JP5099382B2 - 3次元パターン形成材料 - Google Patents

3次元パターン形成材料 Download PDF

Info

Publication number
JP5099382B2
JP5099382B2 JP2009543778A JP2009543778A JP5099382B2 JP 5099382 B2 JP5099382 B2 JP 5099382B2 JP 2009543778 A JP2009543778 A JP 2009543778A JP 2009543778 A JP2009543778 A JP 2009543778A JP 5099382 B2 JP5099382 B2 JP 5099382B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
monomer
photocurable composition
meth
fine particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009543778A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009069557A1 (ja
Inventor
誠 花畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to JP2009543778A priority Critical patent/JP5099382B2/ja
Publication of JPWO2009069557A1 publication Critical patent/JPWO2009069557A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5099382B2 publication Critical patent/JP5099382B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F292/00Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to inorganic materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/44Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

本発明は、光インプリント法によって3次元パターンを形成するための光硬化性組成物に関する。
近年、インプリント法と呼ばれるパターンの転写技術が提案されている。インプリント技術はナノインプリント技術とも呼ばれ、ナノスケールの凹凸パターンを形成したナノスタンパ(モールド)を樹脂薄膜が塗布された基板に押し当てて樹脂薄膜に凹凸パターンを転写する成型加工技術である。従来の半導体リソグラフィーでの光リソグラフィーや電子線リソグラフィーに比べて簡便、低コストでナノスケール加工が可能である。
インプリント法には大別して、熱インプリント法と光インプリント法がある。このうち熱インプリント法は、基板上に熱硬化性組成物を塗布し、その表面に凹凸の3次元形状を有するモールドを加圧圧着しながら熱硬化性組成物の熱変形温度以上に加熱して組成物を熱硬化し、モールドを取り去りモールドの3次元形状を硬化樹脂に転写する3次元成形体の製造方法であり、エンボス法、プレス法、レプリカ法、転写複製法などと同義に用いられる。
もう一方の光インプリント法は、高精度かつ低コストで3次元成形体を製造できる技術として、特に半導体リソグラフィー、微小光学部品、フォトニック結晶、フラットパネルディスプレイ用部材、マイクロ化学チップなどの用途で注目されている。この光インプリント法では、モールドとして石英などの透明材料を用い、基板上に光硬化性樹脂を被覆し、その表面に凹凸の3次元形状を有するモールドを加圧圧着しながら紫外線照射を行い組成物を光硬化し、モールドを取り去りモールドの3次元形状を硬化樹脂に転写する3次元成型体の製造方法である。
上記光硬化性組成物としては、アクリル系樹脂と光ラジカル重合剤を含有する無溶剤型光硬化性組成物がよく知られている(非特許文献1参照)。
しかしながら、上述の光硬化性組成物を用いた場合、加圧成形後にモールドを離型する際、凸部に押し込まれた部分に残膜として組成物が残り、所望の3次元成形加工体を得にくいという問題がある。従来、各種のパターン転写技術において形成される残膜を除去するために、
(i)モールド離型後、反応性イオンエッチングなどを用いて除去する工程を設ける(非特許文献2、特許文献1参照)、
(ii)モールド離型後、界面活性剤を含む現像液を高圧噴射し、その後にアッシング処理する工程(特許文献2参照)又はブラッシングする(特許文献3参照)、
(iii)凹凸形状を有するモールドに、光硬化反応を遮断できる光硬化反応制御膜を設ける(特許文献4参照)、
(iv)凹凸形状を有するモールドの凸部に、遮光膜を設ける(特許文献5参照)、
などの手法が提案されていた。しかしながら、(i)(ii)の手法では、転写工程を増やすことになり、プロセスコストの上昇を招く。また、(iii)(iv)の手法では、モールド製造工程が複雑になり、モールドコストの上昇を招く。
一方、3次元パターン転写時に残膜の形成を根本的に抑制するためには、光硬化組成物の粘度を極小にし、該組成物の流動性を高めることによって、加圧時に、モールド凸部から光硬化性組成物が押し出されやすくすることが好ましい。しかしながら、光硬化性組成物の粘度を低下させると、基板上に該光硬化性組成物を塗布したのちに形成される皮膜の形態保持性が低下して膜破断を起こしやすくなるので、基板に対する皮膜の密着性を向上させる必要がある。
従来、基板上に形成された皮膜の密着性を向上させるために、
(a) 基板表面に微細な凹凸を形成する(特許文献6参照)。
(b) 皮膜形成材料のバインダーとして、下地との間で水素結合を形成し得る官能基を有するものを用いる(特許文献7参照)。
(c) アルコール性アルカリ液によって基板表面における皮膜形成材の濡れ性を向上させ、皮膜破断を抑制する(非特許文献3)。
(d)硬化性組成物に無機微粒子を含有させる(特許文献8参照)、
等の手法が知られている。しかしながら、(a)の手法によれば、基板表面に形成された微細な凹凸が成形体に転写され、成形体を利用する用途における性能を低下させる問題がある。また、(b)の手法によった場合、3次元パターン形成にかかわる光硬化性組成物の材料設計の自由度を阻害するという問題がある。さらに、(c)の手法は、皮膜の基板への密着性を向上する手法としては最も一般的ともいえるが、本発明が目的とするインプリント技術用途においては、特にモールド凸部における残膜形成を抑制するという点において逆効果となる。そして、(d)の手法によれば、硬化性組成物中に無機微粒子が均一に分散させるのが困難なため、無機微粒子が凝集したり沈殿してしまい、流動性が低下する。さらにこのような不均一に分散した硬化性組成物をスピンコートすると塗布膜中に異物が見られたり膜厚が不均一になったりして、良好な皮膜が得られず、所望の3次元加工体を得ることが出来にくいという問題がある。
東洋合成工業株式会社製、「PAK−01」商品カタログ 廣島、光技術コンタクト、第43巻、624頁(2005) 「続・実験を安全に行なうために」4頁(1987)化学同人 特開2006−39106号公報 特開2003−98334号公報 特開2003−98333号公報 特開2005−354017号公報 特開2004−304097号公報 特開2005−70434号公報 特開2002−277609号公報 特開2007−177194号公報
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、光インプリント法によって3次元パターンを形成する工程において、残膜形成の抑制と、基板への高い密着性を付与されてなる光硬化性組成物を提供することにある。
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の光硬化性組成物を用いることにより、残膜形成が抑制され、かつ基板への高い密着性が得られることを見出し本発明に至った。
本願発明は第1観点として、光インプリント法によって3次元パターンを形成するための光硬化性組成物であって、該組成物が光重合性基を有するモノマー、分散剤が付加された無機微粒子及び光重合開始剤を含むことを特徴とする光硬化性組成物、
第2観点として、前記無機微粒子の平均粒子径が、1乃至1000nmである第1観点に記載の光硬化性組成物、
第3観点として、前記無機微粒子が、シリカである第1観点又は第2観点に記載の光硬化性組成物、
第4観点として、前記分散剤が、シランカップリング剤である第1観点乃至第3観点のいずれか一つに記載の光硬化性組成物、
第5観点として、前記分散剤が、炭素と炭素の不飽和結合を有する有機基又はエポキシ基を有する有機基を含むシランカップリング剤である第4観点に記載の光硬化性組成物、
第6観点として、前記分散剤が、メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン又はグリシドキシプロピルトリアルコキシシランである第1観点乃至第3観点のいずれか一つに記載の光硬化性組成物、
第7観点として、前記モノマーの光重合性基が、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基からなる群から選択される少なくとも1つの有機基である第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載の光硬化性組成物、
