CN209132559U - 一种显示基板、显示装置 - Google Patents

一种显示基板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN209132559U
CN209132559U CN201920035765.7U CN201920035765U CN209132559U CN 209132559 U CN209132559 U CN 209132559U CN 201920035765 U CN201920035765 U CN 201920035765U CN 209132559 U CN209132559 U CN 209132559U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electro
static driven
driven comb
comb
base plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201920035765.7U
Other languages
English (en)
Inventor
李盼
吴新银
乔勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201920035765.7U priority Critical patent/CN209132559U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN209132559U publication Critical patent/CN209132559U/zh
Priority to EP19908801.4A priority patent/EP3789820B1/en
Priority to PCT/CN2019/112770 priority patent/WO2020143271A1/zh
Priority to US16/758,803 priority patent/US11335714B2/en
Priority to US17/658,636 priority patent/US11887994B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本实用新型公开一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决静电容易导致信号线出现传输信号偏差甚至断裂的问题。所述显示基板包括：显示区域和位于所述显示区域周边的周边区域；其中，所述显示区域包括：多条栅线，多条数据线和多个像素单元，每个所述像素单元包括相连接的驱动晶体管和像素电极；所述周边区域包括：信号线，以及用于对所述信号线进行静电释放的静电释放结构。本实用新型提供的显示基板用于制作显示装置。

Description

一种显示基板、显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示装置的应用范围越来越广泛，相应的对显示装置的工作稳定性也提出了越来越高的要求。其中显示装置中产生的静电作为影响其工作稳定性的重要因素受到了人们的广泛关注，当显示装置在工作时，静电容易对信号线产生影响，导致其传输信号偏差，甚至在严重情况下会导致信号线断裂，从而影响显示装置的正常工作。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示基板、显示装置，用于解决静电容易导致信号线出现传输信号偏差甚至断裂的问题。
为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
本实用新型的第一方面提供一种显示基板，包括：显示区域和位于所述显示区域周边的周边区域；其中，所述显示区域包括：多条栅线，多条数据线和多个像素单元，每个所述像素单元包括相连接的驱动晶体管和像素电极；所述周边区域包括：信号线，以及用于对所述信号线进行静电释放的静电释放结构。
可选的，所述静电释放结构包括：
与所述信号线连接的第一静电释放图形；
与所述第一静电释放图形异层设置的第二静电释放图形，所述第二静电释放图形与所述第一静电释放图形之间间隔有第一绝缘层，以使所述第一静电释放图形与所述第二静电释放图形彼此绝缘，所述第二静电释放图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影，与所述第一静电释放图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述第一静电释放图形在所述衬底基板上的正投影呈折线形状，且所述第一静电释放图形与所述信号线的至少部分并联；
所述第二静电释放图形在所述衬底基板上的正投影呈折线形状，且所述第二静电释放图形首尾闭合。
可选的，所述静电释放结构还包括：
与所述信号线连接的第一电极；
与所述第二静电释放图形连接的第二电极，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的，一条所述信号线对应多个静电释放结构，所述多个静电释放结构中的至少两个静电释放结构中，同一个静电释放结构包括的第一静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度，与第二静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度相同；
所述至少两个静电释放结构中，不同的静电释放结构包括的第一静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度各不相同，和/或不同的静电释放结构中包括的第二静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度各不相同。
可选的，所述第二静电释放图形与所述显示基板中的公共电极或公共电极线连接。
