JP5103724B2 - インターポーザの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インターポーザ及びその製造方法に係り、特に、比誘電率が極めて高いキャパシタ誘電体膜が形成されたインターポーザ及びその製造方法に関する。

近時、マイクロプロセッサをはじめとするデジタルＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）等において、動作速度の高速化、低消費電力化が図られている。

ＧＨｚ帯の高周波領域で、しかも低電圧でＬＳＩを安定して動作させるためには、ＬＳＩの負荷インピーダンスの急激な変動等に起因して生ずる電源電圧変動を抑制するとともに、電源の高周波ノイズを除去することが極めて重要である。

従来は、回路配線基板上に実装されたＬＳＩ等の近傍に、デカップリングキャパシタを実装することにより、電源電圧変動の抑制や、高周波ノイズの除去を図っていた。デカップリングキャパシタは、回路配線基板と別個の基板を用いて構成されており、回路配線基板上に適宜実装されていた。

しかしながら、回路配線基板上に実装されたＬＳＩの近傍にデカップリングキャパシタを実装する場合には、回路配線基板に形成された配線を介してＬＳＩとデカップリングキャパシタとが電気的に接続されるため、配線の引き回しに起因する大きなインダクタンスが存在する。ＬＳＩとデカップリングキャパシタとの間に大きなインダクタンスが存在すると、電源電圧変動を十分に抑制することができず、高周波ノイズを十分に除去することができない。電源電圧変動の十分な抑制や高周波ノイズの十分な除去を図るためには、等価直列抵抗（ＥＳＲ）、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低減することが求められる。

そこで、ＬＳＩと回路配線基板との間に、キャパシタを内蔵したインターポーザを設ける技術が注目されている（特許文献１〜６）。
特開平４−２１１１９１号公報 特開平７−１７６４５３号公報 特開２００１−６８５８３号公報 特開２００１−３５９９０号公報 特開２００４−３０４１５９号公報 特開２００２−８３８９２号公報 特許第３５８３３９６号公報

しかしながら、特許文献１〜５に記載されている技術では、基板に貫通電極を埋め込むために、基板に貫通孔を形成しなければならなかった。基板に貫通孔を形成するのは容易ではなかった。このため、特許文献１〜５に記載されている技術では、低コスト化を図ることが極めて困難であった。

また、特許文献６に記載されている技術では、有機フィルム（樹脂層）上に成膜することによりキャパシタを形成するため、結晶性の良好な誘電体膜を形成することができなかった。樹脂層は耐熱性があまり高くないため、樹脂層上に誘電体膜を形成する場合には、誘電体膜の成膜プロセスが４００℃以下に制約されるためである。このため、樹脂層上に誘電体膜を形成する場合には、一般的には比誘電率は２０程度となり、高いものであっても、比誘電率はせいぜい５０程度であった。このように、比誘電率の高いキャパシタを実現することはできなかった。

本発明の目的は、基板に貫通孔を形成することなく、比誘電率の極めて高いキャパシタ誘電体膜が形成されたインターポーザ及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一観点によれば、第１の基板の一方の主面上に、第１のキャパシタ電極と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された結晶質のキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極とを有する薄膜キャパシタを形成する工程と、前記第１の基板の前記一方の主面上及び前記薄膜キャパシタ上に、半硬化の第１の樹脂層と；前記第１の樹脂層に埋め込まれ、前記第１のキャパシタ電極又は前記第２のキャパシタ電極に電気的に接続され、貫通電極の一部となる第１の部分電極とを形成する工程と、前記第１の部分電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、第２の基板の一方の主面上に、半硬化の第２の樹脂層と；前記第２の樹脂層に埋め込まれ、前記第１の部分電極に対応するように配され、前記貫通電極の一部となる第２の部分電極とを形成する工程と、前記第２の部分電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに接着させるとともに、前記第１の部分電極と前記第２の部分電極とを互いに接合する工程と、前記第１の基板を除去する工程と、前記第２の基板の前記一方の主面上に、前記薄膜キャパシタを覆うように第３の樹脂層を形成する工程と、前記第３の樹脂層に、前記貫通電極の一部となる第３の部分電極を埋め込む工程と、前記第３の樹脂層を台座により支持する工程と、前記第２の基板を除去する工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法が提供される。

本発明の他の観点によれば、第１の基板の一方の主面上に、第１のキャパシタ電極と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された結晶質の第１のキャパシタ誘電体膜と、前記第１のキャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極とを有する第１の薄膜キャパシタを形成する工程と、前記第１の基板の前記一方の主面上及び前記第１の薄膜キャパシタ上に、半硬化の第１の樹脂層と；前記第１の樹脂層に埋め込まれ、前記第１のキャパシタに電気的に接続され、貫通電極の一部となる第１の部分電極とを形成する工程と、前記第１の部分電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、第２の基板の一方の主面上に、第３のキャパシタ電極と、前記第３のキャパシタ電極上に形成された結晶質の第２のキャパシタ誘電体膜と、前記第２のキャパシタ誘電体膜上に形成された第４のキャパシタ電極とを有する第２の薄膜キャパシタを形成する工程と、前記第２の基板の前記一方の主面上及び前記第２の薄膜キャパシタ上に、半硬化の第２の樹脂層と；前記第２の樹脂層に埋め込まれ、前記第２のキャパシタに電気的に接続され、前記貫通電極の一部となる第２の部分電極とを形成する工程と、前記第２の部分電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させ、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに接着させるとともに、前記第１の部分電極と前記第２の部分電極とを互いに接合する工程と、前記第１の基板を除去する工程と、前記第２の基板の前記一方の主面上に、前記第１の薄膜キャパシタを覆うように第３の樹脂層を形成する工程と、前記第３の樹脂層に、前記貫通電極の一部となる第３の部分電極を埋め込む工程と、前記第３の樹脂層を第１の台座により支持する工程と、前記第２の基板を除去する工程と、第３の基板の一方の主面上に、第４の樹脂層と；前記第４の樹脂層に埋め込まれ、前記貫通電極の一部となる第４の部分電極とを形成する工程と、前記第４の部分電極の上部及び前記第４の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、前記第１の台座と前記第３の基板とを対向させ、前記第４の樹脂層と前記第２の薄膜キャパシタとを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第４の樹脂層と前記第２の薄膜キャパシタとを互いに接着させるとともに、前記第２の部分電極と前記第４の部分電極とを電気的に接続する工程と、前記第３の樹脂層を第２の台座により支持する工程と、前記第３の基板を除去する工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法が提供される。

本発明によれば、耐熱性の高い半導体基板を用いて薄膜キャパシタを形成するため、比誘電率が２００以上の極めて良好に結晶化されたキャパシタ誘電体膜を形成することが可能である。このため、本発明によれば、極めて良好な電気的特性を有する薄膜キャパシタを形成することができる。しかも、本発明によれば、貫通孔を形成することが困難な半導体基板を除去するため、貫通電極を埋め込むための貫通孔を半導体基板に形成することを要しない。従って、本発明によれば、静電容量の極めて高い薄膜キャパシタを有するインターポーザを低コストで提供することができる。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるインターポーザ及びその製造方法並びにそのインターポーザを用いた電子装置及びその製造方法を図１乃至図３０を用いて説明する。

（インターポーザ及び電子装置）
まず、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置を図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施形態によるインターポーザを示す断面図（その１）である。図２は、本実施形態によるインターポーザを示す断面図（その２）である。図３は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。

図１に示すように、本実施形態によるインターポーザ９６は、積層された複数の樹脂層６８、２０、３２、４８より成る基材８と、基材８に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと、基材８を貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂに電気的に接続された貫通電極（ビア）７７ａ、７７ｂと、基材８を貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂから絶縁された貫通電極７７ｃとを有している。

樹脂層６８の一の面側には、キャパシタ電極（下部電極）１２ａ、１２ｂが形成されている。樹脂層６８の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。キャパシタ電極１２ａ、１２ｂとしては、例えば、膜厚２０ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と膜厚１５０ｎｍの白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る積層膜が用いられている。薄膜キャパシタ１８ａのキャパシタ電極１２ａと薄膜キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１２ｂとは、互いに電気的に接続されている。

キャパシタ電極１２ａ、１２ｂの一の面側（樹脂層６８に接する面とは反対側の面）には、結晶質のキャパシタ誘電体膜１４が形成されている。即ち、多結晶のキャパシタ誘電体膜１４、又は、エピタキシャル成長されたキャパシタ誘電体膜１４が形成されている。キャパシタ誘電体膜１４の材料としては、高誘電率材料が用いられている。具体的には、キャパシタ誘電体膜１４の材料として、Ｂａ_ＸＳｒ_１−ＸＴｉＯ_３膜（以下、「ＢＳＴ膜」ともいう）が用いられている。キャパシタ誘電体膜１４の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。キャパシタ誘電体膜１４は、例えば５００℃以上の高温のプロセスで成膜されたものある。このため、キャパシタ誘電体膜１４は、極めて良好に結晶化されており、比誘電率が極めて高くなっている。具体的には、キャパシタ誘電体膜１４の比誘電率は２００以上となっている。

かかるキャパシタ誘電体膜１４を成膜する際には、後述するように、高温のプロセスに耐え得る半導体基板１０上にキャパシタ誘電体膜１４を形成する（図４参照）。後述するように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを埋め込んでいる樹脂層６８、２０、３２、４８より成る基材８は、キャパシタ誘電体膜１４を形成する際の高温のプロセスを経ておらず、基材８に大きな変形等は生じていない。

キャパシタ誘電体膜１４の一の面側（キャパシタ電極１２ａ、１２ｂに接する面とは反対側の面）には、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂに対向するようにキャパシタ電極（上部電極）１６が形成されている。上部電極１６としては、例えば、膜厚２００ｎｍのＰｔ膜が用いられている。

こうして、キャパシタ電極１２ａとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ａが構成されている。また、キャパシタ電極１２ｂとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ｂが構成されている。

また、樹脂層６８の一の面側（キャパシタ電極１２ａ、１２ｂと接する面側）には、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂと同一導電膜より成る導電膜１２ｃ、１２ｄが形成されている。導電膜１２ｃは、貫通電極７７ａの一部を構成するものである。導電膜１２ｄは、貫通電極７７ｃの一部を構成するものである。導電膜１２ｃ、１２ｄは、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂから電気的に絶縁されている。

樹脂層６８には、導電膜１２ｃに達する開口部７０ａと、キャパシタ電極１２ｂに達する開口部７０ｂと、導電膜１２ｄに達する開口部７０ｃとが形成されている。

開口部７０ａ内には、貫通電極７７ａの一部を構成する部分電極７６ａが埋め込まれている。開口部７０ｂ内には、貫通電極７７ｂの一部を構成する部分電極７６ｂが埋め込まれている。開口部７０ｃ内には、貫通電極７７ｃの一部を構成する部分電極７６ｃが埋め込まれている。

樹脂層６８の一の面側（キャパシタ電極１２ａ、１２ｂと接する面側）には、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと導電膜１２ｃ、１２ｄとを覆うように樹脂層２０が形成されている。樹脂層２０の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。

樹脂層２０には、導電膜１２ｃに達する開口部２４ａと、薄膜キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１２ｂに達する開口部２４ｂと、導電膜１２ｄに達する開口部２４ｃと、薄膜キャパシタ１８ａのキャパシタ電極１６に達する開口部２４ｄと、薄膜キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１６に達する開口部２４ｅとが形成されている。

開口部２４ａ内には貫通電極７７ａの一部を構成する部分電極３０ａが埋め込まれている。部分電極３０ａは、導電膜１２ｃを介して部分電極７６に接続されている。開口部２４ｂ内には、貫通電極７７ｂの一部を構成する部分電極３０ｂが埋め込まれている。部分電極３０ｂは、キャパシタ電極１２ｂに接続されている。開口部２４ｃ内には、貫通電極７７ｃの一部を構成する部分電極３０ｃが埋め込まれている。部分電極３０ｃは、導電膜１２ｄを介して部分電極７６に接続されている。

開口部２４ｄ内には、薄膜キャパシタ１８ａのキャパシタ電極１６に接続された導体プラグ３０ｄが埋め込まれている。開口部２４ｅ内には、薄膜キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１６に接続された導体プラグ３０ｅが埋め込まれている。部分電極３０ａ、導体プラグ３０ｄ及び導体プラグ３０ｅは、配線３１により互いに電気的に接続されている。部分電極３０ａ、導体プラグ３０ｄ、導体プラグ３０ｅ及び配線３１は同一導電膜により一体に形成されている。

樹脂層２０の一の面側（樹脂層６８に接する面とは反対側の面）には、配線３１を覆うように樹脂層３２が形成されている。樹脂層３２としては、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂が用いられている。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を主成分とする樹脂（以下、「ＢＣＢ樹脂」ともいう）を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。

樹脂層３２には、部分電極３０ａに達する開口部３３ａと、部分電極３０ｂに達する開口部３３ｂと、部分電極３０ｃに達する開口部３３ｃとが形成されている。

開口部３３ａ内には、貫通電極７７ａの一部を構成する部分電極３８ａが埋め込まれている。開口部３３ｂ内には、貫通電極７７ｂの一部を構成する部分電極３８ｂが埋め込まれている。開口部３３ｃ内には、貫通電極７７ｃの一部を構成する部分電極３８ｃが埋め込まれている。

部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面側（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）及び樹脂層３２の一の面側（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）は、後述するように、ダイヤモンド等より成るバイト４４（図８（ｂ）参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等より成るバイト４４により切削されているため、部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極５６ａ〜５６ｃに接する面）及び樹脂層３２の一の面（樹脂層４８に接する面）は平坦になっている。

樹脂層３２の一の面側（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）には、樹脂層４８が形成されている。樹脂層４８としては、樹脂層３２と同様に、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂が用いられている。かかる熱硬化性樹脂としては、樹脂層３２の材料と同様に、例えば、ＢＣＢ樹脂を用いる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。

樹脂層４８には、開口部３３ａ、３３ｂ、３３ｃにそれぞれ対応するように、開口部５０ａ、５０ｂ、５０ｃが形成されている。

開口部５０ａ内には、貫通電極７７ａの一部を構成する部分電極５６ａが埋め込まれている。開口部５０ｂ内には、貫通電極７７ｂの一部を構成する部分電極５６ｂが埋め込まれている。開口部５０ｃ内には、貫通電極７７ｃの一部を構成する部分電極５６ｃが埋め込まれている。

部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面側（部分電極３８ａ〜３８ｃに接する面側）及び樹脂層４８の一の面側（樹脂層３２に接する面側）は、後述するように、ダイヤモンド等より成るバイト４４（図１３（ｂ）参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等より成るバイト４４により切削されているため、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（部分電極３８ａ〜３８ｃに接する面）及び樹脂層４８の一の面（樹脂層３２に接する面）は平坦になっている。

ＢＣＢ樹脂は、熱により開環したシクロブテン環と、不飽和結合を有するジエノフィルとが、ディールス−アルダー反応（Diels-Alder reaction）により結合することにより硬化する。熱により開環したシクロブテン環と、不飽和結合を有するジエノフィルとが、ディールス−アルダー反応により結合する際には、極性官能基が関与しない。このため、ＢＣＢ樹脂は、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能である。ＢＣＢ樹脂は水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能であるため、かかる副生成物の気化に起因してＢＣＢ樹脂内に空孔（ボイド）が形成されてしまうことがない。また、ＢＣＢ樹脂中に残留する溶媒を熱処理により予め揮発させておけば、溶媒の揮発に起因して空孔が生ずることもない。ＢＣＢ樹脂は、空孔を生ずることなく硬化させることが可能であるため、空孔により体積が増大しまうのを回避しつつ、確実に硬化・収縮させることが可能である。

樹脂層３２と樹脂層４８とは、互いに接着されている。樹脂層３２に埋め込まれた部分電極３８ａ〜３８ｃと樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ａ〜５６ｃとは、互いに接合されている。樹脂層３２と樹脂層４８とには、後述するように、樹脂層３２と樹脂層４８とを収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層３２と樹脂層４８とが互いに確実に接着された状態で収縮するため、樹脂層３２及び樹脂層４８の収縮に起因して、部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極５６ａ〜５６ｃに接する面）と部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（部分電極３８ａ〜３８ｃに接する面）とが互いに強固に接合されている。

部分電極５６ａ〜５６ｃの他の面側（部分電極３８ａ〜３８ｃに接する面とは反対側の面）には、電極パッド９２が形成されている。

電極パッド９２の一の面側（部分電極５６ａ〜５６ｃに接する面と反対側）には、例えばＳｎ系はんだより成る半田バンプ９４が形成されている。

部分電極７６ａ、導電膜１２ｃ、部分電極３０ａ、部分電極３８ａ及び部分電極５６ａにより、貫通電極７７ａが構成されている。また、部分電極７６ｂ、キャパシタ電極１２ｂの一部、部分電極３０ｂ、部分電極３８ｂ、及び部分電極５６ｂにより、貫通電極７７ｂが構成されている。また、部分電極７６ｃ、導電膜１２ｄ、部分電極３０ｃ、部分電極３８ｃ及び部分電極５６ｃにより、貫通電極７７ｃが構成されている。

こうして本実施形態によるインターポーザ９６が構成されている。

図２に示すように、インターポーザ９６は、台座（支持基板）７８により支持されている。

即ち、樹脂層６８の他方の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）には、熱剥離シート８６を用いて台座７８が接着されている。台座７８としては、例えばガラス台座が用いられている。ガラス台座を構成するガラス材料としては、耐熱性の高いガラス材料が好ましい。例えば、石英ガラスの軟化点を下降させ、熱膨張係数をなるべく小さく保つために酸化ホウ素を添加した珪ホウ酸ガラスを、台座７８の材料として用いることが好ましい。かかる珪ホウ酸ガラスは、急加熱、急冷却にも耐え得る極めて優れたガラス材料である。かかる珪ホウ酸ガラスとしては、例えば、パイレックス（登録商標）ガラスを挙げることができる。

熱剥離シート８６は、例えばポリエステルフィルムより成る基材８２と、基材８２の一方の面に形成された熱剥離接着剤層８４と、基材８２の他方の面に形成された感圧粘着剤層８０とを有している。熱剥離シート８６は、常温においては、熱剥離接着剤層８４が一般の感圧粘着剤層と同様に被着体に接着し、加熱すると、熱剥離接着剤層８４が発泡し、接着面積の低下により熱剥離接着剤層８４と被着体との接着力が低下して、熱剥離接着剤層８４が被着体から剥離されるシートである。

熱剥離シート８６のうちの感圧接着剤層８０は台座７８に接着されており、熱剥離シート８６のうちの熱剥離接着剤層８４は樹脂層６８に接着されている。

本実施形態において、インターポーザ９６を台座７８により支持するようにしているのは、インターポーザ９６の基材８が樹脂層６８、２０、３２、４８のみにより構成されており、インターポーザ９６を何らかの硬質な手段により支持しないと、インターポーザ９６が変形してしまうためである。

後述するように、インターポーザ９６を基板等に実装した後には、かかる基板等によりインターポーザ９６が支持されるため、インターポーザ９６を支持していた台座７８は不要となる。インターポーザ９６を台座７８により支持する必要がなくなった際には、インターポーザ９６から台座７８を容易に外すことができるよう、台座７８は熱剥離シート８６を用いてインターポーザ９６に接着されている。

図３は、本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置を示す断面図である。

図３に示すように、本実施形態によるインターポーザ９６は、例えば、パッケージ基板９８と半導体集積回路素子１０８との間に配される。

パッケージ基板９８は、多層配線（図示せず）が埋め込まれた基板１００と、基板１００の一方の主面（インターポーザ９６に対向する側の面）に形成された電極パッド１０２と、基板１００の他方の主面（インターポーザ９６に対向する面とは反対側の面）に形成された電極パッド１０４と、電極パッド１０４の一の面（基板１００に接する面とは反対側の面）に形成された半田バンプ１０６とを有している。電極パッド１０２は、基板１００に埋め込まれた多層配線のうちのいずれかの配線（図示せず）に電気的に接続されている。また、電極パッド１０４は、基板１００に埋め込まれた多層配線のうちのいずれかの配線（図示せず）に電気的に接続されている。

インターポーザ９６の電極パッド９２とパッケージ基板９８の電極パッド１０２とは、半田バンプ９４により互いに電気的に接続されている。

半導体集積回路素子１０８は、半導体基板１０９と、半導体基板１０９の一方の主面側（インターポーザ９６に対向する側の面）に形成された電極パッド１１０とを有している。半導体基板１０９としては、例えばシリコン基板が用いられている。半導体基板１０９の一方の主面側（インターポーザ９６に対向する側の面）には、電子回路素子（図示せず）を含む集積回路（図示せず）が形成されている。即ち、半導体基板１０９の一方の主面（インターポーザ９６に対向する側の面）には、トランジスタ等の能動素子（図示せず）及び／或いは容量素子等の受動素子（図示せず）などの電子回路素子が配設されている。かかる電子回路素子が形成された半導体基板１０９の一方の主面側（インターポーザ９６に対向する側の面）には、複数の層間絶縁膜（図示せず）及び配線層（図示せず）からなる多層配線構造（図示せず）が形成されている。かかる多層配線構造により、電子回路素子間が電気的に接続されている（図示せず）。複数層に亘って形成されている配線のうちのいずれかは、電極パッド１１０に接続されている。

半導体集積回路素子１０８の電極パッド１１０とインターポーザ９６の貫通電極７７ａ〜７７ｃとは、半田バンプ１１２により互いに電気的に接続されている。

こうして本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置が構成されている。

本実施形態によるインターポーザは、樹脂層６８、２０、３２、４８のみにより基材８が構成されており、かかる基材８に結晶質のキャパシタ誘電体膜１４を有する薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂが埋め込まれていることに主な特徴がある。

本実施形態によれば、後述するように、耐熱性の高い半導体基板１０を用いて薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを形成するため、比誘電率が２００以上の極めて良好に結晶化されたキャパシタ誘電体膜１４を形成することが可能である。このため、本実施形態によれば、極めて良好な電気的特性を有する薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを形成することができる。しかも、本実施形態によれば、後述するように、貫通孔を形成することが困難な半導体基板１０を除去するため、貫通電極７０ａ〜７０ｃを埋め込むための貫通孔を半導体基板１０に形成することを要しない。従って、本実施形態によれば、静電容量の極めて高い薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを有するインターポーザを低コストで提供することができる。