第8観点として、前記モノマーの光重合性基が、アクリル基又はメタクリル基である第7観点に記載の光硬化性組成物、
第9観点として、前記モノマーが単官能性モノマー、2官能性モノマー及び3官能性モノマーを、単官能性モノマー:2官能性モノマー:3官能性モノマーの質量比で1:0.2乃至2.0:0.2乃至2.0の範囲で含む第1観点乃至第8観点のいずれか一つに記載の光硬化性組成物、
第10観点として、前記単官能性モノマーが環状アミン含有アクリレートモノマーである第9観点に記載の光硬化性組成物である。
中でも、本発明の最も好適な態様は以下の[1]〜[8]に示すとおりである。
[1]光インプリント法によって3次元パターンを形成するための光硬化性組成物であって、該組成物が光重合性基を有するモノマー、分散剤が付加された無機微粒子及び光重合開始剤を含み、
前記モノマーは単官能性モノマー、2官能性モノマー及び3官能性モノマーを、単官能性モノマー:2官能性モノマー:3官能性モノマーの質量比で1:0.2乃至2.0:0.2乃至2.0の範囲で含むものであり、そして
前記単官能性モノマーが環状アミン含有アクリレートモノマーである
ことを特徴とする光硬化性組成物。
[2]前記無機微粒子の平均粒子径が、1乃至1000nmである[1]に記載の光硬化性組成物。
[3]前記無機微粒子が、シリカである[1]又は[2]に記載の光硬化性組成物。
[4]前記分散剤が、シランカップリング剤である[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の光硬化性組成物。
[5]前記分散剤が、炭素と炭素の不飽和結合を有する有機基又はエポキシ基を有する有機基を含むシランカップリング剤である[4]に記載の光硬化性組成物。
[6]前記分散剤が、メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン又はグリシドキシプロピルトリアルコキシシランである[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の光硬化性組成物。
[7]前記2官能性モノマー及び3官能性モノマーの光重合性基が、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基からなる群から選択される少なくとも1つの有機基である[1]乃至[6]のいずれか1項に記載の光硬化性組成物。
[8]前記2官能性モノマー及び3官能性モノマーの光重合性基が、アクリル基又はメタクリル基である[7]に記載の光硬化性組成物。
本発明によれば、光インプリント法によって3次元バターンを形成する工程において好適な粘度(流動性)を光硬化性組成物に付与することによって残膜形成を抑制でき、かつ、低粘度にもかかわらず皮膜の破断を来たすことなく、該光硬化性組成物の皮膜を基板上に形成することが可能な光硬化性組成物を提供することができる。
本発明の光硬化性組成物は、分散剤が付与された無機微粒子をモノマー中に分散させることにより3次元パターンを形成するための流動性が付与され、残膜形成が抑えられるとともに、モールドとの剥離が容易になり、基板との密着性が向上する。さらに無機微粒子に分散剤が付与されていることにより、無機微粒子のモノマー中での分散性が大幅に向上し、流動性やスピンコート時の均一性が増し、残膜形成の抑制や基板との密着性向上に有利となる。
本発明の好ましい実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
本発明の光硬化性組成物は、光重合性基を有するモノマー、該モノマー中での分散性を付与する分散剤が付加された無機微粒子及び光重合開始剤を含む。
本発明の光硬化性組成物中には、光重合性基を有するモノマーが15乃至95質量%、分散剤が付加された無機微粒子が4乃至60質量%、光重合開始剤が0.08乃至5質量%の割合で含有する。分散剤は無機微粒子の表面を覆う量であれば良く、例えば、無機微粒子100質量部に対して、1乃至10000質量部、好ましくは10乃至300質量部、更に好ましくは50乃至200質量部の割合で付加することができる。
本発明に用いられる、光重合性基を有するモノマーとしては、単官能性モノマー、多官能性モノマー又はそれらの組み合わせとして用いることができる。単官能性モノマー及び多官能性モノマーは1分子中の光重合性基の数によって定義される。
多官能性モノマーとしては2官能性モノマー、3官能性モノマー又はそれ以上の官能基を有するモノマーを使用することもできるが、2官能性モノマー、3官能性モノマーが好ましい。
また上述のモノマーにはオリゴマーも含む。
上記光重合性基としては、例えばアクリル基、メタクリル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基などが挙げられる。
上記光重合性基を有するモノマーの具体例として、アクリル基、メタアクリル基を有するモノマーが挙げられ、例えば、(メタ)アクリル酸、メチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)メタクリレートなどのアルキル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)メタクリレート、カルビトール(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−ジアセトン(メタ)アクリルアミド、N,N´−メチレンピス(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロニトリル、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレートなどが例示できる。さらに、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、2,2,5,5−テトラヒドロキシメチルシクロペンタノンの(メタ)アクリル酸エステル、ジグリシジルフタレートの(メタ)アクリル酸エステル、N,N,N´,N´−テトラキス(β−ヒドロキシエチル)エチレンジアミンの(メタ)アクリル酸エステル、トリグリセリンとメチルアクリレートとのエステル交換反応生成物、ウレタン型(メタ)アクリレートなどを使用することもできる。
ビニル基を有するモノマーとしては、ビニルアルコール、スチレン、ヒドロキシスチレン、ジビニルベンゼン等が挙げられる。
エポキシ基を有するモノマーとしては、例えば1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,2−エポキシ−4−(エポキシエチル)シクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、2,6−ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、1,1,3−トリス[p−(2,3−エポキシプロポキシ)フェニル]プロパン、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、4,4’−メチレンビス(N,N−ジグリシジルアニリン)、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、トリグリシジル−p−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、テトラグリシジル−1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビスフェノール−A−ジグリシジルエーテル、ビスフェノール−S−ジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテルレゾルシノールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、テトラブロモビスフェノール−A−ジグリシジルエーテル、ビスフェノールヘキサフルオロアセトンジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールジグリシジルエーテル、トリス−(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、ジグリセロールポリジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル)シクロヘキサン、ソルビトールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、1,6−へキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、p−ターシャリーブチルフェニルグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエーテル、o−フタル酸ジグリシジルエーテル、ジブロモフェニルグリシジルエーテル、1,2,7,8−ジエポキシオクタン、1,6−ジメチロールパーフルオロヘキサンジグリシジルエーテル、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル)ジフェニルエーテル、2,2−ビス(4−グリシジルオキシフェニル)プロパン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4−エポキシシクロヘキシルオキシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−3’,4’−エポキシ−1,3−ジオキサン−5−スピロシクロヘキサン、1,2−エチレンジオキシ−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメタン)、4’,5’−エポキシ−2’−メチルシクロヘキシルメチル−4,5−エポキシ−2−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、エチレングリコール−ビス(3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、ビス−(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、及びビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテル、ビスフェノール−A−ジグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等を挙げることができる。