可选的，所述静电释放结构包括：
与所述信号线异层设置的第三静电释放图形，所述第三静电释放图形与所述信号线之间间隔有第二绝缘层；
与所述第三静电释放图形连接的多个导电图形，所述导电图形远离所述第三静电释放图形的端部包括尖端部。
可选的，所述第三静电释放图形包括第一端部和第二端部，所述第一端部在所述显示基板的衬底基板上的正投影和所述第二端部在所述衬底基板上的正投影，分别与所述信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述第一端部和/或所述第二端部包括尖端部。
可选的，所述静电释放结构还包括：第四静电释放图形和第五静电释放图形，所述第四静电释放图形与所述信号线并联，和/或所述第五静电释放图形与所述信号线并联，所述第四静电释放图形和所述第五静电释放图形在所述衬底基板上的正投影，均位于所述信号线在所述衬底基板上的正投影的内部；
所述第三静电释放图形的第一端部位于所述信号线和所述第四静电释放图形之间，且所述第三静电释放图形的第一端部在所述衬底基板上的正投影与所述第四静电释放图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
所述第三静电释放图形的第二端部位于所述信号线和所述第五静电释放图形之间，且所述第三静电释放图形的第二端部在所述衬底基板上的正投影与所述第五静电释放图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述第四静电释放图形和/或所述第五静电释放图形与所述显示基板中的有源层同层同材料设置。
可选的，所述第四静电释放图形在所述衬底基板上的正投影，与所述第三静电释放图形的第一端部在所述衬底基板上的正投影重叠的部分为本征半导体材料形成；和/或所述第五静电释放图形在所述衬底基板上的正投影，与所述第三静电释放图形的第二端部在所述衬底基板上的正投影重叠的部分为本征半导体材料形成。
可选的，所述静电释放结构包括：
梳状的第六静电释放图形，所述第六静电释放图形包括多个梳齿，和用于连接所述多个梳齿的一端的第一连接部，所述第一连接部与所述信号线连接，所述第六静电释放图形的梳齿远离所述第一连接部的端部包括尖端部；
第七静电释放图形，所述第七静电释放图形位于所述第六静电释放图形的梳齿远离所述第一连接部的一侧，所述第七静电释放图形与所述第六静电释放图形之间间隔有第三绝缘层。
可选的，所述第七静电释放图形呈梳状，包括梳齿和用于连接该梳齿的第二连接部，所述第七静电释放图形的梳齿远离所述第二连接部的端部包括尖端部；
所述第七静电释放图形的梳齿的尖端部在所述显示基板的衬底基板上的正投影，与所述第六静电释放图形的梳齿的尖端部在所述衬底基板上的正投影相对。
可选的，所述第六静电释放图形与所述第七静电释放图形同层设置或异层设置。
基于上述显示基板的技术方案，本实用新型的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本实用新型提供的技术方案中，包括静电释放结构，静电释放结构能够对信号线进行静电释放，从而使得显示基板无论在制作过程中或工作过程中，信号线上产生的静电均能够通过静电释放结构释放掉，使得信号线能够稳定并精确的传输对应的信号，很好的保证了显示基板工作的稳定性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第一结构示意图；
图2为图1中沿A1A2方向的截面示意图；
图3为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第二结构示意图；
图4为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第三结构示意图；
图5为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第四结构示意图；
图6为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第五结构示意图；
图7为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第六结构示意图；
图8为图7中沿B1B2方向的截面示意图；
图9为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第七结构示意图；
图10为本实用新型实施例提供的静电释放结构的第八结构示意图。
附图标记：
1-信号线， 2-静电释放结构，
20-第一静电释放图形， 21-第二静电释放图形，
22-第一电极， 23-第二电极，
24-第三静电释放图形， 241-第一端部，
242-第二端部， 25-导电图形，
26-第四静电释放图形， 27-第五静电释放图形，
28-第六静电释放图形， 281-第一连接部，
29-第七静电释放图形， 291-第二连接部，
3-第一绝缘层， 4-衬底基板，
5-过孔， 6-绝缘膜层。
具体实施方式
为了进一步说明本实用新型实施例提供的显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
如背景技术所述，目前显示装置的种类越来越多，应用范围也越来越广泛，以液晶显示(英文：Liquid Crystal Display，以下简称LCD)装置为例，LCD显示装置通常包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在二者之间的液晶材料，其中阵列基板上一般设置有栅极驱动电路，整个栅极驱动电路在起始脉冲信号线的控制下开始工作，并在在电源信号线、时钟信号线和公共电极线等信号线的协同控制下，驱动整个LCD显示装置实现显示功能。但是，LCD显示装置在制作和实际应用时，均容易产生静电，而静电容易对LCD显示装置中的各类信号线产生影响，导致其传输信号偏差，甚至在严重情况下会导致信号线断裂，从而影响显示装置的正常工作。