（インターポーザ及び電子装置の製造方法）
次に、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を図４乃至図３０を用いて説明する。図４乃至図３０は、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図である。図４（ａ）乃至図７（ｃ）、図８（ｂ）乃至図１２（ｃ）、図１３（ｂ）乃至図３０は、断面図である。図８（ａ）及び図１３（ａ）は、斜視図である。

図４（ａ）に示すように、半導体基板１０を用意する。半導体基板１０としては、チップサイズに切断されていない状態の半導体基板、即ち、ウェハ状態の半導体基板を用意する。半導体基板１０の材料としては、例えばシリコン基板を用いる。半導体基板１０の厚さは、例えば０．６ｍｍとする。

次に、熱酸化法により、半導体基板１０の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を形成する。シリコン酸化膜の膜厚は、例えば０．５μｍ程度とする。

次に、図４（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、半導体基板１０上に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る導電膜１２を形成する。導電膜１２は、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂの下部電極（キャパシタ電極）１２ａ、１２ｂとなるものである。酸化チタン膜の膜厚は、例えば２０ｎｍとする。Ｐｔ膜の膜厚は、例えば１５０ｎｍとする。

酸化チタン膜を成膜する際の条件は、例えば、以下の通りとする。基板温度は、例えば５００℃とする。印加電力は、例えば２００Ｗとする。成膜室内におけるガス圧力は、例えば０．１Ｐａとする。アルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ_２）ガスとの流量比は、例えば７：２とする。

Ｐｔ膜を形成する際の条件は、例えば、以下の通りとする。基板温度は、例えば４００℃とする。印加電力は、例えば１００Ｗとする。Ａｒガスの圧力は、例えば０．１Ｐａとする。

次に、例えばスパッタリング法により、導電膜１２上に、結晶質のキャパシタ誘電体膜１４を形成する。かかるキャパシタ誘電体膜１４としては、例えば、Ｂａ_ＸＳｒ_１−ＸＴｉＯ_３（ＢＳＴ）膜１４を形成する。より具体的には、キャパシタ誘電体膜１４として、多結晶のＢＳＴ膜を形成する。ＢＳＴは、比較的大きな比誘電率（バルクでは１５００程度）が得られ、小型で大容量のキャパシタを実現するのに有効な材料である。キャパシタ誘電体膜１４の膜厚は例えば１００ｎｍとする。

ＢＳＴより成るキャパシタ誘電体膜１４を成膜する際の条件は、例えば以下の通りとする。基板温度は、例えば６００℃とする。成膜室内におけるガス圧力は、例えば０．２Ｐａとする。アルゴンガスと酸素ガスとの流量比は、例えば８：１とする。印加電力は、例えば６００Ｗとする。成膜時間は、例えば３０分とする。このような条件でＢＳＴより成るキャパシタ誘電体膜１４を形成すると、比誘電率が４００程度、誘電損失が１％以下の良好な電気的特性を有するキャパシタ誘電体膜１４が得られる。

なお、ここでは、キャパシタ誘電体膜１４としてＢＳＴ膜を形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１４の材料はＢＳＴ膜に限定されるものではない。高誘電率材料より成るキャパシタ誘電体膜１４を適宜形成すればよい。

また、ここでは、多結晶のキャパシタ誘電体膜１４を形成する場合を例に説明するが、エピタキシャル成長されたキャパシタ誘電体膜１４を形成するようにしてもよい。半導体基板１０上に下部電極となる導電膜１２をエピタキシャル成長し、かかる導電膜１２上に誘電体膜１４をエピタキシャル成長すれば、結晶方位の揃ったキャパシタ誘電体膜１４を得ることが可能である。

また、キャパシタ誘電体膜１４の比誘電率は、４００程度に限定されるものではない。但し、所望の電気的特性を実現するためには、キャパシタ誘電体膜１４の比誘電率が十分に大きいことが好ましい。本実施形態では、耐熱性の高い半導体基板１０上にキャパシタ誘電体膜１４を形成するため、例えば５００℃以上の高温のプロセスでキャパシタ誘電体膜１４を形成することが可能である。このような高温のプロセスでキャパシタ誘電体膜１４を形成すれば、比誘電率が２００以上のキャパシタ誘電体膜１４を形成することが可能である。

また、ここでは、キャパシタ誘電体膜１４をスパッタリング法により形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１４をゾル・ゲル法により形成してもよい。キャパシタ誘電体膜１４をゾル・ゲル法により形成する場合には、例えば以下のようにしてキャパシタ誘電体膜１４を形成する。

即ち、まず、導電膜１２上に、アルコキシドから成る出発溶液をスピンコート法により塗布する。かかる出発溶液としては、例えばＢＳＴ膜を形成するための出発溶液を用いる。成膜条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚１００ｎｍ程度のキャパシタ誘電体膜１４が形成される。

次に、キャパシタ誘電体膜１４に対して仮焼成を行う。仮焼成は、出発溶液の加水分解反応により生じた有機物、水等を蒸発させるために行う。仮焼成の条件は、例えば４００℃、１０分とする。

次に、キャパシタ誘電体膜１４に対して本焼成を行う。本焼成は、キャパシタ誘電体膜１４を十分に結晶化させるためのものである。本焼成の条件は、例えば７００℃、１０分とする。本焼成後のキャパシタ誘電体膜１４の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度となる。

このような条件でＢＳＴより成るキャパシタ誘電体膜１４を形成すると、比誘電率が３００程度、誘電損失が２％以下の良好な電気的特性を有する誘電体膜１４が得られる。

このように、キャパシタ誘電体膜１４をゾル・ゲル法により形成するようにしてもよい。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ誘電体膜１４上に、例えばＰｔより成る導電膜１６を形成する。導電膜１６は、キャパシタ１８ａ、１８ｂの上部電極（キャパシタ電極）となるものである。導電膜１６の膜厚は、例えば２００ｎｍとする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１６を所定の形状にパターニングする。こうして、導電膜より成る上部電極（キャパシタ電極）１６が形成される（図４（ｃ）参照）。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、キャパシタ誘電体膜１４を所定の形状にパターニングする（図４（ｄ）参照）。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１２を所定の形状にパターニングする。こうして、導電膜１２より成るキャパシタ電極１２ａ、１２ｂ及び導電膜１２ｃ、１２ｄが形成される（図４（ｅ）参照）。なお、導電膜１２をパターニングする際には、キャパシタ電極１２ａとキャパシタ電極１２ｂとが互いに電気的に接続された状態となるように、導電膜１２をパターニングする。また、導電膜１２をパターニングする際には、導電膜１２ｃ、１２ｄがキャパシタ電極１２ａ、１２ｂから電気的に分離された状態となるように、導電膜１２をパターニングする。こうして、キャパシタ電極１２ａとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ａが形成される。また、キャパシタ電極１２ｂとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ｂが形成される。

次に、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び導電膜１２ａ、１２ｂが形成された半導体基板１０上に、樹脂層２０を形成する（図５（ａ）参照）。樹脂層２０の材料としては、例えば感光性のエポキシ樹脂を用いる。

かかる樹脂層２０は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、スピンコート法により、半導体基板１０上に感光性のエポキシ樹脂溶液を塗布する。エポキシ樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚１０μｍの樹脂層２０が形成される。この後、樹脂層２０に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば６０℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層２０に、開口部２４ａ〜２４ｅを形成する（図５（ｂ）参照）。開口部２４ａは、貫通電極７７ａの一部となる部分電極３０ａを埋め込むためのものであり、導電膜１２ｃに達するように形成する。開口部２４ｂは、貫通電極７７ｂの一部となる部分電極３０ｂを埋め込むためのものであり、キャパシタ電極１２ｂに達するように形成する。開口部２４ｃは、貫通電極７７ｃの一部となる部分電極３０ｃを埋め込むためのものであり、導電膜１２ｄに達するように形成する。開口部２４ｄは、導体プラグ３０ｄを埋め込むためのものであり、キャパシタ１８ａのキャパシタ電極１６に達するように形成する。開口部２４ｅは、導体プラグ３０ｅを埋め込むためのものであり、キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１６に達するように形成する。

次に、樹脂層２０に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。この熱処理を行った後における樹脂層２０の膜厚は、例えば３μｍ程度となる。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜２６を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜２６に開口部２８ａ〜２８ｃを形成する（図５（ｃ）参照）。開口部２８ａは、部分電極３０ａ、導体プラグ３０ｄ、導体プラグ３０ｅ及び配線３１を形成するためのものである。開口部２８ｂは、部分電極３０ｂを形成するためのものである。開口部２８ｃは、部分電極３０ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部２４ａ〜２４ｅ内及び開口部２８ａ〜２８ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば３μｍ程度とする。こうして、開口部２４ａ、２４ｄ、２４ｅ内及び開口部２８ａ内に、めっき膜より成る部分電極３０ａ、導体プラグ３０ｄ、３０ｅ及び配線３１が形成される。また、開口部２４ｂ内及び開口部２８ｂ内に、めっき膜より成る部分電極３０ｂが形成される。また、開口部２４ｃ内及び開口部２８ｃ内に、めっき膜より成る部分電極３０ｃが形成される（図５（ｄ）参照）。

次に、フォトレジスト膜２６を剥離する（図６（ａ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極３０ａ〜３０ｃ、導体プラグ３０ｄ、３０ｅ及び配線３１の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極３０ａ〜３０ｃ、導体プラグ３０ｄ、３０ｅ及び配線３１のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極３０ａ〜３０ｃ、導体プラグ３０ｄ、３０ｅ及び配線３１が過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層３２ａを形成する（図６（ｂ）参照）。樹脂層３２ａの膜厚は、例えば５μｍ程度とする。樹脂層３２ａとしては、例えば、感光性のＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂を用いる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂は、熱処理を行う前の段階では液状であり、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるＢＣＢ樹脂は、半硬化状態にするための熱処理条件が１８０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が２５０℃、１時間程度である。また、かかるＢＣＢ樹脂の粘度は、２５℃において３５０ｃＳｔ程度である。ＢＣＢ樹脂より成る樹脂層３２ａを塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。

こうして、部分電極３０ａ〜３０ｃ、導体プラグ３０ｄ、３０ｅ及び配線３１が形成された樹脂層２０上に、樹脂層３２ａが形成される。樹脂層３２ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層３２ａは液状になっている。

次に、樹脂層３２ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層３２ａを半硬化状態の樹脂層３２ｂに変化させる（図６（ｃ）参照）。樹脂層３２ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層３２ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば１８０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。熱処理を行う際の雰囲気は、例えばＮ_２雰囲気とする。

なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、適宜設定することができる。例えば、熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間を短めに設定すればよい。また、熱処理温度を低めに設定する場合には、熱処理時間を長めに設定すればよい。

但し、熱処理温度は、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定することが好ましい。即ち、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より低い温度で熱処理を行った場合には、樹脂層３２ｂ中にＢＣＢ樹脂溶液の溶媒が残存してしまう。この場合には、樹脂層３２ｂ中に残存している溶媒が、後工程で行われる熱処理の際に気化することとなる。後工程で行われる熱処理の際には、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとを重ね合わせた状態で熱処理が行われるため（図１７参照）、気化した溶媒は樹脂層４２ｂ中に閉じ込められてしまう。気化した溶媒が樹脂層３２ｂ中に閉じ込められると、樹脂層３２ｂ中に空孔（ボイド）が生じてしまうこととなる。従って、後工程における熱処理において樹脂層３２ｂ中に空孔が生じるのを防止するためには、熱処理温度を、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要ことが好ましい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、樹脂層３２ｂに開口部３３ａ〜３３ｃを形成する（図６（ｄ）参照）。開口部３３ａは、貫通電極７７ａの一部となる部分電極３８ａを埋め込むためのものであり、部分電極３０ａに達するように形成する。開口部３３ｂは、貫通電極７７ｂの一部となる部分電極３８ｂを埋め込むためのものであり、部分電極３０ｂに達するように形成する。開口部３３ｃは、貫通電極７７ｃの一部となる部分電極３８ｃを埋め込むためのものであり、部分電極３０ｃに達するように形成する。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜３４を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜３４に開口部３６ａ〜３６ｃを形成する（図７（ａ）参照）。開口部３６ａは、部分電極３８ａを形成するためのものである。開口部３６ｂは、部分電極３８ｂを形成するためのものである。開口部３６ｃは、部分電極３８ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部３３ａ〜３３ｃ内及び開口部３６ａ〜３６ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部３３ａ〜３３ｃ内及び開口部３６ａ〜３６ｃ内に、めっき膜より成る部分電極３８ａ〜３８ｃが形成される（図７（ｂ）参照）。

次に、フォトレジスト膜３４を剥離する（図７（ｃ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極３８ａ〜３８ｃの表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極３８ａ〜３８ｃのサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極３８ａ〜３８ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、図８（ａ）に示すように、半導体基板１０を、超精密旋盤４０のチャックテーブル４２上に、真空吸着により固定する。

図８（ａ）は、半導体基板を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。半導体基板１０をチャックテーブル４２上に固定する際には、半導体基板１０の裏面側、即ち、部分電極３８ａ〜３８ｃ等が形成されていない側の面をチャックテーブル４２に固定する。

チャックテーブル４２は、基板等を加工する際に、かかる基板などの被加工物を固定するためのものである。

なお、半導体基板１０をチャックテーブル４２上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。

次に、半導体基板１０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト４４を用いて、部分電極３８ａ〜３８ｃの上部及び樹脂層３２ｂの上層部を切削する（図８（ａ）及び図８（ｂ）参照）。この際、樹脂層３２ｂの厚さが３μｍ程度になるまで荒切削を行う。

部分電極３８ａ〜３８ｃの上部及び樹脂層３２ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。

バイト４４のすくい角を例えば０度とする。なお、すくい角とは、被切削物の切削面に対して垂直な面と、バイト刃先の進行方向の前面（すくい面）とのなす角度である。一般に、すくい角が大きくなる程切れ具合は良くなるが、バイト刃先へのダメージが大きくなり刃先の寿命が短くなる傾向がある。

チャックテーブル４２の回転数は、例えば２０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば２０ｍ／秒程度となる。

バイト４４の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。なお、切り込み量とは、切削を行う際におけるバイト４４の切り込み深さである。

そして、バイト４４の送りは、例えば５０〜１００μｍ／回転とする。なお、送りとは、切削を行う際に、チャックテーブル４２の半径方向（即ち、チャックテーブル４２における外縁の一点と回転中心とを結ぶ方向）にバイトを進めていくときの、バイトの進行速度である。

部分電極３８ａ〜３８ｃの上部及び樹脂層３２ｂの上層部をバイト４４により切削する際には、部分電極３８ａ〜３８ｃや樹脂層３２ｂに対して、ある程度大きな力がバイト４４により加えられる。樹脂層３２ｂの上層部が切削されている際には、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）に対して水平な方向のみならず、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）に対して垂直な方向にも力が加わる。このため、樹脂層３２ｂはある程度圧縮変形した状態で切削されることとなる。切削の際にバイト４４により圧縮変形していた樹脂層３２ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、部分電極３８ａ〜３８ｃは、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さは、切削後における部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高くなる。

荒切削を行った直後においては、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。なお、図９（ｂ）は、図９（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃ一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層４２ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまい、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとを接続することができない場合がある。

このため、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図９（ｃ）参照）。

部分電極３８ａ〜３８ｃの上部及び樹脂層３２ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。

仕上げ研磨におけるバイト４４のすくい角、チャックテーブル４２の回転数は、樹脂層３２ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ研磨におけるバイト４４の送りについては、例えば２０μｍ／回転とする。

バイト４４の切り込み量は、例えば５００ｎｍとする。バイト４４の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１を、適度に小さくするためである。

なお、バイト４４の切り込み量は５００ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト４４の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。

仕上げ切削を行っても、図１０に示すように、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層３２ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層３２ｂが切削後においてある程度回復するためである。なお、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

仕上げ切削を行う際には、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１′が、０〜１００ｎｍ程度となるように仕上げ切削を行うことが好ましい。

樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。

即ち、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層３２ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまい、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとを接続することができない場合がある。

一方、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さが部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより低い場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとが互いに確実に接着されることなく、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４８ｂが収縮してしまい、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとを接着することが困難である。

このような理由により、樹脂層３２ｂの一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_１′は、０〜１００ｎｍとすることが好ましい。

なお、切削を行う際に部分電極３８ａ〜３８ｃにバリが生じると、隣接或いは近接する部分電極３８ａ〜３８ｃどうしがバリによって短絡してしまう虞がある。従って、切削を行う際に部分電極３８ａ〜３８ｃにバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。

こうして、部分電極３８ａ〜３８ｃの上部及び樹脂層３２ｂの上層部が切削される（図１０参照）。

なお、半導体基板１０を固定し、バイト４４を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。

一方、図１１（ａ）に示すように、半導体基板４６を用意する。半導体基板４６としては、チップサイズに切断されていない状態の半導体基板、即ち、ウェハ状態の半導体基板を用意する。半導体基板４６の材料としては、例えばシリコン基板を用いる。半導体基板４６の厚さは、例えば０．６ｍｍとする。

次に、図１１（ｂ）に示すように、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層４８ａを形成する。樹脂層４８ａとしては、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、熱処理を行う前の段階では液状であり、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、半硬化状態にするための熱処理条件が１８０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が２５０℃、１時間程度である。樹脂層４８ａの膜厚は、例えば５μｍ程度とする。樹脂層４８ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層４８ａは液状になっている。

次に、樹脂層４８ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層４８ａを半硬化状態の樹脂層４８ｂに変化させる（図１１（ｃ）参照）。樹脂層４８ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層４８ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば１８０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。また、上述したように、熱処理温度は、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定することが好ましい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、樹脂層４８ｂに半導体基板４６に達する開口部５０ａ〜５０ｃを形成する（図１１（ｄ）参照）。開口部５０ａは、貫通電極７７ａの一部となる部分電極５６ａを埋め込むためのものであり、部分電極３８ｃに対応するように形成する。開口部５０ｂは、貫通電極７７ｂの一部となる部分電極５６ｂを埋め込むためのものであり、部分電極３８ｂに対応するように形成する。開口部５０ｃは、貫通電極７７ｃの一部となる部分電極５６ｃを埋め込むためのものであり、部分電極３８ｃに対応するように形成する。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜５２を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜５２に開口部５４を形成する（図１２（ａ）参照）。開口部５４は、部分電極５６ａ〜５６ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部５０ａ〜５０ｃ内及び開口部５４内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは、例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部５０ａ〜５０ｃ内及び開口部５４内に、めっき膜より成る部分電極５６ａ〜５６ｃが形成される。部分電極５６ａ〜５６ｃは、半導体基板１０側に形成された部分電極３８ａ〜３８ｃに対応するように形成される（図１２（ｂ）参照）。

次に、フォトレジスト膜５２を剥離する（図１２（ｃ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極５６ａ〜５６ｃの表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極５６ａ〜５６ｃのサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極５６ａ〜５６ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、図１３（ａ）に示すように、半導体基板４６を、超精密旋盤４０のチャックテーブル４２上に、真空吸着により固定する。図１３（ａ）は、半導体基板を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。

半導体基板４６をチャックテーブル４２上に固定する際には、半導体基板４６の裏面側、即ち、部分電極５６ａ〜５６ｃ等が形成されていない側の面をチャックテーブル４２に固定する。なお、半導体基板４６をチャックテーブル４２上に固定する際には、ピンチャック（図示せず）を用いることが好ましい。

次に、図１３（ｂ）に示すように、半導体基板４６を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト４４を用いて、部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部を切削する（図１３（ｂ）参照）。この際、樹脂層４８ｂの厚さが３μｍ程度になるまで荒切削を行う。

部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。

バイト４４のすくい角を例えば０度とする。

チャックテーブル４２の回転数は、例えば３０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば３０ｍ／秒程度となる。

バイト４４の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。

そして、バイト４４の送りは、例えば５０μｍ／回転とする。

切削を行う前における樹脂層４８ｂの厚さは例えば５μｍ程度であるのに対し、バイト４４の切り込み量は例えば２〜３μｍ程度である。樹脂層４８ｂの厚さが３μｍ程度の高さになるまで切削する場合には、樹脂層４８ｂのうちの切削される部分の厚さは、バイト４４の切り込み量より大きい。このため、樹脂層４８ｂの上層部を複数回に亘って切削することにより、樹脂層４８ｂの厚さを３μｍ程度の厚さにする。

部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部をバイト４４により切削する際には、部分電極５６ａ〜５６ｃや樹脂層４８ｂに対して、ある程度大きな力がバイト４４により加えられる。樹脂層４８ｂの上層部が切削されている際には、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）に対して水平な方向のみならず、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）に対して垂直な方向にも力が加わる。このため、樹脂層４８ｂはある程度圧縮変形した状態で切削されることとなる。切削の際にバイト４４により圧縮変形していた樹脂層４８ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、部分電極５６ａ〜５６ｃは、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さは、切削後における電極２４の一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さより高くなる。

荒切削を行った直後においては、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。なお、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層４８ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまい、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとを接続することができない場合がある。

このため、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図１４（ｃ）参照）。

部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。

仕上げ研磨におけるバイト４４のすくい角、チャックテーブル４２の回転数、及びバイト４４の送りについては、樹脂層４８ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。

バイト４４の切り込み量は、例えば５００ｎｍとする。バイト４４の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２を、適度に小さくするためである。

なお、バイト４４の切り込み量は５００ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト４４の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。

仕上げ切削を行っても、図１５に示すように、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層４８ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層４８ｂが切削後においてある程度回復するためである。なお、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

仕上げ切削を行う際には、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２′が、０〜１００ｎｍ程度となるように仕上げ切削を行うことが好ましい。

樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。

即ち、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層４８ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまい、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとを接続することができない場合がある。

一方、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さが部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さより低い場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとが互いに接着される前に、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４８ｂが収縮してしまい、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとを接着することが困難である。