オキセタン基を有するモノマーとしては、例えば3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、3−エチル−3−(フェノキシメチル)オキセタン、3,3−ジエチルオキセタン、及び3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン、1,4−ビス(((3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ)メチル)ベンゼン、ジ((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)エーテル、及びペンタエリスリトールテトラキス((3−エチル−3−オキセタニル)メチル)エーテル等を挙げることができる。
ビニルエーテル基を有するモノマーとしては、例えばビニル−2−クロロエチルエーテル、ビニル−ノルマルブチルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、ビス(4−(ビニロキシメチル)シクロヘキシルメチル)グルタレート、トリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル、アジピン酸ジビニルエステル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリス(4−ビニロキシ)ブチルトリメリレート、ビス(4−(ビニロキシ)ブチル)テレフタレート、ビス(4−(ビニロキシ)ブチルイソフタレート、エチレングリコールジビニルエーテル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル及びシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等を挙げることができる。
上記光重合性基を有するモノマーは、単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることが出来る。とりわけこれら光重合性基を有するモノマーのうち、光重合性基として、アクリル基、メタクリル基を持つものが好ましい。これらモノマーは単官能性モノマー、2官能性モノマー及び3官能性モノマーからなる群より選ばれる少なくとも1種のモノマーから選択することができる。さらにこれらのモノマーは単官能性モノマー、2官能性モノマー及び3官能性モノマーの組み合わせからなることが好ましい。このモノマーの割合は、単官能性モノマー:2官能性モノマー:3官能性モノマーがそれらの質量比で、1:0.2乃至2.0:0.2乃至2.0の範囲で用いることができる。
好ましい単官能性モノマーとしては、(メタ)アクリル酸、メチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)メタクリレートなどのアルキル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)メタクリレート、カルビトール(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。環状アミン含有単官能性アクリレートモノマーとして、アクリロイルモルホリン、メタクリロイルモルホリンが挙げられる。環状アミン含有単官能性アクリレートモノマーを用いることにより、シリカ粒子とその表面に反応したシランカップリング剤との反応がより強固なものとなる。
好ましい2官能性モノマーとしては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
好ましい3官能性モノマーとしては、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
単官能性モノマー、2官能性モノマー及び3官能性モノマーを上記範囲に配合することにより、硬化体の硬さを調節することができる。単官能性モノマーだけでは硬化体の硬さが硬く、また3官能性モノマーだけでは硬化体がもろくなる。
本発明に用いられる無機微粒子としては、平均粒子径が1乃至1000nmであるものが好ましい。透明性との関係から平均粒子径が3乃至100nm、特に5乃至20nmの範囲のものが好ましい。これらの平均粒子径は、粒子を電子顕微鏡で観察する方法や、粒子が分散しているゾルを動的光散乱法により液中で粒子径を測定する方法で行われる。
無機微粒子の種類としては後述する分散剤と反応し得る官能基を有する無機微粒子、又は該官能基が導入された無機微粒子であれば特に限定されない。このような無機微粒子の具体例としては、たとえば金属(単体)、無機酸化物、無機炭酸塩、無機硫酸塩、リン酸塩などが使用できる。金属(単体)としては、アルカリ土類金属、遷移金属、希土類金属等が挙げられる。無機酸化物としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、ニオブ酸リチウム、酸化錫、酸化インジウム等が挙げられる。無機炭酸塩としては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。無機硫酸塩としては、硫酸バリウム、硫酸カルシウム等が挙げられる。リン酸塩としては、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム等が挙げられる。これらの中でも、透明性に優れるシリカが好ましく用いられる。
無機微粒子の形状は特に限定されず、球状、楕円形状、扁平状、ロッド状、繊維状でもよい。無機微粒子の平均粒子径は、好ましくは1乃至1000nm、さらに好ましくは3乃至100nm、特に好ましくは5乃至20nmである。無機微粒子の平均粒子径が上記の範囲内にあることにより、光重合性基を有するモノマー中での分散性を向上させ、本発明の3次元パターンを形成するための材料の透明性をさらに向上することができる。
上記の分散剤が付与される無機微粒子は、溶媒中に分散されていることが好ましい。好ましい例としては、たとえばコロイダルシリカ等が挙げられる。有機溶媒中に分散されたコロイダルシリカはオルガノシリカゾルとして市販されており、例えば、「スノーテックズコロイダルシリカ」(日産化学工業株式会社製、商品名)等が挙げられる。上記有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピルセロソルブ、ジメチルアセトアミド、トルエン、キシレン、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。
本発明に用いられる無機微粒子には、光重合性基を有するモノマー中における無機微粒子の分散性を付与するために分散剤が付与されることが必要である。この目的で用いられる分散剤としては シランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、(メタ)アクリロイル基のような不飽和結合などの官能基を有するシランカップリング剤などが例示できる。
イソシアネート基含有シランカップリング剤としては、1−イソシアナトメチル−1,1,1−トリメトキシシラン、1−(1−又は2−イソシアナトエチル)−1,1,1−トリメトキシシラン、1−イソシアナトメチル−1,1,1−トリエトキシシラン、1−(1−又は2−イソシアナトエチル)−1,1,1−トリエトキシシラン、1−イソシアナトメチル−1−メチル−1,1−ジメトキシシラン、1−クロロ−1−イソシアナトメチル−1,1−ジメトキシシラン、1−(3−アミノプロピル)−1−イソシアナトエチル−1,1−ジメトキシシラン、1−(3−アミノプロピル)−1−イソシアナトエチル−1,1−ジエトキシシラン、1−イソシアナトメチル−1−フェニル−1,1−ジメトキシシラン、1−イソシアナトプロピル−1−フェニル−1,1−ジプロポキシシランなどのイソシアナトアルキルアルコキシシラン(例えば、イソシアナトC1−6アルキルC1−4アルコキシシラン)などが例示できる。
エポキシ基含有シランカップリング剤としては、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、1−(1,2−エポキシプロピル)−1,1,1−トリメトキシシラン、1−グリシジル−1,1,1−トリメトキシシランなどのエポキシアルキルアルコキシシラン(例えば、エポキシ基含有C3−8アルキル−C1−4アルコキシシラン);1−(3−グリシドキシプロピル)−1,1,1−トリメトキシシラン、1−(3−グリシドキシプロピル)−1−メチル−1,1−ジメトキシシランなどのグリシドキシアルキルアルコキシシラン(例えば、グリシドキシC1−6アルキルC1−4アルコキシシラン)などが挙げられる。