基于上述问题的存在，本实用新型实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：显示区域和位于显示区域周边的周边区域；其中，显示区域包括：多条栅线，多条数据线和多个像素单元；每个像素单元包括相连接的驱动晶体管和像素电极；如图1所示，周边区域包括信号线1，以及用于对信号线1进行静电释放的静电释放结构2。
具体地，显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的周边区域，显示区域中包括的多条栅线，多条数据线和多个像素单元存在多种分布方式，示例性的，多条栅线和多条数据线在显示区域中限定出阵列分布的多个像素区域，每个像素区域对应一个像素单元，每个像素单元均包括相连接的驱动晶体管和像素电极，驱动晶体管用于向像素电极提供驱动信号，进而驱动像素单元发光。周边区域包括的信号线多种多样，示例性的，包括：公共电极线，与栅线连接的栅线引线和与数据线连接的数据线引线等。
上述静电释放结构2可以设置在显示基板中信号线1的周边预设范围内，该静电释放结构2可以与要保护的信号线1连接，或者位于要保护的信号线1的附近但不与要保护的信号线1连接，例如：可设置静电释放结构2在显示基板的衬底基板上的正投影与要保护的信号线1在衬底基板上的正投影至少部分重叠，从而实现通过静电释放结构2将信号线1中的静电释放出来，保证信号线1能够稳定的传输对应的信号。
根据上述显示基板的具体结构可知，本实用新型实施例提供的显示基板中，包括信号线1和静电释放结构2，其中静电释放结构2能够对信号线1进行静电释放，从而使得显示基板无论在制作过程中或工作过程中，信号线1上产生的静电均能够通过静电释放结构2释放掉，使得信号线1能够稳定并精确的传输对应的信号，很好的保证了显示基板工作的稳定性。
上述实施例提供的静电释放结构2的具体结构多种多样，下面给出静电释放结构2的几种具体结构，并对其释放静电的原理进行详细说明。
在一些实施例中，如图1和图2所示，上述实施例提供的静电释放结构2包括：
与信号线1连接的第一静电释放图形20；
与第一静电释放图形20异层设置的第二静电释放图形21，第二静电释放图形21与第一静电释放图形20之间间隔有第一绝缘层3，以使第一静电释放图形20与第二静电释放图形21彼此绝缘，第二静电释放图形21在显示基板的衬底基板上的正投影，与第一静电释放图形20在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
具体地，设置静电释放结构2包括与信号线1连接的第一静电释放图形20，在垂直于衬底基板的方向上能够与第一静电释放图形20交叠的第二静电释放图形21，以及设置在第一静电释放图形20和第二静电释放图形21之间的第一绝缘层3，使得在第一静电释放图形20和第二静电释放图形21之间能够形成电容结构，这样当信号线1上产生静电时，该静电能够经第一静电释放图形20导入到电容结构，并存储在该电容结构中，当电容结构中存储的静电超出一定值时，静电会将电容击穿，从而将静电释放掉。
值得注意，上述第一静电释放图形20和第二静电释放图形21均采用导电材料制作，示例性的，可采用金属材料制作，例如：采用Cu，Al等，也可以采用透明导电材料制作，例如：采用ITO(氧化铟锡)，IZO(氧化锌锡)等。另外，上述第一静电释放图形20和第二静电释放图形21可均与显示基板中包括的其它具有导电性能的膜层同层同材料制作，这样就可以通过一次构图工艺同时制作第一静电释放图形20、第二静电释放图形21和显示基板中包括的其它具有导电性能的膜层，从而避免了为制作第一静电释放图形20和第二静电释放图形21而增加额外的构图工艺，更好的提升了显示基板的生产效率，降低了制作成本。
将静电释放结构2设置为上述结构时，信号线1上产生的静电能够经第一静电释放图形20实时导出到电容结构，从而避免了静电在信号线1上积累，更好的保证了信号线1的工作性能。
进一步地，可设置上述实施例提供的第一静电释放图形20在衬底基板上的正投影呈折线形状，且第一静电释放图形20与信号线1的至少部分并联；第二静电释放图形21在衬底基板上的正投影呈折线形状，且第二静电释放图形21首尾闭合。
具体地，将第一静电释放图形20与信号线1的至少部分并联，使得信号线1上产生的静电能够更好的传输至静电释放图形中，而设置第一静电释放图形20和第二静电释放图形21在衬底基板上的正投影均呈折线形状，使得第一静电释放图形20和第二静电释放图形21在垂直于衬底基板的方向上，存在多个交叠区域，即形成了多个电容结构，这样信号线1上产生的静电能够经第一静电释放图形20存储在多个电容结构中，当各电容结构中存储的静电超出一定值时，静电会将电容击穿，从而将静电释放掉。另外，将第二静电释放图形21首尾闭合，使得第二静电释放图形21形成为闭合图形，从而实现对静电更好的释放。
进一步地，如图3所示，上述实施例提供的静电释放结构2还包括：
与信号线1连接的第一电极22；
与第二静电释放图形21连接的第二电极23，第二电极23在衬底基板上的正投影与第一电极22在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
具体地，设置静电释放结构2包括上述第一电极22和第二电极23，并设置第一电极22和第二电极23在垂直于衬底基板的方向上至少部分重叠，使得在第一电极22和第二电极23之间形成了具有更大存储容量的电容结构，这样当信号线1上产生较大静电时，该静电能够经过第一电极22导入到由第一电极22和第二电极23形成的电容结构中，从而实现对静电更好的释放，避免了静电对信号线1产生影响。第一电极与第二电极之间形成一较大电容，静电可再次积蓄，从而防止静电对信号线造成影响。
进一步地，如图4所示，上述实施例提供的显示基板中，可设置一条信号线1对应多个静电释放结构2，多个静电释放结构2中的至少两个静电释放结构2中，同一个静电释放结构2包括的第一静电释放图形20沿垂直于其自身延伸方向上的宽度，与第二静电释放图形21沿垂直于其自身延伸方向上的宽度相同；所述至少两个静电释放结构2中，不同的静电释放结构2包括的第一静电释放图形20沿垂直于其自身延伸方向上的宽度各不相同。
