JP4979892B2 - 有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されていてソース電極を有するデータ線と、
前記データ線から分離されているドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の一部及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を露出する開口部と、前記ドレイン電極を露出する第1接触孔を有する隔壁と、
前記隔壁の開口部内に形成され、前記ソース電極とドレイン電極の一部に接している島形の有機半導体と、
前記有機半導体の上部に形成されており、有機絶縁物質からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部に位置しゲート電極を有するゲート線と、
前記ゲート線を覆っており、前記ドレイン電極を露出させる第2接触孔を有する保護膜と、
前記第1接触孔及び前記第2接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結されている画素電極と、
を含むことを特徴とする、有機半導体薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明4は、前記発明3において、前記有機半導体と前記遮光膜との間に形成されており、有機絶縁物質または窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる層間絶縁膜をさらに含むことを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明5は、前記発明1において、前記ゲート絶縁層はOTS(octadecyl-trichloro-sil
ane)表面処理された酸化ケイ素、窒化ケイ素、マレイミドスチレン、ポリビニルフェノ
ール(PVP)及び変性シアノエチルプルラン(m-CEP)のうちの少なくとも一つから形成されていることを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明8は、前記発明1において、前記データ線及びドレイン電極の下に形成されている層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下に形成されているカラーフィルターと、前記カラーフィルターの下に形成されている黒色層と、をさらに含むことを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ表示板を提供する。
また、前記課題を解決するために、発明10は、絶縁基板上にソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の一部及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を露出する開口部と、前記ドレイン電極を露出する接触孔を有する隔壁と、を形成する段階と、前記開口部内に有機半導体を形成する段階と、前記有機半導体の上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記隔壁の上部にゲート電極を有するゲート線を形成する段階と、前記ゲート線を覆っており、前記ドレイン電極を露出する保護膜を形成する段階と、前記保護膜の上部に画素電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする、有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
発明12は、前記発明10において、前記ゲート絶縁膜はインクジェット方式で形成することを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
発明14は、前記発明10において、前記データ線形成段階の前に、前記絶縁基板の上部に遮光膜を形成する段階と、前記遮光膜を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
<有機半導体薄膜トランジスタ表示板の構造>
まず、図1及び図2を参照して、本発明の一つの実施形態による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の構造を説明する。
データ線171は主に縦方向に伸びており、データ電圧を伝達する。各データ線171からドレイン電極175に向かって伸びた複数の分枝はソース電極173を構成する。一対のソース電極173とドレイン電極175とは互いに分離されており、データ線171は、外部回路または他の層との接触するように、幅が拡張されている端部179を含む。
次に、データ線171及びドレイン電極175が形成されている層間絶縁膜111上部には、隔壁160が形成されている。隔壁160は、ソース電極173とドレイン電極175の一部及びこれらの間の層間絶縁膜111を露出する開口部164を有する。この時、隔壁160はその後に形成される有機半導体154の位置を定義する。そして、隔壁160は、アクリル系の感光性有機絶縁物質からなるのが好ましい。また、隔壁160は2〜5μm範囲の厚さを有し、ドレイン電極175及びデータ線171の端部179を露出する。そして、テーパ構造の側壁を有する接触孔165、162を含んでいる。
ゲート絶縁膜140には、水溶液や有機溶媒に溶解される高分子物質や低分子物質が利用される。高分子のゲート絶縁膜140は一般に溶媒によく溶解されるので、インクジェットなどのプリンティング工程に適している。そして、低分子物質には有機溶媒によく溶解する物質があるので、低分子のゲート絶縁膜140にはこれを利用する。これらのゲート絶縁膜140は、スピンコーティングで形成し、感光膜パターンを利用したパターニングで形成することもできる。この時、ゲート絶縁膜140を構成する物質は有機半導体154に影響を与えてはならない。つまり、有機半導体154はゲート絶縁膜140を形成する時に有機溶媒に対して溶解性を有してはならず、ゲート絶縁膜140を構成する物質もやはり溶解性を有してはならない。
ゲート電極124、ソース電極173及びドレイン電極175は、有機半導体154と共に薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極173とドレイン電極175との間の有機半導体154に形成される。
次に、上述のように構成された本発明に係る有機薄膜トランジスタ表示板の動作及び作用について説明する。
以下より、図1及び図2に示した液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の製造方法における本発明の一つの実施例を、図3乃至図14及び図1及び図2を参照して詳細に説明する。
このような本発明の実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法では、有機半導体154の下部に遮光膜120を配置し、有機半導体154の上部にゲート電極124を配置する。したがって、バックライトまたは外部から有機半導体154に入射する光を完全に遮断して有機半導体で発生するリーク電流を遮断し薄膜トランジスタの特性を安定的に確保することができる。
一方、薄膜トランジスタ表示板と対向する対向表示板には、黒色層と、画素に順次に配置されている赤色、緑色、青色のカラーフィルターと、対向電極とが配置されている。黒色層は、画素の間で漏洩される光を遮断する。対向電極は、画素電極と対向して電場を形成する。また、黒色層とカラーフィルターとは薄膜トランジスタ表示板に配置しても良い。以下より、これについて図面を参照して具体的に説明する。
但し、層間絶縁膜111を形成する前に、絶縁基板110の上部にクロム(Cr)などの不透明な物質を積層及びパターニングして黒色層220を形成し、次に赤色、緑色、青色の顔料を含む絶縁物質を順次に積層及びパターニングして、赤色、緑色、青色のカラーフィルター230を形成する工程を追加する。
124 ゲート電極
140 ゲート絶縁層
154 有機半導体層
164 絶縁層
173 ソース電極
171 データ線
175 ドレイン電極
180 保護膜
181、182、185 接触孔
190 画素電極
81、82 接触補助部材
Claims (16)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されていてソース電極を有するデータ線と、
前記データ線から分離されているドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の一部及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を露出する開口部と、前記ドレイン電極を露出する第1接触孔を有する隔壁と、
前記隔壁の開口部内に形成され、前記ソース電極とドレイン電極の一部に接している島形の有機半導体と、
前記有機半導体の上部に形成されており、有機絶縁物質からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部に位置しゲート電極を有するゲート線と、
前記ゲート線を覆っており、前記ドレイン電極を露出させる第2接触孔を有する保護膜と、
前記第1接触孔及び前記第2接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結されている画素電極と、
を含むことを特徴とする、有機半導体薄膜トランジスタ表示板。 - 前記ゲート絶縁膜は前記開口部内に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
- 前記有機半導体の下部に形成されており、不透明物質からなる遮光膜をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
- 前記有機半導体と前記遮光膜との間に形成されており、有機絶縁物質または窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる層間絶縁膜をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート絶縁層はOTS(octadecyl-trichloro-silane)表面処理された酸化ケイ素、
窒化ケイ素、マレイミドスチレン、ポリビニルフェノール(PVP)及び変性シアノエチルプルラン(m-CEP)のうちの少なくとも一つから形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。 - 前記有機半導体は、テトラセン、ペンタセンの置換基を含む誘導体、チオフェン環の2,5位置を通じて4乃至8個が連結されたオリゴチオフェン、ペリレンテトラカルボン酸二無水物またはそのイミド誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物またはそのイミド誘導体、金属化フタロシアニンまたはそのハロゲン化誘導体、ペリレンまたはコロネンとその置換基を含む誘導体、チエニレン及びビニレンのコオリゴマーまたはコポリマー、チオフェン、ペリレンまたはコロエンとそれらの置換基を含む誘導体、前記誘導体の芳香族または芳香族複素環に炭素数1乃至30個の炭化水素鎖を一つ以上含む誘導体からなる群から選ばれるいずれか1つの化合物から形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート絶縁膜は前記ゲート電極に覆われていることを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ線及びドレイン電極の下に形成されている層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の下に形成されているカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの下に形成されている黒色層と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。 - 前記保護膜の下部に形成されているカラーフィルターをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板。