アミノ基含有シランカップリング剤としては、前記イソシアネート基含有シランカップリング剤に対応するアミノ基含有シランカップリング剤、特に、1−(3−N−(2’−アミノエチル)アミノプロピル)−1−メチル−1,1−ジメトキシシラン、1−(3−N−(2’−アミノエチル)アミノプロピル)−1,1,1−トリメトキシシラン、1−(3−アミノプロピル)−1,1,1−トリメトキシシランなどのアミノアルキルアルコキシシラン(アミノC1−6アルキル−C1−4アルコキシシランなど)などが挙げられる。
メルカプト基含有シランカップリング剤としては、前記イソシアネート基含有シランカップリング剤に対応するメルカプト基含有シランカップリング剤、特に、1−(3−メルカプトプロピル)−1,1,1−トリメトキシシラン、1−(3−メルカプトプロピル)−1,1,1−トリエトキシシランなどのメルカプトアルキル基を有するアルコキシシラン(例えば、メルカプトC1−6アルキルC1−4アルコキシシラン)などが挙げられる。
また、前記イソシアネート基含有シランカップリング剤に対応するヒドロキシル基含有シランカップリング剤及びカルボキシル基含有シランカップリング剤なども使用できる。
不飽和結合を有するシランカップリング剤としては、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基などの重合性基を有するシランカップリング剤などが例示できる。前記ビニル基含有カップリング剤としては、1−ビニル−1,1−ジメチル−1−エトキシシラン、1−ビニル−1−メチル−1,1−ジエトキシシラン、1−ビニル−1,1,1−トリメトキシシラン、1−ビニル−1,1,1−トリイソプロペノキシシラン、1−ビニル−1,1−ジメチル−1−クロロシラン、1−ビニル−1−メチル−1,1−ジクロロシラン、1−ビニル−1−エチル−1,1−ジクロロシラン、1−ビニル−1,1,1−トリクロロシラン、1−ビニル−1−メチル−1,1−ビス(メチルエチルケトキシミン)シラン、1−ビニル−1−メチル−1,1−ビス(トリメチルシロキシ)シラン、1−ビニル−1−メチル−1,1−ジアセトキシシラン、1−ビニル−1,1,1−トリフェノキシシラン、1−ビニル−1,1,1−トリス(t−ブチルパーオキシ)シランなどが挙げられる。また、前記ビニル基含有シランカップリング剤に対応するアリル基含有シランカップリング剤及び(メタ)アクロイル基(又は(メタ)アクリロイルオキシ基)含有シランカップリング剤なども使用できる。これらのシランカップリング剤の例としては、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、アクリロキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
これらのシランカップリング剤のうち、炭素と炭素の不飽和結合を有する有機基、又はエポキシ基を有する有機基を含むシランカップリング剤が好ましい。
それらは、メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン等が挙げられる。これらのアルコキシ基はメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランは下記式(1):
で示され、グリシドキシプロピルトリメトキシシランは下記式(2):
で示され、それぞれ好適に用いることができる。
メタクリロキシプロピルトリメトキシシランは、例えばチッソ株式会社より「サイラエースS710(商品名)」として市販されているほか、数多くのシランカップリング剤が市販されており、これらを用いることが出来る。
無機微粒子に分散剤(シランカップリング剤)を付加する方法としては、例えば無機微粒子とシランカップリング剤を適当な溶剤中で、水と触媒の存在下に室温で攪拌する方法がある。攪拌時間は数分乃至24時間程度行うことができる。好ましくは、前記反応に際して、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、マレイン酸等の有機酸を酸触媒として添加することができる。これら酸触媒は水溶液として用いることができる。これにより無機微粒子の表面にシランカップリング剤が化学結合により付加した被覆微粒子が得られる。
一例として無機微粒子の水性ゾル(例えば無機微粒子の濃度5乃至40質量%)にシランカップリング剤と酸触媒の水溶液を添加し加水分解し、シランカップリング剤で被覆された無機微粒子の水性ゾルを有機溶媒に溶媒置換してオルガノゾルとする方法。
また、無機微粒子がメタノールやエタノール等の親水性有機溶媒に分散したオルガノゾル(例えば無機微粒子の濃度5乃至40質量%)に塩酸、酢酸、マレイン酸等の水溶液を添加して加水分解し、シランカップリング剤で被覆された無機微粒子が有機溶媒に分散したオルガノゾルを得る方法、更にはこのオルガノゾルを別の有機溶媒、例えば高沸点有機溶媒に溶媒置換したオルガノゾルを用いる方法がある。これらの分散剤が付与された無機微粒子のオルガノゾルは、有機溶媒中での無機微粒子の濃度が5乃至40質量%の範囲のオルガノゾルとして用いることができる。
この得られたオルガノゾルは、光重合性モノマー及び光重合開始剤を混合し光硬化性組成物とすることができる。
光重合開始剤としては、例えば、ケトン類(アセトフェノン,プロピオフェノン、アントラキノン,チオキサントン,ベンゾフェノン又はそれらの誘導体),ベンゾインエーテル又はその誘導体、ベンジルケタール誘導体、α―ヒドロキシアセトフェノン類、α―アミノアセトフェノン類、アシルフォスフィンオキサイド類、o―アシルオキシム類、トリアリルスルフォニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、ジアルキルフェナシルスルフォニウム塩、ジアルキルー4−ヒドロキシフェニルスルフォニウム塩、スルフォン酸エステル、o―アシルオキシム、o―カルバモイルオキシム化合物、アンモニウム塩化合物などが挙げられる。
本発明の光硬化性組成物は、その他の成分も含むことが出来る。その他の成分としては、増感剤、界面活性剤等が挙げられる。
本発明の3次元パターンを形成するための光硬化性組成物は、光重合性基を有するモノマーに対する、分散剤が付与された無機微粒子の配合割合は、上記モノマーの100質量部に対して上記無機微粒子が5乃至400質量部の割合で配合するのが好ましく、好ましくは5乃至200質量部、更に好ましくは5乃至100質量部、特に好ましくは30乃至100質量部である。この範囲で配合することは、本発明の目的である残膜を低減することや密着性を改善するのに好適であるほか、光インプリントした際の硬化収縮度や耐熱性が向上する。
また上記モノマーに対する、光重合開始剤の配合量は、モノマーの100質量部に対して光重合開始剤が0.1乃至20質量部であることが好ましく、さらに好ましくは1乃至10質量部、特に好ましくは1乃至5質量部である。
本発明の3次元パターンを形成するための光硬化性組成物は、光重合性基を有するモノマー、分散剤を付与した無機微粒子及び光重合開始剤を均一に混合することにより得られる。
ここで分散剤を付与した無機微粒子が溶媒に分散されている形態の場合は、光重合性基を有するモノマーに、分散剤を付与した無機微粒子が分散したオルガノゾルを加えて、均一に混合した後、エバポレーター等により溶媒を減圧除去して、その後に光重合開始剤を加えて、光硬化性組成物を製造することができる。
次に本発明の3次元パターンを形成するための光硬化性組成物を用いる方法について述べる。
本発明では、基板上に本発明の3次元パターンを形成するための光硬化性組成物を形成する工程と、表面に凹凸形状を有する透光性の鋳型(モールド)の凹部に該光硬化性組成物の一部が十分侵入するよう該光硬化性組成物を圧着する工程と、該モールドの裏面(光硬化性組成物と接触している面の反対側)から光を照射する工程と、光を照射して硬化した組成物から該モールドを剥離する工程を含む。基板上に本発明の3次元パターンを形成するための光硬化性組成物を形成する方法としては、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、浸漬(ディッピング)法などを用いることが出来る。これらの方法のうち、スピンコート法が一般的である。照射する光としては、紫外線が一般的であるが3次元パターンを形成するための光硬化性組成物が硬化する光なら紫外線以外の光を用いても良い。
紫外線照射装置としては、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプ、エキシマーランプ、発光ダイオードなどが挙げられる。露光波長としては例えば150乃至1000nmであり、F2エキシマレーザー(波長157nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、Hgランプi線(波長365nm)、Hgランプg線(波長436nm)、Hgランプh線(波長405nm)、NeHeレーザー(波長632nm)等が挙げられる。
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
(分散剤が付加された無機微粒子の調製)
オルガノシリカゾル(商品名:IPA−ST、日産化学工業株式会社製、イソプロパノールを分散媒とするシリカゾル、シリカ濃度は30質量%、平均粒子径は10乃至15nm)1500質量部と、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(商品名:サイラエースS710、チッソ石油化学株式会社製)135質量部と、0.1Nの塩酸40質量部とを、室温下で24時間攪拌することにより、光重合性基を有するシリカのイソプロパノールゾル(分散剤が付加されたシリカを585質量部含有する)を調製した。
(分散剤が付与されていない無機微粒子の調製)