具体地，设置一条信号线1对应多个静电释放结构2，使得信号线1上产生的静电能够经多个静电释放结构2释放，从而更好的提升了静电释放效果。而设置多个静电释放结构2中的至少两个静电释放结构2中，同一个静电释放结构2包括的第一静电释放图形20沿垂直于其自身延伸方向上的宽度，与第二静电释放图形21沿垂直于其自身延伸方向上的宽度相同，且所述至少两个静电释放结构2中，不同的静电释放结构2包括的第一静电释放图形20沿垂直于其自身延伸方向上的宽度各不相同，使得不同静电释放结构2对应形成的电容结构的存储容量不同，从而使得一条信号线1能够对应多级存储容量的电容结构，当信号线1上产生的静电较小时，可通过存储容量较小的电容结构释放，当信号线1上产生的静电较大时，可通过存储容量较大的电容结构释放，因此，上述设置一条信号线1对应多个静电释放结构2，能够对信号线1上产生的各级静电均实现良好的释放，更好的保证了信号线1的工作性能。
进一步地，可设置上述实施例提供的第二静电释放图形21与显示基板中的公共电极或公共电极线连接。
具体地，上述实施例提供的第二静电释放图形21可悬空设置，也可以与显示基板中的公共电极或公共电极线连接，当设置第二静电释放图形21与显示基板中的公共电极或公共电极线连接时，能够使得第二静电释放图形21接入稳定的公共电极信号，从而保证了第一静电释放图形20和第二静电释放图形21之间形成的电容结构具有稳定的存储性能，不容易受到显示基板中产生的其它干扰信号的影响。
在另外一些实施例中，如图5所示，上述实施例提供的静电释放结构2还可以包括：
与信号线1异层设置的第三静电释放图形24，第三静电释放图形24与信号线1之间间隔有第二绝缘层；
与第三静电释放图形24连接的多个导电图形25，导电图形25远离第三静电释放图形24的端部包括尖端部。
具体地，第三静电释放图形24可设置在信号线1的附近，且与信号线1异层设置，第三静电释放图形24上设置有多个导电图形25，多个导电图形25远离第三静电释放图形24的端部均为尖端部，第三静电释放图形24和多个导电图形25可均采用导电材料制作，当信号线1上产生静电时，静电的电荷能够转移到第三静电释放图形24，并通过第三静电释放图形24中的多个导电图形25的尖端部释放掉，从而避免了静电对信号线1产生影响。
上述第三静电释放图形24除了能释放信号线1上产生的静电外，还能够将位于信号线1周边的静电经多个导电图形25的尖端部释放掉，从而避免信号线1附近产生的静电对信号线1造成影响。
值得注意，上述包括第三静电释放图形24和多个导电图形25的静电释放结构2可以对显示基板中的多种信号线1进行保护，示例性的，可将该静电释放结构2应用在位于显示基板边缘的信号线1上，从而防止信号线1上产生的静电和外界的静电对位于显示基板边缘的信号线1产生影响。
另外，上述第三静电释放图形24可与多个导电图形25形成为一体结构，这样就可以通过一次构图工艺同时形成第三静电释放图形24和多个导电图形25，更好的简化了工艺流程。
进一步地，如图6所示，可设置上述第三静电释放图形24包括第一端部241和第二端部242，第一端部241在显示基板的衬底基板上的正投影和第二端部242在衬底基板上的正投影，分别与信号线1在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
具体地，设置第三静电释放图形24包括第一端部241和第二端部242，并将该第一端部241和第二端部242在垂直于衬底基板的方向上分别与信号线1重叠，使得第三静电释放图形24的第一端部241和信号线1之间能够形成电容结构，第三静电释放图形24的第二端部242和信号线1之间能够形成电容结构，这样当信号线1上产生静电时，静电能够击穿这两个电容结构，进而实现对信号线1上产生的静电的释放。
进一步地，第三静电释放图形24的第一端部241和/或第二端部242可包括尖端部。
具体地，将第三静电释放图形24的第一端部241和/或第二端部242设置为尖端部，使得第三静电释放图形24接收到的静电不仅能够通过多个导电图形25释放，还能够通过第一端部241和/或第二端部242释放，从而更好的避免了静电对信号线1产生影响。
进一步地，如图7和图8所示，上述实施例提供的静电释放结构2还包括：第四静电释放图形26和第五静电释放图形27，第四静电释放图形26与信号线1并联，和/或第五静电释放图形27与信号线1并联，第四静电释放图形26和第五静电释放图形27在衬底基板4上的正投影，均位于信号线1在衬底基板4上的正投影的内部；
第三静电释放图形24的第一端部241位于信号线1和第四静电释放图形26之间，且第三静电释放图形24的第一端部241在衬底基板4上的正投影与第四静电释放图形26在衬底基板4上的正投影至少部分重叠；
第三静电释放图形24的第二端部242位于信号线1和第五静电释放图形27之间，且第三静电释放图形24的第二端部242在衬底基板4上的正投影与第五静电释放图形27在衬底基板4上的正投影至少部分重叠。
具体地，将静电释放结构2设置为上述结构，使得信号线1、第三静电释放图形24的第一端部241和第四静电释放图形26之间形成为三明治结构，从而使得第三静电释放图形24的第一端部241能够分别与信号线1和第四静电释放图形26形成电容结构，这样信号线1上产生的静电就能够通过击穿该电容结构得到释放。
同样的，信号线1、第三静电释放图形24的第二端部242和第五静电释放图形27之间形成为三明治结构，从而使得第三静电释放图形24的第二端部242能够分别与信号线1和第五静电释放图形27形成电容结构，信号线1上产生的静电能够通过击穿该电容结构得到释放。
值得注意，由于上述第四静电释放图形26和第五静电释放图形27均与信号线1异层设置，这样在将第四静电释放图形26和第五静电释放图形27与信号线1并联时，可通过在第四静电释放图形26和信号线1之间，以及在第五静电释放图形27和信号线1之间设置过孔5，并通过过孔5实现第四静电释放图形26与信号线1并联，以及第五静电释放图形27与信号线1并联。
