JP5005440B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 52
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 101000912503 Homo sapiens Tyrosine-protein kinase Fgr Proteins 0.000 description 8
- 102100037226 Nuclear receptor coactivator 2 Human genes 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 101000974356 Homo sapiens Nuclear receptor coactivator 3 Proteins 0.000 description 5
- 102100022883 Nuclear receptor coactivator 3 Human genes 0.000 description 5
- 201000005569 Gout Diseases 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
- G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
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Description
液晶表示装置は、ゲート配線及びゲート配線と交差するデータ配線によって複数の画素部が形成された表示パネルと、ゲート配線にゲート信号を出力するゲート駆動部及びデータ配線にデータ信号を出力するデータ駆動部を含む。一般的に、このようなゲート駆動部及びデータ駆動部をチップ形態で構成し、表示パネルに実装する場合が多い。
具体的には、プルアップ素子寄生容量(Cgd)によるクロック信号とのカップリングがゲート電極のオフ電圧を増加させ、同時に高温になるにつれて漏洩電流量が上昇してプルアップ素子をターンオンさせる。これによってゲートオフ信号区間に間歇的にゲートオン信号が発生して、画質不良が発生するという問題点がある。
図1は、本発明の実施例による表示装置を示す平面図である。
図1に示すように、本発明の実施例による表示装置は、表示パネル100と、表示パネル100を駆動するためのゲート駆動回路200及びデータ駆動部130を含む。
表示パネル100は、所定間隔で離間して対向するアレイ基板及び対向基板(例えば、カラーフィルタ基板)と、アレイ基板と対向基板との間に介在する液晶層を含み、表示領域(DA)と、表示領域(DA)を囲む周辺領域(PA)で構成される。表示領域(DA)には、一方向に形成されたゲート配線(GL)及びゲート配線(GL)と交差する方向に形成されたデータ配線(DL)によって複数の画素部が形成され画像を表示する。
データ駆動部130は、ゲート配線(GL)に印加されるゲート信号に同期してデータ配線(DL)にデータ信号を出力し、少なくとも1つ以上のデータ駆動チップ132で構成される。データ駆動チップ132は、一端部が表示パネル100の第1周辺領域(PA1)に連結され、他端部が印刷回路基板140に連結された可撓性回路基板134上に実装され、可撓性回路基板134を通じて印刷回路基板140及び表示パネル100と電気的に接続される。
図2に示すように、本発明の第1実施例によるゲート駆動回路200aは互いに従属的に接続された第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)で構成され、ゲート信号(GOUT)を順に出力する回路部(CS)及び回路部(CS)に各種制御信号を提供する配線部(LS)を含む。
各ステージのリセット端子(RE)には最後ステージである第n+1ステージ(SRCn+1)のキャリー信号が共通に提供される。
第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)の出力端子(OUT)は、第1クロック端子(CK1)に提供されるクロック信号のハイ区間においてハイになるような出力信号を出力する。即ち、第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)のうち、奇数番目のステージ(SRC1、SRC3、...)の出力端子(OUT)は、第1クロック信号(CK)のハイ区間においてハイになる出力信号を出力し、偶数番目のステージ(SRC2、SRC4、...)の出力端子(OUT)は第2クロック信号(CKB)のハイ区間においてハイになる出力信号を出力する。したがって、第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)は、順にゲート信号(GOUT)を出力する。
第2クロック配線(SL3)は、第1クロック信号(CL)と逆位相である第2クロック信号(CKB)の提供を外部から受けて、この第2クロック信号(CKB)を奇数番目のステージ(SRC1、SRC3、...)の第2クロック端子(CK2)及び偶数番目のステージ(SRC2、SRC4、...)の第1クロック端子(CK1)に提供する。