オルガノシリカゾル(商品名:IPA−ST、日産化学工業株式会社製、イソプロパノールを分散媒とするシリカゾル、シリカ濃度は30質量%、平均粒子径は10乃至15nm)を準備した。
(光硬化性組成物の調製)
アクリロイルモルホリン(商品名:ACMO、株式会社興人製)40質量部、ポリエチレングリコールジメタクリレート(商品名:4EGMA、共栄社化学製)35質量部、ペンタエリスリトールトリアクリレート(商品名:PETA、共栄社化学製)25質量部を加え混合しモノマー組成物とした。
このモノマー組成物90質量部に、分散剤が付加されたシリカのイソプロパノールゾル30質量部(分散剤が付加されたシリカを10質量部含有する)を混合し、エバポレーター(東京理科器機株式会社製)を用いてオルガノシリカゾル中のイソプロパノール溶媒を減圧留去させてシリカ粒子含有モノマーを得た。これに、光重合性開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイドと2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−ケトンとが1:1の割合で混合されたDarocure4265(商品名、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)1.25質量部を混合し、光硬化性組成物を得た。
実施例2
光硬化性モノマー80質量部に、分散剤が付加されたシリカのイソプロパノールゾル60質量部(分散剤が付加されたシリカを21質量部含有する)を混合し、エバポレーター(東京理科器機株式会社製)を用いてオルガノシリカゾル中のイソプロパノール溶媒を減圧留去させてシリカ粒子含有モノマーを得たこと以外は、実施例1と同様にして光硬化性組成物を得た。
実施例3
光硬化性モノマー70質量部に、分散剤が付加されたシリカのイソプロパノールゾル90質量部(分散剤が付加されたシリカを31質量部含有する)を混合し、エバポレーター(東京理科器機株式会社製)を用いてオルガノシリカゾル中のイソプロパノール溶媒を減圧留去させてシリカ粒子含有モノマーを得たこと以外は、実施例1と同様にして光硬化性組成物を得た。
比較例1
アクリロイルモルホリン(商品名:ACMO、株式会社興人製)40質量部、ポリエチレングリコールジメタクリレート(商品名:4EGMA、共栄社化学製)35質量部、ペンタエリスリトールトリアクリレート(商品名:PETA、共栄社化学製)25質量部を加え混合し光硬化性モノマーを作成した。そのモノマーに光重合性開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイドと2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−ケトンとが1:1の割合で混合されたDarocure4265(商品名、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)1.25質量部を添加して光硬化性組成物を得た。
比較例2
アクリロイルモルホリン(商品名:ACMO、株式会社興人製)40質量部、ポリエチレングリコールジメタクリレート(商品名:4EGMA、共栄社化学製)35質量部、ペンタエリスリトールトリアクリレート(商品名:PETA、共栄社化学製)25質量部を加え混合しモノマー組成物とした。
このモノマー組成物90質量部に、シリカのイソプロパノールゾル30質量部(商品名IPA−ST、日産化学工業株式会社製、シリカを9質量部含有する。平均粒子径10乃至15nm)を混合し、エバポレーター(東京理科器機株式会社製)を用いてオルガノシリカゾル中のイソプロパノール溶媒を減圧留去させてシリカ粒子含有モノマーを得た。これに、光重合性開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイドと2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−ケトンとが1:1の割合で混合されたDarocure4265(商品名、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)1.25質量部を混合し、光硬化性組成物を得た。
(塗膜性)
シリコン基板上に、上記で得られた光硬化性組成物を、スピンコート法により塗布した。塗布条件は500rpmで5秒間、その後に2000rpmで20秒間行なった。塗布直後(図1)、20分放置後(図2)、60分放置後(図3)、180分放置後(図4)のそれぞれの塗膜の変化を観察した。
図1乃至4の観察写真から実施例1乃至3の光硬化性組成物で得られた膜は薄膜を維持したが、比較例1の光硬化性組成物で得られた膜は薄膜を維持できず膜上に濃淡が現れた。
実施例1乃至3の中でも、実施例3による光硬化性組成物による塗布膜は塗布後180分まで塗布直後の状態を維持し工程管理上で最も好ましい。即ち、光硬化性組成物を塗布し、モールドを加圧圧着し、光照射を行うまで塗布ムラを生じないで初期塗布物性を維持していることから、製造工程上で時間的なマージンが広いものである。
しかし、実使用では光硬化性組成物を塗布後、20分以内でモールドの加圧圧着と光照射が行われる場合があり、塗布直後に塗布ムラが発生しない実施例1乃至3は比較例1乃至2に対して十分な塗布特性を有するものである。
また、比較例2の光硬化性組成物から得られた膜では、塗布直後の段階で塗布膜中に大、小様々の大きさの異物が見られ、塗布膜全体が不均一な上、膜厚が場所により大幅に異なり、膜の剥離がみられ、良好な皮膜が得ることが出来なかった。このため、以後のパターンの形成実験に進むことが出来なかった(図7)。
すなわち、比較例1、2に比べ実施例1乃至3が塗布性に優れていることが明らかとなった。
(パターンの形成と残膜評価)
残膜とは基板上に光硬化性組成物を塗布し、モールドを加圧圧着し、光照射により組成物を硬化し、その後にモールドが取り外される。モールドを加圧圧着した際に、理想的にはモールド底部と基板の間の光硬化性組成物は押し出され、モールド底部と基板の間に該組成物が存在しないことが望ましい。
実際にはモールド底部と基板の間に該組成物は残り、残った該組成物は光照射による硬化後は残膜として存在する場合がある。しかし、この残膜は後にエッチング等の方法で取り除かれ、基板上に所望のパターンが形成される事となるが、残膜が少なければ少ないほどエッチング等のよる除去が容易であるため、残膜の少ないことが望まれる。
本発明においてパターンの形成と残膜の評価は、光・熱両用インプリント評価装置(商品名:LTNIP−5000、リソテックジャパン社製)を用いて行った。具体的には、シリコン基板に、上記で得られた実施例3と比較例1の光硬化性組成物をそれぞれ均一に塗布し、表面に凹凸の形状を有する石英ガラス製のモールドで型押しを行い、高圧水銀灯で紫外光を照射しながら加圧した。紫外光の照射光量は、3.2J/cm2(365nm換算)であり、加圧は2000Nで600秒間行った。
走査型電子顕微鏡(S−2460N形、HITACHI社製)を用いて、加速電圧15kV、倍率30000倍で得られたパターンを観察した。
図5は比較例1の光硬化性組成物により得られた3次元パターンの観察結果であり、図6は実施例3の光硬化性組成物により得られた3次元パターンの観察結果である。
実施例3と比較例1のパターン形状は同等であった。しかし残膜の評価では比較例1よりも実施例3が非常に薄く良好であった。
図5に記載されている比較例1の結果では光硬化性組成物の塗布時の初期膜厚が2230nmであり、モールドで型押し後に紫外線照射を行い硬化後にモールドを取り、基板からパターン形成されている部分までの厚み(残膜厚)が1275nmであった。
図6に記載されている実施例3の結果では光硬化性組成物の塗布時の初期膜厚が3720nmであり、モールドで型押し後に紫外線照射を行い硬化後にモールドを取り、基板からパターン形成されている部分までの厚み(残膜厚)が544nmであった。
この結果より、比較例1に比べて実施例3では残膜が非常に薄く、残膜結果において実施例3は比較例1に比べて良好な結果が得られたことが判る。
本発明によれば、光インプリント法によって3次元パターンを形成する工程において、残膜形成の抑制と、基板への高い密着性を付与されてなる光硬化性組成物を提供することができ、特に半導体リソグラフィー、微小光学部品、フォトニック結晶、フラットパネルディスプレイ用部材、マイクロ化学チップなどの用途で、安価かつ容易に精密なパターンを精度良く形成することが出来る。
シリコン基板上に実施例1乃至実施例3及び比較例1の光硬化性組成物をスピンコート法で塗布し、塗布直後の状態を示す写真。図1で示された4組の写真の中で左上は比較例1、右上は実施例1、左下は実施例2、右下は実施例3である。 シリコン基板上に実施例1乃至実施例3及び比較例1の光硬化性組成物をスピンコート法で塗布し、20分後の状態を示す写真。図2で示された4組の写真の中で左上は比較例1、右上は実施例1、左下は実施例2、右下は実施例3である。 シリコン基板上に実施例1乃至実施例3及び比較例1の光硬化性組成物をスピンコート法で塗布し、60分後の状態を示す写真。図3で示された4組の写真の中で、左上は比較例1、右上は実施例1、左下は実施例2、右下は実施例3である。 シリコン基板上に実施例1乃至実施例3及び比較例1の光硬化性組成物をスピンコート法で塗布し、180分後の状態を示す写真。図4で示された4組の写真の中で左上は比較例1、右上は実施例1、左下は実施例2、右下は実施例3である。 比較例1の光硬化性組成物を用い光インプリント法により3次元パターンを形成した際の残膜評価の結果である。 実施例3の光硬化性組成物を用い光インプリント法により3次元パターンを形成した際の残膜評価の結果である。 比較例2の光硬化性組成物から得られた膜の塗布直後の塗布状態を示す写真である。