另外需要说明，第四静电释放图形26与第三静电释放图形24的第一端部241之间，以及第五静电释放图形27与第三静电释放图形24的第二端部242之间，形成有绝缘膜层6，第三静电释放图形24的第一端部241与信号线1之间，以及第三静电释放图形24的第二端部242与信号线1之间，形成有绝缘膜层6。
进一步地，可设置上述静电释放结构2包括的第四静电释放图形26和/或第五静电释放图形27与显示基板中的有源层同层同材料设置。
具体地，将第四静电释放图形26和/或第五静电释放图形27与显示基板中的有源层同层同材料设置，能够实现通过一次构图工艺同时制作第四静电释放图形26、第五静电释放图形27和显示基板中的有源层，从而避免了增加专门用于制作第四静电释放图形26和第五静电释放图形27的构图工艺，更好的简化了静电释放结构2的制作流程和制作成本。
进一步地，可设置第四静电释放图形26在衬底基板上的正投影，与第三静电释放图形24的第一端部在衬底基板上的正投影重叠的部分为本征半导体材料形成；和/或第五静电释放图形27在衬底基板上的正投影，与第三静电释放图形24的第二端部在衬底基板上的正投影重叠的部分为本征半导体材料形成。
具体地，可将第四静电释放图形26在衬底基板上的正投影，与第三静电释放图形24的第一端部在衬底基板上的正投影重叠的部分采用本征半导体材料制作，即形成为第一本征半导体图形；和/或将第五静电释放图形27在衬底基板上的正投影，与第三静电释放图形24的第二端部在衬底基板上的正投影重叠的部分采用本征半导体材料制作，即形成为第二本征半导体图形，由于本征半导体材料在高温环境下具有更好的导电性能，因此，显示基板在实际应用时，随着自身温度的升高，第四静电释放图形26和第五静电释放图形27能够更好的释放显示基板中产生的静电。
在另外一些实施例中，如图9所示，上述实施例提供的静电释放结构2还可以包括：
梳状的第六静电释放图形28，第六静电释放图形28包括多个梳齿和用于连接多个梳齿的一端的第一连接部281，第一连接部281与信号线1连接，第六静电释放图形28的梳齿远离第一连接部281的端部包括尖端部；
第七静电释放图形29，第七静电释放图形29位于第六静电释放图形28的梳齿远离第一连接部281的一侧，第七静电释放图形29与第六静电释放图形28之间间隔有第三绝缘层。
具体地，将静电释放结构2设置为上述结构，使得信号线1上产生的静电能够传输至第六静电释放图形28，并经第六静电释放图形28的尖端部实现放电，同时由于在第六静电释放图形28的梳齿远离第一连接部281的一侧设置了第七静电释放图形29，信号线1上产生的静电的电荷还能够经第六静电释放图形28转移到第七静电释放图形29，并经第七静电释放图形29释放。可见上述结构的静电释放结构2能够通过第六静电释放图形28和第七静电释放图形29实现放电，从而实现了将信号线1上产生的静电更快速、高效的释放。
进一步地，可设置上述第七静电释放图形29呈梳状，包括梳齿和用于连接该梳齿的第二连接部291，第七静电释放图形29的梳齿远离第二连接部291的端部包括尖端部；第七静电释放图形29的梳齿的尖端部在显示基板的衬底基板上的正投影，与第六静电释放图形28的梳齿的尖端部在衬底基板上的正投影相对。
具体地，将第七静电释放图形29设置为梳状，并设置其梳齿包括尖端部，使得转移到第七静电释放图形29的静电能够通过第七静电释放图形29的尖端部更好的被释放。而且，设置第七静电释放图形29的梳齿的尖端部在显示基板的衬底基板上的正投影，与第六静电释放图形28的梳齿的尖端部在衬底基板上的正投影相对，能够使得信号线1上产生的静电的电荷更容易经第六静电释放图形28转移到第七静电释放图形29上，从而更好的实现了对信号线1上产生的静电的释放。
进一步地，可设置第六静电释放图形28包括的梳齿与第七静电释放图形29包括的梳齿一一对应，这样更有利于静电的电荷经第六静电释放图形28转移到第七静电释放图形29，更好的实现将信号线1上的静电释放。
进一步地，上述第六静电释放图形28与第七静电释放图形29可以同层设置或异层设置。
具体地，上述第六静电释放图形28与第七静电释放图形29可根据实际制作需要同层设置或异层设置，但更优选的，将第六静电释放图形28与第七静电释放图形29同层设置，这样就可以通过一次构图工艺同时制作第六静电释放图形28和第七静电释放图形29，简化了静电释放结构2的制作工艺，节约了制作成本。
需要说明，上述实施例提供的静电释放结构2所包括的各种具体结构均可以相互结合使用，示例性的，如图10所示，显示基板中包括的静电释放结构2可同时包括第一静电释放图形20、第二静电释放图形21、第一静电释放图形以及设置在第三静电释放图形上的导电图形。
值得注意，上述多个实施例可相互结合使用，实施例中的任意组合，都应在本实用新型的保护范围之内。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
由于上述实施例提供的显示基板中设置了静电释放结构2，且该静电释放结构2能够对信号线1进行静电释放，从而使得显示基板无论在制作过程中或工作过程中，信号线1上产生的静电均能够通过静电释放结构2释放掉，使得信号线1能够稳定并精确的传输对应的信号，很好的保证了显示基板工作的稳定性；因此，本实用新型实施例在包括上述实施例提供的显示基板时同样具有信号传输稳定、精确，显示装置工作性能稳定等效果。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件″上″或″下″时，该元件可以″直接″位于另一元件″上″或″下″，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：显示区域和位于所述显示区域周边的周边区域；其中，
所述显示区域包括：多条栅线，多条数据线和多个像素单元，每个所述像素单元包括相连接的驱动晶体管和像素电极；