- 絶縁基板上にソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の一部及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を露出する開口部と、前記ドレイン電極を露出する接触孔を有する隔壁と、を形成する段階と、
前記開口部内に有機半導体を形成する段階と、
前記有機半導体の上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記隔壁の上部にゲート電極を有するゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線を覆っており、前記ドレイン電極を露出する保護膜を形成する段階と、
前記保護膜の上部に画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記有機半導体はインクジェット方式で形成することを特徴とする、請求項10に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜はインクジェット方式で形成することを特徴とする、請求項10に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記隔壁は有機絶縁物質で形成することを特徴とする、請求項10に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記データ線形成段階の前に、
前記絶縁基板の上部に遮光膜を形成する段階と、
前記遮光膜を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする、請求項10に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記データ線及びドレイン電極の下部にカラーフィルターを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項10に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記保護膜の下部にカラーフィルターを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項10に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
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KR101133767B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20070014579A (ko) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US8673702B2 (en) * | 2005-08-12 | 2014-03-18 | Creator Technology B.V. | Field shield dielectric as a mask during semiconductor ink jet printing |
KR20070033144A (ko) * | 2005-09-21 | 2007-03-26 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 표시장치의 제조방법 |
JP4784382B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-10-05 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
KR101197053B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20070053060A (ko) * | 2005-11-19 | 2007-05-23 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
US7800101B2 (en) * | 2006-01-05 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor having openings formed therein |
KR101240657B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
JP5250944B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-07-31 | 凸版印刷株式会社 | 構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法 |
KR101236240B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2013-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR101187205B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2012-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101293562B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101244898B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
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KR101261605B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2013-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101328628B1 (ko) | 2006-07-28 | 2013-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101251376B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2013-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP2008047893A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
KR101256544B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR20080026989A (ko) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US20080128685A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-06-05 | Hiroyuki Honda | Organic semiconductor device, manufacturing method of same, organic transistor array, and display |
JP2008109116A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
KR101363714B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2014-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터, 그 제조 방법, 이를 이용한 정전기방지 소자, 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
JP4935404B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器 |
KR101062108B1 (ko) * | 2007-03-26 | 2011-09-02 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 유기 반도체 소자 및 그 제조방법 |
KR101415560B1 (ko) | 2007-03-30 | 2014-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US20080258138A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and fabricating method thereof, and flat panel display with the same |
GB2449926A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-10 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing an electrolyte pattern |
JP2009021477A (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法 |
KR101393636B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
KR101326129B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2013-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR100907255B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2009-07-10 | 한국전자통신연구원 | 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치 |
JP5256676B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2013-08-07 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
KR101427707B1 (ko) * | 2008-02-21 | 2014-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 |
JP2009204724A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示素子 |
US7718466B2 (en) * | 2008-07-11 | 2010-05-18 | Organicid, Inc. | Performance improvements of OFETs through use of field oxide to control ink flow |
JP2010040897A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sony Corp | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 |
KR101540341B1 (ko) | 2008-10-17 | 2015-07-30 | 삼성전자주식회사 | 패널 구조체, 패널 구조체를 포함하는 표시장치 및 이들의 제조방법 |
KR101557817B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2015-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101592015B1 (ko) * | 2009-03-05 | 2016-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP4605319B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2011-01-05 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ |
WO2010117449A2 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-14 | University Of Kentucky Research Foundation | Semiconducting compounds and devices incorporating same |
KR101747391B1 (ko) * | 2009-07-07 | 2017-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
KR101570482B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2015-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
ITMI20102406A1 (it) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | E T C Srl | Una piattaforma comprendente un transistor organico ad effetto di campo per applicazioni mediche e biologiche |
CN102646792B (zh) * | 2011-05-18 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 |
CN102637636A (zh) * | 2011-08-24 | 2012-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置 |
JP6040518B2 (ja) | 2011-08-25 | 2016-12-07 | ソニー株式会社 | 電子機器および半導体基板 |
JP5927520B2 (ja) | 2011-11-16 | 2016-06-01 | 株式会社Joled | 表示パネルの製造方法 |
CN103367458B (zh) * | 2012-04-03 | 2017-03-01 | 元太科技工业股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
TWI500162B (zh) * | 2012-04-03 | 2015-09-11 | E Ink Holdings Inc | 薄膜電晶體及其製造方法 |
TWI469360B (zh) * | 2012-09-06 | 2015-01-11 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 顯示面板及顯示裝置 |
KR102027361B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2019-10-01 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 전자 소자 |
KR102285384B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치 |
KR102373687B1 (ko) * | 2015-05-11 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
US11101294B2 (en) * | 2018-10-19 | 2021-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Array substrate and display device |
CN113644096B (zh) * | 2021-07-22 | 2023-12-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2679057B1 (fr) * | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
US6326640B1 (en) | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
US6746905B1 (en) * | 1996-06-20 | 2004-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film transistor and manufacturing process therefor |
CN1148600C (zh) * | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
JP3580092B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100268308B1 (ko) | 1997-12-30 | 2000-10-16 | 구본준 | 액정표시장치 기판 및 그 제조방법 |
WO1999048339A1 (fr) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface |
JP2000147551A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP3850005B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2006-11-29 | パイオニア株式会社 | スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 |
JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2000267073A (ja) | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Nec Corp | カラー液晶表示パネル及びその製造方法 |
KR100601193B1 (ko) | 1999-04-17 | 2006-07-13 | 삼성전자주식회사 | 컬러패턴 온 어레이형 액티브 메트릭스 기판 및 이의 제조방법 |
WO2001008242A1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-02-01 | E Ink Corporation | Preferred methods for producing electrical circuit elements used to control an electronic display |
TW494447B (en) * | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2001264810A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nec Kagoshima Ltd | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
EP1310004A2 (de) * | 2000-08-18 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen |
GB0028877D0 (en) | 2000-11-28 | 2001-01-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | Liquid crystal displays |
KR100397671B1 (ko) | 2001-03-07 | 2003-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 잉크젯 방식 컬러필터를 가지는 액정표시장치 및 그의제조방법 |
TW490858B (en) | 2001-04-26 | 2002-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Polycrystalline thin film transistor for liquid crystal device(LCD) and method of manufacturing the same |
KR100399283B1 (ko) | 2001-05-02 | 2003-09-26 | 권영수 | 고성능 유기 박막 트랜지스트의 소자 구조 및 그 제조방법. |
JP5187994B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2013-04-24 | ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド | 薄膜トランジスタの製造方法並びにそのような製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ及び液晶表示パネル |
JP4841751B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
JP3970583B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2007-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
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