Claims (8)

  1. 光インプリント法によって3次元パターンを形成するための光硬化性組成物であって、該組成物が光重合性基を有するモノマー、分散剤が付加された無機微粒子及び光重合開始剤を含み、
    前記モノマーは単官能性モノマー、2官能性モノマー及び3官能性モノマーを、単官能性モノマー:2官能性モノマー:3官能性モノマーの質量比で1:0.2乃至2.0:0.2乃至2.0の範囲で含むものであり、そして
    前記単官能性モノマーが環状アミン含有アクリレートモノマーである
    ことを特徴とする光硬化性組成物。
  2. 前記無機微粒子の平均粒子径が、1乃至1000nmである請求項1に記載の光硬化性組成物。
  3. 前記無機微粒子が、シリカである請求項1又は請求項2に記載の光硬化性組成物。
  4. 前記分散剤が、シランカップリング剤である請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光硬化性組成物。
  5. 前記分散剤が、炭素と炭素の不飽和結合を有する有機基又はエポキシ基を有する有機基を含むシランカップリング剤である請求項4に記載の光硬化性組成物。
  6. 前記分散剤が、メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン又はグリシドキシプロピルトリアルコキシシランである請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光硬化性組成物。
  7. 前記2官能性モノマー及び3官能性モノマーの光重合性基が、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基及びビニルエーテル基からなる群から選択される少なくとも1つの有機基である請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の光硬化性組成物。
  8. 前記2官能性モノマー及び3官能性モノマーの光重合性基が、アクリル基又はメタクリル基である請求項7に記載の光硬化性組成物。
JP2009543778A 2007-11-29 2008-11-21 3次元パターン形成材料 Active JP5099382B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009543778A JP5099382B2 (ja) 2007-11-29 2008-11-21 3次元パターン形成材料