前述のゲート駆動回路200では、第mステージ(SRCm)において第m−1ステージ(SRCm−1)のキャリー信号を第1入力信号として受け、第m+1ステージ(SRCm+1)のゲート信号を第2入力信号として受けて駆動する場合を説明した。しかし、ゲート信号(GOUT)の特性(例えば、信号区間の長さなど)によって、第m−2、第m−3、第m−4、・・・ステージなどのキャリー信号を第1入力信号として受け、第m+2、第m+3、第m+4、・・・ステージなどのゲート信号を第2入力信号として受けて駆動するような構成とすることも可能である。
図3及び図4に示すように、本発明の第1実施例によるゲート駆動回路200において、第mステージ(SRCm)は、第m−1ステージ(SRCm−1)のキャリー信号に応答して第mゲート信号(GOUTm)を第1クロック信号(CK)にプルアップするプルアップ部210及び第m+1ステージ(SRCm+1)のゲート信号(GOUTm+1)に応答して、プルアップされた第mゲート信号(GOUTm)をオフ電圧(Voff)にプルダウンするプルダウン部220を含む。
第mステージ(SRCm)は、第m−1ステージ(SRCm−1)のキャリー信号に応答してプルアップ部210をターンオンし、第m+1ステージ(SRCm+1)のゲート信号(GOUTm+1)に応答してプルアップ部210をターンオフするプルアップ駆動部を更に含む。プルアップ駆動部はバッファ部280、充電部270、及び放電部230を含む。
第1ホールディング部242は、ゲート電極が第1クロック端子(CK1)に接続され、ドレイン電極が第1ノード(N1)に接続され、ソース電極が出力端子(OUT)に接続された第8トランジスタ(T8)で構成される。第2ホールディング部244は、ゲート電極が第2クロック端子(CK2)に接続され、ドレイン電極が第1入力端子(IN1)に接続され、ソース電極が第1ノード(N1)に接続される第9トランジスタ(T9)で構成される。
第mステージ(SRCm)は、出力される第mゲート信号(GOUTm)をオフ電圧(Voff)状態に維持する第3ホールディング部246及び第4ホールディング部248と第4ホールディング部248のオン/オフ動作を制御するスイッチング部250を更に含む。
第1トランジスタ(T1)のゲート電極とドレイン電極は共通に第1クロック端子(CK1)に接続され、第1クロック信号(CK)の提供を受け、ソース電極は第2トランジスタ(T2)のドレイン電極と接続される。第2トランジスタ(T2)のゲート電極は出力端子(OUT)に接続され、ソース電極は電圧端子(V)に接続されオフ電圧(Voff)の提供を受ける。第3トランジスタ(T3)のドレイン電極は第1クロック端子(CK1)に接続され、ゲート電極は第1キャパシタ(C1)を通じて第1クロック端子(CK1)に接続され、ソース電極は第2ノード(N2)に接続される。
ゲート駆動回路200の第mステージはリセット部260及びキャリー部290を更に含む。
図5は、本発明による第1ノードのリップル改善を説明するための図面である。
図5に示したように、プルアップ部210の制御電極と接続された第1ノード(N1)には、プルアップ部210、第1ホールディング部242、及びキャリー部290の寄生容量(Cgd1、Cgd2、Cgd3)による第1クロック信号(CK)とのカップリングでリップルが発生する。具体的に、第5トランジスタ(T5)のドレイン電極とゲート電極との間の第1寄生容量(Cgd1)、第8トランジスタ(T8)のドレイン電極とゲート電極との間の第2寄生容量(Cgd2)、及び第14トランジスタ(T14)のドレイン電極とゲート電極との間の第3寄生容量(Cgd3)による第1クロック信号(CK)とのカップリングでリップルが発生する。
なお、第1ノード(N1)には、第2ホールディング部244の寄生容量(Cgs)による第2クロック信号(CKB)とのカップリングによってもリップルが発生する。即ち、第9トランジスタ(T9)のゲート電極とソース電極との間の寄生容量(Cgs)による第2クロック信号(CKB)とのカップリングでリップルが発生する。ここで、第2クロック信号(CKB)は、第1クロック信号(CK)と逆位相であるので、第2クロック信号(CKB)のカップリングで発生したリップル(以下、「逆リップル」という)は第1クロック信号(CK)のカップリングで発生したリップルと逆位相を有する。
図6は、図5に示した第1ノードのシミュレーションリップル波形図である。
図6に示すように、一例としてゲートオフ信号区間、第1ノード(N1)には−7vのオフ電圧が提供される。しかし、寄生容量によるクロック信号とのカップリングでオフ電圧を基準にしてリップルが発生し、図面のように第9トランジスタ(T9)の幅が25μmである場合に発生するリップルより900μmである場合に発生するリップルが少なく示される。
一方、第9トランジスタ(T9)は第3キャパシタ(C3)の充電時に、第13トランジスタ(T13)と同一の機能を果たす。したがって、第9トランジスタ(T9)の幅/長さ比(W/L比)が大きくなることに応じて、I−V(電流−電圧)特性も向上し、第1入力信号の第3キャパシタ(C3)充電率を向上することができ、第5トランジスタ(T5)の低温駆動マージンを向上することができる。