このような理由により、樹脂層４８ｂの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（半導体基板４６に接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_２′は、０〜１００ｎｍとすることが重要である。

なお、切削を行う際に部分電極５６ａ〜５６ｃにバリが生じると、隣接或いは近接する部分電極５６ａ〜５６ｃどうしがバリによって短絡してしまう虞がある。従って、切削を行う際に電極２４にバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。

こうして、部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部が切削される（図１５参照）。

なお、半導体基板４６を固定し、バイト４４を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。

次に、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板１０を所定のサイズに切断する（図示せず）。

また、同様に、薄刃のブレードを用いて、半導体基板４６を所定のサイズに切断する（図示せず）。

次に、図１６（ａ）に示すように、半導体基板１０と半導体基板４６とを対向させる。この際、半導体基板１０側の部分電極３８ａ〜３８ｃと半導体基板４６の部分電極５６ａ〜５６ｃとが互いに近接するように、半導体基板１０と半導体基板４６とを対向させる。

次に、半導体基板１０と半導体基板４６とを互いに近接させる。図１６（ｂ）は、半導体基板１０側に形成された樹脂層３２ｂと半導体基板４６側に形成された樹脂層４８ｂとを互いに接触させた状態を示す断面図である。図１６（ｃ）は、図１６（ｂ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

次に、半導体基板１０と半導体基板４６との間に外部から圧力を加え、半導体基板１０側の部分電極３８ａ〜３８ｃと半導体基板４６側の部分電極５６ａ〜５６ｃとを互いに密着させ、半導体基板１０側の樹脂層３２ｂと半導体基板４６側の樹脂層４８ｂとを密着させた状態で、熱処理を行う（図１７参照）。なお、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば２５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとが互いに確実に接着される。また、樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとは、それぞれ収縮する。樹脂層３２ｂと樹脂層４８ｂとが互いに接着されるとともに、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４８ｂがそれぞれ収縮するため、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４８ｂの収縮に起因して、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとが互いに接合される。樹脂層３２、４８の収縮に起因して、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとが互いに接合されるため、半導体基板１０と半導体基板４６との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。

そして、半硬化状態の樹脂層３２ｂ、４８ｂが、完全硬化状態の樹脂層３２、４８になる（図１８参照）。なお、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。完全硬化状態になった樹脂層３２、４８は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極５６ａ〜５６ｃとが離れてしまうことはない。

なお、ここでは、熱処理温度を２５０℃、熱処理時間を１時間に設定する場合を例に説明したが、熱処理温度及び熱処理時間は、これに限定されるものではない。熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間は短めでもよい。例えば、熱処理温度を３００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は３分程度でもよい。また、熱処理時間を低めに設定する場合には、熱処理時間は長めに設定すればよい。例えば、熱処理温度を２００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は７〜８時間程度に設定すればよい。

但し、熱処理温度を高めに設定した場合には、樹脂層３２、４２の膜質が必ずしも良好な膜質とはならない場合がある。また、熱処理温度を低めに設定した場合には、熱処理に長時間を要してしまう。樹脂層３２、４８の膜質やスループット等を考慮した場合には、熱処理温度を２５０℃程度、熱処理時間を１時間程度とすることが好ましい。

また、ここでは、半導体基板１０及び半導体基板４６に加える圧力を１０ｋＰａ程度に設定する場合を例に説明したが、半導体基板１０及び半導体基板４６に加える圧力は１０ｋＰａ程度に限定されるものではない。例えば、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度の範囲で適宜設定するようにしてもよい。

次に、図１９（ａ）に示すように、台座（支持基板）５８を用意する。台座５８としては、例えばガラス台座を用いる。台座５８は、後述する工程において半導体基板１０を研磨等により除去する際に、半導体基板４６等を支持するためのものである。

次に、図１９（ｂ）及び図１９（ｃ）に示すように、台座５８上に、熱剥離シート６６を接着する。熱剥離シート６６は、上述したように、例えばポリエステルフィルムより成る基材６２と、基材６２の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層６４と、基材６２の他方の主面に形成された感圧粘着剤層６０とを有している。熱剥離シート６６は、上述したように、常温においては、熱剥離接着剤層６４が一般の感圧粘着剤層と同様に被着体に接着し、加熱すると、熱剥離接着剤層６４が発泡し、接着面積の低下により熱剥離接着剤層６４と被着体との接着力が低下して、熱剥離接着剤層６４が被着体から剥離されるシートである。かかる熱剥離シートとしては、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート６６を台座５８上に接着する際には、熱剥離シート６６のうちの感圧粘着材層６０側を台座５８に接着させる。

次に、図１８（ａ）のように貼り合わせられた半導体基板１０、４６を反転させ、図２０（ａ）に示すように、半導体基板４６と台座５８とを対向させる。この際、半導体基板４６の一の面（樹脂層４８に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート６６の熱剥離接着剤層６４の一の面（基材６２に接する面とは反対側の面）とが互いに近接するように、半導体基板４６と台座５８とを対向させる。

この後、図２０（ｂ）に示すように、半導体基板４６の一の面（樹脂層４８に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート６６の熱剥離接着剤層６４の一の面（基材６２に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板１０の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板１０を研磨する。この際、半導体基板１０を完全に除去してしまわないのは、研磨によるダメージが、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ、導電膜１２ｃ、１２ｄ、及び樹脂層２０に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層２０の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板１０をエッチング除去する。

こうして、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ及び導電膜１２ｃ、１２ｄに過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板１０が除去される（図２１（ａ）参照）。

次に、熱処理を行うことにより、熱剥離シート６６の熱剥離接着剤層６４を発泡させる（図２１（ｂ）参照）。熱処理温度は、例えば２００℃とする。熱剥離接着剤層６４を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層６４ａと半導体基板４６との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層６４ａと半導体基板４６との接着力が低下する。このため、熱剥離接着剤層６４ａと半導体基板４６とを容易に剥離することが可能となる。

次に、台座５８により支持されていた半導体基板４６を、台座５８から取り外す（図２２（ａ）参照）。熱剥離シート６６のうちの感圧粘着材層６０が台座５８に接着されているため、熱剥離シート６６は台座５８とともに半導体基板４６から取り外される。

なお、ここでは、半導体基板１０を研磨等により除去する際に半導体基板４６を台座５８により支持する場合を例に説明したが、必ずしも半導体基板４６を台座５８により支持しなくてもよい。半導体基板１０を研磨等により除去する段階では、樹脂層２０、３２、４８より成る基材８は、半導体基板４６により支持されている。半導体基板４６の厚さがある程度厚い場合には、半導体基板１０を研磨等により除去する際に半導体基板４６が大きく変形してしまうことはない。このため、敢えて台座５８を用いなくても、基材８の変形を半導体基板４６により防止することは可能である。従って、半導体基板１０を研磨等により除去する際に、半導体基板４６を台座５８により支持しなくてもよい。但し、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ等に不要なストレスが加わるのを防止して製造歩留りをより向上する観点からは、半導体基板４６を台座５８により支持することが好ましい。

次に、樹脂層２０の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に、樹脂層６８を形成する（図２２（ｂ）参照）。樹脂層６８の材料としては、例えば感光性のエポキシ樹脂を用いる。

かかる樹脂層６８は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、スピンコート法により、樹脂層２０の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に感光性のエポキシ樹脂溶液を塗布する。エポキシ樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚７μｍの樹脂層６８が形成される。この後、樹脂層６８に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば６０℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層６８に、開口部７０ａ〜７０ｃを形成する（図２３（ａ）参照）。開口部７０ａは、貫通電極７７ａの一部となる部分電極７６ａを埋め込むためのものであり、導電膜１２ｃに達するように形成する。開口部７０ｂは、貫通電極７７ｂの一部となる部分電極７６ｂを埋め込むためのものであり、キャパシタ電極１２ｂに達するように形成する。開口部７０ｃは、貫通電極７７ｃの一部となる部分電極７６ｃを埋め込むためのものであり、導電膜１２ｄに達するように形成する。

次に、樹脂層６８に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。かかる熱処理を行った後における樹脂層６８の膜厚は、例えば５μｍ程度となる。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜７２を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜７２に開口部７４ａ〜７４ｃを形成する（図２３（ｃ）参照）。開口部７４ａ〜７４ｃは、部分電極７６ａ〜７６ｃをそれぞれ形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部７４ａ〜７４ｃ及び開口部７０ａ〜７０ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部７４ａ〜７４ｃ内及び開口部７０ａ〜７０ｃ内に、めっき膜より成る部分電極７６ａ〜７６ｃがそれぞれ形成される。

次に、フォトレジスト膜７２を剥離する（図２３（ｃ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極７６ａ〜７６ｃの表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極７６ａ〜７６ｃのサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極７６ａ〜７６ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、台座（支持基板）７８を用意する。台座７８としては、例えばガラス台座を用いる。台座７８は、後述する工程において半導体基板４６を研磨等により除去する際に、キャパシタ１８ａ、１８ｂ等が埋め込まれた基材８等を支持するためのものである。

次に、台座７８上に、熱剥離シート８６を接着する。熱剥離シート８６は、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材８２と、基材８２の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層８４と、基材８２の他方の主面に形成された感圧粘着剤層８０とを有している。かかる熱剥離シート８６としては、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート８６を台座７８上に接着する際には、熱剥離シート８６のうちの感圧粘着材層８０側を台座７８に接着させる。

次に、半導体基板４６を反転させ、図２４（ａ）に示すように、樹脂層６８と台座７８とを対向させる。この際、樹脂層５８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート８６の熱剥離接着剤層８４の一の面（基材８２に接する面とは反対側の面）とが互いに近接するように、樹脂層６８と台座７８とを対向させる。

この後、図２４（ｂ）に示すように、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート８６の熱剥離接着剤層８４の一の面（基材８２に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板４６の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板４６を研磨する。この際、半導体基板４６を完全に除去してしまわないのは、研磨によるダメージが樹脂層４８等に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層４８の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板４６をエッチング除去する。

こうして、樹脂層４８等に過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板４６が除去される（図２５（ａ）参照）。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｎｉ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜８８を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜８８に開口部９０を形成する（図２５（ｂ）参照）。開口部９０は、電極パッド９２を形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部９０内に、例えばＮｉより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは、例えば４μｍ程度とする。こうして、開口部９０内に、めっき膜より成る電極パッド９２がそれぞれ形成される。

次に、フォトレジスト膜８８を剥離する（図２６（ａ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、電極パッド９２の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、電極パッド９２のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、電極パッド９２が過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、電気めっき法により、電極パッド９２の一の面側（部分電極５６ａ〜５６ｃに接する面とは反対側の面）に、例えばＳｎ系はんだよりなる半田バンプ９４を形成する（図２６（ｂ）参照）。

こうして、本実施形態によるインターポーザ９６が製造される。

次に、図２７に示すように、パッケージ基板９８を用意する。パッケージ基板９８は、多層配線（図示せず）が埋め込まれた基板１００と、基板１００の一方の主面（インターポーザ９６に対向する側の面）に形成された電極パッド１０２と、基板１００の他方の主面（インターポーザ９６に対向する面とは反対側の面）に形成された電極パッド１０４と、電極パッド１０４の一の面（基板１００に接する面とは反対側の面）に形成された半田バンプ１０６とを有している。電極パッド１０２は、基板１００に埋め込まれた多層配線のうちのいずれかの配線（図示せず）に電気的に接続されている。また、電極パッド１０４は、基板１００に埋め込まれた多層配線のうちのいずれかの配線（図示せず）に電気的に接続されている。

次に、インターポーザ９６を支持する台座７８を反転させ、台座７８により支持されたインターポーザ９６とパッケージ基板９８とを対向させる。この際、インターポーザ９６の半田バンプ９４とパッケージ基板９８の電極パッド１０２とが互いに近接するように、インターポーザ９６とパッケージ基板９８とを対向させる。

次に、フリップチップボンディングにより、インターポーザ９６の半田バンプ９４をパッケージ基板９８の電極パッド１０２に接合する（図２８参照）。こうして、パッケージ基板９８上にインターポーザ９６が実装される。半田バンプ９４を電極パッド１０２に接合する際には、半田バンプ９４を溶解するのに必要な熱処理が行われる。このため、フリップチップボンディングの際に、熱剥離シート８６のうちの熱剥離接着剤層８４が発泡する。熱剥離接着剤層８４を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層８４ａと樹脂層６８との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層８４ａと樹脂層６８との接着力が低下する。このため、熱剥離接着剤層８４ａと樹脂層６８とを容易に剥離することが可能となる。

次に、台座７８をインターポーザ９６から取り外す（図２９参照）。熱剥離シート８６のうちの感圧粘着材層８０が台座７８に接着されているため、熱剥離シート８６は台座７８とともにインターポーザ９６から取り外される。

次に、半導体集積回路素子１０８を用意する（図３０参照）。半導体集積回路素子１０８は、半導体基板１０９と、半導体基板１０９の一方の主面側（インターポーザ９６に対向する側の面）に形成された電極パッド１１０とを有している。半導体基板１０９としては、例えばシリコン基板が用いられている。半導体基板１０９の一方の主面側（インターポーザ９６に対向する側の面）には、電子回路素子（図示せず）を含む集積回路（図示せず）が形成されている。即ち、半導体基板１０９の一方の主面（インターポーザ９６に対向する側の面）には、トランジスタ等の能動素子（図示せず）及び／或いは容量素子等の受動素子（図示せず）などの電子回路素子が配設されている。かかる電子回路素子が形成された半導体基板１０９の一方の主面側（インターポーザ９６に対向する側の面）には、複数の層間絶縁膜（図示せず）及び配線層（図示せず）からなる多層配線構造（図示せず）が形成されている。かかる多層配線構造により、電子回路素子間が電気的に接続されている（図示せず）。複数層に亘って形成されている配線のうちのいずれかは、電極パッド１１０に接続されている。

次に、フリップチップボンディングにより、半導体集積回路素子１０８の半田バンプ１１２をインターポーザ９６の部分電極７６ａ〜７６ｃに接合する（図３０参照）。こうして、インターポーザ９６上に半導体集積回路素子１０８が実装される。

こうして本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置が製造される。

本実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法は、耐熱性の高い半導体基板１０上に結晶質のキャパシタ誘電体膜１４を有する薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを形成し、後工程で半導体基板１０を除去することにより、樹脂層のみから成る基材８に薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを埋め込むことに主な特徴がある。

本実施形態によれば、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを形成する際には、結晶質のキャパシタ誘電体膜１４を形成することが可能な耐熱性の高い半導体基板１０上にキャパシタ１８ａ、１８ｂを形成するため、静電容量の高いキャパシタ誘電体膜１４を有する薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを形成することが可能である。しかも、本実施形態によれば、貫通孔を形成することが困難な半導体基板１０を、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを形成した後に除去するため、貫通電極７０ａ〜７０ｃを埋め込むための貫通孔を半導体基板１０に形成することを要しない。従って、本実施形態によれば、静電容量の極めて高い薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを有するインターポーザを低コストで提供することができる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態の変形例（その１）によるインターポーザ及びその製造方法を図３１及び図３２を用いて説明する。図３１は、本変形例によるインターポーザを示す断面図である。

本変形例によるインターポーザは、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように保護膜１１３が形成されていることに主な特徴がある。

樹脂層２０の材料として例えばポリイミド樹脂を用いた場合には、樹脂層２０を熱処理等した際に樹脂層２０中から水分やガスが放出される場合がある。かかる場合には、かかる水分やガスによりキャパシタ誘電体膜１４が還元等され、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂの電気的特性が劣化してしまう虞がある。

そこで、変形例では、キャパシタ誘電体膜１４が還元等されるのを防止すべく、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように無機材料より成る保護膜（バリア膜）１１３を形成している（図３１参照）。保護膜１１３としては、例えば酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）膜が用いられている。

なお、ここでは、保護膜１１３として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、保護膜１１３は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。水分やガス等をバリアし得る無機材料より成る保護膜１１３を適宜用いることができる。

このように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように保護膜１１３を形成し、かかる保護膜１１３上に樹脂層２０を形成するようにしてもよい。本変形例によれば、保護膜１１３によりキャパシタ誘電体膜１４が還元等されるのを防止することができるため、熱処理の際に水分等が放出される材料を樹脂層２０の材料として用いる場合であっても、電気的特性の良好な薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを有するインターポーザを提供することができる。

次に、本変形例によるインターポーザの製造方法を図３２を用いて説明する。図３２は、本変形例によるインターポーザの製造方法を示す工程断面図である。

まず、図４（ａ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、半導体基板１０を用意する（図３２（ａ）参照）。

次に、図４（ａ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、熱酸化法により、半導体基板１０の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を形成する。

次に、図４（ｂ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、例えばスパッタリング法により、半導体基板１０上に、例えば酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る導電膜１２を形成する。

次に、図４（ｂ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、例えばスパッタリング法により、導電膜１２上に、結晶質のキャパシタ誘電体膜１４をする。具体的には、例えば結晶質のＢａ_ＸＳｒ_１−ＸＴｉＯ_３（ＢＳＴ）膜１４を形成する。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ誘電体膜１４上に、例えば酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）膜と金（Ａｕ）膜とを順次成膜して成る導電膜１６を形成する。導電膜１６は、キャパシタ１８ａ、１８ｂの上部電極（キャパシタ電極）となるものである。酸化イリジウム膜の膜厚は、例えば５０ｎｍとする。Ａｕ膜の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。

次に、図４（ｃ）乃至図４（ｅ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１６、キャパシタ誘電体膜１４及び導電膜１２を所定の形状に順次パターニングする。

こうして、キャパシタ電極１２ａとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ａが形成される。また、キャパシタ電極１２ｂとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ｂが形成される。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように、保護膜１１３を形成する。保護膜１１３としては、例えば酸化アルミニウム膜を形成する。アルミニウムより成る保護膜１１３における密度は、例えば２．６ｇ／ｃｍ^３以上とすることが好ましい。このように比較的密度の高い保護膜１１３を形成するのは、樹脂層２０から放出される水分やガス等を保護膜１１３により確実にバリアするためである。保護膜１１３の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度とする。

酸化アルミニウムより成る保護膜１１３を形成する際の成膜条件は、例えば以下の通りとする。基板温度は、例えば８０℃とする。印加電力は、例えば５００Ｗとする。成膜室内におけるガス圧力は、例えば０．１Ｐａとする。アルゴンガスと酸素ガスとの流量比は、例えば５：１とする。

こうして、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように保護膜１１３が形成される。

次に、キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び導電膜１２ａ、１２ｂが形成された半導体基板１０上に、樹脂層２０を形成する（図３２（ｃ）参照）。樹脂層２０の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。

かかる樹脂層２０は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、スピンコート法により、半導体基板１０上に感光性のポリイミド樹脂溶液を塗布する。ポリイミド樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚８μｍの樹脂層２０が形成される。この後、樹脂層２０に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層２０に、保護膜１１３に達する開口部２４ａ〜２４ｅを形成する。

次に、樹脂層２０に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば４００℃とする。この熱処理を行った後における樹脂層２０の膜厚は、例えば５μｍ程度となる。

次に、開口部２４ａ〜２４ｅ内に露出している保護膜１１３をエッチング除去する。こうして、導電膜１２ｃに達する開口部２４ａ、キャパシタ電極１２ｂに達する開口部２４ｂ、導電膜１２ｄに達する開口部２４ｃ、キャパシタ１８ａのキャパシタ電極１６に達する開口部２４ｄ、及び、キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１６に達する開口部２４ｅが、樹脂層２０に形成される。

この後のインターポーザの製造方法は、図５（ｃ）乃至図２６（ｂ）に示す第１実施形態によるインターポーザの製造方法と同様であるので説明を省略する。こうして、本変形例によるインターポーザが製造される（図３２（ｄ）参照）。

このように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように保護膜１１３を形成し、かかる保護膜１１３上に樹脂層２０を形成するようにしてもよい。本変形例によれば、保護膜１１３によりキャパシタ誘電体膜１４が還元等されるのを防止することができるため、熱処理の際に水分等が放出される材料を樹脂層２０の材料として用いる場合であっても、電気的特性の良好な薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを有するインターポーザを提供することができる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態の変形例（その２）によるインターポーザ及びその製造方法を図３３及び図３４を用いて説明する。図３３は、本変形例によるインターポーザを示す断面図である。

本変形例によるインターポーザは、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆う保護膜１１３ａとして、キャパシタ誘電体膜１４と同一の材料より成る非晶質膜が用いられていることに主な特徴がある。

図３３に示すように、本変形例では、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように保護膜１１３ａが形成されており、保護膜１１３ａ上に樹脂層１４が形成されている。保護膜１１３ａとしては、キャパシタ誘電体膜１４と同一の材料より成る非晶質膜が用いられている。保護膜１１３ａとして非晶質膜を用いているのは、多結晶膜の場合には、結晶粒界に沿って水分やガス等が通り抜けてしまい、水分やガス等を十分にバリアできないためである。

本変形例のように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆う保護膜１１３ａとして、キャパシタ誘電体膜１４と同一の材料より成る非晶質膜を用いれば、キャパシタ誘電体膜１４の熱膨張係数と保護膜１１３ａの熱膨張係数とが等しいため、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂに不要な機械的ストレスが加わるのを防止することができる。また、キャパシタ誘電体膜１４として用いられているＢＳＴ膜は、密着性が良好な膜である。このため、本変形例によれば、より信頼性の高いインターポーザを提供することが可能となる。

次に、本変形例によるインターポーザの製造方法を図３４を用いて説明する。図３４は、本変形例によるインターポーザの製造方法を示す工程断面図である。

まず、図４（ａ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、半導体基板１０を用意する（図３４（ａ）参照）。

次に、図４（ａ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、熱酸化法により、半導体基板１０の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を形成する。

次に、図４（ｂ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、例えばスパッタリング法により、半導体基板１０上に、例えば酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る導電膜１２を形成する。