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007309256 2007-11-29
JP2007309256 2007-11-29
PCT/JP2008/071242 WO2009069557A1 (ja) 2007-11-29 2008-11-21 3次元パターン形成材料
JP2009543778A JP5099382B2 (ja) 2007-11-29 2008-11-21 3次元パターン形成材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009069557A1 JPWO2009069557A1 (ja) 2011-04-14
JP5099382B2 true JP5099382B2 (ja) 2012-12-19

Family

ID=40678455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009543778A Active JP5099382B2 (ja) 2007-11-29 2008-11-21 3次元パターン形成材料

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8344039B2 (ja)
JP (1) JP5099382B2 (ja)
KR (1) KR101552526B1 (ja)
TW (1) TWI449712B (ja)
WO (1) WO2009069557A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011026561A (ja) * 2009-06-23 2011-02-10 Dic Corp シリカ分散体の製造方法、エネルギー線硬化型樹脂組成物及びフィルム
JP2011066074A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物
JP5610191B2 (ja) * 2010-03-24 2014-10-22 Dic株式会社 無機粒子分散体、エネルギー線硬化性樹脂組成物、及びフィルム
EP2858093A4 (en) * 2012-05-25 2015-12-02 Soken Kagaku Kk PHOTOCURABLE RESIN COMPOSITION FOR PRINTING, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND STRUCTURE
CN104737272A (zh) * 2012-10-22 2015-06-24 综研化学株式会社 压印用光固化性树脂组合物、压印用模具的制造方法以及压印用模具
JP6357006B2 (ja) * 2014-04-18 2018-07-11 東京応化工業株式会社 細胞培養基材形成用の感光性樹脂組成物
WO2018009363A1 (en) * 2016-07-08 2018-01-11 University Of Massachusetts Patterning of nanostructures using imprint lithography
KR20210030344A (ko) * 2018-07-10 2021-03-17 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 광 반응성 조성물
KR102253501B1 (ko) * 2018-09-28 2021-05-18 주식회사 엘지화학 밀봉재 조성물
JP7170246B2 (ja) * 2018-12-27 2022-11-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 紫外線硬化性樹脂組成物、発光装置の製造方法及び発光装置
WO2024024370A1 (ja) * 2022-07-25 2024-02-01 信越化学工業株式会社 光硬化性組成物およびその硬化物ならびに被覆物品

