記録媒体に好適であり、特に高速記録タイプのＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ±Ｒ、ＨＤ−ＤＶＤ―Ｒ、ＢＤ−Ｒ等の公知の単層式、二層式、多層式光ディスクに好適である。

以下、実施例、比較例及び評価例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
下記実施例１は、本発明の新規化合物である化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩の製造例を示し、実施例２は、本発明の新規化合物である化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩の製造例を示す。
また、下記実施例３は、実施例１、２で得られた化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩、Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩を含有する光学記録材料の調製及び該光学記録材料を用いた光学記録媒体Ｎｏ．１、Ｎｏ．２の製造例を示す。

下記評価例１及び比較評価例１では、実施例１、２で得られた化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩、Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩、比較化合物Ｎｏ．１、比較化合物Ｎｏ．２についての熱分解挙動を、窒素気流中、１０℃／分の昇温速度における示差熱分析測定により評価を行った。それらの結果を〔表１〕に示す。

また、下記評価例２では、実施例３で得た光学記録媒体について、ＵＶスペクトルを測定した。結果を〔表２〕に示す。

［実施例１］
下記の（１）で表されるインドレニン四級塩１０ミリモル、下記の（２）で表される中間体１０ミリモル、無水酢酸１４ミリモル及びピリジン１００ミリモルを仕込み、５０℃で４時間攪拌した。クロロホルム２５ミリリットル及び水２５ミリリットルを加えて油層を分離の後、六フッ化リン酸カリウム１１ミリモルを水２５ミリリットルに分散させた液を加えて塩交換を行った。油層を洗浄後、油層を分離し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノール１２．２ｇにて晶析させた。得られた粗結晶をイソプロピルメチルケトンとメタノールの混合溶媒を用いて再結晶処理を行い、ろ過、洗浄、１２０℃で減圧乾燥を行い、目的物である化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩を収率：６２．５％で得た。得られた化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩の６．０９×１０^-6 Ｍアセトニトリル溶液のＵＶ吸収特性は、λｍａｘが６８１．０ｎｍであり、εが１．９５×１０⁵であった。

［実施例２］
下記の（３）で表されるインドレニン四級塩１０ミリモル、下記の（４）で表される中間体１０ミリモル、無水酢酸１４ミリモル及びピリジン１００ミリモルを仕込み、５０℃で４時間攪拌した。クロロホルム２５ミリリットルを加えて油層を分離の後、六フッ化リン酸カリウム１１ミリモルを水２５ミリリットルに分散させた液を加えて塩交換を行った。油層を洗浄後、油層を分離し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノール１２．２ｇにて晶析させた。得られた粗結晶をイソプロピルメチルケトンとメタノールの混合溶媒を用いて再結晶処理を行い、得られた結晶を１４０℃で減圧乾燥し、目的物である化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩を収率４４．３％で得た。得られた化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩の６．８４×１０^-6 Ｍアセトニトリル溶液のＵＶ吸収特性は、λｍａｘが６７７．５ｎｍであり、εが２．１５×１０⁵であった。

上記実施例１で得られた化合物については重ジメチルスルホキシド溶媒として、実施例２で得られた化合物については重クロロホルム溶媒として、¹Ｈ−ＮＭＲ分析により同定を行った。測定の結果を下に示す。また［図１］、［図２］にチャートを示す。
（化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩の結果）
８．３６−８．２４（ｍ，４Ｈ），８．１０−８．０２（ｍ，４Ｈ），７．７５（ｄ，１Ｈ），７．７０−７．６１（ｍ，３Ｈ），７．５３−７．４７（ｍ，２Ｈ），６．９２−６．８６（ｍ，２Ｈ），６．７８（ｔ，１Ｈ），６．３７−６．２７（ｍ，２Ｈ），３．８９（ｓ，１Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ），３．５７（ｓ，３Ｈ），３．３４（ｓ，１Ｈ），２．１１（ｓ，３Ｈ），１．９６−１．９３（ｍ，９Ｈ）
（化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩の結果）
８．２１−８．１５（ｍ，４Ｈ），７．９３（ｄ，４Ｈ），７．６１（ｔ，２Ｈ），７．４６（ｔ，２Ｈ），７．３９−７．３０（ｍ，２Ｈ），６．６１（ｔ，１Ｈ），６．１７（ｄ，２Ｈ），４．９９−４．８８（ｍ，１Ｈ），４．７５（ｄ，１Ｈ）、４．６４（ｄ，１Ｈ），３．７２（ｄ，６Ｈ），３．５３−３．４８（ｍ，１Ｈ），３．１９−３．１４（ｍ，１Ｈ），２．０３−２．００（ｍ，９Ｈ）