このように、本発明の第1実施例によるゲート駆動回路は、第9トランジスタ(T9)の幅/長さ比(W/L比)が、第8トランジスタの幅/長さ比より大きい。これによって、逆リップルが増加して第1ノード(N1)のリップルを減少させる。また、第13トランジスタ(T13)を補助して第1入力信号の第3キャパシタ(C3)充電率を向上させて低温駆動マージンを向上させることができる。
ここで、本発明の第2実施例によるゲート駆動回路は第1実施例によるゲート駆動回路と類似であるので差異点を主に略に説明する。
図7を参照すると、本発明の第2実施例によるゲート駆動回路200bは、従属的に接続された第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)で構成され、ゲート信号(GOUT)を順に出力する回路部(CS)及び回路部(CS)に各種制御信号を提供する配線部(LS)を含む。
第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)の第1クロック端子(CK1)及び第2クロック端子(CK2)には互いに逆位相であるクロック信号が提供される。
開始信号配線(SL1)は、外部から垂直開始信号(STV)の提供を受け、第1ステージ(SRC1)の第1入力端子(IN1)及び第n+1ステージ(SRCn+1)の第2入力端子(IN2)に提供する。
電圧配線(SL4)はオフ電圧(Voff)の提供を受け、第1〜第n+1ステージ(SRC1〜SRCn+1)の電圧端子に提供する。
このように、本発明の第2実施例によるゲート駆動回路の第mステージ(SRCm_2)は開始信号として第m−1ステージ(SRCm−1)のゲート信号(GOUTm−1)の提供を受けて駆動する。
ここで、本発明の第2実施例によるステージは第1実施例によるステージと類似であるので、略に説明する。
図8に示すように、第2実施例による第mステージ(SRCm)は、第mゲート信号(GOUTm)を第m−1ゲート信号(GOUTm−1)に応答して第1クロック信号(CK)にプルアップするプルアップ部210及び第m+1ゲート信号(GOUTm+1)に応答してオフ電圧(Voff)にプルダウンするプルダウン部220を含む。
第mステージ(SRCm)は、それぞれ第1クロック信号(CK)及び第2クロック信号(CKB)に応答して第1ノード(N1)の信号をオフ電圧(Voff)状態に維持する第1ホールディング部242及び第2ホールディング部244を更に含む。また、出力される第mゲート信号(GOUTm)をオフ電圧(Voff)状態に維持する第3ホールディング部246及び第4ホールディング部248と、第4ホールディング部248のオン/オフ動作を制御するスイッチング部250とを更に含む。ここで、第3ホールディング部246は、第2クロック信号(CKB)に応答してオン/オフ動作し、第3ホールディング部246と第4ホールディング部248は交互に出力端子の電位をオフ電圧(Voff)に放電させる。
このような、本発明の第2実施例によるゲート駆動回路の第mステージ(SRCm)は第1ホールディング部242の特性係数より第2ホールディング部244の特性係数が大きい。即ち、第8トランジスタ(T8)のチャンネルの幅/長さ比(W/L比)より第9トランジスタ(T9)のチャンネルの幅/長さ比が更に大きい。
第9トランジスタ(T9)は、ゲート電極とソース電極との間の第1寄生容量(Cgs)とゲート電極とドレイン電極との間の第2寄生容量(Cgd)を非対称構造に設計する。即ち、第1寄生容量(Cgs)を第2寄生容量(Cgd)より大きく形成する。第9トランジスタ(T9)のゲート電極に入力される第2クロック信号(CKB)のフォーリング(Falling)時に、相対的に第2寄生容量(Cgd)より大きい第1寄生容量(Cgs)によって、ソース電極と接続された第1ノード(N1)のリップル成分が抑制される。第1寄生容量(Cgs)が大きくなるほど、リップル抑制効果もまた向上する。これについては図10及び図11で詳細に説明する。
バッファ部280は、ゲート電極及びドレイン電極が第1入力端子(IN1)に共通に接続され、ソース電極が第1ノード(N1)に接続された第13トランジスタ(T13)で構成される。
図10に示すように、第9トランジスタ(T9)は一例として、チャンネルの形状がI字形状を有する。具体的に、第9トランジスタ(T9)はゲート電極111上に形成されたチャンネル層113と、チャンネル層113上に形成された複数のソース電極115及び複数のドレイン電極117を含む。
第9トランジスタ(T9)は、ソース電極115の幅(s)がドレイン電極117の幅(d)より大きく設計される。これによってゲート電極111とソース電極115との間の寄生容量(Cgs)は、ゲート電極111とドレイン電極117との間の第2寄生容量(Cgd)より大きくなる。
各ソース電極135はU字形状に形成され、各ドレイン電極137はソース電極135のU字形状に沿って一定間隔に挿入される形状を有する。これによって、ソース電極135及びドレイン電極137によって定義されるチャンネルはU字形状を有し、チャンネル長さ(L)とチャンネル幅(W)を有する。
図10及び図11に示したように、第1寄生容量(Cgs)を第2寄生容量(Cgd)より大きく形成することで、第9トランジスタ(110、130)のソース端と電気的に接続された第1ノード(N1)に発生するリップル成分を抑制することができる。望ましくは、第1寄生容量(Cgs)と第2寄生容量(Csd)との比はK:1(K>1)、例えば、2:1、3:1、または4:1である。