次に、図４（ｂ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、例えばスパッタリング法により、導電膜１２上に、結晶質のキャパシタ誘電体膜１４をする。具体的には、例えば結晶質のＢａ_ＸＳｒ_１−ＸＴｉＯ_３（ＢＳＴ）膜１４を形成する。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ誘電体膜１４上に、例えば酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）膜と金（Ａｕ）膜とを順次成膜して成る導電膜１６を形成する。導電膜１６は、キャパシタ１８ａ、１８ｂの上部電極（キャパシタ電極）となるものである。酸化イリジウム膜の膜厚は、例えば５０ｎｍとする。Ａｕ膜の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。

次に、図４（ｃ）乃至図４（ｅ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１６、キャパシタ誘電体膜１４及び導電膜１２を所定の形状に順次パターニングする。

こうして、キャパシタ電極１２ａとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ａが形成される。また、キャパシタ電極１２ｂとキャパシタ誘電体膜１４とキャパシタ電極１６とを有する薄膜キャパシタ１８ｂが形成される。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように、保護膜１１３ａを形成する。保護膜１１３ａとしては、例えば非晶質のＢＳＴ膜を形成する。保護膜１１３ａの膜厚は、例えば１００ｎｍ程度とする。

非晶質のＢＳＴより成る保護膜１１３ａを形成する際の成膜条件は、例えば以下の通りとする。基板温度は、例えば５０℃とする。印加電力は、例えば６００Ｗとする。成膜室内におけるガス圧力は、例えば０．２Ｐａとする。アルゴンガスと酸素ガスとの流量比は、例えば８：１とする。

こうして、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆うように保護膜１１３ａが形成される。

次に、キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び導電膜１２ａ、１２ｂが形成された半導体基板１０上に、樹脂層２０を形成する（図３４（ｃ）参照）。樹脂層２０の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。

かかる樹脂層２０は、以下のようにして形成することができる。即ち、まず、スピンコート法により、半導体基板１０上に感光性のポリイミド樹脂溶液を塗布する。ポリイミド樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚８μｍの樹脂層２０が形成される。この後、樹脂層２０に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層２０に、保護膜１１３ａに達する開口部２４ａ〜２４ｅを形成する。

次に、樹脂層２０に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば４００℃とする。この熱処理を行った後における樹脂層２０の膜厚は、例えば５μｍ程度となる。

次に、開口部２４ａ〜２４ｅ内に露出している保護膜１１３ａをエッチング除去する。こうして、導電膜１２ｃに達する開口部２４ａ、キャパシタ電極１２ｂに達する開口部２４ｂ、導電膜１２ｄに達する開口部２４ｃ、キャパシタ１８ａのキャパシタ電極１６に達する開口部２４ｄ、及び、キャパシタ１８ｂのキャパシタ電極１６に達する開口部２４ｅが、樹脂層２０に形成される。

この後のインターポーザの製造方法は、図５（ｃ）乃至図２６（ｂ）に示す第１実施形態によるインターポーザの製造方法と同様であるので説明を省略する。こうして、本変形例によるインターポーザが製造される（図３４（ｄ）参照）。

本変形例のように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂを覆う保護膜１１３ａとして、キャパシタ誘電体膜１４と同一の材料より成る非晶質膜を形成し、かかる保護膜１１３ａ上に樹脂層２０を形成するようにしてもよい。本変形例によれば、キャパシタ誘電体膜１４の熱膨張係数と保護膜１１３ａの熱膨張係数とが等しいため、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂに不要な機械的ストレスが加わるのを防止することができる。このため、本変形例によれば、より信頼性の高いインターポーザを提供することができる。

（変形例（その３））
次に、本実施形態の変形例（その３）によるインターポーザ及びその製造方法を図３５を用いて説明する。図３５は、本変形例によるインターポーザを示す断面図である。

本変形例によるインターポーザは、キャパシタ１８ａ、１８ｂの他に、インダクタ１２ｅが更に形成されていることに主な特徴がある。

図３５に示すように、樹脂層６８の一方の面（樹脂層２０に接する面）には、渦巻き状に形成されたインダクタ１２ｅが形成されている。インダクタ１２ｅは、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ及び導電膜１２ｃと同一の導電膜を用いて構成されている。インダクタ１２ｅの内側の端部は、貫通電極７７ｃの一部を構成している。インダクタ１２ｅの外側の端部は、例えばキャパシタ電極１２ａ、１２ｂに電気的に接続されている。

なお、ここでは、キャパシタ電極（下部電極）１２ａ、１２ｂと同一の導電膜を用いてインダクタ１２ｅを形成する場合を例に説明したが、キャパシタ電極（上部電極）１６と同一の導電膜を用いてインダクタを形成するようにしてもよい。

こうして本実施形態によるインターポーザ９６ｃが構成されている。

本変形例のように、キャパシタ１８ａ、１８ｂのみならず、インダクタ１２ｅを更に埋め込むようにしてもよい。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態によるインターポーザ及びその製造方法、並びにそのインターポーザを用いた電子装置及びその製造方法を図３６乃至図６２を用いて説明する。図１乃至図３５に示す第１実施形態によるインターポーザ及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

（インターポーザ及び電子装置）
まず、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置を図３６乃至図３８を用いて説明する。図３６は、本実施形態によるインターポーザを示す断面図（その１）である。図３７は、本実施形態によるインターポーザを示す断面図（その２）である。図３８は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。

本実施形態によるインターポーザ９６ｄは、複数の樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、４８を積層して成る基材８ａと、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと、樹脂層４８と樹脂層１２４との間に埋め込まれた１２２ａ、１２２ｂと、基材８ａを貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂのキャパシタ電極１６及び薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂのキャパシタ電極１２０に電気的に接続された貫通電極７９ａと、基材８ａを貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂのキャパシタ電極１２ａ、１２ｂ及び薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂのキャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂに電気的に接続された貫通電極７９ｂと、基材８ａを貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂから絶縁された貫通電極７９ｃとを有していることに主な特徴がある。

即ち、本実施形態によるインターポーザ９６ｄは、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂの他に、樹脂層４８と樹脂層１２４との間に他の薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂが埋め込まれており、これらの薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂが並列に接続されていることに主な特徴がある。

樹脂層４８の一の面側（電極パッド９２が形成されている面とは反対側の面）には、キャパシタ電極（下部電極）１１６ａ、１１６ｂが形成されている。樹脂層４８の材料としては、上述したように、例えばＢＣＢ樹脂が用いられている。キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂとしては、例えば、膜厚２０ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と膜厚１５０ｎｍの白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る積層膜が用いられている。薄膜キャパシタ１２２ａのキャパシタ電極１１６ａと薄膜キャパシタ１２２ｂのキャパシタ電極１１６ｂとは、互いに電気的に接続されている。

キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂの一の面側（樹脂層４８に接する面とは反対側の面）には、結晶質のキャパシタ誘電体膜１１８が形成されている。即ち、多結晶のキャパシタ誘電体膜１１８、又は、エピタキシャル成長されたキャパシタ誘電体膜１１８が形成されている。キャパシタ誘電体膜１１８の材料としては、高誘電率材料が用いられている。具体的には、キャパシタ誘電体膜１１８の材料として、ＢＳＴ膜が用いられている。キャパシタ誘電体膜１１８の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。キャパシタ誘電体膜１１８は、例えば５００℃以上の高温のプロセスで成膜されたものある。このため、キャパシタ誘電体膜１１８は、極めて良好に結晶化されており、比誘電率が極めて高くなっている。具体的には、キャパシタ誘電体膜１１８の比誘電率は２００以上となっている。

かかるキャパシタ誘電体膜１１８を成膜する際には、後述するように、高温のプロセスに耐え得る半導体基板１１４上にキャパシタ誘電体膜１１８を形成する（図３９参照）。後述するように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ、１２２ａ、１２２ｂを埋め込んでいる樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、４８より成る基材８ａは、キャパシタ誘電体膜１１８を形成する際の高温のプロセスを経ておらず、基材８ａに大きな変形等は生じていない。

キャパシタ誘電体膜１１８の一の面側（キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂに接する面とは反対側の面）には、キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂに対向するようにキャパシタ電極（上部電極）１２０が形成されている。キャパシタ電極１２０としては、例えば、膜厚２００ｎｍのＰｔ膜が用いられている。

こうして、キャパシタ電極１１６ａとキャパシタ誘電体膜１１８とキャパシタ電極１２０とを有する薄膜キャパシタ１２２ａが構成されている。また、キャパシタ電極１１６ｂとキャパシタ誘電体膜１１８とキャパシタ電極１２０とを有する薄膜キャパシタ１１６ｂが構成されている。

また、樹脂層４８の一の面側（キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂと接する面側）には、キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂと同一導電膜より成る導電膜１１６ｃ、１１６ｄが形成されている。導電膜１１６ｃは、貫通電極７９ａの一部を構成するものである。導電膜１１６ｄは、貫通電極７９ｃの一部を構成するものである。導電膜１１６ｃ、１１６ｄは、キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂから電気的に絶縁されている。

樹脂層４８の一の面側（キャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂと接する面側）には、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂと導電膜１１６ｃ、１１６ｄとを覆うように樹脂層１２４が形成されている。樹脂層１２４の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。

樹脂層１２４には、導電膜１１６ｃに達する開口部１２６ａと、薄膜キャパシタ１２２ｂのキャパシタ電極１１６ｂに達する開口部１２６ｂと、導電膜１１６ｄに達する開口部１２６ｃと、キャパシタ１２２ａのキャパシタ電極１２０に達する開口部１２６ｄと、キャパシタ１２２ｂのキャパシタ電極１２０に達する開口部１２６ｅとが形成されている。

開口部１２６ａ内には貫通電極７９ａの一部を構成する部分電極１３２ａが埋め込まれている。部分電極１３２ａは、導電膜１１６ｃを介して部分電極５６ａに接続されている。開口部１２６ｂ内には、貫通電極７９ｂの一部を構成する部分電極１３２ｂが埋め込まれている。部分電極１３２ｂは、キャパシタ電極１１６ｂに接続されている。開口部１２６ｃ内には、貫通電極７９ｃの一部を構成する部分電極１３２ｃが埋め込まれている。部分電極１３２ｃは、導電膜１１６ｄを介して部分電極５６ｃに接続されている。

開口部１２６ｄ内には、薄膜キャパシタ１２２ａのキャパシタ電極１２０に接続された導体プラグ１３２ｄが埋め込まれている。開口部１２６ｅ内には、薄膜キャパシタ１２２ｂのキャパシタ電極１２０に接続された導体プラグ１３２ｅが埋め込まれている。部分電極１３２ａ、導体プラグ１３２ｄ及び導体プラグ１３２ｅは、配線１３４により互いに電気的に接続されている。部分電極１３２ａ、導体プラグ１３２ｄ、導体プラグ１３２ｅ及び配線１３４は同一導電膜により一体に形成されている。

樹脂層１２４の一の面側（樹脂層４８に接する面とは反対側の面）には、配線１３４を覆うように樹脂層１３６が形成されている。樹脂層１３６としては、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂が用いられている。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ＢＣＢ樹脂を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。

樹脂層１３６には、部分電極１３２ａに達する開口部１３８ａと、部分電極１３２ｂに達する開口部１３８ｂと、部分電極１３２ｃに達する開口部１３８ｃとが形成されている。

開口部１３８ａ内には、貫通電極７９ａの一部を構成する部分電極１４２ａが埋め込まれている。開口部１３８ｂ内には、貫通電極７９ｂの一部を構成する部分電極１４２ｂが埋め込まれている。開口部１３８ｃ内には、貫通電極７９ｃの一部を構成する部分電極１４２ｃが埋め込まれている。

部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面側（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）及び樹脂層１３６の一の面側（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）は、後述するように、ダイヤモンド等より成るバイト４４（図４２（ａ）参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等より成るバイト４４により切削されているため、部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極３８ａ〜３８ｃに接する面）及び樹脂層１３６の一の面（樹脂層３２に接する面）は平坦になっている。

樹脂層３２と樹脂層１３６とは、互いに接着されている。樹脂層３２に埋め込まれた部分電極３８ａ〜３８ｃと樹脂層１３６に埋め込まれた部分電極１４２ａ〜１４２ｃとは、互いに接合されている。樹脂層３２と樹脂層１３６とには、後述するように、樹脂層３２と樹脂層１３６とを収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層３２と樹脂層１３６とが互いに確実に接着された状態で収縮するため、樹脂層３２及び樹脂層１３６の収縮に起因して、部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極１４２ａ〜１４２ｃに接する面）と部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極３８ａ〜３８ｃに接する面）とが互いに強固に接合されている。

また、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面側（キャパシタ電極１１６ｂ又は導電膜１１６ｃ、１１６ｄに接する面側）及び樹脂層４８の一の面側（樹脂層１２４に接する面側）は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述したように、ダイヤモンド等より成るバイト４４を用いて切削されている。ダイヤモンド等より成るバイト４４により切削されているため、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（キャパシタ電極１１６ｂ又は導電膜１１６ｃ、１１６ｄに接する面）及び樹脂層４８の一の面（樹脂層１２４に接する面）は平坦になっている。

樹脂層４８は樹脂層１２４に接着されている。樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ａと樹脂層１２４に埋め込まれた導電膜１１６ｃとは、互いに接合されている。樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ｂと樹脂層１２４に埋め込まれたキャパシタ電極１１６ｂとは、互いに接合されている。樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ｃと樹脂層１２４に埋め込まれた導電膜１１６ｄとは、互いに接合されている。樹脂層４８には、後述するように、樹脂層４８を収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層４８が樹脂層１２４に確実に接着された状態で収縮するため、樹脂層４８の収縮に起因して、部分電極５６ａと導電膜１１６ｃとが互いに強固に接合され、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１１６ｂとが互いに強固に接合され、部分電極５６ｃと導電膜１１６ｄとが互いに強固に接合されている。

部分電極７６ａ、導電膜１２ｃ、部分電極３０ａ、部分電極３８ａ、部分電極１４２ａ、部分電極１３２ａ、導電膜１１６ｃ及び部分電極５６ａにより、貫通電極７９ａが構成されている。また、部分電極７６ｂ、キャパシタ電極１２ｂの一部、部分電極３０ｂ、部分電極３８ｂ、部分電極１４２ｂ、部分電極１３２ｂ、キャパシタ電極１１６ｂの一部、及び部分電極５６ｂにより、貫通電極７９ｂが構成されている。また、部分電極７６ｃ、導電膜１２ｄ、部分電極３０ｃ、部分電極３８ｃ、部分電極１４２ｃ、部分電極１３２ｃ、導電膜１１６ｄ、及び部分電極５６ｃにより、貫通電極７９ｃが構成されている。

こうして本実施形態によるインターポーザ９６ｄが構成されている。

図３７に示すように、インターポーザ９６ｄは、台座（支持基板）１８２により支持されている。

即ち、樹脂層６８の他方の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）には、熱剥離シート１９０を用いて台座１８２が接着されている。台座１８２としては、例えばガラス台座が用いられている。熱剥離シート１９０は、図２を用いて上述した熱剥離シート８６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材１８６と、基材１８６の一方の面に形成された熱剥離接着剤層１８８と、基材１８６の他方の面に形成された感圧粘着剤層１８８とを有している。熱剥離シート１９０のうちの感圧接着剤層１８４は台座１８２に接着されており、熱剥離シート１９０のうちの熱剥離接着剤層１８８は樹脂層６８に接着されている。

本実施形態において、インターポーザ９６ｄを台座１８２により支持するようにしているのは、インターポーザ９６ｄの基材８ａが樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、４８のみにより構成されており、インターポーザ９６ｄを何らかの硬質な手段により支持しないと、第１実施形態によるインターポーザ９６と同様に、インターポーザ９６ｄが変形してしまうためである。

後述するように、インターポーザ９６ｄを基板等に実装した後には、かかる基板等によりインターポーザ９６ｄが支持されるため、インターポーザ９６ｄを支持していた台座１８２は不要となる。インターポーザ９６ｄを台座１８２により支持する必要がなくなった際には、インターポーザ９６ｄから台座１８２を容易に外すことができるよう、台座１８２は熱剥離シート１９０を用いてインターポーザ９６ｄに接着されている。

図３８は、本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置を示す断面図である。

図３８に示すように、本実施形態によるインターポーザ９６ｄは、第１実施形態によるインターポーザ９６と同様に、例えば、パッケージ基板９８と半導体集積回路素子１０８との間に配される。

インターポーザ９６ｄの電極パッド９２とパッケージ基板９８の電極パッド１０２とは、半田バンプ９４により互いに電気的に接続されている。

半導体集積回路素子１０の電極パッド１１０とインターポーザ９６ｄの貫通電極７９ａ〜７９ｃとは、半田バンプ１１２により互いに電気的に接続されている。

こうして本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置が構成されている。

本実施形態によるインターポーザは、上述したように、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂの他に、樹脂層４８と樹脂層１２４との間に他の薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂが埋め込まれており、これらの薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂが、並列に接続されていることに主な特徴がある。

本実施形態によれば、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ及び薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂが並列に接続されているため、静電容量の更に大きい薄膜キャパシタを有するインターポーザを提供することができる。

（インターポーザ及び電子装置の製造方法）
次に、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を図３９乃至図６２を用いて説明する。図３９乃至図６２は、本実施形態によるインターポーザ及びその製造方法を示す工程断面図である。

まず、半導体基板１０を用意する工程から部分電極３８ａ〜３８ｃの上部及び樹脂層３２ｂの上層部を切削する工程までは、図４（ａ）乃至図１０（ｂ）に示す第１実施形態によるインターポーザの製造方法と同様であるので説明を省略する。

次に、図３９（ａ）に示すように、半導体基板１１４を用意する。半導体基板１１４としては、チップサイズに切断されていない状態の半導体基板、即ち、ウェハ状態の半導体基板を用意する。半導体基板１１４の材料としては、例えばシリコン基板を用いる。半導体基板１１４の厚さは、例えば０．６ｍｍとする。

次に、熱酸化法により、半導体基板１１４の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を形成する。シリコン酸化膜の膜厚は、例えば０．５μｍ程度とする。

次に、図３９（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、半導体基板１０上に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る導電膜１１６を形成する。導電膜１１６は、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂの下部電極（キャパシタ電極）１１６ａ、１１６ｂとなるものである。酸化チタン膜の膜厚は、例えば２０ｎｍとする。Ｐｔ膜の膜厚は、例えば１５０ｎｍとする。

次に、例えばスパッタリング法により、導電膜１１６上に、結晶質のキャパシタ誘電体膜１１８を形成する。かかるキャパシタ誘電体膜１１８としては、例えば、ＢＳＴ膜１１８を形成する。より具体的には、キャパシタ誘電体膜１１８として、多結晶のＢＳＴ膜を形成する。キャパシタ誘電体膜１１８の膜厚は例えば１００ｎｍとする。

キャパシタ誘電体膜１１８を成膜する際の条件は、例えば、図４（ｂ）を用いて上述したキャパシタ誘電体膜１４を形成する際の条件と同様とする。こうして、比誘電率が４００程度、誘電損失が１％以下の良好な電気的特性を有する誘電体膜１１８が得られる。

なお、ここでは、キャパシタ誘電体膜１１８としてＢＳＴ膜を形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１１８の材料はＢＳＴ膜に限定されるものではない。高誘電率材料より成るキャパシタ誘電体膜１１８を適宜形成すればよい。

また、ここでは、多結晶のキャパシタ誘電体膜１１８を形成する場合を例に説明するが、キャパシタ誘電体膜１１８をエピタキシャル成長させてもよい。

また、キャパシタ誘電体膜１１８の比誘電率は、４００程度に限定されるものではない。但し、所望の電気的特性を実現するためには、キャパシタ誘電体膜１１８の比誘電率が十分に大きいことが好ましい。本実施形態では、耐熱性の高い半導体基板１１４上にキャパシタ誘電体膜１１８を形成するため、例えば５００℃以上の高温のプロセスでキャパシタ誘電体膜１１８を形成することが可能である。このような高温のプロセスでキャパシタ誘電体膜１１８を形成すれば、比誘電率が２００以上のキャパシタ誘電体膜１１８を形成することが可能である。

また、ここでは、キャパシタ誘電体膜１１８をスパッタリング法により形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１１８をゾル・ゲル法により形成してもよい。キャパシタ誘電体膜１１８をゾル・ゲル法により形成する場合には、例えば以下のようにしてキャパシタ誘電体膜１１８を形成する。

即ち、まず、導電膜１１６上に、アルコキシドから成る出発溶液をスピンコート法により塗布する。かかる出発溶液としては、例えばＢＳＴ膜を形成するための出発溶液を用いる。成膜条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚１５０ｎｍ程度のキャパシタ誘電体膜１１８が形成される。

次に、キャパシタ誘電体膜１１８に対して仮焼成を行う。仮焼成の条件は、例えば４００℃、１０分とする。

次に、キャパシタ誘電体膜１１８に対して本焼成を行う。本焼成の条件は、例えば７００℃、１０分とする。本焼成後のキャパシタ誘電体膜１１８の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度となる。

このような条件でＢＳＴより成るキャパシタ誘電体膜１１８を形成すると、比誘電率が３００程度、誘電損失が２％以下の良好な電気的特性を有する誘電体膜１１８が得られる。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ誘電体膜１１８上に、例えばＰｔより成る導電膜１２０を形成する。導電膜１２０は、キャパシタ１８ａ、１８ｂの上部電極（キャパシタ電極）となるものである。導電膜１２０の膜厚は、例えば２００ｎｍとする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１２０を所定の形状にパターニングする。こうして、導電膜より成る上部電極（キャパシタ電極）１２０が形成される（図３９（ｃ）参照）。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、キャパシタ誘電体膜１１８を所定の形状にパターニングする（図３９（ｄ）参照）。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１１６を所定の形状にパターニングする。こうして、導電膜１１６より成るキャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂ及び導電膜１１６ｃ、１１６ｄが形成される（図３９（ｅ）参照）。なお、導電膜１１６をパターニングする際には、キャパシタ電極１１６ａとキャパシタ電極１１６ｂとが互いに電気的に接続された状態となるように、導電膜１１６をパターニングする。また、導電膜１１６をパターニングする際には、導電膜１１６ｃ、１１６ｄがキャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂから電気的に分離された状態となるように、導電膜１１６をパターニングする。こうして、キャパシタ電極１１６ａとキャパシタ誘電体膜１１８とキャパシタ電極１２０とを有する薄膜キャパシタ１２２ａが形成される。また、キャパシタ電極１１６ｂとキャパシタ誘電体膜１１８とキャパシタ電極１２０とを有する薄膜キャパシタ１２２ｂが形成される。