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03149267A (ja) * 1989-11-02 1991-06-25 Sharp Corp 光重合性感光塗料組成物
JPH10310674A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Tokuyama Sekiyu Kagaku Kk 光重合性組成物
JP2002356505A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Dainippon Ink & Chem Inc 紫外線硬化性組成物及びそれを被覆した樹脂成型品
US6534235B1 (en) * 2000-10-31 2003-03-18 Kansai Research Institute, Inc. Photosensitive resin composition and process for forming pattern
JP2003330180A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターンの形成方法
JP2006005023A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。
WO2006112062A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-26 Zeon Corporation 樹脂型及びそれを用いた成形体の製造方法
JP2007503120A (ja) * 2003-08-19 2007-02-15 ナノオプト コーポレーション サブミクロンスケールのパターニングの方法およびシステム
JP2007084625A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Hitachi Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2007177194A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Kri Inc 光硬化性組成物
JP2007216501A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Kri Inc パターン形成用モールドの製造方法およびパターン形成用モールド
JP2007250253A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性パターンの形成方法、導電性パターン形成用組成物および導電性パターンを有する電子部品

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4050370B2 (ja) * 1998-01-07 2008-02-20 株式会社Kri 無機質含有感光性樹脂組成物および無機パターン形成方法
EP1096313A1 (en) * 1999-11-01 2001-05-02 Kansai Research Institute, Inc. Active particle, photosensitive resin composition, and process for forming pattern
US6399670B1 (en) * 2000-01-21 2002-06-04 Congoleum Corporation Coating having macroscopic texture and process for making same
KR100784602B1 (ko) * 2000-12-05 2007-12-11 가부시끼가이샤 케이알아이 활성 성분 및 그것을 이용한 감광성 수지 조성물
JP4712236B2 (ja) 2001-01-15 2011-06-29 大日本印刷株式会社 反射防止膜、反射防止フィルム、画像表示装置、及び、それらの製造方法
JP2003098333A (ja) 2001-09-25 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルターの製造方法
JP2003098334A (ja) 2001-09-25 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルターの製造方法
JP2004304097A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP2005070434A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd 防眩性反射防止膜の製造方法
JP2005354017A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Toshio Kubota 光硬化反応制御型インプリント金型およびそれを用いたインプリント加工方法ならびにインプリント加工製品
JP4945065B2 (ja) 2004-07-26 2012-06-06 株式会社ブリヂストン 画像表示用パネルの製造方法
US20100097715A1 (en) * 2007-02-26 2010-04-22 Showa Denko K.K. Nanoimprinting resin composition

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03149267A (ja) * 1989-11-02 1991-06-25 Sharp Corp 光重合性感光塗料組成物
JPH10310674A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Tokuyama Sekiyu Kagaku Kk 光重合性組成物
US6534235B1 (en) * 2000-10-31 2003-03-18 Kansai Research Institute, Inc. Photosensitive resin composition and process for forming pattern
JP2002356505A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Dainippon Ink & Chem Inc 紫外線硬化性組成物及びそれを被覆した樹脂成型品
JP2003330180A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターンの形成方法
JP2007503120A (ja) * 2003-08-19 2007-02-15 ナノオプト コーポレーション サブミクロンスケールのパターニングの方法およびシステム
JP2006005023A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。
WO2006112062A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-26 Zeon Corporation 樹脂型及びそれを用いた成形体の製造方法
JP2007084625A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Hitachi Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2007177194A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Kri Inc 光硬化性組成物
JP2007216501A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Kri Inc パターン形成用モールドの製造方法およびパターン形成用モールド
JP2007250253A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性パターンの形成方法、導電性パターン形成用組成物および導電性パターンを有する電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100113499A (ko) 2010-10-21
KR101552526B1 (ko) 2015-09-14
TW200940565A (en) 2009-10-01
US8344039B2 (en) 2013-01-01
TWI449712B (zh) 2014-08-21
WO2009069557A1 (ja) 2009-06-04
US20100286300A1 (en) 2010-11-11
JPWO2009069557A1 (ja) 2011-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5099382B2 (ja) 3次元パターン形成材料
TWI388629B (zh) Silica-containing polysiloxane resin composition and molded body thereof
WO2012077738A1 (ja) 微細構造積層体、微細構造積層体の作製方法及び微細構造体の製造方法
TWI536101B (zh) A photo-hardened nanoimprint composition, a method of forming the pattern of the composition, and a copying tool for a nanoimprint of the hardened body having the composition
JP5762245B2 (ja) 光硬化性ナノインプリント用組成物、該組成物を用いたパターンの形成方法、及び該組成物の硬化体を有するナノインプリント用レプリカ金型
EP2246371A1 (en) Curable resin composition for nanoimprint
TWI605928B (zh) 壓印用光硬化性樹脂組成物、使用該樹脂組成物之構造體之製造方式及構造體
TW201114814A (ja)
US20130245149A1 (en) Dual cure compositions, related hybrid nanocomposite materials and dual cure process for producing same
TW201400563A (zh) 含有二氧化矽的塗佈用樹脂組成物及層合體
JP5658001B2 (ja) 樹脂モールド
WO2019069594A1 (ja) 硬化性組成物及び硬化物
TWI464116B (zh) 分散有反應性單體之二氧化矽溶膠,其製造方法、硬化用組成物及其硬化物
JP5975814B2 (ja) 光硬化性ナノインプリント用組成物およびパターンの形成方法
JP6522322B2 (ja) ナノインプリント用レプリカ金型の製造方法
JP2012214022A (ja) 光硬化性ナノインプリント用組成物、該組成物を用いたパターンの形成方法、及び該組成物の硬化体を有するナノインプリント用レプリカ金型
JP2007046008A (ja) 活性エネルギー線硬化性低屈折率コーティング用組成物および成形品
JP2008088300A (ja) 活性エネルギー線硬化性組成物及び積層体
JP6008628B2 (ja) 光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターンの製造方法
JP2012169434A (ja) 微細パターンを有する成型体の製造方法
JP5872369B2 (ja) 微細凹凸パターン付き基材の製造方法
JP2019076889A (ja) 撥水性積層体の製法
JP6128990B2 (ja) 光硬化性ナノインプリント用組成物およびパターンの形成方法
JP2007177194A (ja) 光硬化性組成物
JP2016175981A (ja) 有機無機ハイブリッドコーティング剤およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120730

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120829

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120911

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5099382

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350