図12は、図9に示した第5トランジスタ(T5)のチャンネル幅(W)が3500μmであり、第9トランジスタ(T9)のチャンネル幅(W)が400μmであり、第5及び第9トランジスタ(T5、T9)のチャンネル長さ(L)は約5μm〜6μmとして同一である場合、常温基準にて測定した第1ノード(N1)のリップル電圧を示したものである。
一方、下記の[表3]は、図9に示したトランジスタに対して3000時間長期評価したデータである。
即ち、第9トランジスタ(T9)のトランジスタのチャンネル幅(W)が増加する場合、第5トランジスタ(T5)の駆動能力を阻害する効果が大きい。
望ましくは、第1実施例(図3参照)及び第2実施例(図8参照)で説明したように、第9トランジスタのチャンネル幅が増加する変動分(△WT9)だけ第13トランジスタ(T13)のチャンネル幅を増加させる。
(数式1)
△WT9=△WT9(1−1/K)
例えば、Cgs:Cgd=1:1の対称形である第9トランジスタ(T9)のチャンネル幅(△WT9)が900μmである場合、第3実施例によって第9トランジスタ(T9)のチャンネル幅を増加させないかわりに、第9トランジスタ(T9)の第1及び第2寄生容量の割合をCgs:Cgd=3:1に設計して、第1ノード(N1)のリップル成分を減少させることができる。この場合、駆動特性を向上するために第13トランジスタ(T13)のチャンネル幅を変化分(△WT9=900μm×(1−1/3)=600μm)に対応して600μmだけ増加させる。
(数式2)
WT8×(1−1/K)< WT9=WT9×(1−1/K)<(WT8+WT14)×(1−1/K)
ここで、WT8は、第8トランジスタ(T8)のチャンネル幅であり、WT14は第14トランジスタ(T14)のチャンネル幅である。
図13に示すように、比較例(A)の条件は、第9トランジスタ(T9)の第1及び第2寄生容量(Cgs、Cgd)の容量比を1:2または1:3にし、第13トランジスタ(T13)のチャンネル幅を既存と同一である1200μmに設計した場合である。実施例(B)の条件は、第9トランジスタ(T9)の第1及び第2寄生容量(Cgs、Cgd)の容量比を1:2または1:3にし、第13トランジスタ(T13)のチャンネル幅を1600μmに拡張して設計した場合である。
本発明の他の実施例によると、第9トランジスタのゲート電極とソース電極との間の第1寄生容量を増加することで、第9トランジスタのソース電極と接続された第1ノードのリップル電圧を減少させることができる。
なお、第1ノードに接続されたキャパシタに電荷を充電する第13トランジスタのチャンネル幅を増加することで、キャパシタに十分な電荷量を充電させることができる。これによって、キャパシタに充電された電荷量によってブートストラップさせてゲート信号を出力するゲート駆動回路の長期使用時、駆動信頼性を向上させることができる。
220 プルダウン部
230 放電部
242 第1ホールディング部
244 第2ホールディング部
246 第3ホールディング部
248 第4ホールディング部
250 スイッチング部
260 リセット部
270 充電部
280 バッファ部
290 キャリー部
Claims (15)
- 複数のステージが従属的に接続されたシフトレジスタで構成され、
前記複数のステージの任意の1つを第mステージとする時、前記第mステージは、
第1クロック信号の入力を受け、第1入力信号によってハイレベルに転換する第1ノード信号に応答して前記第1クロック信号をゲート信号として出力するプルアップ部と、
第2入力信号に応答して前記ゲート信号をオフ電圧に放電させるプルダウン部と、
前記第2入力信号に応答して前記第1ノード信号を前記オフ電圧に放電させる放電部と、
前記第1クロック信号に応答して前記第1ノード信号を前記オフ電圧に放電された前記ゲート信号に維持させる第1ホールディング部と、
第2クロック信号に応答して前記第1ノード信号を第1入力信号のオフ電圧に維持させる第2ホールディング部と、
を含み、前記第2ホールディング部を構成するトランジスタの幅/長さ比は、前記第1ホールディング部を構成するトランジスタの幅/長さ比より大きいことを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記第1ノード信号に応答して前記第1クロック信号をキャリー信号に出力するキャリー部を更に含み、
前記第2ホールディング部を構成するトランジスタの幅/長さの比は、前記第1ホールディング部を構成するトランジスタ及び前記キャリー部を構成するトランジスタの幅/長さ比の和より小さいことを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 前記第2クロック信号に応答して前記ゲート信号をオフ電圧に維持する第3ホールディング部と、
前記第3ホールディング部と交互に前記ゲート信号をオフ電圧に維持する第4ホールディング部と、
前記第4ホールディング部のオン/オフをスイッチングするスイッチング部と、
をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のゲート駆動回路。 - 前記スイッチング部は、