次に、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂ及び導電膜１２ａ、１２ｂが形成された半導体基板１１４上に、樹脂層１２４を形成する（図４０（ａ）参照）。樹脂層１２４の材料としては、例えば感光性のエポキシ樹脂を用いる。

かかる樹脂層１２４は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、スピンコート法により、半導体基板１１４上に感光性のエポキシ樹脂溶液を塗布する。エポキシ樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚７μｍの樹脂層１２４が形成される。この後、樹脂層１２４に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば６０℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層１２４に、開口部１２６ａ〜１２６ｅを形成する（図４０（ｂ）参照）。開口部１２６ａは、貫通電極７９ａの一部となる部分電極１３２ａを埋め込むためのものであり、導電膜１１６ｃに達するように形成する。開口部１２６ｂは、貫通電極７９ｂの一部となる部分電極１３２ｂを埋め込むためのものであり、キャパシタ電極１２６ｂに達するように形成する。開口部１２６ｃは、貫通電極７９ｃの一部となる部分電極１３２ｃを埋め込むためのものであり、導電膜１１６ｄに達するように形成する。開口部１２６ｄは、導体プラグ１３２ｄを埋め込むためのものであり、キャパシタ１２２ａのキャパシタ電極１２０に達するように形成する。開口部１２６ｅは、導体プラグ１３２ｅを埋め込むためのものであり、キャパシタ１２２ｂのキャパシタ電極１２０に達するように形成する。

次に、樹脂層１２４に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。この熱処理を行った後における樹脂層１２４の膜厚は、例えば５μｍ程度となる。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１２８を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１２８に開口部１３０ａ〜１３０ｃを形成する（図４０（ｃ）参照）。開口部１３０ａは、部分電極１３２ａ、導体プラグ１３２ｄ、導体プラグ１３２ｅ及び配線１３４を形成するためのものである。開口部１３０ｂは、部分電極１３２ｂを形成するためのものである。開口部１３０ｃは、部分電極１３２ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部１２６ａ〜１２６ｅ内及び開口部１３０ａ〜１３０ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部１２６ａ、１２６ｄ、１２６ｅ内及び開口部１３０ａ内に、めっき膜より成る部分電極１３２ａ、導体プラグ１３２ｄ、１３２ｅ及び配線１３４が形成される。また、開口部１２６ｂ内及び開口部１３０ｂ内に、めっき膜より成る部分電極１３２ｂが形成される。また、開口部１２６ｃ内及び開口部１３０ｃ内に、めっき膜より成る部分電極１３２ｃが形成される（図４０（ｃ）参照）。

次に、フォトレジスト膜１２８を剥離する（図４０（ｄ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極１３２ａ、導体プラグ１３２ｄ、１３２ｅ及び配線１３４の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極１３２ａ、導体プラグ１３２ｄ、１３２ｅ及び配線１３４のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極５６ａ〜５６ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層１３６ａを形成する（図４０（ｅ）参照）。樹脂層１３６ａの膜厚は、例えば５μｍ程度とする。樹脂層１３６ａとしては、例えば、感光性のＢＣＢ樹脂を用いる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、熱処理を行う前の段階では液状であり、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、半硬化状態にするための熱処理条件が１８０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が２５０℃、１時間程度である。ＢＣＢ樹脂より成る樹脂層３２ａを塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。

こうして、部分電極１３２ａ〜１３２ｃ、導体プラグ１３２ｄ、１３２ｅ及び配線１３４が形成された樹脂層１２４上に、樹脂層１３６ａが形成される。樹脂層１３６ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層１３６ａは液状になっている。

次に、樹脂層１３６ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層１３６ａを半硬化状態の樹脂層１３６ｂに変化させる（図４１（ａ）参照）。樹脂層１３６ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層３２ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば１８０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。熱処理を行う際の雰囲気は、例えばＮ_２雰囲気とする。

なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、適宜設定することができる。但し、熱処理温度は、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定することが好ましい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、樹脂層１３６ｂに開口部１３８ａ〜１３８ｃを形成する（図４１（ｂ）参照）。開口部１３８ａは、貫通電極７９ａの一部となる部分電極１４２ａを埋め込むためのものであり、部分電極１３２ａに達するように形成する。開口部１３８ｂは、貫通電極７９ｂの一部となる部分電極１４２ｂを埋め込むためのものであり、部分電極１３２ｂに達するように形成する。開口部１３８ｃは、貫通電極７９ｃの一部となる部分電極１４２ｃを埋め込むためのものであり、部分電極１３２ｃに達するように形成する。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１４０を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１４０に開口部１４１ａ〜１４１ｃを形成する（図４１（ｃ）参照）。開口部１４１ａは、部分電極１４２ａを形成するためのものである。開口部１４１ｂは、部分電極１４２ｂを形成するためのものである。開口部１４１ｃは、部分電極１４２ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部１３８ａ〜１３８ｃ内及び開口部１４１ａ〜１４１ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部１３８ａ〜１３８ｃ内及び開口部１４１ａ〜１４１ｃ内に、めっき膜より成る部分電極１４２ａ〜１４２ｃが形成される（図４１（ｃ）参照）。

次に、フォトレジスト膜１４０を剥離する（図４１（ｄ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極１４２ａ〜１４２ｃの表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極１４２ａ〜１４２ｃのサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極１４２ａ〜１４２ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、半導体基板１１４を、超精密旋盤４０（図８（ａ）参照）のチャックテーブル４２（図８（ａ）参照）上に、真空吸着により固定する。半導体基板１１４をチャックテーブル４２上に固定する際には、半導体基板１１４の裏面側、即ち、部分電極１４２ａ〜１４２ｃ等が形成されていない側の面をチャックテーブル４２に固定する。

次に、半導体基板１１４を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト４４を用いて、部分電極１４２ａ〜１４２ｃの上部及び樹脂層１３６ｂの上層部を切削する（図４２（ａ）参照）。この際、樹脂層１３６ｂの厚さが３μｍ程度になるまで荒切削を行う。

部分電極１４２ａ〜１４２ｃの上部及び樹脂層１３６ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。バイト４４のすくい角を例えば０度とする。チャックテーブル４２の回転数は、例えば２０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば２０ｍ／秒程度となる。バイト４４の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。そして、バイト４４の送りは、例えば５０μｍ／回転とする。

切削の際にバイト４４により圧縮変形していた樹脂層１３６ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、部分電極１４２ａ〜１４２ｃは、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さは、切削後における部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高くなる。

荒切削を行った直後においては、図４２（ｂ）及び図４２（ｃ）に示すように、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。なお、図４２（ｃ）は、図４２（ｂ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

樹脂層１２６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃ一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層１３６ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまい、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極１４２ａ〜１４２ｃとを接続することができない場合がある。

このため、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図４３（ａ）参照）。

部分電極１４２ａ〜１４２ｃの上部及び樹脂層１３６ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。

仕上げ研磨におけるバイト４４のすくい角、チャックテーブル４２の回転数、及びバイト４４の送りについては、樹脂層１３６ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。

バイト４４の切り込み量は、例えば５００ｎｍとする。バイト４４の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１３２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３を、適度に小さくするためである。

なお、バイト４４の切り込み量は５００ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト４４の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。

仕上げ切削を行っても、図４３（ｂ）及び図４３（ｃ）に示すように、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ３′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層１３６ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層１３６ｂが切削後においてある程度回復するためである。なお、図４３（ｃ）は、図４３（ｂ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

仕上げ切削を行う際には、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３′が、０〜１００ｎｍ程度となるように仕上げ切削を行うことが好ましい。

樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。

即ち、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層１３６ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまい、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極１４２ａ〜１４２ｃとを接続することができない場合がある。

一方、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さが部分電極３８ａ〜３８ｃの一の面（部分電極３０ａ〜３０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより低い場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３２ｂと樹脂層１３６ｂとが互いに確実に接着されることなく、樹脂層３２ｂ及び樹脂層１３６ｂが収縮してしまい、樹脂層３２ｂと樹脂層１３６とを接着することが困難である。

このような理由により、樹脂層１３６ｂの一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極１４２ａ〜１４２ｃの一の面（部分電極１３２ａ〜１３２ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_３′は、０〜１００ｎｍとすることが好ましい。

なお、切削を行う際に部分電極１４２ａ〜１４２ｃにバリが生じると、隣接或いは近接する部分電極１４２ａ〜１４２ｃどうしがバリによって短絡してしまう虞がある。従って、切削を行う際に部分電極１４２ａ〜１４２ｃにバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。

こうして、部分電極１４２ａ〜１４２ｃの上部及び樹脂層１３６ｂの上層部が切削される（図４３（ｂ）及び図４３（ｃ）参照）。

なお、半導体基板１１４を固定し、バイト４４を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。

次に、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板１０を所定のサイズに切断する（図示せず）。

また、同様に、薄刃のブレードを用いて、半導体基板１１４を所定のサイズに切断する（図示せず）。

次に、図４４（ａ）に示すように、半導体基板１０と半導体基板１１４とを対向させる。この際、半導体基板１０側の部分電極３８ａ〜３８ｃと半導体基板１１４の部分電極１４２ａ〜１４２ｃとが互いに近接するように、半導体基板１０と半導体基板１１４とを対向させる。

次に、半導体基板１０と半導体基板１１４とを互いに近接させる。図４４（ｂ）は、半導体基板１０側に形成された樹脂層３２ｂと半導体基板１１４側に形成された樹脂層１３６ｂとを互いに接触させた状態を示す断面図である。図４４（ｃ）は、図４４（ｂ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

次に、半導体基板１０と半導体基板１１４との間に外部から圧力を加え、半導体基板１０側の部分電極３８ａ〜３８ｃと半導体基板１１４側の部分電極１４２ａ〜１４２ｃとを互いに密着させ、半導体基板１０側の樹脂層３２ｂと半導体基板１１４側の樹脂層１３６ｂとを密着させた状態で、熱処理を行う（図４５参照）。なお、図４５（ｂ）は、図４５（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば２５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層３２ｂと樹脂層１３６ｂとが互いに確実に接着される。また、樹脂層３２ｂと樹脂層１３６ｂとは、それぞれ収縮する。樹脂層３２ｂと樹脂層１３６ｂとが互いに接着されるとともに、樹脂層３２ｂ及び樹脂層１３６ｂがそれぞれ収縮するため、樹脂層３２ｂ及び樹脂層１３６ｂの収縮に起因して、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極１４２ａ〜１４２ｃとが互いに接合される。樹脂層３２、１３６の収縮に起因して、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極１４２ａ〜１４２ｃとが互いに接合されるため、半導体基板１０と半導体基板１１４との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。

そして、半硬化状態の樹脂層３２ｂ、１３６ｂが、完全硬化状態の樹脂層３２、１３６になる（図４６参照）。なお、図４６（ｂ）は、図４６（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。完全硬化状態になった樹脂層３２、１３６は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、部分電極３８ａ〜３８ｃと部分電極１４２ａ〜１４２ｃとが離れてしまうことはない。

なお、ここでは、熱処理温度を２５０℃、熱処理時間を１時間に設定する場合を例に説明したが、熱処理温度及び熱処理時間は、これに限定されるものではない。熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間は短めでもよい。例えば、熱処理温度を３００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は３分程度でもよい。また、熱処理温度を低めに設定する場合には、熱処理時間は長めに設定すればよい。例えば、熱処理温度を２００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は７〜８時間程度に設定すればよい。

但し、熱処理温度を高めに設定した場合には、樹脂層３２、１３６の膜質が必ずしも良好な膜質とはならない場合がある。また、熱処理温度を低めに設定した場合には、熱処理に長時間を要してしまう。樹脂層３２、１３６の膜質やスループット等を考慮した場合には、熱処理温度を２５０℃程度、熱処理時間を１時間程度とすることが好ましい。

また、ここでは、半導体基板１０及び半導体基板１１４に加える圧力を１０ｋＰａ程度に設定する場合を例に説明したが、半導体基板１０及び半導体基板１１４に加える圧力は１０ｋＰａ程度に限定されるものではない。例えば、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度の範囲で適宜設定するようにしてもよい。

次に、台座（支持基板）１４４を用意する。台座１４４としては、例えばガラス台座を用いる。台座１４４は、後述する工程において半導体基板１０を研磨等により除去する際に、半導体基板１１４等を支持するためのものである。

次に、台座１４４上に、熱剥離シート１５２を接着する。熱剥離シート１５２は、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材１４８と、基材１４８の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層１５０と、基材１４８の他方の主面に形成された感圧粘着剤層１４６とを有している。かかる熱剥離シート１５２としては、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート１５２を台座１４４上に接着する際には、熱剥離シート１５２のうちの感圧粘着材層１４６側を台座１４４に接着させる。

次に、図４６（ａ）のように貼り合わせられた半導体基板１０、１１４を反転させ、図４７（ａ）に示すように、半導体基板１１４と台座１４４とを対向させる。この際、半導体基板１１４の一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート１５２の熱剥離接着剤層１５０の一の面（基材１４８に接する面とは反対側の面）とが近接するように、半導体基板１１４と台座５８とを対向させる。

この後、図４７（ｂ）に示すように、半導体基板１１４の一の面（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート１５２の熱剥離接着剤層１５０の一の面（基材１４８に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板１０の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板１０を研磨する。この際、半導体基板１０を完全に除去してしまわないのは、上述したように、研磨によるダメージが、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ、導電膜１２ｃ、１２ｄ、及び樹脂層２０に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層２０の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板１０をエッチング除去する。

こうして、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ及び導電膜１２ｃ、１２ｄに過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板１０が除去される（図４８（ａ）参照）。

次に、熱処理を行うことにより、熱剥離シート１５２の熱剥離接着剤層１５０を発泡させる（図４８（ｂ）参照）。熱処理温度は、例えば２００℃とする。熱剥離接着剤層１５０を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層１５０ａと樹脂層１１４との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層６４ａと半導体基板１１４との接着力が低下する。このため、熱剥離接着剤層６４ａと半導体基板１１４とを容易に剥離することが可能となる。

次に、台座１１４により支持されていた半導体基板１１４を、台座１１４から取り外す（図４９（ａ）参照）。熱剥離シート１５２のうちの感圧粘着材層１４６が台座１４４に接着されているため、熱剥離シート１５２は台座１４４とともに半導体基板４６から取り外される。

なお、ここでは、半導体基板１０を研磨等により除去する際に半導体基板１１４を台座１４４により支持する場合を例に説明したが、必ずしも半導体基板１１４を台座１４４により支持しなくてもよい。半導体基板１０を研磨等により除去する段階では、樹脂層２０、３２、１３６、１２４より成る基材８ａは、半導体基板１１４により支持されている。半導体基板１１４の厚さがある程度厚い場合には、半導体基板１０を研磨等により除去する際に半導体基板１１４が大きく変形してしまうことはない。このため、敢えて台座１４４を用いなくても、基材８ａの変形を半導体基板１１４により防止することは可能である。従って、半導体基板１０を研磨等により除去する際に、半導体基板１１４を台座１４４により支持しなくてもよい。但し、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ、１２２ａ、１２２ｂ等に不要なストレスが加わるのを防止して製造歩留りをより向上する観点からは、半導体基板１１４を台座１４４により支持することが好ましい。

次に、樹脂層２０の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に、樹脂層６８を形成する（図４９（ｂ）参照）。樹脂層６８の材料としては、例えば感光性のエポキシ樹脂を用いる。かかる樹脂層６８は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、スピンコート法により、樹脂層６８の一方の面側（樹脂層３２に接する面とは反対側の面）に感光性のエポキシ樹脂溶液を塗布する。エポキシ樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚７μｍの樹脂層６８が形成される。この後、樹脂層６８に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば６０℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層６８に、開口部７０ａ〜７０ｃを形成する（図５０（ａ）参照）。

次に、樹脂層６８に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。かかる熱処理を行った後における樹脂層６８の膜厚は、例えば５μｍ程度となる。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜７２を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜７２に開口部７４ａ〜７４ｃを形成する（図５０（ｂ）参照）。

次に、電気めっき法により、開口部７４ａ〜７４ｃ及び開口部７０ａ〜７０ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部７４ａ〜７４ｃ内及び開口部７０ａ〜７０ｃ内に、めっき膜より成る部分電極７６ａ〜７６ｃがそれぞれ形成される。

次に、フォトレジスト膜７２を剥離する（図５０（ａ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極７６ａ〜７６ｃの表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極７６ａ〜７６ｃのサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極７６ａ〜７６ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、台座（支持基板）１６４を用意する（図５１（ｂ）参照）。台座１６４としては、例えばガラス台座を用いる。台座１６４は、後述する工程において半導体基板１１４を研磨等により除去する際に、キャパシタ１８ａ、１８ｂ、１２２ａ、１２２ｂ等が埋め込まれた基材８ａ等を支持するためのものである。

次に、台座１６４上に、熱剥離シート１７２を接着する。熱剥離シート１７２は、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材１６８と、基材１６８の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層１７０と、基材１６８の他方の主面に形成された感圧粘着剤層１６６とを有している。かかる熱剥離シート１７２としては、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート１７２を台座１６４上に接着する際には、熱剥離シート１７２のうちの感圧粘着材層１６６側を台座１６４に接着させる。

次に、半導体基板１１４を反転させ、図５１（ａ）に示すように、樹脂層６８と台座１６４とを対向させる。この際、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート１７２の熱剥離接着剤層１７０の一の面（基材１６８に接する面とは反対側の面）とが近接するように、樹脂層６８と台座１６４とを対向させる。

この後、図５２（ａ）に示すように、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート１７２の熱剥離接着剤層１７０の一の面（基材１６８に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板１１４の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板１１４を研磨する。この際、半導体基板１１４を完全に除去してしまわないのは、研磨によるダメージが、に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層１２４の一方の面側（樹脂層１３６に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板１１４をエッチング除去する。

こうして、キャパシタ電極１１６ａ、１１６、導電膜１１６ｃ、１１６ｄ、及び樹脂層１２４等に過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板１１４が除去される（図５２（ａ）参照）。

一方、半導体基板４６を用意する（図１１（ａ）参照）。

この後、部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部を切削する工程までは、図１１（ｂ）乃至図１５（ｂ）に示す第１実施形態によるインターポーザの製造方法と同様であるので説明を省略する。

次に、図５３に示すように、台座１６４と半導体基板４６とを対向させる。この際、樹脂層１２４と樹脂層４８ｂとが互いに近接し、部分電極１３２ａ〜１３２ｃの位置と部分電極５６ａ〜５６ｃの位置とが合致するように、台座１６４と半導体基板４６とを対向させる。

次に、図５４に示すように、半導体基板１０と台座１６４とを互いに近接させる。図５４（ｂ）は、樹脂層１２４と樹脂層４８ｂとを互いに接触させた状態を示す断面図である。図５４（ｂ）は、図５４（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

次に、台座１６４と半導体基板４６との間に外部から圧力を加え、導電膜１１６ｃと部分電極５６ａとを互いに密着させ、キャパシタ電極１１６ｂと部分電極５６ｂとを互いに密着させ、導電膜１１６ｄと部分電極５６ｃとを互いに密着させた状態で、熱処理を行う（図５５参照）。なお、図５５（ｂ）は、図５５（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば２５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層４８ｂが樹脂層１２４に確実に接着される。また、かかる熱処理により、樹脂層４８は収縮する。樹脂層４２ｂが樹脂層１２４に接着されるとともに、樹脂層４８ｂが収縮するため、樹脂層４８ｂの収縮に起因して、部分電極５６ａと導電膜１１６ｃとが互いに接合され、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１１６ｂとが互いに接合され、部分電極５６ｃと導電膜１１６ｄとが互いに接合される。樹脂層４８ｂの収縮に起因して、部分電極５６ａと導電膜１１６ｃとが互いに接合され、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１１６ｂとが互いに接合され、部分電極５６ｃと導電膜１１６ｄとが互いに接合されるため、半導体基板４６と台座１６４との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。

そして、半硬化状態の樹脂層４８ｂが、完全硬化状態の樹脂層４８になる（図５６参照）。なお、図５６（ｂ）は、図５６（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。完全硬化状態になった樹脂層４８は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、
部分電極５６ａと導電膜１１６ｃとが互いに離れてしまうことはなく、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１１６ｂとが互いに離れてしまうことはなく、部分電極５６ｃと導電膜１１６ｄとが互いに離れてしまうことはない。

熱処理の際には、熱剥離シート１７２のうちの熱剥離接着剤層１７０が発泡する。熱剥離接着剤層１７０を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層１７０ａと樹脂層６８との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層１７０ａと樹脂層６８との接着力が低下する。

次に、台座１６４により支持されていた半導体基板４６を、台座１６４から取り外す。熱剥離シート１７２のうちの感圧粘着材層１６６が台座１６４に接着されているため、熱剥離シート１７２は台座１６４とともに樹脂層６８から取り外される。

次に、台座（支持基板）１８２を用意する（図５７（ａ）参照）。台座１８２としては、例えばガラス台座を用いる。台座１８２は、後述する工程において半導体基板４６を研磨等により除去する際に、キャパシタ１８ａ、１８ｂ、１２２ａ、１２２ｂ等が埋め込まれた基材８ａ等を支持するためのものである。

次に、台座１８２上に、熱剥離シート１９０を接着する。熱剥離シート１９０は、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材１８６と、基材１８６の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層１８８と、基材１８６の他方の主面に形成された感圧粘着剤層１８４とを有している。かかる熱剥離シート１９０としては、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート１９０を台座１８２上に接着する際には、熱剥離シート１９０のうちの感圧粘着材層１８４側を台座１８２に接着させる。

次に、半導体基板４６と台座１８２とを対向させる。この際、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート１９０の熱剥離接着剤層１８８の一の面（基材１８６に接する面とは反対側の面）とが近接するように、台座１８２と半導体基板４６とを対向させる。