所述周边区域包括：信号线，以及用于对所述信号线进行静电释放的静电释放结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述静电释放结构包括：
与所述信号线连接的第一静电释放图形；
与所述第一静电释放图形异层设置的第二静电释放图形，所述第二静电释放图形与所述第一静电释放图形之间间隔有第一绝缘层，以使所述第一静电释放图形与所述第二静电释放图形彼此绝缘，所述第二静电释放图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影，与所述第一静电释放图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一静电释放图形在所述衬底基板上的正投影呈折线形状，且所述第一静电释放图形与所述信号线的至少部分并联；
所述第二静电释放图形在所述衬底基板上的正投影呈折线形状，且所述第二静电释放图形首尾闭合。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述静电释放结构还包括：
与所述信号线连接的第一电极；
与所述第二静电释放图形连接的第二电极，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，一条所述信号线对应多个静电释放结构，所述多个静电释放结构中的至少两个静电释放结构中，同一个静电释放结构包括的第一静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度，与第二静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度相同；
所述至少两个静电释放结构中，不同的静电释放结构包括的第一静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度各不相同，和/或不同的静电释放结构中包括的第二静电释放图形沿垂直于其自身延伸方向上的宽度各不相同。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二静电释放图形与所述显示基板中的公共电极或公共电极线连接。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述静电释放结构包括：
与所述信号线异层设置的第三静电释放图形，所述第三静电释放图形与所述信号线之间间隔有第二绝缘层；
与所述第三静电释放图形连接的多个导电图形，所述导电图形远离所述第三静电释放图形的端部包括尖端部。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第三静电释放图形包括第一端部和第二端部，所述第一端部在所述显示基板的衬底基板上的正投影和所述第二端部在所述衬底基板上的正投影，分别与所述信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一端部和/或所述第二端部包括尖端部。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述静电释放结构还包括：第四静电释放图形和第五静电释放图形，所述第四静电释放图形与所述信号线并联，和/或所述第五静电释放图形与所述信号线并联，所述第四静电释放图形和所述第五静电释放图形在所述衬底基板上的正投影，均位于所述信号线在所述衬底基板上的正投影的内部；
所述第三静电释放图形的第一端部位于所述信号线和所述第四静电释放图形之间，且所述第三静电释放图形的第一端部在所述衬底基板上的正投影与所述第四静电释放图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
所述第三静电释放图形的第二端部位于所述信号线和所述第五静电释放图形之间，且所述第三静电释放图形的第二端部在所述衬底基板上的正投影与所述第五静电释放图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第四静电释放图形和/或所述第五静电释放图形与所述显示基板中的有源层同层同材料设置。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第四静电释放图形在所述衬底基板上的正投影，与所述第三静电释放图形的第一端部在所述衬底基板上的正投影重叠的部分为本征半导体材料形成；和/或所述第五静电释放图形在所述衬底基板上的正投影，与所述第三静电释放图形的第二端部在所述衬底基板上的正投影重叠的部分为本征半导体材料形成。
13.根据权利要求1～6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述静电释放结构包括：
梳状的第六静电释放图形，所述第六静电释放图形包括多个梳齿和用于连接所述多个梳齿的一端的第一连接部，所述第一连接部与所述信号线连接，所述第六静电释放图形的梳齿远离所述第一连接部的端部包括尖端部；
第七静电释放图形，所述第七静电释放图形位于所述第六静电释放图形的梳齿远离所述第一连接部的一侧，所述第七静电释放图形与所述第六静电释放图形之间间隔有第三绝缘层。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第七静电释放图形呈梳状，包括梳齿和用于连接该梳齿的第二连接部，所述第七静电释放图形的梳齿远离所述第二连接部的端部包括尖端部；
所述第七静电释放图形的梳齿的尖端部在所述显示基板的衬底基板上的正投影，与所述第六静电释放图形的梳齿的尖端部在所述衬底基板上的正投影相对。
15.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第六静电释放图形与所述第七静电释放图形同层设置或异层设置。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～15中任一项所述的显示基板。