［実施例３］
化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩、化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩を、それぞれシアニン化合物濃度が１．０質量％となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解して、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液として光学記録材料を得た。チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布、加水分解して下地層（０．０１μｍ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、上記の光学記録材料をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層を形成し光学記録媒体Ｎｏ．１、Ｎｏ．２をそれぞれ得た。

〔評価例１及び比較評価例１〕
化合物Ｎｏ．１の六フッ化リン塩、化合物Ｎｏ．１３の六フッ化リン塩、比較化合物Ｎｏ．１及び比較化合物Ｎｏ．２について、熱分解挙動の評価を行なった。評価は、窒素気流中及び空気中、１０℃／分の昇温速度における示差熱分析測定により行い、熱分解温度は、ＤＴＡの発熱のピークトップ温度で評価した。また、熱分解急峻性はＤＴＡの熱分解開始温度から発熱のピークトップ温度の温度幅（ピークトップ温度−熱分解開始温度）で評価した。結果を〔表１〕に示す。

上記結果より、本発明のシアニン化合物である化合物Ｎｏ．１及びＮｏ．１３の六フッ化リン塩は、類似構造を有する比較化合物Ｎｏ．１、比較化合物Ｎｏ．２に比べて、熱分解温度が低く、熱分解急峻性が良好であることが確認できた。このことは、光学記録材料として使用した場合、熱干渉が小さいことを示すものであり、本発明のシアニン化合物である化合物Ｎｏ．１及びＮｏ．１３の六フッ化リン塩は高速記録に適するといえる。

〔評価例２〕
光学記録媒体Ｎｏ．１．Ｎｏ．２について、ＵＶスペクトル吸収を測定した。各記録媒体のλｍａｘの強度を１として、これに対する相対強度の値が０．１５より小さいと、記録及び再生の特性が悪化し、０．５０を超えると光学記録層の耐光性が悪くなり、記録の保存安定性が悪くなる。従って、相対強度が、好適な範囲である０．１５〜０．５０を示すものを適正記録光波長として評価を行った。結果を〔表２〕に記す。

〔表２〕から明らかなように、本発明の光学記録材料により形成された光学記録層を有する光学記録媒体は、適正記録光波長を有し、記録、再生が可能であることが確認できた。

本発明によれば、光学記録媒体の光学記録層の形成に適した光学記録材料を提供することができる。本発明に係る特定のシアニン化合物は、分解温度が低く、熱分解が急峻であるので蓄熱性が低く熱干渉が抑えられ、光学記録媒体の光学記録層の形成に好適である。

Claims (6)

1. 下記一般式（IV）又は（V）で表されるシアニン化合物を少なくとも一種含有する光学記録材料。
   

   

   （式中、環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ ² 、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜３０の有機基あるいは下記一般式（II）、下記一般式（II'）又は下記一般式（II"）で表される基を表し、Ｒ³とＲ⁴は、互いに連結して環構造を形成していてもよい。Ｙ¹及びＹ²は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜３０の有機基又は下記一般式（III）で表される基を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基又はシアノ基を表す。Ａｎ^m-は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは、１又は２を表し、ｐは、電荷を中性に保つ係数を表し、Ｒ ^9' は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１〜５の数である。）
   

   

   （式中、環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ ² 、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜３０の有機基あるいは下記一般式（II）、下記一般式（II'）又は下記一般式（II"）で表される基を表し、Ｒ ³ とＲ ⁴ は、互いに連結して環構造を形成していてもよい。Ｙ ¹ 及びＹ ² は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜３０の有機基又は下記一般式（III）で表される基を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基又はシアノ基を表す。Ａｎ ^m- は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは、１又は２を表し、ｐは、電荷を中性に保つ係数を表す。）
   

   

   （上記一般式（II）において、ＥとＧの間の結合は二重結合又は三重結合であり、Ｅは炭素原子を表し、Ｇは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｒ ⁵ は水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｒ ⁶ 、Ｒ ⁷ 及びＲ ⁸ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ ⁵ とＲ ⁷ は結合してナフタレン環又はアントラセン環を形成してもよい。上記一般式（II'）において、Ｅ'とＧ'の間の結合は二重結合であり、Ｅ'は炭素原子を表し、Ｇ'は、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、Ｅ'及びＧ'を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環又はヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、これらＥ'及びＧ'を含む環は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。上記一般式（II"）において、Ｅ"とＧ"の間の結合は二重結合であり、Ｅ"は炭素原子を表し、Ｇ"は、炭素原子を表し、Ｅ"及びＧ"を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、Ｒ ⁹ は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ｎは１〜５を表す。）
   