この後、図５７（ｂ）に示すように、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート１９０の熱剥離接着剤層１８８の一の面（基材１８６に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板４６の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板４６を研磨する。この際、半導体基板４６を完全に除去してしまわないのは、研磨によるダメージが樹脂層４８等に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層４８の一方の面側（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板４６をエッチング除去する。

こうして、樹脂層４８等に過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板４６が除去される（図５８（ａ）参照）。

この後、図２５（ｂ）乃至図２６（ｂ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様にして、電極パッド９２及び半田バンプ９４を形成する（図５８（ｂ）参照）。

こうして、本実施形態によるインターポーザ９６ｄが製造される。

次に、パッケージ基板９８を用意する（図５９参照）。

次に、インターポーザ９６ｄを支持する台座１８２を反転させ、台座１８２により支持されたインターポーザ９６ｄとパッケージ基板９８とを対向させる。この際、インターポーザ９６の半田バンプ９４とパッケージ基板９８の電極パッド１０２とが互いに近接するように、インターポーザ９６ｄとパッケージ基板９８とを対向させる。

次に、フリップチップボンディングにより、インターポーザ９６ｄの半田バンプ９４をパッケージ基板９８の電極パッド１０２に接合する（図６０参照）。こうして、パッケージ基板９８上にインターポーザ９６ｄが実装される。フリップチップボンディングの際には、熱剥離シート１９０のうちの熱剥離接着剤層１８８が発泡する。熱剥離接着剤層１８８を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層１８８ａと樹脂層６８との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層１８８ａと樹脂層６８との接着力が低下する。このため、熱剥離接着剤層１８８ａと樹脂層６８とを容易に剥離することが可能となる。

次に、台座１８２をインターポーザ９６ｄから取り外す（図６０参照）。熱剥離シート１９０のうちの感圧粘着材層１８４が台座１８２に接着されているため、熱剥離シート１９０は台座１８２とともにインターポーザ９６ｄから取り外される。

次に、半導体集積回路素子１０８を用意する（図６１参照）。

次に、フリップチップボンディングにより、半導体集積回路素子１０８の半田バンプ１１２をインターポーザ９６ｄの貫通電極７９ａ〜７９ｃに接合する（図６２参照）。こうして、インターポーザ９６ｄ上に半導体集積回路素子１０８が実装される。

こうして本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置が製造される。

［第３実施形態］
本発明の第３実施形態によるインターポーザ及びその製造方法、並びにそのインターポーザを用いた電子装置及びその製造方法を図６３乃至図８７を用いて説明する。図１乃至図６２に示す第１及び第２実施形態によるインターポーザ及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

（インターポーザ及び電子装置）
まず、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置を図６３乃至図６５を用いて説明する。図６３は、本実施形態によるインターポーザを示す断面図（その１）である。図６４は、本実施形態によるインターポーザを示す断面図（その２）である。図６５は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。

本実施形態によるインターポーザ９６ｅは、複数の樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、２１４、２０２、４８を積層して成る基材８ｂと、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと、樹脂層１２４と樹脂層２１４との間に埋め込まれた１２２ａ、１２２ｂと、樹脂層４８と樹脂層２０２との間に埋め込まれた２００ａ、２００ｂと、基材８ｂを貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂのキャパシタ電極１６、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂのキャパシタ電極１２０及び薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂのキャパシタ電極１９８に電気的に接続された貫通電極８１ａと、基材８ｂを貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂのキャパシタ電極１２ａ、１２ｂ、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂのキャパシタ電極１１６ａ、１１６ｂ、及び薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂの１９４ａ、１９４ｂに電気的に接続された貫通電極８１ｂと、基材８ｂを貫き、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ、薄膜キャパシタ１２２ａ、１１２ｂ及び薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂから絶縁された貫通電極８１ｃとを有していることに主な特徴がある。

即ち、本実施形態によるインターポーザ９６ｅは、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと、樹脂層２１４と樹脂層１２４との間に埋め込まれた他の薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂの他に、樹脂層４８と樹脂層２０２との間に更に他の薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂが埋め込まれており、これらの薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂ及び薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂが並列に接続されていることに主な特徴がある。

樹脂層４８の一の面側（電極パッド９２が形成されている面とは反対側の面）には、キャパシタ電極（下部電極）１９４ａ、１９４ｂが形成されている。樹脂層４８の材料としては、上述したように、例えばＢＣＢ樹脂が用いられている。キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂとしては、例えば、膜厚２０ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜と膜厚１５０ｎｍの白金（Ｐｔ）膜とを順次積層して成る積層膜が用いられている。薄膜キャパシタ２００ａのキャパシタ電極１９４ａと薄膜キャパシタ２００ｂのキャパシタ電極１９４ｂとは、互いに電気的に接続されている。

キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂの一の面側（樹脂層４８に接する面とは反対側の面）には、結晶質のキャパシタ誘電体膜１９６が形成されている。即ち、多結晶のキャパシタ誘電体膜１９６、又は、エピタキシャル成長されたキャパシタ誘電体膜１９６が形成されている。キャパシタ誘電体膜１９６の材料としては、高誘電率材料が用いられている。具体的には、キャパシタ誘電体膜１９６の材料として、ＢＳＴ膜が用いられている。キャパシタ誘電体膜１９６の膜厚は、例えば１００ｎｍとする。キャパシタ誘電体膜１９６は、例えば５００℃以上の高温のプロセスで成膜されたものある。このため、キャパシタ誘電体膜１９６は、極めて良好に結晶化されており、比誘電率が極めて高くなっている。具体的には、キャパシタ誘電体膜１９６の比誘電率は２００以上となっている。

かかるキャパシタ誘電体膜１９６を成膜する際には、後述するように、高温のプロセスに耐え得る半導体基板１９２上にキャパシタ誘電体膜１９６を形成する（図６６参照）。後述するように、薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ、１２２ａ、１２２ｂ、２００ａ、２００ｂを埋め込んでいる樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、２１４，２０２、４８より成る基材８ｂは、キャパシタ誘電体膜１９６を形成する際の高温のプロセスを経ておらず、基材８ｂに大きな変形等は生じていない。

キャパシタ誘電体膜１９６の一の面側（キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂに接する面とは反対側の面）には、キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂに対向するようにキャパシタ電極（上部電極）１９８が形成されている。キャパシタ電極１９８としては、例えば、膜厚２００ｎｍのＰｔ膜が用いられている。

こうして、キャパシタ電極１９４ａとキャパシタ誘電体膜１９６とキャパシタ電極１９８とを有する薄膜キャパシタ２００ａが構成されている。また、キャパシタ電極１９４ｂとキャパシタ誘電体膜１９６とキャパシタ電極１９８とを有する薄膜キャパシタ２００ｂが構成されている。

また、樹脂層４８の一の面側（キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂと接する面側）には、キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂと同一導電膜より成る導電膜１９４ｃ、１９４ｄが形成されている。導電膜１９４ｃは、貫通電極８１ａの一部を構成するものである。導電膜１９４ｄは、貫通電極８１ｃの一部を構成するものである。導電膜１９４ｃ、１９４ｄは、キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂから電気的に絶縁されている。

樹脂層４８の一の面側（キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂと接する面側）には、薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂと導電膜１９４ｃ、１９４ｄとを覆うように樹脂層２０２が形成されている。樹脂層２０２の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。

樹脂層２０２には、導電膜１９４ｃに達する開口部２０４ａと、薄膜キャパシタ２００ｂのキャパシタ電極１９８に達する開口部２０４ｂと、導電膜１９４ｄに達する開口部２０４ｃと、キャパシタ２００ａのキャパシタ電極１９８に達する開口部２０４ｄと、キャパシタ２００ｂのキャパシタ電極１９８に達する開口部２０４ｅとが形成されている。

開口部２０４ａ内には貫通電極８１ａの一部を構成する部分電極２１０ａが埋め込まれている。部分電極２１０は、導電膜１９４ｃを介して部分電極５６ａに電気的に接続されている。開口部２０４ｂ内には、貫通電極８１ｂの一部を構成する部分電極２１０ｂが埋め込まれている。部分電極２１０ｂは、キャパシタ電極１９４ｂに接続されている。開口部２０４ｃ内には、貫通電極８１ｃの一部を構成する部分電極２１０ｃが埋め込まれている。部分電極２１０ｃは、導電膜１９４ｄを介して部分電極５６ｃに接続されている。

開口部２０４ｄ内には、薄膜キャパシタ２００ａのキャパシタ電極１９８に接続された導体プラグ２１０ｄが埋め込まれている。開口部２０４ｅ内には、薄膜キャパシタ２００ｂのキャパシタ電極１９８に接続された導体プラグ２１０ｅが埋め込まれている。部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ及び導体プラグ２１０ｅは、配線２１２により互いに電気的に接続されている。部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ、導体プラグ２１０ｅ及び配線２１２は同一導電膜により一体に形成されている。

樹脂層２０２の一の面側（樹脂層４８に接する面とは反対側の面）には、配線２１２を覆うように樹脂層２１４が形成されている。樹脂層２１４としては、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂が用いられている。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ＢＣＢ樹脂を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。

樹脂層２１４には、部分電極２１０ａに達する開口部２１６ａと、部分電極２１０ｂに達する開口部２１６ｂと、部分電極２１０ｃに達する開口部２１６ｃとが形成されている。

開口部２１６ａ内には、貫通電極８１ａの一部を構成する部分電極２２０ａが埋め込まれている。開口部２１６ｂ内には、貫通電極８１ｂの一部を構成する部分電極２２０ｂが埋め込まれている。開口部２１６ｃ内には、貫通電極８１ｃの一部を構成する部分電極２２０ｃが埋め込まれている。

部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面側（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）及び樹脂層２１４の一の面側（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）は、後述するように、ダイヤモンド等より成るバイト４４（図６９（ａ）参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等より成るバイト４４により切削されているため、部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）及び樹脂層２１４の一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）は平坦になっている。

樹脂層２１４は樹脂層１２４に接着されている。樹脂層２１４に埋め込まれた部分電極２２０ａと樹脂層１２４に埋め込まれた導電膜１１６ｃとは、互いに接合されている。樹脂層２１４に埋め込まれた部分電極２２０ｂと樹脂層１２４に埋め込まれたキャパシタ電極１１６ｂとは、互いに接合されている。樹脂層２１４に埋め込まれた部分電極２２０ｃと樹脂層１２４に埋め込まれた導電膜１１６ｄとは、互いに接合されている。樹脂層２１４には、後述するように、樹脂層２１４を収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層２１４が樹脂層１２４に確実に接着された状態で収縮するため、樹脂層２１４の収縮に起因して、部分電極２２０ａと導電膜１１６ｃとが互いに強固に接合され、部分電極２２０ｂとキャパシタ電極１１６ｂとが互いに強固に接合され、部分電極２２０ｃと導電膜１１６ｄとが互いに強固に接合されている。

また、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面側（キャパシタ電極１９４ｂ又は導電膜１９４ｃ、１９４ｄに接する面側）及び樹脂層４８の一の面側（樹脂層２０２に接する面側）は、図１３（ａ）乃至図１５（ｂ）を用いて上述したように、ダイヤモンド等より成るバイト４４を用いて切削されている。ダイヤモンド等より成るバイト４４により切削されているため、部分電極５６ａ〜５６ｃの一の面（キャパシタ電極１９４ｂ又は導電膜１９４ｃ、１９４ｄに接する面）及び樹脂層４８の一の面（樹脂層２０２に接する面）は平坦になっている。

樹脂層４８は樹脂層２０２に接着されている。樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ａと樹脂層２０２に埋め込まれた導電膜１９４ｃとは、互いに接合されている。樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ｂと樹脂層２０２に埋め込まれたキャパシタ電極１９４ｂとは、互いに接合されている。樹脂層４８に埋め込まれた部分電極５６ｃと樹脂層２０２に埋め込まれた導電膜１９４ｄとは、互いに接合されている。樹脂層４８には、後述するように、樹脂層４８を収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層４８が樹脂層２０２に確実に接着された状態で収縮するため、樹脂層４８の収縮に起因して、部分電極５６ａと導電膜１９４ｃとが互いに強固に接合され、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１９４ｂとが互いに強固に接合され、部分電極５６ｃと導電膜１９４ｄとが互いに強固に接合されている。

部分電極７６ａ、導電膜１２ｃ、部分電極３０ａ、部分電極３８ａ、部分電極１４２ａ、部分電極１３２ａ、導電膜１１６ｃ、部分電極２２０ａ、部分電極２１０ａ、導電膜１９４ｃ及び部分電極５６ａにより、貫通電極８１ａが構成されている。また、部分電極７６ｂ、キャパシタ電極１２ｂの一部、部分電極３０ｂ、部分電極３８ｂ、部分電極１４２ｂ、部分電極１３２ｂ、キャパシタ電極１１６ｂの一部、部分電極２２０ｂ、部分電極２１０ｂ、導電膜１９４ｃ及び部分電極５６ｂにより、貫通電極８１ｂが構成されている。また、部分電極７６ｃ、導電膜１２ｄ、部分電極３０ｃ、部分電極３８ｃ、部分電極１４２ｃ、部分電極１３２ｃ、導電膜１１６ｄ、部分電極２２０ｃ、部分電極２１０ｃ、導電膜１９４ｃ及び部分電極５６ｃにより、貫通電極８１ｃが構成されている。

こうして本実施形態によるインターポーザ９６ｅが構成されている。

図６４に示すように、インターポーザ９６ｅは、台座（支持基板）２３２により支持されている。

即ち、樹脂層６８の他方の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）には、熱剥離シート２４０を用いて台座２３２が接着されている。台座２３２としては、例えばガラス台座が用いられている。熱剥離シート２４０は、図２を用いて上述した熱剥離シート８６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材２３６と、基材２３６の一方の面に形成された熱剥離接着剤層２３４と、基材２３６の他方の面に形成された感圧粘着剤層２３８とを有している。熱剥離シート２４０のうちの感圧接着剤層２３４は台座２３２に接着されており、熱剥離シート２４０のうちの熱剥離接着剤層２３８は樹脂層６８に接着されている。

本実施形態において、インターポーザ９６ｅを台座２３２により支持するようにしているのは、インターポーザ９６ｅの基材８ｂが樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、２１４，２０２、４８のみにより構成されており、インターポーザ９６ｅを何らかの硬質な手段により支持しないと、インターポーザ９６ｅが変形してしまうためである。

後述するように、インターポーザ９６ｅを基板等に実装した後には、かかる基板等によりインターポーザ９６ｅが支持されるため、インターポーザ９６ｅを支持していた台座２３２は不要となる。インターポーザ９６ｅを台座２３２により支持する必要がなくなった際には、インターポーザ９６ｅから台座２３２を容易に外すことができるよう、台座２３２は熱剥離シート２４０を用いてインターポーザ９６ｅに接着されている。

図６５は、本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置を示す断面図である。

図６５に示すように、本実施形態によるインターポーザ９６ｅは、第１実施形態によるインターポーザ９６と同様に、例えば、パッケージ基板９８と半導体集積回路素子１０８との間に配される。

インターポーザ９６ｅの電極パッド９２とパッケージ基板９８の電極パッド１０２とは、半田バンプ９４により互いに電気的に接続されている。

半導体集積回路素子１０８の電極パッド１１０とインターポーザ９６ｅの貫通電極８１ａ〜８１ｃとは、半田バンプ１１２により互いに電気的に接続されている。

こうして本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置が構成されている。

本実施形態によるインターポーザ９６ｅは、上述したように、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと、樹脂層２１４と樹脂層１２４との間に埋め込まれた他の薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂの他に、樹脂層４８と樹脂層２０２との間に更に他の薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂが埋め込まれており、これらの薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂ、薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂ及び薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂが並列に接続されていることに主な特徴がある。

本実施形態によれば、樹脂層６８と樹脂層２０との間に埋め込まれた薄膜キャパシタ１８ａ、１８ｂと、樹脂層２１４と樹脂層１２４との間に埋め込まれた他の薄膜キャパシタ１２２ａ、１２２ｂの他に、樹脂層４８と樹脂層２０２との間に更に他の薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂが埋め込まれているため、静電容量が極めて大きい薄膜キャパシタを有するインターポーザを提供することができる。

（インターポーザ及びその製造方法）
次に、本実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を図６６乃至図８７を用いて説明する。図６６乃至図８７は、本実施形態によるインターポーザ及びその製造方法を示す工程断面図である。

まず、半導体基板１０を用意する工程から半導体基板１１４を除去する工程までは、図５（ａ）乃至図１０（ｂ）、及び、図３９（ａ）乃至図５２（ｂ）を用いて上述した第２実施形態によるインターポーザの製造方法と同様であるので説明を省略する。

次に、図６６（ａ）に示すように、半導体基板１９２を用意する。半導体基板１９２としては、チップサイズに切断されていない状態の半導体基板、即ち、ウェハ状態の半導体基板を用意する。半導体基板１９２の材料としては、例えばシリコン基板を用いる。半導体基板１９２の厚さは、例えば０．６ｍｍとする。

次に、熱酸化法により、半導体基板１９２の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を形成する。シリコン酸化膜の膜厚は、例えば０．５μｍ程度とする。

次に、図６６（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、半導体基板１９２上に、酸化チタン膜とＰｔ膜とを順次積層して成る導電膜１９４を形成する。導電膜１９４は、薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂの下部電極（キャパシタ電極）１９４ａ、１９４ｂとなるものである。酸化チタン膜の膜厚は、例えば２０ｎｍとする。Ｐｔ膜の膜厚は、例えば１５０ｎｍとする。

次に、例えばスパッタリング法により、導電膜１９４上に、結晶質のキャパシタ誘電体膜１９６を形成する。かかるキャパシタ誘電体膜１９６としては、例えば、ＢＳＴ膜を形成する。より具体的には、キャパシタ誘電体膜１９６として、多結晶のＢＳＴ膜を形成する。キャパシタ誘電体膜１９６の膜厚は例えば１００ｎｍとする。

キャパシタ誘電体膜１９６を成膜する際の条件は、例えば、図４（ｂ）を用いて上述したキャパシタ誘電体膜１４を形成する際の条件と同様とする。こうして、比誘電率が４００程度、誘電損失が１％以下の良好な電気的特性を有する誘電体膜１９６が得られる。

なお、ここでは、キャパシタ誘電体膜１９６としてＢＳＴ膜を形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１９６の材料はＢＳＴ膜に限定されるものではない。高誘電率材料より成るキャパシタ誘電体膜１９６を適宜形成すればよい。

また、ここでは、多結晶のキャパシタ誘電体膜１９６を形成する場合を例に説明するが、キャパシタ誘電体膜１９６をエピタキシャル成長させてもよい。

また、キャパシタ誘電体膜１９６の比誘電率は、４００程度に限定されるものではない。但し、所望の電気的特性を実現するためには、キャパシタ誘電体膜１９６の比誘電率が十分に大きいことが好ましい。本実施形態では、耐熱性の高い半導体基板１９２上にキャパシタ誘電体膜１９６を形成するため、例えば５００℃以上の高温のプロセスでキャパシタ誘電体膜１９６を形成することが可能である。このような高温のプロセスでキャパシタ誘電体膜１９６を形成すれば、比誘電率が２００以上のキャパシタ誘電体膜１９６を形成することが可能である。

また、ここでは、キャパシタ誘電体膜１９６をスパッタリング法により形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１９６をゾル・ゲル法により形成してもよい。キャパシタ誘電体膜１９６をゾル・ゲル法により形成する場合には、例えば以下のようにしてキャパシタ誘電体膜１９６を形成する。

即ち、まず、導電膜１９４上に、アルコキシドから成る出発溶液をスピンコート法により塗布する。かかる出発溶液としては、例えばＢＳＴ膜を形成するための出発溶液を用いる。成膜条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚１５０ｎｍ程度のキャパシタ誘電体膜１９６が形成される。

次に、キャパシタ誘電体膜１９６に対して仮焼成を行う。仮焼成の条件は、例えば４００℃、１０分とする。

次に、キャパシタ誘電体膜１９６に対して本焼成を行う。本焼成の条件は、例えば７００℃、１０分とする。本焼成後のキャパシタ誘電体膜１９６の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度となる。

このような条件でＢＳＴより成るキャパシタ誘電体膜１９６を形成すると、比誘電率が３００程度、誘電損失が２％以下の良好な電気的特性を有する誘電体膜１９６が得られる。

次に、例えばスパッタリング法により、キャパシタ誘電体膜１９６上に、例えばＰｔより成る導電膜１９８を形成する。導電膜１９８は、キャパシタ２００ａ、２００ｂの上部電極（キャパシタ電極）となるものである。導電膜１９８の膜厚は、例えば２００ｎｍとする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１９８を所定の形状にパターニングする。こうして、導電膜より成る上部電極（キャパシタ電極）１９８が形成される（図６６（ｃ）参照）。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、キャパシタ誘電体膜１９６を所定の形状にパターニングする（図６６（ｄ）参照）。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、導電膜１９４を所定の形状にパターニングする。こうして、導電膜１９４より成るキャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂ及び導電膜１９４ｃ、１９４ｄが形成される（図６６（ｅ）参照）。なお、導電膜１９４をパターニングする際には、キャパシタ電極１９４ａとキャパシタ電極１９４ｂとが互いに電気的に接続された状態となるように、導電膜１９４をパターニングする。また、導電膜１９４をパターニングする際には、導電膜１９４ｃ、１９４ｄがキャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂから電気的に分離された状態となるように、導電膜１９４をパターニングする。こうして、キャパシタ電極１９４ａとキャパシタ誘電体膜１９６とキャパシタ電極１９８とを有する薄膜キャパシタ２００ａが形成される。また、キャパシタ電極１９４ｂとキャパシタ誘電体膜１９６とキャパシタ電極１９８とを有する薄膜キャパシタ２００ｂが形成される。

次に、薄膜キャパシタ２００ａ、２００ｂ及び導電膜１９４ａ、１９４ｂが形成された半導体基板１９２上に、樹脂層２０２を形成する（図６７（ａ）参照）。樹脂層２０２の材料としては、例えば感光性のエポキシ樹脂を用いる。