ドレイン電極とゲート電極が共通に前記第1クロック信号の提供を受ける第1トランジスタと、
ドレイン電極は、前記第1トランジスタのソース電極と接続され、ゲート電極には前記ゲート信号が提供され、ソース電極にはオフ電圧が提供される第2トランジスタと、
ドレイン電極は第1クロック信号の提供を受け、ゲート電極は前記第1トランジスタのソース電極と接続される第3トランジスタと、
ドレイン電極は第3トランジスタのソース電極と接続され第2ノードを構成し、ゲート電極には前記第2トランジスタのゲート電極と共通に前記ゲート信号が提供され、ソース電極にはオフ電圧が提供される第4トランジスタと、
前記第3トランジスタのドレイン電極とゲート電極とを接続する第1キャパシタと、
前記第3トランジスタのゲート電極とソース電極とを接続する第2キャパシタと、を含み、前記第2ノードの信号によって前記第4ホールディング部のオン/オフがスイッチングされることを特徴とする請求項3に記載のゲート駆動回路。 - 前記第1入力信号は垂直開始信号または第m−1ステージのキャリー信号であり、
前記第2入力信号は、第m+1ステージのゲート信号または垂直開始信号であることを特徴とする請求項4に記載のゲート駆動回路。 - 前記第1クロック信号と前記第2クロック信号は互いに位相が反対であることを特徴とする請求項4に記載のゲート駆動回路。
- 前記第1入力信号は垂直開始信号または第m−1ステージのゲート信号であり、
前記第2入力信号は第m+1ステージのゲート信号または垂直開始信号であることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 複数のステージが従属的に接続されたシフトレジストで構成され、
前記複数のステージの任意の1つを第mステージとする時、前記第mステージは、
第1クロック信号の入力を受け、第1入力信号によってハイレベルに転換する第1ノード信号に応答して前記第1クロック信号をゲート信号に出力するプルアップと、
第2入力信号に応答して前記ゲート信号をオフ電圧に放電するプルダウン部と、
前記第2入力信号に応答して前記第1ノード信号を前記オフ電圧に放電する放電部と、
前記第1クロック信号に応答して前記第1ノード信号をオフ電圧に放電された前記ゲート信号に維持する第1ホールディング部と、
非対称構造の寄生容量を有し、第2クロック信号に応答して前記第1ノード信号を第1入力信号のオフ電圧に維持するトランジスタを含む第2ホールディング部と、
を含むゲート駆動回路。 - 前記第2ホールディング部のトランジスタは、前記第2クロック信号が入力されるゲート電極、前記第1入力信号が入力されるドレイン電極、及び前記第1ノードと接続されるソース電極を含み、
前記ゲート電極とソース電極との間の第1寄生容量は前記ゲート電極とドレイン電極との間の第2寄生容量より大きいことを特徴とする請求項8に記載のゲート駆動回路。 - 前記第1ノードと接続され前記第1入力信号のハイレベルを前記第1ノードに充電させるトランジスタを含むバッファ部を更に含むことを特徴とする請求項9に記載のゲート駆動回路。
- 前記バッファ部のトランジスタの幅は、
WT8×(1−1/K)<△WT
(ここで、 WT8は第1ホールディング部のトランジスタチャンネル幅であり、第2ホールディング部のトランジスタの第1寄生容量(Cgs)と第2寄生容量(Cgd)との割合はCgs:Cgd=K:1(K>1)である)
の数式で示される△WTだけ増加することを特徴とする請求項10に記載のゲート駆動回路。 - 前記第1クロック信号を前記第1ノード信号に応答してキャリー信号に出力するキャリー部を更に含むことを特徴とする請求項10に記載のゲート駆動回路。
- 前記バッファ部のトランジスタの幅は、
WT8×(1−1/K)<△WT<(WT8+WT14)×(1−1/K)
(ここで、WT8は第1ホールディング部のトランジスタチャンネル幅であり、WT14はキャリー部のトランジスタチャンネル幅であり、第2ホールディング部のトランジスタの第1寄生容量(Cgs)と第2寄生容量(Cgd)との割合はCgs:Cgd=K:1(K>1)である)
の数式で示される△WTだけ増加することを特徴とする請求項12に記載のゲート駆動回路。 - 前記第1入力信号は、垂直開始信号または第m−1ステージのキャリー信号であり、
前記第2入力信号は、第m+1ステージのゲート信号または垂直開始信号であることを特徴とする請求項13に記載のゲート駆動回路。 - 前記第1入力信号は垂直開始信号または第m−1ステージのゲート信号であり、
前記第2入力信号は第m+1ステージのゲート信号または垂直開始信号であることを特徴とする請求項8に記載のゲート駆動回路。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060055654A KR101217177B1 (ko) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시 장치 |
KR10-2006-0055654 | 2006-06-21 | ||
KR10-2007-0051904 | 2007-05-29 | ||
