JP4989077B2 - 省エネルギー性ワードラインイネーブル信号ラインの配置構造を有する半導体メモリ装置及び該ワードラインイネーブル信号ラインの配置方法 - Google Patents
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Description
300 ローデコーダ領域
201〜209 複数個のメモリセルアレイ
210 サブワードラインドライバ
211、212 ワードラインイネーブルドライバ
213 スペアワードラインドライバ
Claims (9)
- 垂直方向及び水平方向に配列される複数個のメモリセルアレイを含むアレイ領域と、
所定のアドレス信号に応じて複数個のワードラインイネーブル信号を発生させて、複数本のワードラインイネーブル信号ラインに出力するワードラインイネーブルドライバと、
それぞれ、対応されるメインワードラインを通じて入力される信号及び前記複数本のワードラインイネーブル信号ラインのうちの該当ラインを通じて入力されるワードラインイネーブル信号に応じてサブワードラインを駆動する複数のサブワードラインドライバと、を備え、
前記複数のサブワードラインドライバのそれぞれは、前記対応されるメインワードラインと連結されるように一対の前記垂直方向に隣り合うメモリセルアレイの間で前記水平方向に配置され、
前記複数本のワードラインイネーブル信号ラインのそれぞれは、前記水平方向に配置される前記サブワードラインドライバのうちいずれか一方で一つのメインワードラインと連結される前記サブワードラインドライバにだけ連結される
ことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記ワードラインイネーブルドライバは、前記アレイ領域の外側のローデコーダ領域に配置される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置の製造工程は、3枚のメタル層を使用し、前記複数本のワードラインイネーブル信号ラインは、前記3枚のメタル層のうちの最上層のメタルで形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記サブワードラインドライバは、前記アレイ領域内の前記垂直方向に配置される両側メモリセルアレイの間に配置される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - アレイ領域に垂直方向及び水平方向に配置される複数個のメモリセルアレイと、
複数個のアドレス信号に応じて第1ワードラインイネーブル信号ライン上に第1ワードラインイネーブル信号を発生させる第1ワードラインイネーブルドライバと、
前記複数個のアドレス信号に応じて第2ワードラインイネーブル信号ライン上に第2ワードラインイネーブル信号を発生させる第2ワードラインイネーブルドライバと、
第1ワードライン信号と前記第1ワードラインイネーブル信号とに応じて第1サブワードラインを駆動するために前記垂直方向に隣接する一対のメモリセルアレイの間に配置される第1サブワードラインイネーブルドライバと、
第2ワードライン信号と前記第2ワードラインイネーブル信号とに応じて第2サブワードラインを駆動するために前記垂直方向に隣接する一対のメモリセルアレイの間に配置される第2サブワードラインイネーブルドライバと、を備え、
前記第1及び第2ワードラインイネーブル信号ラインは、前記第1及び第2ワードラインイネーブルドライバから、前記それぞれの第1及び第2サブワードラインイネーブルドライバに垂直に拡張され、それから水平に拡張され、
前記第1サブワードラインイネーブルドライバと前記第2サブワードラインイネーブルドライバとは、対応されるメインワードラインと連結されるように一対の前記垂直方向に隣り合うメモリセルアレイの間で前記水平方向に配置され、
前記第1ワードラインイネーブル信号ラインと前記第2ワードラインイネーブル信号ラインとは、前記水平方向に配置される前記第1サブワードラインイネーブルドライバと前記第2サブワードラインイネーブルドライバとのうちいずれか一方で一つのメインワードラインと連結されるサブワードラインイネーブルドライバにだけ連結される
ことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記第1及び第2ワードラインイネーブルドライバは、前記アレイ領域の外側のローデコーダ領域に配置される
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置の製造工程は、3枚のメタル層を使用し、前記第1及び第2ワードラインイネーブル信号ラインは、前記3枚のメタル層のうちの最上層のメタルで形成される
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 垂直方向及び水平方向に配列される複数個のメモリセルアレイを含むアレイ領域と、所定のアドレス信号に応じて複数個のワードラインイネーブル信号を発生させて、複数本のワードラインイネーブル信号ラインに出力するワードラインイネーブルドライバと、それぞれ、対応されるメインワードラインを通じて入力される信号及び前記複数本のワードラインイネーブル信号ラインのうちの該当ラインを通じて入力されるワードラインイネーブル信号に応じてサブワードラインを駆動する複数のサブワードラインドライバとを備える半導体メモリ装置における前記ワードラインイネーブル信号ラインの配置方法において、
前記ワードラインイネーブルドライバを前記アレイ領域の外側のローデコーダ領域に配置する段階と、
前記サブワードラインドライバを前記アレイ領域内の前記垂直方向に配置される両側のメモリセルアレイの間に配置する段階と、
前記複数のサブワードラインドライバのそれぞれは、前記対応されるメインワードラインと連結されるように一対の前記垂直方向に隣り合うメモリセルアレイの間で前記水平方向に配置され、
前記複数本のワードラインイネーブル信号ラインのそれぞれは、前記水平方向に配置される前記サブワードラインドライバのうちいずれか一方で一つのメインワードラインと連結される前記サブワードラインドライバにだけ連結させる段階と、を含む
ことを特徴とするワードラインイネーブル信号ラインの配置方法。 - 前記半導体メモリ装置の製造工程は、3枚のメタル層を使用し、前記複数本のワードラインイネーブル信号ラインは、前記3枚のメタル層のうちの最上層のメタルで形成される
ことを特徴とする請求項8に記載のワードラインイネーブル信号ラインの配置方法。
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