かかる樹脂層２０２は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、スピンコート法により、半導体基板１９２上に感光性のエポキシ樹脂溶液を塗布する。エポキシ樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。こうして、例えば膜厚７μｍの樹脂層２０２が形成される。この後、樹脂層２０２に対して熱処理（プリベーク）を行う。熱処理温度は、例えば６０℃とする。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる樹脂層２０２に、開口部２０４ａ〜２０４ｅを形成する（図６７（ｂ）参照）。開口部２０４ａは、貫通電極８１ａの一部となる部分電極２１０ａを埋め込むためのものであり、導電膜１９４ｃに達するように形成する。開口部２０４ｂは、貫通電極８１ｂの一部となる部分電極２１０ｂを埋め込むためのものであり、キャパシタ電極１９４ｂに達するように形成する。開口部２０４ｃは、貫通電極８１ｃの一部となる部分電極２１０ｃを埋め込むためのものであり、導電膜１９４ｄに達するように形成する。開口部２０４ｄは、導体プラグ２１０ｄを埋め込むためのものであり、キャパシタ２００ａのキャパシタ電極１９８に達するように形成する。開口部２０４ｅは、導体プラグ２１０ｅを埋め込むためのものであり、キャパシタ２００ｂのキャパシタ電極１９８に達するように形成する。

次に、樹脂層２０２に対して熱処理（本ベーク）を行う。熱処理温度は、例えば２００℃とする。この熱処理を行った後における樹脂層２０２の膜厚は、例えば５μｍ程度となる。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜２０６を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜２０６に開口部２０８ａ〜２０８ｃを形成する（図６７（ｃ）参照）。開口部２０８ａは、部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ、導体プラグ２１０ｅ及び配線２１２を形成するためのものである。開口部２０８ｂは、部分電極２１０ｂを形成するためのものである。開口部２０８ｃは、部分電極２１０ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部２０４ａ〜２０４ｅ内及び開口部２０８ａ〜２０８ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部２０４ａ、２０４ｄ、２０４ｅ内及び開口部２０８ａ内に、めっき膜より成る部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ、２１０ｅ及び配線２１２が形成される。また、開口部２０４ｂ内及び開口部２０８ｂ内に、めっき膜より成る部分電極２１０ｂが形成される。また、開口部２０４ｃ内及び開口部２０８ｃ内に、めっき膜より成る部分電極２１０ｃが形成される（図６７（ｃ）参照）。

次に、フォトレジスト膜２０６を剥離する（図６７（ｄ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ、２１０ｅ及び配線２１２の表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ、２１０ｅ及び配線２１２のサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極２１０ａ、導体プラグ２１０ｄ、２１０ｅ及び配線２１２が過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層２１４ａを形成する（図６７（ｅ）参照）。樹脂層２１４ａの膜厚は、例えば５μｍ程度とする。樹脂層２１４ａとしては、例えば、感光性のＢＣＢ樹脂を用いる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：サイクロテン４０２４−４０）等を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、熱処理を行う前の段階では液状であり、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、半硬化状態にするための熱処理条件が１８０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が２５０℃、１時間程度である。ＢＣＢ樹脂より成る樹脂層３２ａを塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。

こうして、部分電極２１０ａ〜２１０ｃ、導体プラグ２１０ｄ、２１０ｅ及び配線２１２が形成された樹脂層２０２上に、樹脂層２１４ａが形成される。樹脂層２１４ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層２１４ａは液状になっている。

次に、樹脂層２１４ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層２１４ａを半硬化状態の樹脂層２１４ｂに変化させる（図６８（ａ）参照）。樹脂層２１４ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層２１４ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば１８０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。熱処理を行う際の雰囲気は、例えばＮ_２雰囲気とする。

なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、適宜設定することができる。但し、熱処理温度は、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定することが好ましい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、樹脂層２１４ｂに開口部２１６ａ〜２１６ｃを形成する（図６８（ｂ）参照）。開口部２１６ａは、貫通電極８１ａの一部となる部分電極２２０ａを埋め込むためのものであり、部分電極２１０ａに達するように形成する。開口部２１６ｂは、貫通電極８１ｂの一部となる部分電極２２０ｂを埋め込むためのものであり、部分電極２１０ｂに達するように形成する。開口部２１６ｃは、貫通電極８１ｃの一部となる部分電極２２０ｃを埋め込むためのものであり、部分電極２１０ｃに達するように形成する。

次に、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｃｒ膜とＣｕ膜とを順次積層して成るシード層（図示せず）を形成する。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜２１８を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜２１８に開口部２１９ａ〜２１９ｃを形成する（図６８（ｃ）参照）。開口部２１９ａ〜２１９ｃは、それぞれ部分電極２２０ａ〜２２０ｃを形成するためのものである。

次に、電気めっき法により、開口部２１９ａ〜２１９ｃ内及び開口部２１６ａ〜２１６ｃ内に、例えばＣｕより成るめっき膜を形成する。めっき膜の厚さは例えば６μｍ程度とする。こうして、開口部２１９ａ〜２１９ｃ内及び開口部２１６ａ〜２１６ｃ内に、めっき膜より成る部分電極２２０ａ〜２２０ｃが形成される。

次に、フォトレジスト膜２１８を剥離する（図６８（ｄ）参照）。

次に、露出している部分のシード層（図示せず）をウエットエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば１〜１０％程度の過硫酸アンモニウム水溶液を用いる。エッチング時間は、例えば２分程度とする。シード層をエッチング除去する際に、部分電極２２０ａ〜２２０ｃの表面も若干エッチングされるが、シード層の厚さは、部分電極２２０ａ〜２２０ｃのサイズと比較して十分に小さいため、短時間でエッチングすることができ、部分電極２２０ａ〜２２０ｃが過度にエッチングされてしまうことはない。

次に、半導体基板１９２を、超精密旋盤４０（図８（ａ）参照）のチャックテーブル４２（図８（ａ）参照）上に、真空吸着により固定する。半導体基板１９２をチャックテーブル４２上に固定する際には、半導体基板１９２の裏面側、即ち、部分電極２２０ａ〜２２０ｃ等が形成されていない側の面をチャックテーブル４２に固定する。

次に、半導体基板１９２を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト４４を用いて、部分電極２２０ａ〜２２０ｃの上部及び樹脂層２１４ｂの上層部を切削する（図６９（ａ）参照）。この際、樹脂層２１４ｂの厚さが３μｍ程度になるまで荒切削を行う。

部分電極２２０ａ〜２２０ｃの上部及び樹脂層２１４ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。バイト４４のすくい角を例えば０度とする。チャックテーブル４２の回転数は、例えば２０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば２０ｍ／秒程度となる。バイト４４の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。そして、バイト４４の送りは、例えば２０μｍ／回転とする。

切削の際にバイト４４により圧縮変形していた樹脂層２１４ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、部分電極２２０ａ〜２２０ｃは、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さは、切削後における部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高くなる。

荒切削を行った直後においては、図６９（ｂ）及び図６９（ｃ）に示すように、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。なお、図６９（ｃ）は、図６９（ｂ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃ一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層２１４ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまう。かかる場合には、部分電極２２０ａを導電膜１１６ｃに接続することができず、部分電極２２０ｂをキャパシタ電極１１６ｂに接続することができず、部分電極２２０ｃを導電膜１１６ｃに接続することができない場合がある。

このため、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図７０（ａ）参照）。

部分電極２２０ａ〜２２０ｃの上部及び樹脂層２１４ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。

仕上げ研磨におけるバイト４４のすくい角、チャックテーブル４２の回転数、及びバイト４４の送りについては、樹脂層２１４ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。

バイト４４の切り込み量は、例えば５００ｎｍとする。バイト４４の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４を、適度に小さくするためである。

なお、バイト４４の切り込み量は５００ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト４４の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。

仕上げ切削を行っても、図７０（ｂ）及び図７０（ｃ）に示すように、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ４′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層２１４ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層２１４ｂが切削後においてある程度回復するためである。なお、図７０（ｃ）は、図７０（ｂ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

仕上げ切削を行う際には、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４′が、０〜１００ｎｍ程度となるように仕上げ切削を行うことが好ましい。

樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。

即ち、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ_４′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層２１４ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さが、部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより高い状態のままとなってしまう場合がある。かかる場合には、部分電極２２０ａを導電膜１１６ｃに接続することができず、部分電極２２０ｂをキャパシタ電極１１６ｂに接続することができず、部分電極２２０ｃを導電膜１１６ｃに接続することができない場合がある。

一方、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さが部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さより低い場合には、後工程における熱処理において、樹脂層２１４ｂが樹脂層１２４に確実に接着されることなく、樹脂層２１４ｂが収縮してしまい、樹脂層２１４ｂを樹脂層１２４に接着することが困難である。

このような理由により、樹脂層２１４ｂの一の面（樹脂層２０２に接する面とは反対側の面）の高さと部分電極２２０ａ〜２２０ｃの一の面（部分電極２１０ａ〜２１０ｃに接する面とは反対側の面）の高さとの差ｔ４′は、０〜１００ｎｍとすることが好ましい。

なお、切削を行う際に部分電極２２０ａ〜２２０ｃにバリが生じると、隣接或いは近接する部分電極２２０ａ〜２２０ｃどうしがバリによって短絡してしまう虞がある。従って、切削を行う際に部分電極２２０ａ〜２２０ｃにバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。

こうして、部分電極２２０ａ〜２２０ｃの上部及び樹脂層２１４ｂの上層部が切削される（図７０（ｂ）及び図７０（ｃ）参照）。

なお、半導体基板１９２を固定し、バイト４４を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。

次に、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板１０を所定のサイズに切断する（図示せず）。

また、同様に、薄刃のブレードを用いて、半導体基板１９２を所定のサイズに切断する（図示せず）。

次に、図７１（ａ）に示すように、台座１６４と半導体基板１９２とを対向させる。この際、台座１６４側に形成された樹脂層１２４と半導体基板１９２側に形成された樹脂層２１４ｂとが互いに近接するように、台座１６４と半導体基板１９２とを対向させる。

次に、台座１６４と半導体基板１９２とを互いに近接させる。図７２（ａ）は、台座１６４側に形成された樹脂層１２４と半導体基板１９２側に形成された樹脂層２１４ｂとを互いに接触させた状態を示す断面図である。図７２（ｂ）は、図７２（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

次に、台座１６４と半導体基板１９２との間に外部から圧力を加え、台座１６４側の導電膜１１６ｃと半導体基板１９２側の部分電極２２０ａとを互いに密着させ、台座１６４側のキャパシタ電極１１６ｂと半導体基板１９２側の部分電極２２０ｂとを互いに密着させ、台座１６４側の導電膜１１６ｄと半導体基板１９２側の部分電極２２０ｃとを互いに密着させ、台座１６４側の樹脂層１２４と半導体基板１９２側の樹脂層２１４ｂとを互いに密着させた状態で、熱処理を行う（図７３参照）。なお、図７３（ｂ）は、図７３（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば２５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層２１４ｂが樹脂層１２４に確実に接着される。また、熱処理により、樹脂層２１４ｂが収縮する。樹脂層２１４ｂが樹脂層１２４に接着されるとともに、樹脂層２１４ｂが収縮するため、樹脂層２１４ｂの収縮に起因して、導電膜１１６ｃと部分電極２２０ａとが互いに接合され、キャパシタ電極１１６ｂと部分電極２２０ｂとが互いに接合され、導電膜１１６ｄと部分電極２２０ｃとが互いに接合される。樹脂層２１４の収縮に起因して、導電膜１１６ｃと部分電極２２０ａとが互いに接合され、キャパシタ電極１１６ｂと部分電極２２０ｂとが互いに接合され、導電膜１１６ｄと部分電極２２０ｃとが互いに接合されるため、台座１６４と半導体基板１９２との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。

そして、半硬化状態の樹脂層２１４ｂが、完全硬化状態の樹脂層２１４になる（図７４参照）。なお、図７４（ｂ）は、図７４（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。完全硬化状態になった樹脂層２１４は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、導電膜１１６ｃと部分電極２２０ａとが互いに離れてしまうことはなく、キャパシタ電極１１６ｂと部分電極２２０ｂとが互いに離れてしまうことはなく、導電膜１１６ｄと部分電極２２０ｃとが互いに離れてしまうことはない。

なお、ここでは、熱処理温度を２５０℃、熱処理時間を１時間に設定する場合を例に説明したが、熱処理温度及び熱処理時間は、これに限定されるものではない。熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間は短めでもよい。例えば、熱処理温度を３００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は３分程度でもよい。また、熱処理時間を低めに設定する場合には、熱処理時間は長めに設定すればよい。例えば、熱処理温度を２００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は７〜８時間程度に設定すればよい。

但し、熱処理温度を高めに設定した場合には、樹脂層２１４の膜質が必ずしも良好な膜質とはならない場合がある。また、熱処理温度を低めに設定した場合には、熱処理に長時間を要してしまう。樹脂層２１４の膜質やスループット等を考慮した場合には、熱処理温度を２５０℃程度、熱処理時間を１時間程度とすることが好ましい。

また、ここでは、台座１６４及び半導体基板１９２に加える圧力を１０ｋＰａ程度に設定する場合を例に説明したが、台座１６４及び半導体基板１９２に加える圧力は１０ｋＰａ程度に限定されるものではない。例えば、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度の範囲で適宜設定するようにしてもよい。

次に、台座（支持基板）２２２を用意する。台座２２２としては、例えばガラス台座を用いる。台座２２２は、後述する工程において半導体基板１９２を研磨等により除去する際に、樹脂層６８、２０、３２、１３６、１２４、２１４、２０２より成る基材８ｂ等を支持するためのものである。

次に、台座２２２上に、熱剥離シート２３０を接着する。熱剥離シート１２０は、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材２２６と、基材２２６の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層２２４と、基材２２６の他方の主面に形成された感圧粘着剤層２２８とを有している。かかる熱剥離シート２３０としては、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート２３０を台座２２２上に接着する際には、熱剥離シート２３０のうちの感圧粘着材層２２４側を台座２２２に接着させる。

次に、図７５（ａ）に示すように、半導体基板１９２と台座２２２とを対向させる。この際、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート２３０の熱剥離接着剤層１５０の一の面（基材１４８に接する面とは反対側の面）とが互いに近接するように、半導体基板１９２と台座２２２とを対向させる。

この後、図７６（ａ）に示すように、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート２３０の熱剥離接着剤層２２８の一の面（基材２２６に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板１９２の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板１９２を研磨する。この際、半導体基板１９２を完全に除去してしまわないのは、上述したように、研磨によるダメージが、キャパシタ電極１９４ａ、１９４ｂ、導電膜１９４ｃ、１９４ｄ、及び樹脂層２０２に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層２０２の一方の面側（樹脂層２１４に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板１９２をエッチング除去する。

こうして、キャパシタ電極２００ａ、２００ｂ及び導電膜１９４ｃ、１９４ｄに過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板１９２が除去される（図７６（ｂ）参照）。

一方、半導体基板４６を用意する（図１１（ａ）参照）。

この後、部分電極５６ａ〜５６ｃの上部及び樹脂層４８ｂの上層部を切削する工程までは、図１１（ｂ）乃至図１５（ｂ）に示す第１実施形態によるインターポーザの製造方法と同様であるので説明を省略する。

次に、図７７に示すように、台座２２２と半導体基板４６とを対向させる。この際、樹脂層２０２と樹脂層４８ｂとが互いに近接し、部分電極２１０ａ〜２１０ｃの位置と部分電極５６ａ〜５６ｃの位置とが合致するように、台座２２２と半導体基板４６とを対向させる。

次に、図７８に示すように、半導体基板４６と台座２２２とを互いに近接させる。図７８（ｂ）は、樹脂層２０２と樹脂層４８ｂとを互いに接触させた状態を示す断面図である。図７８（ｂ）は、図７８（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

次に、台座２２２と半導体基板４６との間に外部から圧力を加え、導電膜１９４ｃと部分電極５６ａとを互いに密着させ、キャパシタ電極１９４ｂと部分電極５６ｂとを互いに密着させ、導電膜１９４ｄと部分電極５６ｃとを互いに密着させた状態で、熱処理を行う（図７９参照）。なお、図７９（ｂ）は、図７９（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。

熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば２５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層４８ｂが樹脂層２０２に確実に接着される。

また、かかる熱処理により、樹脂層４８ｂは収縮する。樹脂層４８ｂが樹脂層２０２に接着されるとともに、樹脂層４８ｂが収縮するため、樹脂層４８ｂの収縮に起因して、部分電極５６ａと導電膜１９４ｃとが互いに接合され、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１９４ｂとが互いに接合され、部分電極５６ｃと導電膜１９４ｄとが互いに接合される。樹脂層４８ｂの収縮に起因して、部分電極５６ａと導電膜１９４ｃとが互いに接合され、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１９４ｂとが互いに接合され、部分電極５６ｃと導電膜１９４ｄとが互いに接合されるため、半導体基板４６と台座２２２との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。

そして、半硬化状態の樹脂層４８ｂが、完全硬化状態の樹脂層４８になる（図８０参照）。なお、図８０（ｂ）は、図８０（ａ）の円Ｓ内を拡大して示した断面図である。完全硬化状態になった樹脂層４８は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、
部分電極５６ａと導電膜１９４ｃとが互いに離れてしまうことはなく、部分電極５６ｂとキャパシタ電極１９４ｂとが互いに離れてしまうことはなく、部分電極５６ｃと導電膜１９４ｄとが互いに離れてしまうことはない。

熱処理の際には、熱剥離シート２３０のうちの熱剥離接着剤層２２８が発泡する。熱剥離接着剤層２２８を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層２２８ａと樹脂層６８との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層２２８ａと樹脂層６８との接着力が低下する。

次に、台座１６４上から半導体基板４６を取り外す。熱剥離シート２３０のうちの感圧粘着材層２２４が台座２２２に接着されているため、熱剥離シート２３０は台座２２２とともに樹脂層６８から取り外される。

次に、台座（支持基板）２３２を用意する（図８１参照）。台座２３２としては、例えばガラス台座を用いる。台座２３２は、後述する工程において半導体基板４６を研磨等により除去する際に、キャパシタ１８ａ、１８ｂ、１２２ａ、１２２ｂ、２００ａ、２００ｂ等が埋め込まれた基材８ｂ等を支持するためのものである。

次に、台座２３２上に、熱剥離シート２４０を接着する。熱剥離シート２４０は、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えばポリエステルフィルムより成る基材２３６と、基材２３６の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層２３８と、基材２３６の他方の主面に形成された感圧粘着剤層２３４とを有している。かかる熱剥離シート２４０としては、上述した熱剥離シート６６と同様に、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート２４０を台座２３２上に接着する際には、熱剥離シート２４０のうちの感圧粘着材層２３４側を台座２３２に接着させる。

次に、半導体基板４６と台座２３２とを対向させる。この際、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート２４０の熱剥離接着剤層２３８の一の面（基材２３６に接する面とは反対側の面）とが互いに近接するように、台座２３２と半導体基板４６とを対向させる。

この後、図８２に示すように、樹脂層６８の一の面（樹脂層２０に接する面とは反対側の面）と熱剥離シート２４０の熱剥離接着剤層２３８の一の面（基材２３６に接する面とは反対側の面）とを接着させる。

次に、例えばＣＭＰ法により、半導体基板４６の厚さが例えば１００μｍ程度になるまで、半導体基板４６を研磨する。この際、半導体基板４６を完全に除去してしまわないのは、研磨によるダメージが樹脂層４８等に加わるのを防止するためである。

次に、例えばフッ酸を用い、樹脂層４８の一方の面側（樹脂層１２４に接する面とは反対側の面）に残存している半導体基板４６をエッチング除去する。

こうして、樹脂層４８等に過度のダメージが加わるのを防止しつつ、半導体基板４６が除去される（図８３（ａ）参照）。

この後、図２５（ｂ）乃至図２６（ｂ）を用いて上述したインターポーザの製造方法と同様にして、電極パッド９２及び半田バンプ９４を形成する（図８３（ｂ）参照）。

こうして、本実施形態によるインターポーザ９６ｅが製造される。

次に、パッケージ基板９８を用意する（図８４参照）。

次に、インターポーザ９６ｅを支持する台座２３２を反転させ、台座２３２により支持されたインターポーザ９６ｅとパッケージ基板９８とを対向させる。この際、インターポーザ９６ｅの半田バンプ９４とパッケージ基板９８の電極パッド１０２とが互いに近接するように、インターポーザ９６ｅとパッケージ基板９８とを対向させる。

次に、フリップチップボンディングにより、インターポーザ９６ｅの半田バンプ９４をパッケージ基板９８の電極パッド１０２に接合する（図８５参照）。こうして、パッケージ基板９８上にインターポーザ９６ｅが実装される。フリップチップボンディングの際には、熱剥離シート２４０のうちの熱剥離接着剤層２３８が発泡する。熱剥離接着剤層２３８を発泡させると、発泡した熱剥離接着剤層２３８ａと樹脂層６８との間では接着面積が低下するため、熱剥離接着剤層２３８ａと樹脂層６８との接着力が低下する。このため、熱剥離接着剤層２３８ａと樹脂層６８とを容易に剥離することが可能となる。

次に、台座２３２をインターポーザ９６ｅから取り外す（図８６参照）。熱剥離シート２４０のうちの感圧粘着材層２３４が台座２３２に接着されているため、熱剥離シート２４０は台座２３２とともにインターポーザ９６ｅから取り外される。

次に、半導体集積回路素子１０８を用意する（図８７参照）。

次に、フリップチップボンディングにより、半導体集積回路素子１０８の半田バンプ１１２をインターポーザ９６の貫通電極８１ａ〜８１ｃに接合する（図８７参照）。こうして、インターポーザ９６ｅ上に半導体集積回路素子１０８が実装される。