KR20070051904A KR101512338B1 (ko) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시 장치 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008003602A JP2008003602A (ja) | 2008-01-10 |
JP2008003602A5 JP2008003602A5 (ja) | 2010-07-22 |
JP5005440B2 true JP5005440B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=38577429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007162598A Active JP5005440B2 (ja) | 2006-06-21 | 2007-06-20 | ゲート駆動回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7936332B2 (ja) |
EP (1) | EP1870877B1 (ja) |
JP (1) | JP5005440B2 (ja) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI250504B (en) * | 2004-07-02 | 2006-03-01 | Hannstar Display Corp | Pixel structure of a liquid crystal display and driving method thereof |
JP4932415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101472513B1 (ko) | 2008-07-08 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 드라이버 및 이를 갖는 표시장치 |
KR20100006063A (ko) * | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 삼성전자주식회사 | 게이트 드라이버 및 이를 갖는 표시장치 |
KR101471553B1 (ko) * | 2008-08-14 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 갖는 표시 장치 |
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TWI664619B (zh) | 2009-01-16 | 2019-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及其電子裝置 |
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KR101752640B1 (ko) | 2009-03-27 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
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KR20230065069A (ko) * | 2021-11-04 | 2023-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 표시 장치 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7332936B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit, display device, electronic apparatus |
-
2007
- 2007-06-14 US US11/763,144 patent/US7936332B2/en active Active
- 2007-06-15 EP EP07011735.3A patent/EP1870877B1/en active Active
- 2007-06-20 JP JP2007162598A patent/JP5005440B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1870877A2 (en) | 2007-12-26 |
EP1870877A3 (en) | 2009-10-07 |
JP2008003602A (ja) | 2008-01-10 |
EP1870877B1 (en) | 2015-04-01 |
US20070296662A1 (en) | 2007-12-27 |
US7936332B2 (en) | 2011-05-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100603 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120424 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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