CN201920035765.7U 2019-01-09 2019-01-09 一种显示基板、显示装置 Active CN209132559U (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920035765.7U CN209132559U (zh) 2019-01-09 2019-01-09 一种显示基板、显示装置
EP19908801.4A EP3789820B1 (en) 2019-01-09 2019-10-23 Display substrate and display device
PCT/CN2019/112770 WO2020143271A1 (zh) 2019-01-09 2019-10-23 显示基板、显示装置
US16/758,803 US11335714B2 (en) 2019-01-09 2019-10-23 Display substrate and display device
US17/658,636 US11887994B2 (en) 2019-01-09 2022-04-08 Display substrate and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920035765.7U CN209132559U (zh) 2019-01-09 2019-01-09 一种显示基板、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN209132559U true CN209132559U (zh) 2019-07-19

Family

ID=67249871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201920035765.7U Active CN209132559U (zh) 2019-01-09 2019-01-09 一种显示基板、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11335714B2 (zh)
EP (1) EP3789820B1 (zh)
CN (1) CN209132559U (zh)
WO (1) WO2020143271A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020143271A1 (zh) * 2019-01-09 2020-07-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
CN112509467A (zh) * 2020-11-27 2021-03-16 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、静电释放装置及方法
CN112506371A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 触控基板和触控显示装置
CN113196159A (zh) * 2019-11-29 2021-07-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3874948B2 (ja) * 1998-11-30 2007-01-31 オプトレックス株式会社 液晶表示パネル
TWI229440B (en) * 2003-10-09 2005-03-11 Au Optronics Corp Electrostatic discharge protection structure
TW200638143A (en) * 2004-10-29 2006-11-01 Toshiba Matsushita Display Tec Display device
US7936332B2 (en) * 2006-06-21 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit having reduced ripple effect and display apparatus having the same
KR101301155B1 (ko) * 2006-12-12 2013-09-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법
KR101200258B1 (ko) * 2008-12-26 2012-11-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 모 어레이 기판
JP2013205504A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Japan Display Inc 液晶表示装置
CN205508776U (zh) * 2013-02-28 2016-08-24 株式会社村田制作所 半导体装置
CN103227173B (zh) * 2013-04-10 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104090436B (zh) * 2014-06-26 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的栅极行驱动电路及显示装置
KR102252974B1 (ko) * 2014-12-01 2021-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN205067934U (zh) * 2015-10-30 2016-03-02 北京京东方显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN106444180A (zh) * 2016-08-29 2017-02-22 武汉华星光电技术有限公司 一种测试用焊点的静电释放装置及液晶显示器