こうして本実施形態によるインターポーザを用いた電子装置が製造される。

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、キャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６としてＢＳＴ膜を形成する場合を例に説明したが、キャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６の材料はＢＳＴ膜に限定されるものではない。例えば、キャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６として、ＰｂＺｒ_ＸＴｉ_１−ＸＯ_３（ＰＺＴ）膜を用いてもよい。ＰＺＴより成るキャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６を形成する際の条件は、例えば以下の通りとする。基板温度は、例えば６００℃とする。成膜室内におけるガス圧力は、例えば０．５Ｐａとする。アルゴンガスと酸素ガスとの流量比は、例えば９：１とする。印加電力は、例えば１２０Ｗとする。成膜時間は、例えば６０分とする。このような条件でＰＺＴより成るキャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６を形成すると、膜厚１００ｎｍ程度、比誘電率が２００程度の良好な電気的特性を有するキャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６が得られる。

また、キャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６は、ＢＳＴ膜やＰＺＴ膜に限定されるものではない。例えば、キャパシタ誘電体膜１４、１１８、１９６として、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｇ、及びＮｂの少なくともいずれかの元素を含む複合酸化物より成るキャパシタ誘電体膜を用いてもよい。

また、上記実施形態では、樹脂層２０、６８、１２４、２０２の材料として、エポキシ樹脂を用いる場合を例に説明したが、樹脂層２０、６８、１２４、２０２の材料はエポキシ樹脂に限定されるものではない。例えば、樹脂層２０、６８、１２４、２０２の材料として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、アクリル樹脂、又は、ジアリルフタレート樹脂等を用いてもよい。

樹脂層２０、６８、１２４、２０２の材料としてＢＣＢ樹脂を用いる場合には、例えば、以下のような条件でＢＣＢより成る樹脂層２０、６８、１２４、２０２を形成する。ＢＣＢ樹脂より成る樹脂溶液を塗布する際の条件は、例えば２０００ｒｐｍ、３０秒とする。塗布した段階の樹脂層２０、６８、１２４、２０２の厚さは、例えば４．５μｍ程度とする。プリベークの温度は、例えば１５０℃程度とする。本ベークの温度は、例えば２６０℃程度とする。このようにしてＢＣＢより成る樹脂層２０、６８、１２４、２０２を形成すると、本ベーク後の膜厚は例えば３μｍ程度となる。

また、上記実施形態では、樹脂層３２、４８、１３６、２１４の材料としてＢＣＢ樹脂を用いる場合を例に説明したが、樹脂層３２、４８、１３６、２１４の材料はエポキシ樹脂に限定されるものではない。例えば、樹脂層３２、４８、１３６、２１４の材料として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマ、ポリエーテルイミド樹脂、又は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂等を用いてもよい。

また、上記実施形態では、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ、１６、１１６ａ、１１６ｂ、１２０、１９４ａ、１９４ｂ、１９８の材料としてＰｔ等を用いる場合を例に説明したが、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ、１６、１１６ａ、１１６ｂ、１２０、１９４ａ、１９４ｂ、１９８の材料はＰｔ等に限定されるものではない。例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｕ酸化物、Ｉｒ、Ｉｒ酸化物、又はＰｔ酸化物等を、キャパシタ電極１２ａ、１２ｂ、１６、１１６ａ、１１６ｂ、１２０、１９４ａ、１９４ｂ、１９８の材料として適宜用いることができる。

以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）
複数の樹脂層より成る基材と、
前記複数の樹脂層のうちの第１の樹脂層と前記複数の樹脂層のうちの第２の樹脂層との間に埋め込まれた薄膜キャパシタであって、第１のキャパシタ電極と；前記第１のキャパシタ電極に対向するように形成された第２のキャパシタ電極と；前記第１のキャパシタ電極と前記第２のキャパシタ電極との間に形成された、比誘電率が２００以上のキャパシタ誘電体膜とを有する薄膜キャパシタと、
前記基材を貫き、前記第１のキャパシタ電極に電気的に接続された第１の貫通電極と、
前記基材を貫き、前記第２のキャパシタ電極に電気的に接続された第２の貫通電極と
を有することを特徴とするインターポーザ。
（付記２）
付記１記載のインターポーザにおいて、
前記複数の樹脂層のうちの第３の樹脂層と前記複数の樹脂層のうちの第４の樹脂層との間に埋め込まれた他の薄膜キャパシタであって、第３のキャパシタ電極と；前記第３のキャパシタ電極に対向するように形成された第４のキャパシタ電極と；前記第３のキャパシタ電極と前記第４のキャパシタ電極との間に形成された、比誘電率が２００以上の他のキャパシタ誘電体膜とを有する他の薄膜キャパシタとを更に有し、
前記第３のキャパシタ電極は、前記第１の貫通電極に電気的に接続されており、
前記第４のキャパシタ電極は、前記第２の貫通電極に電気的に接続されている
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記３）
付記２記載のインターポーザにおいて、
前記複数の樹脂層のうちの第５の樹脂層と前記複数の樹脂層のうちの第６の樹脂層との間に埋め込まれた薄膜キャパシタであって、第５のキャパシタ電極と；前記第５のキャパシタ電極に対向するように形成された第６のキャパシタ電極と；前記第５のキャパシタ電極と前記第６のキャパシタ電極との間に形成された、比誘電率が２００以上の更に他のキャパシタ誘電体膜とを有する更に他の薄膜キャパシタとを更に有し、
前記第５のキャパシタ電極は、前記第１の貫通電極に電気的に接続されており、
前記第６のキャパシタ電極は、前記第２の貫通電極に電気的に接続されている
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載のインターポーザにおいて、
前記第１の樹脂層又は前記第２の樹脂層は、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、アクリル樹脂、又は、ジアリルフタレート樹脂より成る
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載のインターポーザにおいて、
前記薄膜キャパシタに電気的に接続されたインダクタを更に有する
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載のインターポーザにおいて、
前記キャパシタ誘電体膜は、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｇ、及びＮｂの少なくともいずれかの元素を含む複合酸化物より成る
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載のインターポーザにおいて、
前記薄膜キャパシタを覆うように形成された無機材料より成る保護膜を更に有する
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記８）
付記７記載のインターポーザにおいて、
前記保護膜は、前記キャパシタ誘電体膜と同一の材料より成る非晶質膜である
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記９）
付記１乃至８のいずれかに記載のインターポーザにおいて、
前記キャパシタ電極は、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｕ酸化物、Ｉｒ、Ｉｒ酸化物、又はＰｔ酸化物より成る
ことを特徴とするインターポーザ。
（付記１０）
第１の基板の一方の主面上に、第１のキャパシタ電極と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された結晶質のキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極とを有する薄膜キャパシタを形成する工程と、
前記第１の基板の前記一方の主面上及び前記薄膜キャパシタ上に、半硬化の第１の樹脂層と；前記第１の樹脂層に埋め込まれ、前記第１のキャパシタ電極又は前記第２のキャパシタ電極に電気的に接続され、貫通電極の一部となる第１の部分電極とを形成する工程と、
前記第１の部分電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
第２の基板の一方の主面上に、半硬化の第２の樹脂層と；前記第２の樹脂層に埋め込まれ、前記第１の部分電極に対応するように配され、前記貫通電極の一部となる第２の部分電極とを形成する工程と、
前記第２の部分電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに接着させるとともに、前記第１の部分電極と前記第２の部分電極とを互いに接合する工程と、
前記第１の基板を除去する工程と、
前記第２の基板の前記一方の主面上に、前記薄膜キャパシタを覆うように第３の樹脂層を形成する工程と、
前記第３の樹脂層に、前記貫通電極の一部となる第３の部分電極を埋め込む工程と、
前記第３の樹脂層を台座により支持する工程と、
前記第２の基板を除去する工程と
を有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１１）
付記１０記載のインターポーザの製造方法において、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行う工程の後、前記第１の基板を除去する工程の前に、前記第２の基板を他の台座により支持する工程を更に有し、
前記第１の基板を除去する工程では、前記第２の基板を前記他の台座により支持した状態で前記第１の基板を除去する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１２）
付記１０又は１１記載のインターポーザの製造方法において、
前記第３の樹脂層を前記台座により支持する工程では、前記第３の樹脂層に熱剥離シートを用いて前記台座を接着する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１３）
付記１１記載のインターポーザの製造方法において、
前記第２の基板を前記他の台座により支持する工程では、前記第２の基板に熱剥離シートを用いて前記他の台座を接着する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１４）
第１の基板の一方の主面上に、第１のキャパシタ電極と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された結晶質の第１のキャパシタ誘電体膜と、前記第１のキャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極とを有する第１の薄膜キャパシタを形成する工程と、
前記第１の基板の前記一方の主面上及び前記第１の薄膜キャパシタ上に、半硬化の第１の樹脂層と；前記第１の樹脂層に埋め込まれ、前記第１のキャパシタに電気的に接続され、貫通電極の一部となる第１の部分電極とを形成する工程と、
前記第１の部分電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
第２の基板の一方の主面上に、第３のキャパシタ電極と、前記第３のキャパシタ電極上に形成された結晶質の第２のキャパシタ誘電体膜と、前記第２のキャパシタ誘電体膜上に形成された第４のキャパシタ電極とを有する第２の薄膜キャパシタを形成する工程と、
前記第２の基板の前記一方の主面上及び前記第２の薄膜キャパシタ上に、半硬化の第２の樹脂層と；前記第２の樹脂層に埋め込まれ、前記第２のキャパシタに電気的に接続され、前記貫通電極の一部となる第２の部分電極とを形成する工程と、
前記第２の部分電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させ、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに接着させるとともに、前記第１の部分電極と前記第２の部分電極とを互いに接合する工程と、
前記第１の基板を除去する工程と、
前記第２の基板の前記一方の主面上に、前記第１の薄膜キャパシタを覆うように第３の樹脂層を形成する工程と、
前記第３の樹脂層に、前記貫通電極の一部となる第３の部分電極を埋め込む工程と、
前記第３の樹脂層を第１の台座により支持する工程と、
前記第２の基板を除去する工程と、
第３の基板の一方の主面上に、第４の樹脂層と；前記第４の樹脂層に埋め込まれ、前記貫通電極の一部となる第４の部分電極とを形成する工程と、
前記第４の部分電極の上部及び前記第４の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
前記第１の台座と前記第３の基板とを対向させ、前記第４の樹脂層と前記第２の薄膜キャパシタとを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第４の樹脂層と前記第２の薄膜キャパシタとを互いに接着させるとともに、前記第２の部分電極と前記第４の部分電極とを電気的に接続する工程と、
前記第３の樹脂層を第２の台座により支持する工程と、
前記第３の基板を除去する工程と
を有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１５）
付記１４記載のインターポーザの製造方法において、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行う工程の後、前記第１の基板を除去する工程の前に、前記第２の基板を第３の台座により支持する工程を更に有し、
前記第１の基板を除去する工程では、前記第２の基板を前記第３の台座により支持した状態で前記第１の基板を除去する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１６）
付記１４又は１５記載のインターポーザの製造方法において、
前記第３の樹脂層を前記第１の台座により支持する工程では、前記第３の樹脂層に熱剥離シートを用いて前記第１の台座を接着する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１７）
付記１４乃至１６のいずれかに記載のインターポーザの製造方法において、
前記第３の樹脂層を前記第２の台座により支持する工程では、前記第３の樹脂層に熱剥離シートを用いて前記第２の台座を接着する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１８）
付記１５記載のインターポーザの製造方法において、
前記第２の基板を前記第３の台座により支持する工程では、前記第２の基板に熱剥離シートを用いて前記第３の台座を接着する
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記１９）
付記１０乃至１８のいずれかに記載のインターポーザの製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマ、ポリエーテルイミド樹脂、又は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂より成る
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
（付記２０）
付記１４乃至１８のいずれかに記載のインターポーザの製造方法において、
前記第４の樹脂層は、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマ、ポリエーテルイミド樹脂、又は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂より成る
ことを特徴とするインターポーザの製造方法。

本発明の第１実施形態によるインターポーザを示す断面図（その１）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザを示す断面図（その２）である。 本発明の第１実施形態による電子装置を示す断面図である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その３）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その４）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その５）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その６）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その７）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その８）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その９）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１０）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１１）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１２）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１３）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１４）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１５）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１６）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１７）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１８）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その１９）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２０）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２１）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２２）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２３）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２４）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２５）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２６）である。 本発明の第１実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程図（その２７）である。 本発明の第１実施形態の変形例（その１）によるインターポーザを示す断面図（その１）である。 本発明の第１実施形態の変形例（その１）によるインターポーザの製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例（その２）によるインターポーザを示す断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例（その２）によるインターポーザの製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例（その３）によるインターポーザを示す断面図及び平面図である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザを示す断面図（その１）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザを示す断面図（その２）である。 本発明の第２実施形態による電子装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１３）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１４）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１５）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１６）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１７）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１８）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１９）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２０）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２１）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２２）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２３）である。 本発明の第２実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２４）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザを示す断面図（その１）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザを示す断面図（その２）である。 本発明の第３実施形態による電子装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１３）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１４）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１５）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１６）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１７）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１８）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１９）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２０）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２１）である。 本発明の第３実施形態によるインターポーザ及び電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２２）である。

符号の説明

８、８ａ、８ｂ…基材
１０…半導体基板
１２…導電膜
１２ａ、１２ｂ…キャパシタ電極
１２ｃ、１２ｄ…導電膜
１２ｅ…インダクタ
１４…キャパシタ誘電体膜
１６…導電膜、キャパシタ電極
１８ａ、１８ｂ…薄膜キャパシタ
２０…樹脂層
２４ａ〜２４ｅ…開口部
２６…フォトレジスト膜
２８ａ〜２８ｃ…開口部
３０ａ〜３０ｃ…部分電極
３０ｄ、３０ｅ…導体プラグ
３１…配線
３２…樹脂層
３２ａ…熱処理前の樹脂層
３２ｂ…半硬化状態の樹脂層
３３ａ〜３３ｃ…開口部
３４…フォトレジスト膜
３６ａ〜３６ｃ…開口部
３８ａ〜３８ｃ…部分電極
４０…超精密旋盤
４２…チャックテーブル
４４…バイト
４６…半導体基板
４８…樹脂層
４８ａ…熱処理前の樹脂層
４８ｂ…半硬化状態の樹脂層
５０ａ〜５０ｃ…開口部
５２…フォトレジスト膜
５４ａ〜５４ｃ…開口部
５６ａ〜５６ｃ…部分電極
５８…台座
６０…感圧粘着剤層
６２…基材
６４…熱剥離接着剤層
６４ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
６６…熱剥離シート
６８…樹脂層
７０ａ〜７０ｃ…開口部
７２…フォトレジスト膜
７４ａ〜７４ｃ…開口部
７６ａ〜７６ｃ…部分電極
７７ａ〜７７ｃ…貫通電極
７８…台座
８０…感圧粘着剤層
８２…基材
８４…熱剥離接着剤層
８４ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
８６…熱剥離シート
８８…フォトレジスト膜
９０…開口部
９２…電極パッド
９４…半田バンプ
９６、９６ａ〜９６ｅ…インターポーザ
９８…パッケージ基板
１００…基板
１０２…電極パッド
１０４…電極パッド
１０６…半田バンプ
１０８…半導体集積回路素子
１０９…半導体基板
１１０…電極パッド
１１２…半田バンプ
１１４…半導体基板
１１６…導電膜
１１６ａ、１１６ｂ…キャパシタ電極
１１６ｃ、１１６ｄ…導電膜
１１８…キャパシタ誘電体膜
１２０…導電膜、キャパシタ電極
１２２ａ、１２２ｂ…薄膜キャパシタ
１２４…樹脂層
１２６ａ〜１２６ｅ…開口部
１２８…フォトレジスト膜
１３０ａ〜１３０ｃ…開口部
１３２ａ〜１３２ｃ…部分電極
１３４…配線
１３６…樹脂層
１３６ａ…熱処理前の樹脂層
１３６ｂ…半硬化状態の樹脂層
１３８ａ〜１３８ｃ…開口部
１４０…フォトレジスト膜
１４１ａ〜１４１ｃ…開口部
１４２ａ〜１４２ｃ…部分電極
１４４…台座
１４６…感圧粘着剤層
１４８…基材
１５０…熱剥離接着剤層
１５０ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
１５２…熱剥離シート
１６４…台座
１６６…感圧粘着剤層
１６８…基材
１７０…熱剥離接着剤層
１７０ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
１７２…熱剥離シート
１８２…台座
１８４…感圧粘着剤層
１８６…基材
１８８…熱剥離接着剤層
１８８ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
１９０…熱剥離シート
１９２…半導体基板
１９４…導電膜
１９４ａ、１９４ｂ…キャパシタ電極
１９４ｃ、１９４ｄ…導電膜
１９６…キャパシタ誘電体膜
１９８…導電膜、キャパシタ電極
２００ａ、２００ｂ…薄膜キャパシタ
２０２…樹脂層
２０４ａ〜２０４ｅ…開口部
２０６…樹脂層
２０８ａ〜２０８ｃ…開口部
２１０ａ〜２１０ｃ…部分電極
２１０ｅ、２１０ｆ…導体プラグ
２１２…配線
２１４…樹脂層
２１４ａ…熱処理前の樹脂層
２１４ｂ…半硬化状態の樹脂層
２１６ａ〜２１６ｃ…開口部
２１８…フォトレジスト膜
２２０ａ〜２２０ｃ…部分電極
２２２…台座
２２４…感圧粘着剤層
２２６…基材
２２８…熱剥離接着剤層
２２８ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
２３０…熱剥離シート
２３２…台座
２３４…感圧粘着剤層
２３６…基材
２３８…熱剥離接着剤層
２３８ａ…発泡後の熱剥離接着剤層
２４０…熱剥離シート

Claims (7)

1. 第１の基板の一方の主面上に、第１のキャパシタ電極と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された結晶質のキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極とを有する薄膜キャパシタを形成する工程と、
   前記第１の基板の前記一方の主面上及び前記薄膜キャパシタ上に、半硬化の第１の樹脂層と；前記第１の樹脂層に埋め込まれ、前記第１のキャパシタ電極又は前記第２のキャパシタ電極に電気的に接続され、貫通電極の一部となる第１の部分電極とを形成する工程と、
   前記第１の部分電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
   第２の基板の一方の主面上に、半硬化の第２の樹脂層と；前記第２の樹脂層に埋め込まれ、前記第１の部分電極に対応するように配され、前記貫通電極の一部となる第２の部分電極とを形成する工程と、
   前記第２の部分電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
   前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに接着させるとともに、前記第１の部分電極と前記第２の部分電極とを互いに接合する工程と、
   前記第１の基板を除去する工程と、
   前記第２の基板の前記一方の主面上に、前記薄膜キャパシタを覆うように第３の樹脂層を形成する工程と、
   前記第３の樹脂層に、前記貫通電極の一部となる第３の部分電極を埋め込む工程と、
   前記第３の樹脂層を台座により支持する工程と、
   前記第２の基板を除去する工程と
   を有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
2. 請求項１記載のインターポーザの製造方法において、
   前記第３の樹脂層を前記台座により支持する工程では、前記第３の樹脂層に熱剥離シートを用いて前記台座を接着する
   ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
3. 第１の基板の一方の主面上に、第１のキャパシタ電極と、前記第１のキャパシタ電極上に形成された結晶質の第１のキャパシタ誘電体膜と、前記第１のキャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極とを有する第１の薄膜キャパシタを形成する工程と、
   前記第１の基板の前記一方の主面上及び前記第１の薄膜キャパシタ上に、半硬化の第１の樹脂層と；前記第１の樹脂層に埋め込まれ、前記第１のキャパシタに電気的に接続され、貫通電極の一部となる第１の部分電極とを形成する工程と、
   前記第１の部分電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
   第２の基板の一方の主面上に、第３のキャパシタ電極と、前記第３のキャパシタ電極上に形成された結晶質の第２のキャパシタ誘電体膜と、前記第２のキャパシタ誘電体膜上に形成された第４のキャパシタ電極とを有する第２の薄膜キャパシタを形成する工程と、
   前記第２の基板の前記一方の主面上及び前記第２の薄膜キャパシタ上に、半硬化の第２の樹脂層と；前記第２の樹脂層に埋め込まれ、前記第２のキャパシタに電気的に接続され、前記貫通電極の一部となる第２の部分電極とを形成する工程と、
   前記第２の部分電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
   前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させ、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに接着させるとともに、前記第１の部分電極と前記第２の部分電極とを互いに接合する工程と、
   前記第１の基板を除去する工程と、
   前記第２の基板の前記一方の主面上に、前記第１の薄膜キャパシタを覆うように第３の樹脂層を形成する工程と、
   前記第３の樹脂層に、前記貫通電極の一部となる第３の部分電極を埋め込む工程と、
   前記第３の樹脂層を第１の台座により支持する工程と、
   前記第２の基板を除去する工程と、
   第３の基板の一方の主面上に、第４の樹脂層と；前記第４の樹脂層に埋め込まれ、前記貫通電極の一部となる第４の部分電極とを形成する工程と、
   前記第４の部分電極の上部及び前記第４の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
   前記第１の台座と前記第３の基板とを対向させ、前記第４の樹脂層と前記第２の薄膜キャパシタとを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第４の樹脂層と前記第２の薄膜キャパシタとを互いに接着させるとともに、前記第２の部分電極と前記第４の部分電極とを電気的に接続する工程と、
   前記第３の樹脂層を第２の台座により支持する工程と、
   前記第３の基板を除去する工程と
   を有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
4. 請求項３記載のインターポーザの製造方法において、
   前記第３の樹脂層を前記第１の台座により支持する工程では、前記第３の樹脂層に熱剥離シートを用いて前記第１の台座を接着する
   ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
5. 請求項３又は４記載のインターポーザの製造方法において、
   前記第３の樹脂層を前記第２の台座により支持する工程では、前記第３の樹脂層に熱剥離シートを用いて前記第２の台座を接着する
   ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインターポーザの製造方法において、
   前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマ、ポリエーテルイミド樹脂、又は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂より成る
   ことを特徴とするインターポーザの製造方法。
7. 請求項３乃至５のいずれか１項に記載のインターポーザの製造方法において、
   前記第４の樹脂層は、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、液晶ポリマ、ポリエーテルイミド樹脂、又は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂より成る
   ことを特徴とするインターポーザの製造方法。

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