   

   （式中、Ｒ ^a 〜Ｒ ⁱ は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｑは、直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ ₂ −、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）
2. 上記一般式（IV）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子である請求項１記載の光学記録材料。
3. 上記一般式（V）において、Ｒ ² 、Ｒ ³ 、Ｒ ⁴ 、Ｙ ¹ 及びＹ ² で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子である請求項１記載の光学記録材料。
4. 基体上に、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学記録材料から形成された光学記録層を有する光学記録媒体。
5. 下記一般式（IV）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子であるシアニン化合物。
   

   

   （式中、環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ ² 、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜３０の有機基あるいは下記一般式（II）、下記一般式（II'）又は下記一般式（II"）で表される基を表し、Ｒ ³ とＲ ⁴ は、互いに連結して環構造を形成していてもよい。Ｙ ¹ 及びＹ ² は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜３０の有機基又は下記一般式（III）で表される基を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基又はシアノ基を表す。Ａｎ ^m- は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは、１又は２を表し、ｐは、電荷を中性に保つ係数を表し、Ｒ ^9' は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、ｎは１〜５の数である。）
   

   

   （上記一般式（II）において、ＥとＧの間の結合は二重結合又は三重結合であり、Ｅは炭素原子を表し、Ｇは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｒ ⁵ は水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｒ ⁶ 、Ｒ ⁷ 及びＲ ⁸ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ ⁵ とＲ ⁷ は結合してナフタレン環又はアントラセン環を形成してもよい。上記一般式（II'）において、Ｅ'とＧ'の間の結合は二重結合であり、Ｅ'は炭素原子を表し、Ｇ'は、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、Ｅ'及びＧ'を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環又はヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、これらＥ'及びＧ'を含む環は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。上記一般式（II"）において、Ｅ"とＧ"の間の結合は二重結合であり、Ｅ"は炭素原子を表し、Ｇ"は、炭素原子を表し、Ｅ"及びＧ"を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、Ｒ ⁹ は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ｎは１〜５を表す。）
   

   

   （式中、Ｒ ^a 〜Ｒ ⁱ は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｑは、直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ ₂ −、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）
6. 下記一般式（V）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｙ¹及びＹ²で表される基が、炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｘが、水素原子であるシアニン化合物。
   

   

   （式中、環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ ² 、Ｒ ³ 及びＲ ⁴ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜３０の有機基あるいは下記一般式（II）、下記一般式（II'）又は下記一般式（II"）で表される基を表し、Ｒ ³ とＲ ⁴ は、互いに連結して環構造を形成していてもよい。Ｙ ¹ 及びＹ ² は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜３０の有機基又は下記一般式（III）で表される基を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンジル基又はシアノ基を表す。Ａｎ ^m- は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは、１又は２を表し、ｐは、電荷を中性に保つ係数を表す。）
   

   

   （上記一般式（II）において、ＥとＧの間の結合は二重結合又は三重結合であり、Ｅは炭素原子を表し、Ｇは炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｒ ⁵ は水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｒ ⁶ 、Ｒ ⁷ 及びＲ ⁸ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ ⁵ とＲ ⁷ は結合してナフタレン環又はアントラセン環を形成してもよい。上記一般式（II'）において、Ｅ'とＧ'の間の結合は二重結合であり、Ｅ'は炭素原子を表し、Ｇ'は、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、Ｅ'及びＧ'を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環又はヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、これらＥ'及びＧ'を含む環は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。上記一般式（II"）において、Ｅ"とＧ"の間の結合は二重結合であり、Ｅ"は炭素原子を表し、Ｇ"は、炭素原子を表し、Ｅ"及びＧ"を含む環は、ヘテロ原子を含んでもよい５員環、ヘテロ原子を含んでもよい６員環を表し、Ｒ ⁹ は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、ｎは１〜５を表す。）
   

   

   （式中、Ｒ ^a 〜Ｒ ⁱ は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基中のメチレン基は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されていてもよく、Ｑは、直接結合又は置換基を有してもよい炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ ₂ −、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＩｒを表す。）

Images