CN209132559U (zh) 2019-01-09 2019-07-19 北京京东方技术开发有限公司 一种显示基板、显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020143271A1 (zh) * 2019-01-09 2020-07-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
US11335714B2 (en) 2019-01-09 2022-05-17 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Display substrate and display device
US11887994B2 (en) 2019-01-09 2024-01-30 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Display substrate and display device
CN113196159A (zh) * 2019-11-29 2021-07-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN113196159B (zh) * 2019-11-29 2023-07-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN112509467A (zh) * 2020-11-27 2021-03-16 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、静电释放装置及方法
CN112509467B (zh) * 2020-11-27 2022-03-08 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、静电释放装置及方法
CN112506371A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 触控基板和触控显示装置
CN112506371B (zh) * 2020-11-30 2024-03-15 京东方科技集团股份有限公司 触控基板和触控显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3789820A4 (en) 2022-01-26
WO2020143271A1 (zh) 2020-07-16
US11335714B2 (en) 2022-05-17
EP3789820A1 (en) 2021-03-10
US20220238564A1 (en) 2022-07-28
US11887994B2 (en) 2024-01-30
US20210225896A1 (en) 2021-07-22
EP3789820B1 (en) 2023-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209132559U (zh) 一种显示基板、显示装置
CN103941507B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN105094437B (zh) 一种触控显示面板及其驱动方法、显示装置
CN104699316B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN104133331B (zh) 用于窄边框型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN103728799B (zh) 具有最小边框的液晶显示装置
CN103488009B (zh) 一种阵列基板及控制方法、液晶显示装置
CN104297970B (zh) Goa 单元、阵列基板、显示装置及制作方法
CN104699353B (zh) 阵列基板、驱动方法、显示面板及显示装置
CN104850269A (zh) 触摸屏及触摸显示装置
CN104571758A (zh) 一种阵列基板和显示面板
US20150276999A1 (en) Color filter substrate, display device and method for manufacturing a color filter substrate
CN106356381B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN204463091U (zh) 一种触摸显示面板及其阵列基板
CN107195660A (zh) 有机发光显示面板及显示装置
CN103033979B (zh) 彩色滤光片及其制造方法、触摸液晶显示屏
CN102945846B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
KR20090076572A (ko) 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시기판의 제조 방법
CN104849886B (zh) 显示装置及其驱动方法、制作方法
CN105974690A (zh) 一种掩模板、阵列基板、显示面板及显示装置
CN104898322A (zh) 一种显示装置及其驱动方法
CN110010021A (zh) 无机发光二极管显示基板、显示装置及驱动方法
CN109256395A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110442255A (zh) 触控基板及触控显示装置
CN103676361B (zh) 显示屏及其制造方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant